「single substrate」を含む例文一覧(3502)
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単結晶基板 - 特許庁 - SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
シリコン単結晶基板 - 特許庁 - SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
サファイヤ単結晶基板 - 特許庁 - SINGLE SUBSTRATE REACTOR
単一基板反応装置 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE
単結晶サファイア基板 - 特許庁 - DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ダイヤモンド単結晶基板 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL DIAMOND SUBSTRATE
単結晶ダイヤモンド基板 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE
単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁 - InP SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＩｎＰ単結晶基板 - 特許庁 - SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING THE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板及び単結晶基板の加工方法 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE
単結晶窒化ガリウム基板 - 特許庁 - SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE
窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁 - SINGLE-SIDE PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE
基板の片面処理装置 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH
単結晶育成用基板 - 特許庁 - SILICON CARBIDE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE
炭化珪素単結晶基板 - 特許庁 - SINGLE SUBSTRATE TYPE MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
枚葉式マグネトロンスパッタ装置 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE SUBSTRATE
単結晶酸化亜鉛基板 - 特許庁 - SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
単結晶炭化ケイ素基板 - 特許庁 - PROCESSING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の加工方法 - 特許庁 - METHOD FOR POLISHING SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の研磨方法 - 特許庁 - NON-MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
非磁性ガーネット単結晶基板 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の製造方法 - 特許庁 - EVALUATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の評価方法 - 特許庁 - METHOD FOR GRINDING SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の研削方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の製造方法 - 特許庁 - BULK SINGLE CRYSTAL AND NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
バルク状単結晶および窒化物単結晶基板 - 特許庁 - n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁 - PROCESSING METHOD FOR GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａＮ単結晶基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ダイヤモンド単結晶基板の製造方法及びダイヤモンド単結晶基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びＧａＮ単結晶基板 - 特許庁 - PRODUCTION PROCESS OF SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE
単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL DIAMOND SYNTHESIS
単結晶ダイヤモンド合成用基板 - 特許庁 - ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAMINATED SUBSTRATE
窒化アルミニウム単結晶積層基板 - 特許庁 - COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
単結晶炭化珪素基板を有する複合基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SIC SUBSTRATE
単結晶ＳｉＣ基板の製造方法および単結晶ＳｉＣ基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND DIAMOND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ダイヤモンド単結晶基板の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板 - 特許庁 - METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
単結晶基板の熱処理方法 - 特許庁 - SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE EPITAXIAL SUBSTRATE
炭化珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶エピタキシャル基板及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND STACKED SUBSTRATE OBTAINED BY STACKING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＩＩＩ族窒化物単結晶基板の製造方法、および該基板を積層した積層基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
シリコン単結晶基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
炭化珪素単結晶基板の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL, SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH ORGANIC SINGLE CRYSTAL
有機単結晶付基板の製造方法、有機単結晶付基板及び有機単結晶付基板の製造装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁 - Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁 - SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
窒化物単結晶基板の製造方法 - 特許庁 - POLISHING METHOD OF SIC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
ＳｉＣ単結晶基板の研磨方法 - 特許庁
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