「semiconductor layer」を含む例文一覧(24027)

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  • SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層 - 特許庁
  • OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER
    酸化物半導体層 - 特許庁
  • The semiconductor structure comprises a substrate, a metal layer, an insulation layer, a first semiconductor layer, and a second semiconductor layer.
    基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LAYER FORMATION DEVICE, SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING METHOD
    半導体層形成装置、半導体層製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR CONTROLLING LAYER THICKNESS OF SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の層厚制御方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE BARRIER LAYER
    半導体デバイス障壁層 - 特許庁
  • The protective layer is provided on the semiconductor layer in contact with the semiconductor layer.
    保護層は、半導体層の上に半導体層と接して設けられる。 - 特許庁
  • The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
    発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁
  • The protective layer is provided on the semiconductor layer to contact the semiconductor layer.
    保護層は、半導体層の上に半導体層と接して設けられる。 - 特許庁
  • LAMINATED LAYER TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
    積層型の半導体装置 - 特許庁
  • METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層成長方法 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LAYER FORMING METHOD
    半導体層の形成方法 - 特許庁
  • The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.
    前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁
  • In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.
    前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 3, the second semiconductor layer 4, the third semiconductor layer 5, and the fourth semiconductor layer 6 contain a nitride semiconductor.
    第１半導体層３、第２半導体層４、第３半導体層５及び第４半導体層６は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の製造方法 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の作製方法 - 特許庁
  • DEVICE FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層形成装置および半導体層形成方法 - 特許庁
  • SUBSTRATE FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層成長用基板 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE
    半導体層構造並びに半導体層構造の製造方法 - 特許庁
  • The semiconductor structure comprises an n-type semiconductor layer, a semiconductor active layer, and a p-type semiconductor layer.
    その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。 - 特許庁
  • METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層の成長方法 - 特許庁
  • The mark part semiconductor layer is a part of the above-described semiconductor layer.
    マーク部半導体層は、上記の半導体層の一部である。 - 特許庁
  • The semiconductor layer has, for example, an n-type semiconductor layer 9, an i-type semiconductor layer 10, and a p-type semiconductor layer 11.
    半導体層は、例えば、ｎ型半導体層９、ｉ型半導体層１０、及びｐ型半導体層１１を有する。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING SYSTEM
    半導体層の製造方法および半導体層製造システム - 特許庁
  • The semiconductor layer 4 comprises a p-type semiconductor layer 41, an i-type semiconductor layer 42, and an n-type semiconductor layer 43.
    また、半導体層４は、ｐ型半導体層４１、i型半導体層４２、およびｎ型半導体層４３を備えている。 - 特許庁
  • A semiconductor layer 150 consists of an N-type semiconductor layer 151, an intrinsic semiconductor layer 152 and a P-type semiconductor layer 153.
    上記光起電力素子の半導体層中に、下記Ａ及びＢに示される少なくとも一つの緩衝層を設ける。 - 特許庁
  • The semiconductor layer 24 includes a p+ type semiconductor layer 24c and an n+ type semiconductor layer 24a.
    半導体層２４は、ｐ＋型半導体層２４ｃと、ｎ＋型半導体層２４ａとを備える。 - 特許庁
  • DEPOSITION METHOD, SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    成膜方法、半導体層、及び半導体素子 - 特許庁
  • The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.
    この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁
  • According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
    実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、それらの間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.
    半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR OXIDIZING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体レーザ及び半導体層の酸化方法 - 特許庁
  • ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER
    ｐ型半導体層用電極 - 特許庁
  • The first layer is a semiconductor layer and the second layer is a metal layer.
    前記第１層は、半導体層であり、前記第２層は、金属層である。 - 特許庁
  • The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.
    ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体層を形成する方法 - 特許庁
  • The semiconductor layer includes organic semiconductor molecules.
    前記半導体層は、有機半導体分子を含む。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体素子および半導体層の形成方法 - 特許庁
  • After that, the semiconductor layer is formed as a nitride semiconductor substrate by regrowing the semiconductor layer.
    その後、窒化物半導体層を再成長させることで窒化物半導体基板とする。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMATION METHOD
    半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
    半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法 - 特許庁
  • The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
    発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁
  • The stacked structure includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer.
    積層構造体は、第１半導体層、第２半導体層及び発光層を含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR CONDUCTIVE LAYER
    半導体導電層の形成法 - 特許庁
  • The gate electrode is enveloped in the organic semiconductor layer by the melting of the organic semiconductor layer.
    有機半導体層の融解によりゲート電極が包埋される。 - 特許庁
  • In a semiconductor, a semiconductor layer, having smaller band gap energy than a GaN semiconductor layer has, is interposed between a sapphire substrate and the GaN semiconductor layer.
    サファイア基板とGaN系半導体層の間に、GaN系半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さい半導体層を積層させる。 - 特許庁
  • A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.
    また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁
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