To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer. 金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース/ドレイン領域に砒素(As)が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁