「sic」を含む例文一覧(2666)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 53 54 次へ＞- Sic him!
かかれ - Eゲイト英和辞典 - SiC HEATER
ＳｉＣヒータ - 特許庁 - SiC MOLD
ＳｉＣモールド - 特許庁 - SiC SUBSTRATE
ＳｉＣ基板 - 特許庁 - Sic him, boy!
奴にかかれ! - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書 - SIC WAFER BOAT
ＳｉＣウエハボート - 特許庁 - SiC JOINED BODY
ＳｉＣ接合体 - 特許庁 - SiC EPITAXIAL WAFER
ＳｉＣエピタキシャルウェハ - 特許庁 - Sic him, Fido!
ファイドー, やつにかかれ! - 研究社 新英和中辞典 - A polycrystalline SiC body 13 and SiC powder 14 are placed around the SiC substrate 11, and Ta plates 15 are placed under the substrate 11 and on inner walls of the crucible 12.
SiC基板１１の周囲にはSiC多結晶体１３及びSiCパウダー１４を入れ、SiC基板１１の下及び黒鉛製坩堝１２の内壁にはTa板１５を設置する。 - 特許庁 - SiC SCHOTTKY DIODE
ＳｉＣショットキーダイオード - 特許庁 - The SiC single crystal is β-SiC.
ＳｉＣ単結晶がβ−ＳｉＣである。 - 特許庁 - The substrate contains ≥50 vol.% of SiC.
基板は、SiCを50体積％以上含有する。 - 特許庁 - SiC SEMICONDUCTOR ELEMENT
ＳｉＣ半導体素子 - 特許庁 - SiC-FIBER-COMPOSITED SiC COMPOSITE MATERIAL
ＳｉＣ繊維複合化ＳｉＣ複合材料 - 特許庁 - METHOD FOR REMOVAL OF SIC
ＳｉＣの除去法 - 特許庁 - ELECTRODE, SiC ELECTRODE, AND SiC DEVICE
電極、ＳｉＣの電極及びＳｉＣデバイス - 特許庁 - APPARATUS FOR GROWING SiC
ＳｉＣ成長装置 - 特許庁 - SiC PARTICLE MONITORING WAFER
ＳｉＣパーティクルモニタウェハ - 特許庁 - SiC SEMICONDUCTOR DEVICE
ＳｉＣ半導体装置 - 特許庁 - SiC SEMICONDUCTOR DEVICE
ＳｉＣ半導体デバイス - 特許庁 - On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.
ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁 - SiC WAFER, SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION OF SiC WAFER
ＳｉＣウエハ、ＳｉＣ半導体デバイス、および、ＳｉＣウエハの製造方法 - 特許庁 - SiC SINGLE CRYSTAL AND SiC SEED CRYSTAL
ＳｉＣ単結晶、並びにＳｉＣ種結晶 - 特許庁 - SIC(SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT)
半導体集積回路 - 特許庁 - SiC SINTERED COMPACT, SiC PARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINTERED COMPACT
ＳｉＣ焼結体、ＳｉＣ粒子及びＳｉＣ焼結体の製造方法 - 特許庁 - P-TYPE SIC SEMICONDUCTOR
ｐ型ＳｉＣ半導体 - 特許庁 - SiC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SUBSTRATE
ＳｉＣ基板およびＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁 - SiC SINGLE CRYSTAL, SiC WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
ＳｉＣ単結晶、ＳｉＣウェハ及び半導体デバイス - 特許庁 - SiC SEMICONDUCTOR AND METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SiC
ＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法 - 特許庁 - As the C atom-supplying substrate 17, at least one substrate chosen from the group consisting of a carbon substrate, a porous SiC substrate, a sintered SiC substrate and an amorphous SiC substrate is used.
前記C原子供給基板17として、カーボン基板、ポーラスSiC基板、焼結SiC基板、非晶質SiC基板からなる群から選ばれた少なくとも一種の基板を用いる。 - 特許庁 - POROUS SiC HEATING ELEMENT
多孔質ＳｉＣ発熱体 - 特許庁 - On an SiC substrate 1, a field insulating film 5 composed of a thermally oxidized SiC film 3 and an upper insulating film 4 is formed.
SiC基板１の上にSiCの熱酸化膜３と上部絶縁膜４からなるフィールド絶縁膜５が形成される。 - 特許庁 - ELECTRODE FOR P-TYPE SIC
ｐ型ＳｉＣ用電極 - 特許庁 - SiC SUBSTRATE AND VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD OF SiC SUBSTRATE
ＳｉＣ基板とＳｉＣ基板の気相成長方法 - 特許庁 - METHOD FOR COATING SiC OR C FIBER WITH C OR SiC
ＳｉＣ又はＣ繊維のＣ又はＳｉＣ被覆方法 - 特許庁 - SiC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH SiC NANOWIRE
ＳｉＣナノワイヤーにより強化されたＳｉＣ複合材料 - 特許庁 - To provide a SiC monocrystalline substrate manufacturing method which can reduce curvature occurring in the SiC monocrystalline substrate when the SiC monocrystalline substrate is manufactured by slicing a SiC monocrystalline ingot into substrates and polishing both surfaces of the sliced substrate.
SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - PREPARATION OF SiC THIN FILM
ＳｉＣ薄膜の作成法 - 特許庁 - SiC CRYSTAL POLISHING METHOD
ＳｉＣ結晶研磨方法 - 特許庁 - POROUS SIC SINTERED BODY
多孔質ＳｉＣ焼結体 - 特許庁 - SiC/Si COMPOSITE MATERIAL
ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料 - 特許庁 - When producing an SiC single crystal, the SiC seed crystal is immersed in the SiC melt.
ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD FOR SiC SINGLE CRYSTAL, SiC SINGLE CRYSTAL WAFER AND SiC SEMICONDUCTOR DEVICE
ＳｉＣ単結晶の製造方法、ＳｉＣ単結晶ウエハ及びＳｉＣ半導体デバイス - 特許庁 - APPARATUS OF FORMING SiC THIN FILM
ＳｉＣ薄膜形成装置 - 特許庁 - METHOD OF TESTING SiC SUBSTRATE
ＳｉＣ基板の検査方法 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD FOR SiC ELEMENT
ＳｉＣ素子の製造方法 - 特許庁 - COATING METHOD WITH SiC COATING
ＳｉＣ被膜の被覆方法 - 特許庁 - HOMOEPITAXIAL GROWTH OF SIC ON LOW OFF-AXIS SIC WAFER
低オフアクシスＳｉＣウエハ上のＳｉＣのホモエピタキシャル成長 - 特許庁 - SiC TOOL MATERIAL FOR FIRING
ＳｉＣ焼成用道具材 - 特許庁
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