「single tail」を含む例文一覧(43)
- the single tail of a goldfish or carp
金魚で尾が1枚であるもの - EDR日英対訳辞書 - rotor consisting of a rotating airfoil on the tail of a single-rotor helicopter
単一回転モーターの尾の部分の回転羽根で成る回転モーター - 日本語WordNet - small slender-bodied chiefly marine decapod crustaceans with a long tail and single pair of pincers
長い音一組のはさみのある小さく細長い体の主に海洋の十脚甲殻類 - 日本語WordNet - To provide a silicon single crystal production method by which silicon single crystals having suppressed deformation and dislocations and the successful omission of the tail section are produced.
変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the forming of a projection at the tail of a sapphire single crystal when growing the sapphire single crystal from a melt of aluminum oxide.
酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより抑制する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for manufacturing a single crystal which realize automatic control over the whole process for manufacturing the single crystal by surely detecting the separation of the tail part of a single crystal from a molten liquid.
単結晶のテール部と融液との離間を確実に検出し、全工程にわたって自動制御を可能とする単結晶の製造方法ならびに製造装置を提供する。 - 特許庁 - The control information is convolutionally coded using either a single set of tail bits or by judiciously dispersing the tail bits among different portions of the encoded signaling information.
制御情報は、１組のテールビットあるいはテールビットを符号化されたシグナリング情報の別々の部分の間に分散させることによりたたみ込み符号化される。 - 特許庁 - To more precisely suppress the formation of a projecting part at the tail part of a sapphire single crystal when the sapphire single crystal is grown from a melt of aluminum oxide.
酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより精密に抑制する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method productively manufacturing a silicon single crystal while eliminating the formation of a tail portion.
テール部の形成を省略して生産性良くシリコン単結晶を製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - Channels 14 are provided in a holding cup 12 for holding and fixing the top 8 or the tail 9 of a single crystal rod 5.
単結晶棒５のトップ８又はテール９を把持及び固定する把持カップ１２に溝１４を設ける。 - 特許庁 - To provide a single crystal pulling apparatus capable of making the convex shape of a tail part of ingot small, when a single crystal is grown up from a raw material melt by the CZ method, a method for pulling a single crystal and a produced single crystal.
ＣＺ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状を小さくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。 - 特許庁 - Then, when the top 8 or the tail 9 of the single crystal rod 5 is held and the single crystal rod 5 is subjected to cylindrical grinding, the single crystal rod 5 is held in such a way that the holding cup 12 does not contact with the crystal habit line 11 present at the surface of the single crystal rod 5.
そして、単結晶棒５の円筒研削において、単結晶棒５のトップ８又はテール９を把持する際に、把持カップ１２が単結晶棒５の表面に存在する晶癖線に接触しないようにする。 - 特許庁 - To eliminate the side slip of a body caused by a tail rotor and others in a single rotor type helicopter, and enhance control performance.
シングルローター型ヘリコプターにおけるテールローター等による機体横滑りを解消して操縦性能を向上させる。 - 特許庁 - As a result, the silicon single crystal wherein the formation of the tail portion is eliminated can be carried out by reproductively performing the nontransition separation of the silicon single crystal S from the raw material melt liquid M.
シリコン単結晶Ｓの原料融液Ｍからの無転移切り離しを再現性良く実施して、テール部の形成を省略したシリコン単結晶を製造できる。 - 特許庁 - The lip spoiler structured in a single piece with the pedestrian protecting bracket is arranged s that a lip part 13 is extended downward from the tail edge 12e of the undersurface 12c of a reinforcing bracket 12.
補強ブラケット１２の下面部１２ｃの後端縁１２ｅからは、下方へ向けて、リップ部１３が延設されている。 - 特許庁 - To maintain a high switching success ratio for kinds different in thickness of yarn and oil solution without winding a tail bunch when winding yarn on a bobbin, to suppress single yarn dispersion of tail yarn and to stably and easily form a proper tail length.
糸条をボビンに巻付けるに際し、テールバンチを巻付けず、かつ糸条の太さや油剤などが異なる品種について、高い切替成功率を維持し、テール糸の単糸ばらけの抑制や適正なテール長を安定的かつ容易に形成することである。 - 特許庁 - Then, after cylindrically grinding, this member is heated at a temperature at which the single crystal is stable without being damaged and is degenerated, and the pseudo-tail 12 is detached from the end surface 11 of the single crystal.
そして、円筒研削後にシリコン単結晶にダメージを与えない温度でこの部材を加熱し、変性させることによって、単結晶の端面から擬似テールを取り外す。 - 特許庁 - To provide a method for preventing generation of a dislocation in a tail portion during growing a silicon single crystal without using a large amount of inert gas.
シリコン単結晶育成時に、大量の不活性ガスを使用することなく、テール部の有転位化を防止する方法を提供する。 - 特許庁 - Preferably, voltage is applied between the single crystal and the crucible when the change in the weight of the single crystal shows zero and the separation of the tail part of the single crystal from the raw material molten liquid is detected by a fact that current is not passed between the single crystal and the crucible.
好ましくは、単結晶の重量変化量が０となった時に単結晶とルツボとの間に電圧を印加し、前記単結晶のテール部が前記原料融液から離間したことを前記単結晶とルツボとの間に電流が流れなくなることにより検出する。 - 特許庁 - To provide an adjusting device of crops to cut and dispose of strap parts and tail parts of the crops with dispersion in shape at a single stroke at proper positions.
形状にバラつきのある作物の蔕部及び尻尾部を、適正位置で一挙に切断処理するための作物の調整装置を提供する。 - 特許庁 - To stably prevent generation of deposits during the growth of a tail portion while preventing the quality decrease of a straight trunk portion in the growth of a silicon single crystal.
シリコン単結晶の育成において、直胴部の品質低下を防止しつつ、テール部の育成時における析出の発生を安定的に防止する。 - 特許庁 - To provide a bar steel sawing method for eliminating non-drop troubles caused by a tail end crop locked in a saw groove when a single swinging inclined table is used.
片開き式の傾斜テーブルの使用下で尾端クロップのソー溝での係止による不落下トラブルを解消しうる条鋼の鋸断方法を提供する。 - 特許庁 - In an ingot taking-out tool for taking a single crystal ingot pulled with a single crystal pulling apparatus having a pull chamber out of the inside of the pull chamber, a receiving unit 2 for supporting the cone tail part of the single crystal ingot and a supporting unit 3 for supporting a side face of the constant diameter portion of the single crystal ingot are provided at the tool main body 1.
プルチャンバを有する単結晶引上装置で引上げられた単結晶インゴットを、前記プルチャンバ内から取り出すインゴット取出治具において、前記治具本体１に、単結晶インゴットのコーンテール部を支持する受けユニット２と、前記単結晶インゴットの直胴部側面を支持する支持ユニット３とが設けられている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of dislocation of tail part of the silicon single crystal even in the case of growing the silicon single crystal added with a large quantity of a dopant and having a low resistivity, and a silicon single crystal manufactured by the method.
ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。 - 特許庁 - To provide an apparatus for pulling a single crystal having a tail part of a desired shape by exactly measuring the weight of the single crystal by correcting measured values, and to provide a method therefor.
測定値を補正することにより正確に単結晶の重量を測定して、所望の形状のテール部を育成することができる単結晶引上げ装置および引上げ方法を提供するものである。 - 特許庁 - In this dealing system, Bortzmann model in an financial engineering is used for evaluating exotic optional prices to express the features of the Leptokurcity and Fat-tail of a price variation distribution by a linear Bortzmann equation so as to define a risk-neutral single probability measure.
本発明のディーリングシステムでは、金融工学のボルツマンモデルをエキゾチックオプション価格評価に用いて、線形ボルツマン方程式で価格変動分布のLeptokurcityとFat−tailの特徴を表現することにより、リスク中立でかつ一意的な確率測度を定義する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal, by which the occurrence of dislocations in a tail part is suppressed and the yield and productivity is improved when a silicon single crystal having a diameter of 450 mm is grown by a Czochralski method.
ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for producing single crystal ingot equipped with a cooler for cooling ingot during single crystal pulling, where the tail part can be formed without elevating temperature by additionally heating the crucible.
単結晶引上げ中インゴットを冷却するためのクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、ルツボを余分に加熱して温度を上げることなしにテール部を形成することができる装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - Further, in the growth of the single crystal ingot, it is desirable to slow a pulling rate in starting tail formation as compared with that of the body, or to control a cooling rate from 1,050°C to 700°C to 2.5°C/min or lower in the body region to 200 mm above the boundary of the body and tail of the single crystal ingot.
(2)単結晶インゴットの育成に際し、テール部形成時の引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度より速めることがないようにすること、または、単結晶インゴットの直胴部とテール部の境界から２００mmまでの直胴部領域において、１０５０℃から７００℃までの冷却速度を２．５℃/分以下にすることが望ましい。 - 特許庁 - In the method for producing a silicon single crystal by Czochralski method, the silicon single crystal is pulled in a tail growing step by controlling the furnace inner pressure of a pulling device to be in the range from 0.5 to 0.8 times as the pressure when a step of growing a straight body portion is finished.
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、テール部育成工程における引き上げ装置の炉内圧を直胴部育成工程終了時の０．５から０．８倍の範囲に下げてシリコン単結晶の引き上げを行う。 - 特許庁 - To provide a carrier, provided with both a rotatable function and a discharge function at a tail gate of a forwarding vehicle and a dump truck, so that a single carrier is enough to be sent to a construction site.
工事現場へ向かうのに運搬車１台で済むように、回送車とダンプカーのテールゲートに、回動可能な機能と排出機能の両方をもたせた運搬車を提供することにある。 - 特許庁 - Thereby, the length L from a position D where dislocation generation occurred to the lower end of the tail part 9c can be shortened, the thermal stress remaining in the silicon single crystal 9 can be alleviated, and the generation of cracks causing fracture and rupture of a silicon single crystal 9 can be prevented.
これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 - 特許庁 - The air spoiler 1 is furnished at the end with a folded part 23 folded toward the inside of the wheel house 22, where a flange surface 26 extending along the inner side face 25 of the wheel house 22 is formed in a single piece with the tail of the side face part 14.
エアスポイラ１の端部に、ホイールハウス２２の内側へ向けて折曲された折曲部２３を設定し、側面部１４後端にホイールハウス２２の内側面２５に沿って延在するフランジ面２６を一体形成する。 - 特許庁 - To provide a growing method which effectively suppresses the generation of first dislocation generation at the tail part, and can grow a low resistance single crystal at a high yield when Sb or As is used as a dopant for resistivity adjustment.
抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an oxide single crystal without forming a tail and having no crystal defect in its straight body part by Cz method using a feed material having a crystal composition different from the melt solution composition.
融液組成と結晶組成が異なる原料を用いて、Ｃｚ法によって、テール形成を形成することなく、直胴部に結晶欠陥のない酸化物の単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A silicon bar (core wire) 12 is obtained by cutting out a planar silicon 11 from a body portion 10b which is obtained by cutting off a shoulder portion 10s and a tail portion 10t from a single crystal silicon ingot 10 and further cutting into a rectangular shape.
単結晶シリコンインゴット１０のショルダ部１０ｓおよびテイル部１０ｔを切り落として得られたボディ部１０ｂから平板状シリコン１１を切り出し、更に、短冊状に切断してシリコン棒（芯線）１２を得る。 - 特許庁 - When a silicon single crystal 11 having a straight body part 11c with a diameter D of 450 mm is grown by a Czochralski method, the length of a tail part 11d formed in succession to the straight body part 11c is set to be ≥100 mm.
ＣＺ法により直径Ｄが４５０ｍｍの直胴部１１ｃを有するシリコン単結晶１１を育成する際に、直胴部１１ｃに続いて形成するテイル部１１ｄの長さを１００ｍｍ以上にする。 - 特許庁 - The photonic crystal fiber has a solid region configured to guide a substantially single optical mode of light having an evanescent tail, a first cladding surrounding the exterior of the solid region, and a polymer coating the first cladding.
フォトニック結晶ファイバーは、エバネセントテイルを有する実質的に単一光モードの光を誘導するように構成された固体領域と、固体領域の外側を取り囲んだ第１のクラッディングと、第１のクラッディングをコーティングしたポリマーとを有する。 - 特許庁 - The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6.
ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。 - 特許庁 - The lip part 13 assumes approximately a plate form so that the two edges are curved toward the vehicle rear over the whole length approximately across the vehicle width and is formed as in a single piece with the reinforcing bracket 12, wherein grooves 13b are formed at the front face 13a in the neighborhood of the tail edge 12e approximately in the whole region in the direction across the vehicle width.
リップ部１３は、車幅方向略全長に渡り両端縁を車両後方に向けて湾曲させた略板状を呈して、補強ブラケット１２と一体となるように形成されていて、後端縁１２ｅ近傍の前面部１３ａに車幅方向略全域に渡って溝部１３ｂが、凹設形成されている。 - 特許庁 - The silicon single crystal also has an inclined portion at the periphery of the tail end surface in which an annular recessed part is formed in the inner side thereof; a disk raised section is concentrically formed inside the annular recessed part; and a protruding liquid droplet section is formed during separation facing downward at the center of the disk raised section.
また、シリコン単結晶のテイル端面の外周部には傾斜部を有しており、その内側部に円環状の凹部が形成されており、その円環状の凹部の内側に同心に円盤状の凸部が形成されており、その円盤状の凸部の中心に、切り離し時に下向きにできた突起状の液滴部が形成されたシリコン単結晶である。 - 特許庁 - The silicon single crystal produced by Czochralski method has a tail end surface in which an annular recessed part is formed along the periphery thereof; a disk raised section is concentrically formed inside the annular recessed part; and a protruding liquid droplet section is formed during separation facing downward at the center of the disk raised section.
チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶のテイル端面は、外周部に沿って円環状の凹部が形成されており、その円環状の凹部の内側に同心に円盤状の凸部が形成されており、その円盤状の凸部の中心に、切り離し時に下向きにできた突起状の液滴部が形成されたシリコン単結晶である。 - 特許庁 - Also, write request data is obtained by a single continuous area write command (a BlockWrite equivalent command of ISO18000-6Type C) by splitting a storage area in the IC tag into two areas, a prime area and a postscript area, and allowing writing to the tail of postscript area after adding an identification code to writing target data when newly writing data.
また，ＩＣタグ内の記憶領域を，基本領域と追記領域の２つに分割し，新たにデータを書き込む際には，書き込み対象のデータへ識別のための符号を付加した後，追記領域の末尾へ連続するように書込を行うことで，書込要求データを一回の連続領域書込コマンド（ＩＳＯ１８０００−６Ｔｙｐｅ ＣのＢｌｏｃｋＷｒｉｔｅ相当のコマンド）で実現する。 - 特許庁
