DEGREE-OF-DISPERSION DETERMINATION METHOD FOR SINGLE-WALLEDCARBONNANOTUBES, AND DEGREE-OF-DISPERSION DETERMINATION APPARATUS FOR SINGLE-WALLEDCARBONNANOTUBES 単層カーボンナノチューブの分散度判定方法及び単層カーボンナノチューブの分散度判定装置 - 特許庁
SYNTHESIS OF CARBONSINGLE-WALLEDNANOTUBES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS 化学気相成長法によるカーボン単層ナノチューブの合成の方法 - 特許庁
METHOD FOR CONVERTING CHARACTERISTIC OF ASSEMBLY OF SINGLE WALLED CARBONNANOTUBES 単層カーボンナノチューブ集合体の特性変換方法 - 特許庁
The carbon nanotube bulk structure includes double-walled carbonnanotubes coexisting with at least any of single walled-carbon nanotubes and multi-walled carbonnanotubes comprising three- or more walled carbonnanotubes, wherein the coexisting ratio of the double-walled carbonnanotubes is ≥50%, by selectively controlling the number of layers of carbonnanotubes by the thickness of a thin film of a catalyst. 触媒の薄膜の厚さによってカーボンナノチューブの層数を選択的に制御して単層カーボンナノチューブ及び、三層カーボンナノチューブ以上の多層カーボンナノチューブの少なくともいずれかと共存し、該共存割合が、50%以上を有する二層カーボンナノチューブを備えることを特徴とする。 - 特許庁
Recently, much interest has been focused on single-walledcarbonnanotubes.
最近、単層カーボンナノチューブに多くの関心が集中して(向けられて)きている。 - 科学技術論文動詞集
To provide single-walledcarbonnanotubes having uniform and high quality and a high density. 均質で高品質の高密度単層カーボンナノチューブを提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing high purity single-walledcarbonnanotubes each having an enlarged diameter. 大径化された高純度の単層カーボンナノチューブを製造する方法を提供する。 - 特許庁
The production method of single-walledcarbonnanotubes in which chirality is controlled is characterized by forming and growing single-walledcarbonnanotubes by an alcohol chemical vapor deposition method while irradiating the carbonnanotubes with a free electron laser beam having a light absorption wavelength or a wavelength approximate to the light absorption wavelength which corresponds to the transition energy of the single walled carbonnanotubes having predetermined diameters, that is searched from Kataura plot. 片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 - 特許庁
An intermediate transfer belt 20 for an electrostatographic device and methods for making the intermediate transfer belt include the use of polyamide-imide and carbonnanotubes and nanosheets, for example, multi-walled carbonnanotubes, single-walledcarbonnanotubes, graphene, graphite, and two or more of these as an electrically conductive filler. 静電写真装置用の中間転写ベルト20、および、中間転写ベルトの形成方法は、ポリアミドイミドと、導電性充填材である例えば多層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ、グラフェン、黒鉛、および、これらの2つ以上の、カーボンナノチューブおよびナノシートとの使用を含む。 - 特許庁
This superconducting film structure is formed of a carbon nanotube film composed of a plurality of single-walledcarbonnanotubes on a substrate, where the single-walledcarbon nanotube is a boron substitution type single-walledcarbon nanotube in which a part of carbon atoms constituting the single-walledcarbon nanotube is substituted by boron atom(s). 超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing single-walledcarbonnanotubes by which a single-walledcarbon nanotube film having a large film area is manufactured and the film is collected as a self-supporting film, and to provide an apparatus for manufacturing suitable for carrying out the above method. 膜面積の大きい単層カーボンナノチューブ膜を製造することができ、且つ該膜を自立膜として回収することができる単層カーボンナノチューブ製造方法、及び該方法の実施に適した製造装置を提供する。 - 特許庁
Compositional studies of individual catalyst nanoparticles by EELS may be essential to clarify the growth mechanism of single-walledcarbonnanotubes.
EELSによる個々の触媒ナノ粒子の組成研究は、単層カーボンナノチューブの成長メカニズムを解明するために必須であろう。 - 科学技術論文動詞集
The particle comprising the metal and ceramic support is used as the catalyst for the production of the single-walledcarbonnanotubes. 上記金属およびセラミック支持体を含む粒子は、単一壁のカーボンナノチューブの生成のために触媒として使用される。 - 特許庁
To provide fluorine-modified double-walled carbonnanotubes having both functions by fluorination and excellent functions of single-wall (SW) CNT. フッ素化による機能と、単層(SW)CNTの優れた機能とを併せもつフッ素修飾2層カーボンナノチューブを提供する。 - 特許庁
Thereafter, carbonnanotubes are grown to form assemblies of single-walledcarbonnanotubes having an average outer diameter of 2 nm and a high density, and being vertical to the substrate and highly parallel with one another. その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径2nmで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度単層カーボンナノチューブ集合体が形成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a substrate for forming carbonnanotubes, by which single-walledcarbonnanotubes are grown so as to have such a crystal structure that the crystal orientation is aligned in a specific direction. 単層カーボンナノチューブを特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつように成長制御させることが可能なカーボンナノチューブ形成用基材の製造方法を提供する。 - 特許庁
A metal catalyst is provided on a substrate by patterning, using a carbon compound as a carbon source in a reaction atmosphere, from the metal catalyst, a plurality of single-walledcarbonnanotubes are formed, so as to produce a single-walledcarbon nanotube bulk structure which has been patterned. 金属触媒を基板上にパターニングして設け、前記金属触媒から反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、複数本の単層カーボンナノチューブを生成することにより、パターニングされた単層カーボンナノチューブ・バルク構造体を製造する。 - 特許庁
The aligned single-walledcarbon nanotube bulk structure comprises an assembly of a plurality of aligned single-walledcarbonnanotubes and has 800-2,500 m^2/g specific surface area and ≥98% purity when measured by using fluorescent X-rays. 配向した単層カーボンナノチューブが複数本集って構成され、かつ比表面積800〜2500m^2/g、及び蛍光X線で測定した純度;98%以上を備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブ・バルク構造体。 - 特許庁
The invention relates to a composite of single-walledcarbonnanotubes (SWNT) and the ceramic support (e.g. silica) comprising a small amount of catalytic metal (e.g. cobalt and molybdenum). 本発明は、少量の触媒金属(例えば、コバルトおよびモリブデン)を含む、単一壁のカーボンナノチューブ(SWNT)およびセラミック支持体(例えば、シリカ)の複合体を提供する。 - 特許庁
The composite carbon structures that contain carbon-coated catalyst nanoparticles, and that are used in subsequent arc-discharge or laser ablation methods to produce carbon nanostructures, particularly single walled nanotubes in an increased amount and of a well-defined quality. 炭素被覆触媒ナノ粒子を含有すると共に、増加した量および明確な品質の炭素ナノ構造体、特に単一壁ナノチューブを製造するために後続のアーク放電法またはレーザアブレーション法において用いられる複合炭素構造体。 - 特許庁
Single-walledcarbonnanotubes comprising vaporized carbon by arc discharge are deposited into a film on a face 22a opposing to the anode 11, on the conductive plate 22 disposed in the cathode 12 side of the pair of conductive plates 21, 22. 前記アーク放電により蒸発したカーボンからなる単層カーボンナノチューブを、前記一対の導電板21,22のうち陰極12側に配置された導電板22における前記陽極11と対向する面22aに膜状に堆積させて捕捉する。 - 特許庁