「single poly」を含む例文一覧(47)
- The Schottky electrode for the gallium oxide single crystal substrate is manufactured by coating the gallium oxide single crystal substrate with poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (S1) in a spin coating method, and vaporizing a solvent (S2).
酸化ガリウム単結晶基板上にスピンコート法によりpoly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)を塗布し（Ｓ１）、溶媒を蒸発させる（Ｓ２）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を製造する。 - 特許庁 - NONVOLATILE MEMORY SOLUTION USING SINGLE/POLY P-TYPE FLASH TECHNOLOGY
シングルポリ・ｐフラッシュ技術を使用した不揮発性メモリソリューション - 特許庁 - To obtain a single level poly EEPROM having a small area per bit.
ビット当りの面積の小さい単一レベル・ポリＥＥＰＲＯＭデバイス。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory cell capable of scaling a single poly EEPROM cell to the level of a stack gate poly EEPROM cell.
単一ポリＥＥＰＲＯＭセルをスタックゲートポリＥＥＰＲＯＭセルの水準にスケーリングできる半導体メモリセルを提供する。 - 特許庁 - The gallium oxide single crystal substrate is coated with poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) to which 4 to 6 wt.% of dimethyl sulfoxide is added to form a thin film, and then the conductivity is improved to form an electrode having a more excellent Schottky property.
poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)にdimethyl sulfoxideを４〜６重量％添加したものを酸化ガリウム単結晶基板上に塗布して薄膜形成すれば、導電率が向上し、さらに良好なショットキー性を有する電極が形成される。 - 特許庁 - As the abrasive particle, single crystalline diamond particles, the diameters of which are in the range of 1 to 50 nm, poly crystalline diamond particles or a cluster particles consisting of the single crystalline and poly crystalline diamond particles are used.
研磨粒子として、粒径が１〜５０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用される。 - 特許庁 - To provide a single/poly 2 transistor (2T) PMOS memory cell which does not require the addition of a surplus mask step.
余分なマスクステップを追加する必要がないシングルポリ・２トランジスタ（２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセルを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal that is capable of efficiently obtaining a single crystal having excellent electrical properties by preventing poly-crystallization thereof.
多結晶化を防止して優れた電気特性を有する単結晶を効率良く得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁 - The low-dielectric constant organic composite is obtained by incorporating a synthetic resin with 35-70 wt% of single crystalline form of either poly(hydroxybenzoic acid), poly(hydroxynaphthoic acid) or poly(mercaptobenzoic acid) ≤10μm in average longer side length.
長辺の平均長さが10μm以下であるポリ（ヒドロキシ安息香酸）、ポリ（ヒドロキシナフトエ酸）、ポリ（メルカプト安息香酸）の何れかの単結晶体を、合成樹脂に重量分率35〜70％の範囲で添加した低誘電率有機複合体。 - 特許庁 - The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.
第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for producing single crystal of a compound semiconductor by a boat method which is capable of preventing poly-crystallization and producing single crystal with a good reproducibility.
多結晶化を防止でき、再現性よく単結晶を得ることができるボート法化合物半導体単結晶製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - The first transistor 201 includes a single poly-floating gate 306, a first drain region 302 and a first source region while the second transistor 202 includes a single poly-select gate and a second source region wherein the first source region of the first transistor serves as the drain region of the second transistor.
第一トランジスター２０１は単一ポリフローティングゲート３０６と、第一ドレイン領域３０２と第一ソース領域とを含み、第二ＰＭＯＳトランジスター２０２は単一ポリ選択ゲートと第二ソース領域とを含み、第一トランジスターの第一ソース領域は第二トランジスターのドレイン領域とされる。 - 特許庁 - To provide chemical modification of single chain polypeptides through covalent bonds of strands of poly(ethylene glycol) PEG and similar poly(alkylene oxides) to single chain polypeptide-binding molecules that have the three dimensional folding and, thus, the binding ability and specificity, of the variable region of an antibody.
本発明は、ポリ（エチレングリコール）ＰＥＧおよび類似のポリ（アルキレンオキシド）の鎖の、抗体の可変領域の三次元折り畳み、従って抗体の可変領域の結合能力および特異性を有する単鎖ポリペプチド結合分子への共有結合による単鎖ポリペプチドの化学修飾に関する。 - 特許庁 - The method and apparatus are applicable to both poly phase and single phase electrical machines whether balanced or unbalanced (source, windings, magnetics, harmonies).
本発明は、平衡形や不平衡形の（源、巻線、磁気回路、高調波）、多相及び単相の両方の電気機械に用いることが出来る。 - 特許庁 - The self-aligning mask is fabricated by utilizing the fact that the poly-crystal Si (Si/SiGe) oxidizes faster than the single crystal Si (Si/SiGe).
この自己整合マスクは、多結晶Ｓｉ（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）が単結晶Ｓｉ（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）よりも速く酸化することを利用して作製される。 - 特許庁 - (2) At least one of the components of the two polyester components composing the single filaments is the poly(trimethylene terephthalate).
（２）単糸を構成する２種類のポリエステル成分のうち１成分がポリトリメチレンテレフタレートであり、他の成分がポリエチレンテレフタレート又はポリブチレンテレフタレートである。 - 特許庁 - The first transistor 201 and the second transistor 202 are formed in the well of a semiconductor substrate; the first transistor 201 includes a single poly floating gate 306, a first drain region 302, and a first source region; and the second PMOS transistor 202 has a single poly-selection gate and a second source region; and the first source region of the first transistor is set as the drain region of the second transistor.
第一トランジスター２０１は単一ポリフローティングゲート３０６と、第一ドレイン領域３０２と第一ソース領域とを含み、第二ＰＭＯＳトランジスター２０２は単一ポリ選択ゲートと第二ソース領域とを含み、第一トランジスターの第一ソース領域は第二トランジスターのドレイン領域とされる。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having a single crystal Si thin film transistor fabricated on an insulating substrate by transfer, and a poly-Si thin film transistor fabricated on the insulating substrate in which the single crystal Si thin film transistor is protected against damage due to laser beam irradiation for forming a poly-Si thin film.
絶縁基板上に、転写により形成された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタと、絶縁基板上で形成された多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、多結晶Ｓｉ薄膜を形成するためのレーザ光照射による単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの損傷を防止する。 - 特許庁 - The polycrystal 13b is etched by using a tetramethylammonium hydroxide selectively with different etching rates between single- and poly-crystal, and the single crystal is used as a termination detection of etching.
このため、多結晶のエッチングレートと単結晶のエッチングレートとに差がある水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、多結晶１３ｂを選択的にエッチングし、単結晶１３ａを終点検出に用いるようにする。 - 特許庁 - As the coagulation and sedimentation agent, a single one of, or a combination of two or more of, aluminum hydroxide, poly aluminum chloride, Fe(OH)3, FeCl3, Fe2(SO4)3 or the like is utilized.
凝集沈殿剤としては、水酸化アルミニウム、ポリ塩化アルミニウム、Ｆｅ（ＯＨ）_３ 、ＦｅＣｌ_３ 、Ｆｅ_２ （ＳＯ_４ ）_３ 等が単独であるいは２以上の組合せで使用される。 - 特許庁 - To provide a single poly-nonvolatile memory cell which can be fabricated through an integrated ordinary logic process of SOC fabrication process operable on low voltages in order to simplify the process.
プロセスを簡単化するため、低電圧で操作できてＳＯＣ製作工程の統合された通常ロジックプロセスで製作できる単一ポリ不揮発性メモリーセルを提供する。 - 特許庁 - The BCD device according to the embodiment includes a poly-emitter type bipolar transistor that includes a poly-emitter region comprised of the polysilicon material and includes one or more MOSs of a CMOS and a DMOS formed on the same single wafer as that on which the bipolar transistor is formed.
実施の形態に係るＢＣＤ素子は、ポリシリコン材質からなるポリエミッタ領域を含むポリエミッタ型バイポーラトランジスタを含み、上記バイポーラトランジスタと同一な単一ウエハ上に形成されたＣＭＯＳとＤＭＯＳのうちの１つ以上のＭＯＳを含む。 - 特許庁 - To provide a thermally transferable protective layer which is a single layer and can be thermally transferred onto a card or a film made of a plastic such as poly(vinyl chloride) and poly(ethylene terephthalate), is excellent in abrasion resistance and solvent resistance, contains no particulate and produces no blocking phenomenon in a ribbon shape.
単層でありながら、塩ビやＰＥＴのようなプラスチック製のカードやフィルムなどに熱転写可能で、耐摩擦性や耐溶剤性に優れ、微粒子を含有せずにリボン形状においてブロッキング現象が生じない熱転写性保護層を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method for producing poly(diacylhydrazine) in which a monomer which is easily measured may be used without any problem such as a toxicological problem or explodability and a polymer with a high degree of polymerization may be produced at a high yield using a single monomer; and to provide a novel poly(diacyl hydrazine) having various physical properties.
毒性、爆発性等の問題がなく計量が容易なモノマーを使用でき、単一のモノマーを用いて高収率で重合度の高いポリマーを製造可能である、ポリ（ジアシルヒドラジン）の製造方法を提供すること、及び、種々の物性を有する新規なポリ（ジアシルヒドラジン）を提供すること。 - 特許庁 - The polylactic acid fiber for the fiber separation comprises a poly-L-lactic acid, has 10-40 dtex single fiber size, 2.5-4.5 cN/dtex single fiber strength, 5-10 filaments and ≤5 interlaces/m, and is wound into a cheese-shaped package.
ポリ−Ｌ−乳酸からなり、単繊維繊度１０〜４０ｄｔｅｘ、単繊維強度２．５〜４．５ｃＮ／ｄｔｅｘ、フィラメント数５〜１０、交絡数５個／ｍ以下であるチーズ状パッケージに巻き取られていることを特徴とする分繊用ポリ乳酸繊維。 - 特許庁 - To provide a single poly non-volatile memory cell that can be operated on a low voltage and that can be manufactured by a conventional logic process combined an SOC manufacturing step for the simplification of a process.
プロセスを簡単化するため、低電圧で操作できてＳＯＣ製作工程の統合された通常ロジックプロセスで製作できる単一ポリ不揮発性メモリーセルを提供する。 - 特許庁 - The self-aligning oxide mask is formed on a CVD growth base NPN base layer including a single crystal Si52 (Si/SiGe) in an active area and a poly-crystal Si51 (Si/SiGe).
能動領域の単結晶Ｓｉ52（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）およびフィールド上の多結晶Ｓｉ51（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）を含むＣＶＤ成長ベースＮＰＮベース層上に自己整合酸化物マスクを形成する。 - 特許庁 - In the single poly EEPROM cell, a contact for coupling is formed on a floating gate FG, and the contact is connected in the direction of a word line polysilicon WL by a control gate CG line.
単一ポリＥＥＰＲＯＭセルは、フローティングゲートＦＧ上にカップリングのためのコンタクトを形成させ、コンタクトはコントロールゲートＣＧラインによりワードライン用ポリシリコンＷＬの方向に連結される。 - 特許庁 - Poly-L-lactic acid (weight average molecular weight is 200,000 and a melting point is 175°C) is melt-spun and drawn, so as to obtain single yarn with a diameter of 0.05mm.
ポリ−Ｌ−乳酸（重量平均分子量２０万、融点１７５℃）を２００℃で溶融紡糸し、延伸して、直径０．０５ｍｍの単糸を得、これを２本撚って撚糸からなる糸状物を得た。 - 特許庁 - In the channel region of the poly-crystal silicon film 3, a plurality of single crystal regions 102 connecting between the source/ drain region 101 are formed vertical to the transparent insulating substrate 1.
そして、多結晶シリコン膜３のチャネル領域中において、各ソース・ドレイン領域１０１間を繋ぐ単結晶領域１０２が、透明絶縁性基板１に対して垂直に複数形成されている。 - 特許庁 - To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.
薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁 - To provide an EPROM device which can improve datagram retention property in a single poly OTP (one time programmable) cell, and prevent leak of electron charged at a floating gate, and provide a semiconductor device which can secure the datagram retention property in the single poly OPT cell, and HCI and insulating properties in a transistor constituting a main chip in other regions except OTP cell region simultaneously, and its manufacturing method.
シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を向上させ、フローティングゲートに荷電された電子の漏れを防止できるＥＰＲＯＭ素子と、シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を確保すると同時に、ＯＴＰセル領域を除いた他の領域でメインチップを構成するトランジスタにおけるＨＣＩ特性及び絶縁特性を確保できる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Although electrons cannot smoothly pass as a grain boundary and crystal defect exists in the channel region of the poly-crystal silicon film 3, by providing the single crystal region 102, the electrons mainly pass the single crystal region 102 and raise a field effect mobility.
多結晶シリコン膜３のチャネル領域には結晶粒界や結晶欠陥があるため電子はスムーズに通過できないが、単結晶領域１０２を設けることで、電子は主に単結晶領域１０２を通過するようになるため、電界効果移動度を高くすることができる。 - 特許庁 - The invention is provided with two stators of a single-phase hysteresis brake, achieved by adjusting the total length of a stator to the length of the single-phase stator, and used for a poly phase electromagnetic hysteresis brake by installing the electromagnetic coil in a field core fixed to two housings.
本発明は、一相の電磁ヒステリシスブレーキのステータ部分を２個設け、全体のステータの長さを一相のステータの長さに合わせることで実現可能になり、２個のハウジングに固定されたフィールドコアに電磁コイルを内設する事で、２相電磁ヒステリシスブレーキとして使用することができる。 - 特許庁 - To provide a method for examining the presence and quantity of nucleic acid fragments having a specific base sequence such as difference in the poly A length and the repeat number of a repetitive sequence of e.g. microsatellite, single nucleotide polymorphism and insertion or deletion of base sequences, and to provide a genetic diagnosis to use the method.
ある特定の塩基配列を有する核酸断片の有無や存在量、例えばポリAの長さやマイクロサテライトといった繰り返し配列のリピート数の違い、一塩基置換（single nucleotide polymorphisms）、塩基配列挿入や欠失の検査方法、及びこれを利用した遺伝子診断方法を提供すること。 - 特許庁 - The integrated circuit comprises a core circuit, and an I/O circuit fitted with an array of single poly-nonvolatile memory cells each comprising a first transistor 201 connected in series with a second transistor 202.
集積回路はコア回路と、単一ポリ不揮発性メモリーセルのアレイがはめ込まれた入出力回路とを含み、各単一ポリ不揮発性メモリーセルは第二トランジスター２０２と直列接続される第一トランジスター２０１を具える。 - 特許庁 - A single/poly 2T PMOS memory cell 10 comprises a PMOS floating gate (FG) transistor 16 and a PMOS selection gate (SG) transistor 18, which share a drain/source p+ diffusion region 22.
複数回プログラミング用のシングルポリ・２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセル１０は、ドレイン／ソースｐ＋拡散領域２２を共有している、ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ１６と、ＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ１８とを備えている。 - 特許庁 - In the cover tape 1 which prevents a component put into a pocket 3 of a carrier tape 2 from slipping out of the packet, the tape 1 is a single layer material or a laminated material, and an outer layer of the single layer material or the laminated material is composed of a stretched film containing a poly lactic acid polymer and an antistatic agent.
キャリアテープ２のポケット３に収納された部品の飛び出しを防止するためのカバーテープ１において、カバ−テープ１は、単層体又は積層体であり、上記単層体又は積層体の外層は、ポリ乳酸系重合体及び帯電防止剤を含む延伸フィルムからなることを特徴とする。 - 特許庁 - Then, a display element and the pixel opening are formed in the poly Si layer in the display area, and an LCD peripheral circuit including a system LSI is formed in the high crystalline single crystal Si layer or the strained Si layer of the peripheral circuit area.
その後、表示領域のポリＳｉ層に表示素子部と画素開口部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部を形成する。 - 特許庁 - The adhesion of the underwater organism is prevented by applying the coating including a poly(2-thiocyanatoethyl(meta)acrylate) single element or a copolymer with other monomers to the surface of the submarine structure or the like in the form of solution or emulsion.
ポリ（２−チオシアナトエチル（メタ）アクリレート）単体あるいは他の単量体との共重合物を含有した塗料、溶液、乳剤の形態として水中構造物等の表面に塗布することによって水中生物の付着を防止する。 - 特許庁 - And the single metal layer (1) of the integrated circuit (10) is used to multiplex signals to and from a poly-silicon layer (12), and reduces utilization of upper metal layers (2, 3, 4) of the integrated circuit (10).
そして、集積回路（１０）の単一の金属層（金属層１）がポリシリコン層（ポリ１２）から、およびポリシリコン層への信号の多重化に使用され、集積回路（１０）の上部の金属層（金属層２，金属層３，金属層４）の使用を削減する。 - 特許庁 - In a magnetoresistive element, electrodes disposed on both sides of a single-crystal MgOx(001) or oxygen vacant poly-crystal MgOx (0<x<1) layer 503 in which the (001) crystal plane is preferentially oriented comprise an amorphous ferromagnetic alloy, such as CoFeB layers 501 and 505.
磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。 - 特許庁 - To provide a resin tank welding member capable of clearing more stringent regulation and reducing its production cost by forming the resin-made tank welding member of a single layer material of a polyamide/poly-olefin resin composition having the penetration resistance lower than that of a conventional resin.
従来の低透過性樹脂より更に低透過性を有するポリアミド／ポリオレフィン系樹脂組成物の単層材で樹脂タンク溶着部材を成形することにより、従来の規制より更に厳しい規制をクリアでき、その生産コストを低減できる樹脂タンク溶着部材を提供すること。 - 特許庁 - To provide a gas barrier thermoplastic resin composition which has the structure having a poly(meth)acrylic acid dispersed into a thermoplastic resin and has the excellent oxygen-gas barrier properties, and which is processable for melt molding, and to provide a single-layered or multi-layered molded body consisted of the concerned resin composition, and a manufacturing method therefor.
熱可塑性樹脂中にポリ（メタ）アクリル酸が分散した構造を持ち、酸素ガスバリア性に優れ、かつ、溶融成形加工が可能なガスバリア性熱可塑性樹脂組成物、該樹脂組成物からなる単層または多層の成形体、それらの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The resin tank welding member to a resin tank having the fuel penetration preventive function such as a pipe joint, a fuel control valve of a fuel overflow preventive valve, an ORVR valve or the like, a pump and a filter is formed of a single layer material of a polyamide/poly-olefin resin composition.
燃料透過防止機能を有する樹脂タンクとの溶着部材、例えば、パイプ継手、燃料流出防止弁ＯＲＶＲ弁等の燃料制御弁、ポンプ、濾過器等であって、該溶着部材は、ポリアミド／ポリオレフィン系樹脂組成物の単層材で成形される樹脂タンク溶着部材。 - 特許庁 - This method comprises continuously cultivating methanol- assimilative bacteria having the ability to accumulate poly-3-hydroxybutyric acid in its microbial cells, using methanol as the carbon source, in a single culture tank while keeping mean residence time ≥20 h, methanol concentration in the culture liquid ≤10 ppm, nitrogen source concentration calculated as nitrogen atom ≤10 ppm.
ポリ−３−ヒドロキシ酪酸を菌体内に蓄積する能力を有するメタノール資化性細菌を、メタノールを炭素源として、単一の培養槽で、平均滞留時間を２０時間以上、培養液中のメタノール濃度を１０ｐｐｍ以下、窒素源の濃度を窒素原子換算で１０ｐｐｍ以下に維持しながら連続培養する。 - 特許庁 - In this bipolar transistor formed on a silicon substrate 1, the basic structure is constituted of an intrinsic base 6 having a one conductivity type impurity formed on the surface of a semiconductor substrate, and an emitter 10 having the opposite conductivity type impurity embedded in the intrinsic base 6, and single crystal silicon 9a having an opposite conductivity type impurity and a second poly silicon 11 formed in a layer stack on the emitter 10.
シリコン基板１上に形成されるバイポーラトランジスタであって、その基本構造では、半導体基板表面に一導電型不純物を有する真性ベース６が形成され、真性ベース６に埋め込まれて逆導電型不純物を有するエミッタ１０が形成され、エミッタ１０上に逆導電型の単結晶シリコン９ａと第２のポリシリコン１１が積層して形成されている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
