「single-density」を含む例文一覧(497)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- To accurately measure the density, the mass flow rate, and the volumetric flow rate of a tow-phase fluid with a simple system configuration, without using a single-tube density meter.
単管密度計を使用せずに、簡単かつシンプルなシステム構成で、２相流体の密度や質量流量，容積流量を精度よく測定する。 - 特許庁 - Thereby, the high quality p-type PbTe single crystal almost free from a defect and having high mobility and low dislocation density is obtained.
欠陥が少なく高移動度、低転位密度で、高品位のｐ型ＰｂＴｅ単結晶が得られる。 - 特許庁 - In comparison with the case where the density of a single color print is used, the calibration result is obtained more accurately.
単色プリントの濃度を用いて行うものに比べて、精度のよいキャリブレーション結果が得られる。 - 特許庁 - The density of the dislocation in a single particle of silicon nitride sintered compact is controlled so as to be ≤10 μm/μm3.
窒化ケイ素焼結体の単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^3以下に制御する。 - 特許庁 - To obtain a high density-wiring in a simple process without thickening the substrate in a single thin-film substrate.
単一薄膜基板で基板を厚くすることなく簡単な工程で高密度配線を実現する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a GaN single crystalline substrate which is epitaxially grown and has a few defect density.
欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a single crystal thin film in which a high quality single crystal thin film having a small dislocation density can readily be produced when growing a single crystal thin film having different quality of material on a single crystal substrate.
単結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度の小さな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a single-layer board on chip package substrate in which high density can be achieved and manufacturing costs can be reduced, and to provide a manufacturing method of the single-layer board on chip package substrate.
高密度化を実現し、かつ製造コストを低減することができる単層ボードオンチップパッケージ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a new mixture for powder metallurgy that results in a relatively high density while only requiring a single press and/or single sintering method.
比較的高密度を形成し、なおかつ一段プレス及び／又は一段焼結法しか必要としない新規粉末冶金用混合物を提供する。 - 特許庁 - To perform the separation of metal type single wall carbon nanotubes and semiconductor type single wall carbon nanotubes with high precision with a simple operation by a density gradient centrifugal separation method.
密度勾配遠心分離法により、金属型単層カーボンナノチューブと半導体型単層カーボンナノチューブとの分離を、簡単な操作により高精度で行う。 - 特許庁 - As a result, the single particulate layer 13 in which the particulates 3 are arranged in a single layer at the uniform density can be formed within the range of about μm^2 or above.
μｍ^2程度以上の範囲で一様な密度をもって単層に微粒子３が配置された単微粒子層１３を形成することができる。 - 特許庁 - The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.
本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁 - To provide a high quality corundum single crystal and also to improve productivity by approximately uniformizing the density change in the color of the corundum single crystal by suppressing the density change in the color in the process of crystal growth.
結晶育成過程での色彩の濃淡変化を抑制して、コランダム単結晶の色彩の濃淡をほぼ均一化することで高品質なコランダム単結晶を提供するとともに生産性の向上を実現する。 - 特許庁 - To further increase a recording density in a magnetic disk device using a single write system.
シングルライト方式を用いた磁気ディスク装置において記録密度の更なる向上を図ることを目的の一とする。 - 特許庁 - To produce a lead tungstate single crystal useful as a Cherenkov material, which has a high density and is excellent in resistance to radiated rays.
密度が大きく、かつ耐放射線性に優れたチェレンコフ材料用タングステン酸鉛単結晶を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.
大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.
大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁 - To increase track density and to obtain high recording density by forming a single spiral recording track in an optical recording medium on which a groove is formed along the recording track.
記録トラックに沿ってグルーブが形成されてなる光記録媒体において、記録トラックをシングルスパイラル状としつつ、トラック密度を高めて高記録密度化を図れるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of measuring an etch pit density capable of measuring an etch pit density, without being affected by the flatness of a crystal face in a semiconductor single crystal.
半導体単結晶における結晶面の平坦度に左右されずにエッチピット密度を正確に測定できるエッチピット密度の測定方法を提供すること。 - 特許庁 - A color conversion means 104 outputs a high-density letter by using K, outputs a low-density fine letter with Lk, and outputs a low- or middle-density bold letter edge with Lk, and the letter inner area with a single color K.
色変換手段１０４では、高濃度の文字をＫを用いて出力し、低濃度で細幅の文字をＬｋで出力し、低濃度または中濃度で太幅の文字縁をＬｋ、文字内部をＫ単色で出力する。 - 特許庁 - The polyethylene resin low in density is pref. straight chain low density polyethylene with a density of 0.900-0.940 g/3 and single site polyethylene is especially pref.
前記密度の低いポリエチレン樹脂が、密度０．９００ｇ／ｃｍ^3 以上０．９４０ｇ／ｃｍ^3 未満の直鎖状低密度ポリエチレンであることが好ましく、なかんずく、シングルサイト系ポリエチレンであることが特に好ましい。 - 特許庁 - The power generator comprises a power generating section incorporating a plurality of single cells, and an adapter section for connecting the single cells in series, so that it is free from loss of volume energy density.
複数の単セルを備えた発電部と、これらの単セルを直列接続するアダプター部に分けて構成することにより、体積エネルギー密度を損なうことがない。 - 特許庁 - To provide a high density integrated processing and sensing chip including an integrated signal processing circuit formed on one side of a single chip and a magnetic sensor element formed on an opposing side of the single chip.
単一チップの一方側面上に統合信号処理回路と、他方側面上に磁気センサ素子とを有する高密度統合処理及び感知チップを提供する。 - 特許庁 - The scintillator comprises using a tungstate single crystal and arranging the single crystal for crystalline bearings to make a crystal face having dense atomic density and incidence direction of the radiation to parallel.
タングステン酸塩単結晶を使用し、その単結晶を原子密度が稠密である結晶面と放射線の入射方向が平行となる結晶方位で配置させる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of ZnTe system compound semiconductor single crystal capable of growth of the ZnTe system compound semiconductor single crystal with high carrier density.
高キャリア濃度のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の成長を可能にするＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a single crystal pulling-up device with which the single crystal low in the density of grown-in defects called as infrared scatter or dislocation cluster can be grown.
赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。 - 特許庁 - To stably pull a single crystal at a high pulling speed while controlling the deformation degree of the single crystal to a target value and suppressing the density of grow-in defects to be not more than an upper limit value when the single crystal is pulled by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、結晶変形率を目標値に制御し、且つgrown-in欠陥の密度を上限値以下に抑制しつつ、可及的に速い引上げ速度で安定な引上げを行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.
転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of growing a nitride single crystal which has a low electric potential density range having a uniform and large area.
均一かつ広い面積の低電位密度領域を有する窒化物単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a reproduction color from becoming deep by the increase of ink density inside nozzles in a single print job.
単一印刷ジョブ内においてノズル内のインク濃度が増加することによって再現色が濃くなることを抑制する。 - 特許庁 - To make a high-density portable single-use memory module display information on the contents and the amount used of the module.
高密度で携帯型の使い捨てメモリモジュールに、その内容に関する情報及び使用量を表示させること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a fine particle accumulated mass by which fine particles are accumulated as a single layer at a high density.
微粒子を高密度に単層で集積することができる微粒子集積体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ion implantation method which obtains a plurality of doping density levels in a single ion implantation process.
複数のドーピング濃度レベルを単一のイオン打ち込み工程において可能にするイオン注入方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the consumed amount of toner as a nonmagnetic single component developer while maintaining the image density on a printing medium.
印字媒体上の画像濃度を保ちながら、非磁性一成分現像剤としてのトナーの消費量を抑える。 - 特許庁 - To provide a nonmagnetic single component toner which can realize both of high image density and low fog in the background.
高い画像濃度と少ないバックグランドのかぶりを同時に実現することができる非磁性一成分トナーを提供する。 - 特許庁 - To provide a method where a nitride semiconductor single crystal having a small dislocation density can be manufactured by a simple and easy way.
転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To measure a plasma density by using an interferometer with a single optical path to measure the phase distribution of a laser light.
レーザー光の位相分布測定によって単一光路の干渉計を用いてプラズマ密度の測定を可能にする。 - 特許庁 - An ND film 2, having a gradation gradient changing continuously in density at maximum density, is formed on a PET substrate 1 and an MgF_2 film of a single layer is formed on the outermost surface layer.
ＰＥＴ基板１上に最大濃度が１．０で濃度が連続的に変化するグラデーション勾配を有するＮＤ膜２を成膜し、最表層に単層のＭｇＦ_2膜３を成膜する。 - 特許庁 - To provide a magnetic single component developer that can stably output of high image quality images with high image density and little unevenness in the image density, and to provide an image forming method.
画像濃度が高く、且つ画像濃度ムラを抑えた、高画質な画像を安定して出力できる磁性一成分現像剤、及び画像形成方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic image forming apparatus capable of performing a density control in all printing modes with a single density control action.
電子写真方式等の画像形成装置において、一度の濃度制御で、すべての印字モードに対して濃度制御を行い得る画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor being composed of a compound single crystal and containing a region having a surface defect density of 1×10^7/cm^2 or more and a region having the surface defect density of 1/cm^2 or less is used.
化合物単結晶からなり、面欠陥密度が１ｘ１０^7／ｃｍ^2以上である領域及び面欠陥密度が１／ｃｍ^2以下である領域を含む半導体。 - 特許庁 - The single crystal aluminum nitride laminated substrate is provided by laminating the single crystal aluminum membrane to the most outer layer via an acid aluminum layer on a single crystal α-Al_2O_3 substrate such as a sapphire substrate, wherein the transition density of the single aluminum nitride is 10^8/cm^2.
サファイア基板の如き単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が１０^８個／ｃｍ^２以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.
転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which yields a large effect to reduce dislocation density, can reduce the twin development probability, and has high qualities and a high single crystallization ratio.
転位密度低減効果が大きく、双晶発生確率を低減することができる、高品質で単結晶化率が高い化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The reflectivity of the X-ray total reflection mirror consisting of a single-layer film shown in Fig.(a) is much lower than a theoretic value due to the lower density caused by forming a single-layer reflection film 12.
図１の（ａ）に示す単層膜構成のＸ線全反射ミラーの反射率は、単層反射膜１２の成膜による密度低下のために理論値より大幅に低下する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an SiC single crystal, which can grow the SiC single crystal of excellent quality with a low density of lattice defects at a high growing rate stably for a long period of time.
低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁 - The dislocation density of the stripe region 13 is greater than that of the single crystal region 15, and the crystal orientation of the stripe region 13 differs from that of the single crystal region 15.
ストライプ領域１３の転位密度は単結晶領域１５の転位密度より大きく、ストライプ領域１３の結晶方位は単結晶領域１５の結晶方位と異なる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon carbide single crystal capable of producing a single crystal silicon carbide wafer having a very low micropipe density and a large diameter.
本発明は、マイクロパイプ密度が極めて小さく、かつ、大口径の単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon single crystal, capable of reducing COP density without sacrificing productivity.
生産性を犠牲にすることなくＣＯＰ密度を低減させることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The polyolefinic resin stretched sheet 4 is laminated to at least the single surface of a sheetlike core material 6 with a density of 30-300 kg/m^3.
密度が３０〜３００ｋｇ／ｍ^3のシート状芯材6の少なくとも片面に、ポリオレフィン系樹脂延伸シート4を積層する。 - 特許庁
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