To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film. Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
Addition conditions: The mol ratio of Mg to Si in the material to be treated is adjusted to Mg/Si≤0.5, and the mole ratio of Ca to Si is adjusted to 0.5≤Ca/Si≤2.0. 添加条件:前記被処理物質におけるMgとSiのモル比をMg/Si≦0.5に、かつCaとSiのモル比を0.5≦Ca/Si≦2.0に調整する。 - 特許庁
These elements are B, Si and C. これらの元素はB、Si、Cである。 - 特許庁
The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic. 光電変換特性が等しいa-Si TFT1とa-Si TFT2を使用する。 - 特許庁
"Si-lence!"
「静かにしやがれ!」 - Robert Louis Stevenson『宝島』
The SI-R selects a route between the SI-SWs and transfers an event transmitted from an entity terminal to other SI-SW. SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event, transmitted from a terminal serving as an entity, to another SI-SW. SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event transmitted from a terminal serving as an entity to another SI-SW. SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
(A); wherein [TS objective value] is the set value of the strength of the steel sheet with Mpa as a unit, and [Si] is the mass% of Si. (0.0012×[TS狙い値]-0.29-[Si])/1.45<Al<1.5-3*[Si] ・・・(A) ここに、[TS狙い値]は鋼板の強度設計値で単位はMpa、[Si]はSiの質量% - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer. Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
He's at schaeffer's house? si. シェイファーの家に? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Si, he'll help you. 助けてくれます - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Zr, Hf, (b) group includes V, Nb, Ta, and (c) group includes Si. a群:Ti、Zr、Hf、b群:V、Nb、Ta、c群:Si - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7. ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
Si ETCHING METHOD Siエッチング方法 - 特許庁
The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si. 溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁
The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio. 粒径<1μm;及び 粒径(μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1000≦80;(式中、[Si/(Si+Al+P)]はモル比である)の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
An SI (System Information) data analysis part 241 extracts SI data from section data and analyzes them. SIデータ解析部241は、セクションデータの中から、SIデータを抽出して解析する。 - 特許庁
The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7. ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁
The inequality (1) is denoted by 1.5 (%Mn)-2≤(%Si)≤2(%Mn). 記 1.5 (%Mn)−2 ≦(%Si) ≦ 2(%Mn) ----(1) - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING Si Si製造方法 - 特許庁
STRUCTURE OF SI BUILDING SI建物構造 - 特許庁
To correct an amplitude defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film in an EUVL mask. EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。 - 特許庁
The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8. 鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi/Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
Si REFINING METHOD Siの精錬方法 - 特許庁
To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask. EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁
SI CONTROL SYSTEM, SI CONTROL METHOD, AND SI CONTROL PROGRAM SI制御システム、SI制御方法、並びにSI制御用プログラム - 特許庁
SI MULTIPLE DWELLING HOUSE SI集合住宅 - 特許庁
Si(at.%)≤0.5, etc. (1) (wherein *at.% is element %). 0≦F(at %)/Si(at %) ≦0.5 ・・・・・(1) *at %:元素% - 特許庁
Further, Zr, Si and Sn can be incorporated therein. 更にZr,Si,Snを含有することも可能である。 - 特許庁
Semantic information network components include a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), an event place, and a session. 意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁
Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1. a-Si TFT1の入射光量をフィルタ3で減らし、a-Si TFT1の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
He was a priest of Kai Yuan Si Temple.
開元寺の僧。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
His name was david griggs. si. 名前はデビッド・グリッグス - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G. n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
The semantic information-oriented network includes as network constituents: a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), event place and a session, etc. 意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁
This high-strength steel sheet includes 1.0% or more Si+Mn as a component composition. 成分組成として、Si+Mn:1.0%以上を含有する。 - 特許庁
In the syllable /si/, the /s/ sibilates in Japanese
/si/音節において、日本語では歯擦音/s/を発する - 日本語WordNet
ETCHING METHOD OF Si FILM Si膜のエッチング方法 - 特許庁
PSI/SI-GENERATING DEVICE PSI/SI生成装置 - 特許庁
The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure. フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁