「silicon interface」を含む例文一覧(423)

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  • Interface to the CD-ROM on Silicon Graphics systems.
    Silicon GraphicsシステムのCD-ROMへのインターフェース - Python
  • METHOD OF MANUFACTURING INTERFACE BETWEEN OXIDE FILM/ SILICON CARBIDE
    酸化膜／炭化珪素界面の作製法 - 特許庁
  • That is, by making the silicon oxide film contain Kr in it, stresses are relaxed in the silicon oxide film and the interface between the silicon oxide and a silicon.
    本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。 - 特許庁
  • To decrease a density of an interface state formed in an interface between silicon carbide semiconductor layer and a silicon oxide layer.
    炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。 - 特許庁
  • To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization.
    炭化珪素酸化時の炭素の発生を抑制し、良好な炭化珪素/シリコン酸化膜界面を得る。 - 特許庁
  • The interface position between the polycrystal silicon film and the silicon dioxide film can be specified thereby.
    これによって、多結晶シリコンと二酸化シリコン膜の界面位置を特定できる。 - 特許庁
  • The interface film 13 is formed of amorphous silicon and a carbon-containing silicon compound.
    界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。 - 特許庁
  • To reduce interface resistance in an interface between a nickel silicide film and silicon.
    ニッケルシリサイド膜とシリコンとの界面における界面抵抗を低減することを可能にする。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE
    シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁
  • In this process, growth of the silicon dioxide film 15 occurs at the interface between the silicon substrate 1 and the silicon dioxide film 15 (that is, the surface of the silicon substrate 1).
    これにより、二酸化シリコン膜１５の成長は、シリコン基板１と二酸化シリコン膜１５との界面（シリコン基板１の表面）で起こる。 - 特許庁
  • The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced.
    ポリシリコン／シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。 - 特許庁
  • An identification code pattern 30 is formed in the interface between the bulk silicon layer 23 and silicon oxide film 22.
    識別コードパターン３０は、バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される。 - 特許庁
  • METHOD FOR STRENGTHENING INTERFACE OF CARBON MATERIAL USING NANO SILICON CARBIDE COATING
    ナノシリコンカーバイドコーティングを用いる炭素材料の界面強化方法 - 特許庁
  • The interface chip includes a glass substrate 102 and a silicon mesa 110.
    インターフェース・チップは、ガラス基板１０２およびシリコン・メサ１１０を含む。 - 特許庁
  • Negative charge (electrons) is stored in an interface between the silicon oxide film 8 and the silicon nitride film 9 or in the silicon nitride film 9.
    酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。 - 特許庁
  • METHOD FOR EVALUATING STATUS OF INTERFACE BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND INSULATING FILM
    シリコン基板と絶縁膜の界面の状態を評価するための方法 - 特許庁
  • To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.
    シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁
  • The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.
    二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁
  • METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING OXIDE/SILICON-NITRIDE INTERFACE SUBSTRUCTURE
    酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造 - 特許庁
  • External impact is then applied to the laminate interface thus exfoliating silicon along the hydrogen ion implantation interface 12.
    そして、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離を行う。 - 特許庁
  • Dielectric regions 9 are partially formed at an interface 5 between a single crystal silicon 1 and a polycrystalline silicon 3.
    単結晶シリコン１と多結晶シリコン２との界面に、部分的に誘電体領域９が形成されている。 - 特許庁
  • The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.
    第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING METAL OXIDE INTERFACE WITH SILICON
    シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法 - 特許庁
  • The interface consists of a silicon atomic layer, a nitrogen atomic layer and a metal atomic layer in the form of an MSiN2.
    インタフェースは、MSiN_2の形で、シリコン，窒素および金属の原子層からなる。 - 特許庁
  • A polycrystalline silicon 5 (or amorphous silicon) having an oxidized surface is formed at the interface between the silicon oxide film 2 and the gate insulating film 3 thereon.
    シリコン酸化膜２とゲート絶縁膜３との境界上には、表面が酸化された多結晶シリコン５（あるいは非晶質シリコン）が形成される。 - 特許庁
  • Next, a silicon oxide layer 21a is formed at an interface between the silicon oxide film 18 and the channel silicon crystalline film 20 by performing thermal treatment in an oxygen gas atmosphere.
    次に、酸素ガス雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜１８とチャネルシリコン結晶膜２０との界面にシリコン酸化物層２１ａを形成する。 - 特許庁
  • The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.
    下層絶縁膜７ａがシリコン窒化膜７ａａ／シリコン酸化膜７ａｂ／界面層７ａｃ／シリコン酸化膜７ａｄの積層構造により構成されている。 - 特許庁
  • An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide.
    活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.
    界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Moreover, the interface of ONO film/silicon layer 4 can be stabilized by leaving at least the silicon layer 4 of the channel region.
    また、少なくともチャネル領域のシリコン層４を残すことにより、ＯＮＯ膜／シリコン層４界面の安定化を図る。 - 特許庁
  • To provide an excellent interface between a gate insulating film and a silicon carbide semiconductor in a silicon carbide field effect transistor.
    炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と炭化珪素半導体間に良質な界面を得る。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having an excellent interface characteristic between silicon dioxide and silicon, and produced on an insulating substrate.
    二酸化シリコンとシリコンとの良好な界面特性を有し、絶縁基板上に作製された半導体素子を提供する。 - 特許庁
  • The low dark current generation is achieved by quenching interface states by placing a p^+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.
    低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁
  • The low dark current generation is achieved by quenching the interface states by placing a p+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.
    低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁
  • To improve characteristics by reforming the interface between a silicon substrate and an insulating film.
    シリコン基板と絶縁膜の界面を改質して、特性の向上を図ること。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.
    低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁
  • To provide a method for substantially suppressing undercut of a silicon-on-insulator interface.
    シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。 - 特許庁
  • FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING STABLE CRYSTALLINE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE
    シリコンとの安定した結晶性インタフェースを有する半導体構造の作成方法 - 特許庁
  • Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.
    従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁
  • To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film.
    半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。 - 特許庁
  • Further, a mixed region is provided on an interface between the oxide semiconductor layer and the silicon oxide layer.
    また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 - 特許庁
  • To prevent decrease in impurity concentration on the interface of a silicon wafer and an epitaxial layer.
    シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR STRUCTURE EQUIPPED WITH CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON
    シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを備える半導体構造 - 特許庁
  • To provide a method for forming a thin and stable crystalline interface on a silicon substrate.
    シリコンとの薄くて安定した結晶性インタフェースを作成する方法を提供する。 - 特許庁
  • An interface reaction preventing layer is formed between a polycrystalline silicon layer and a metal layer.
    多結晶シリコン層と金属層との間に、界面反応防止層が形成される。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing semiconductor structure with which a thin stable silicide interface with silicon can be manufactured.
    薄くて安定したシリコンとのケイ化物インタフェースを作成する方法を提供する。 - 特許庁
  • Undesirable charge storage in a silicon/oxide interface is immobilized by forming a trap center on a silicon surface.
    シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。 - 特許庁
  • On the interface of the first silicon layer 5 and the second silicon layer 6, a stress relaxation layer 7 comprising SiO_2 for instance is formed.
    第１シリコン層５と第２シリコン層６との界面には、たとえば、ＳｉＯ_２からなる応力緩和層７が形成されている。 - 特許庁
  • Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.
    したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁
  • A silicon oxynitride film 4 as a lower interface film 4 is formed on a silicon substrate 1, and an Hf aluminate film is formed as a high dielectric-constant gate electrode 5 on the silicon oxynitride film 4.
    シリコン基板１上に下部界面層４としてのシリコン酸窒化膜４を形成し、その上に高誘電率ゲート電極５としてのＨｆアルミネート膜を形成する。 - 特許庁
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