「solid-state」を含む例文一覧(12282)
＜前へ 1 2 .... 128 129 130 131 132 133 134 135 136 .... 245 246 次へ＞- To provide a back-illuminated CMOS solid-state image sensor, which increases antireflection efficiency to allow improvement in sensitivity, while reducing shading and mixing of colors in neighboring pixels, and also to provide a camera module and an electronic equipment module with the solid-state image sensor.
反射防止効率を向上してより感度向上を可能にし、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減した、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子、及びこの固体撮像素子を備えたカメラモジュール、電子機器モジュールを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electrolyte film for a solid polymer fuel cell with little virtual dimensional change (against an area direction) between a heated state and a hydrous state at manufacturing and use of a solid polymer fuel cell.
固体高分子型燃料電池製造時および使用時の、加熱および含水状態での、両者での実質的な（面積方向に対する）寸法変化が少ない固体高分子型燃料電池用電解質膜の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To improve the image performance and the design and to make an imaging device thin by increasing the positional precision of a barrel of a solid- state image pickup device and an imaging device housing and precisely attaching the solid-state image pickup device to the imaging device housing with a small space.
固体撮像装置の鏡筒と撮像機器筐体との位置精度を上げ、固体撮像装置を撮像機器筐体に少ない空間で精度良く取り付けることによって、画像性能および意匠性の向上を図り、撮像機器の薄型化を可能にする。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus and a manufacturing method therefor, capable of suppressing recognition fault of a solid-state imaging element due to infiltration of dust, and of improving the manufacturing yield by simplifying manufacturing processes so as to improve the product quality.
ダスト進入による固体撮像素子の認識障害を抑制し、また、製造工程の簡略化を図ることにより、製品品質を向上して製造歩留まりの向上を図ることができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus and a method of manufacturing the same that improve the area efficiency of a photoelectric conversion part and reduce disturbance noise, in a back side irradiation type, and to provide an electronic device applicable to a camera or the like having the solid-state imaging apparatus.
裏面照射型における光電変換部の面積効率の向上、外乱ノイズ低減を図った固体撮像装置及びその製造方法、並びにかかる固体撮像装置を備えたカメラなどに適用される電子機器を提供するものである。 - 特許庁 - The shape of the microlenses formed of a synthetic resin and formed on the substrate of a solid-state image pickup element agrees with part of an ellipse, and the focal length of the microlenses is situated near the light receiving surface of the solid-state image pickup element.
固体撮像素子基板上に形成した合成樹脂からなるマイクロレンズにおいて、マイクロレンズの形状が楕円の一部にほぼ合致する形状からなり、マイクロレンズの焦点距離が前記固体撮像素子の受光面近傍に配置されているマイクロレンズ。 - 特許庁 - The solid state imaging device according to this invention is a solid state imaging device comprising a plurality of unit pixels, and the plurality of unit pixels are formed in a common well on the semiconductor substrate, and includes two kinds of unit pixels which are first unit pixels and second unit pixels.
本発明の固体撮像装置は、複数の単位画素を備える固体撮像装置であって、前記複数の単位画素は、前記半導体基板上の共通ウェルに形成され、第１単位画素および第２単位画素の２種類の単位画素を含む。 - 特許庁 - In the image sensor 1 with a CMOS type solid-state image pickup device 12 having an electronic shutter function, a lens 10, and a flash, an electronic shutter pulse, an optical system moving pulse and a flash pulse are generated by a pulse generation circuit in the CMOS type solid-state image pickup device 12.
電子シャッタ機能を有するＣＭＯＳ型固体撮像素子１２、レンズ１０、フラッシュを備えるイメージセンサ１において、ＣＭＯＳ型固体撮像素子１２内のパルス生成回路によって電子シャッタパルス、光学系移動パルス及びフラッシュパルスを生成する - 特許庁 - A fitting hole 55 is bored in the rear part of a solid-state imaging unit frame 53 holding an objective unit 27 in its front and a 2nd position adjusting stop 52 and a 1st position adjusting stop 51 joined with the front of the solid-state imaging apparatus 28 are fixed in the fitting hole 55.
前部に対物レンズユニット２７を保持する固体撮像装置枠５３の後部に嵌合孔５５を形成し、嵌合孔５５に、第２の位置調整絞り５２と固体撮像装置２８の前面に接合した第１の位置調整絞り５１とを固定する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device that solves the problems of a conventional processing such as the occurrence of a deviation of an image in a vertical direction and need for an increased circuit scale in high sensitivity processing of a video camera or the like by means of vertical pixel summation processing of a solid-state image pickup device.
固体撮像素子における垂直画素加算処理によるビデオカメラなどの高感度化において、従来の処理では画像の垂直方向ずれが発生し、また回路規模が増大するといった問題を解決した固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - The light source controlling unit 260 includes a first control mode that averagely lowers the amount of light emitted from the plurality of solid state light sources, and a second control mode that preferentially lowers the amount of light emitted from a solid state light source that has an unfavorable light emission efficiency.
光源制御部２６０は、複数の固体光源から出射される光量を平均的に減少させる第１制御モードと、発光効率が悪い固体光源から出射される光量を優先的に減少させる第２制御モードとを有する。 - 特許庁 - The method includes a step for performing pulse width modulation of a solid-state switch of a boost converter to obtain a high voltage from a low voltage, and a step for switching the solid-state switch of a buck regulator to charge or discharge coils in a non current reversing, polarity reversing manner.
本方法は、ブーストコンバータの固体スイッチをパルス幅変調して低電圧から高電圧を得る段階と、次にバックレギュレータの固体スイッチをスイッチングして電流反転ではなく極性反転方式でコイルを充電するか又は放電させる段階とを含む。 - 特許庁 - To provide a compact solid-state image pick-up device that solves the problem that when increasing the sensitivity of a video camera or the like by vertical pixels addition processing in a solid state image sensing device, conventional processings cause image displacement in the vertical direction, resulting in an increased circuit size.
固体撮像素子における垂直画素加算処理によるビデオカメラなどの高感度化において、従来の処理では画像の垂直方向ずれが発生し、また回路規模が増大するといった問題を解決した小型の固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of driving a charge transfer solid-state imaging device, which can reduce the degradation of the image quality due to dark current charge of the solid-state imaging device when outputting the photographic image data obtained by compositing the high-sensitivity image data and the low-sensitivity image data.
高感度画像データと低感度画像データとの合成による撮影画像データを出力する場合に、固体撮像素子の暗電流電荷による画質劣化を減少させることが可能な電荷転送型固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁 - In the solid-state electrolytic capacitor with the sheet shaped solid-state electrolytic capacitor element having the positive electrode part at its end and a negative electrode part at its central part, a positive electrode element to which a metal band plate strip 14 is connected is folded back and is then connected to a positive electrode terminal 20.
端部に陽極部を有し中央部に陰極部を有する板状の固体電解コンデンサ素子を備える固体電解コンデンサにおいて、金属帯板片１４が接続された陽極体を折り返した後に陽極端子２０に接続する。 - 特許庁 - The solid-state image pick-up element housing package is mounted in a camera, by abutting its undersurface center against a positioning plate for the optical system of the camera, so that the picture image of an object for imaging is accurately formed on the imaging part of a solid-state image pick-up element 5 housed in the package.
絶縁基体１の研削した下面中央部をカメラの光学系に対する位置決め面に当接させてカメラ内に実装することにより、内部に収容する固体撮像素子５の撮像部に被写体の映像を正確に結像させることができる。 - 特許庁 - The imaging unit 1 is equipped with a printed board 3, in which an opening 3a is formed to face a light receiving part 2a of a solid state imaging element 2, and the solid state imaging element 2 is flip-chip mounted in such manner as the light receiving part 2a faces the opening 3a.
本発明にかかる撮像ユニット１は、固体撮像素子２の受光部２ａに対向する開口部３ａが形成され、受光部２ａと開口部３ａとが対向する態様で固体撮像素子２をフリップチップ実装したプリント基板３を備える。 - 特許庁 - In a solid state imaging apparatus 10, an area located at a more inner side than an adhesion part 25 of a solid state imaging element 22 is curved towards a wiring substrate 21, while an area other than the above area is flat and an area where a light-receiving part 22a is formed is partially curved.
固体撮像装置１０は、固体撮像素子２２の接着部２５よりも内側の領域が配線基板２１側に湾曲しており、それ以外の領域が平坦となっており、受光部２２ａが形成された領域が部分的に湾曲している。 - 特許庁 - To provide a solid-state image sensor capable of suppressing the enlargement of area of a peripheral circuit or the increase of wirings for PAD (program associated data) or the like, in the solid-state image sensor having a structure wherein a horizontal charge transfer unit arranged in the shape of single dimension is branched at the terminal thereof.
一次元状に配置された水平電荷転送部が端部で分岐する構造を有する固体撮像素子において、周辺回路部の面積の増大やＰＡＤ等の配線の増加を抑制することができる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device which improves optical condensing property by keeping refractive index difference between a micro lens and transparent protecting film, and by eliminating a clearance between micro lenses, and to provide its manufacturing method, and a camera preparing the solid state imaging device.
マイクロレンズと透明保護膜との間の屈折率差を確保し、かつマイクロレンズ同士の隙間をなくすことにより、集光特性を向上した固体撮像装置およびその製造方法、並びに当該固体撮像装置を備えたカメラを提供する。 - 特許庁 - To reduce false signals included in an object picture from a high resolution solid-state image pickup element and caused at photographing by a defective pixel of the solid-state image pickup element and to display the video image of the picture on a monitor in real time.
撮影時の高解像度の固体撮像素子からの被写体画像に含まれる固体撮像素子の欠陥画素に基づく偽信号を低減しかつその画像の映像を実時間でモニタに表示できる画像信号処理装置を備えた電子スチルカメラを提供。 - 特許庁 - A chest photography device 1 has a photography part 4 constituted by arranging in a housing 20 the solid-state detector 50, a current detecting means 30 or the like which detects a current that flows out of an electrostatic recording part 10 of the solid-state detector 50 by scanning exposure of read light.
胸部撮影装置１において、筐体２０内に、固体検出器５０、読取光の走査露光により固体検出器５０の静電記録部１０から流れ出る電流を検出する電流検出手段３０等を配して撮影部４を構成する。 - 特許庁 - Further, a signal outputted from the solid-state image sensing device is A/D-converted into fourteen bits, and the typical value signal is calculated and attenuated to 15/16, and is subtracted from the image signal outputted from the valid pixel of the light receiving face of the solid-state image sensing device.
また、前記固体撮像素子から出力される信号を１４ビットにＡ／Ｄ変換して前記代表値信号を算出して１５／１６に減衰して、前記固体撮像素子の受光面の有効画素から出力される画像信号から減算する。 - 特許庁 - The recessed housing 13 is formed on the upper surface 12b of the package body 12 to house the solid-state imaging element chip 3, the solid-state imaging element chip 3 is die-bonded in the housing 13, and the opening 13a of the housing 13 is sealed by the lid 15.
パッケージ本体１２の上面１２ｂには、固体撮像素子チップ３を収納する凹状の収納部１３が形成されており、収納部１３には固体撮像素子チップ３がダイボンドされ、リッド１５は収納部１３の開口１３ａを封止している。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging element which does not need difficult signal processing for its output, even if a charge transfer speed is increased, and to provide a solid-state imaging element, and its driving method, which enables an increase in the charge transfer speed.
電荷の転送速度を増加したとしても容易な固体撮像素子出力の信号処理で済む固体撮像素子を提供し、電荷の転送速度の向上を図ることが可能である固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To enable more correct and easier inspection of a light receiving section and an integration circuit in a large-area solid-state imaging element and a production method therefor, a radiation imaging device including the same and a production method therefor, and a method for inspecting the large-area solid-state imaging element.
大面積の固体撮像素子及びその製造方法、これらを備える放射線撮像装置及びその製造方法、並びに大面積の固体撮像素子の検査方法において、受光部や積分回路等のより正確で且つ容易な検査を可能とする。 - 特許庁 - In this solid-state imaging apparatus 100, electrode terminals 12 are formed to cover openings on a front surface which are formed by through-holes 11, and projecting electrodes 22 corresponding to the electrode terminals 12 are formed on a light reception surface of a solid-state imaging element 2.
本発明の固体撮像装置１００は、貫通孔１１により形成されたおもて面の開口部を覆うように電極端子１２が設けられており、固体撮像素子２の受光面上に、電極端子１２に対応する突起電極２２が形成されている。 - 特許庁 - This laser-diode pumped solid-state laser excites a solid-state laser crystal 13, which is doped with at least one of Er3+, Ho3+, Dy3+, Eu3+, Sm3+, Pm3+, and Nd3+, and Pr3+, by a laser diode 11 having an active layer formed of InGaN, InGaNAs, or GaNAs.
Ｅｒ^3+、Ｈｏ^3+、Ｄｙ^3+、Ｅｕ^3+、Ｓｍ^3+、Ｐｍ^3+およびＮｄ^3+のうちの少なくとも１つとＰｒ^3+とが共ドープされた固体レーザー結晶13を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するレーザーダイオード11によって励起する。 - 特許庁 - The solid-state electrolytic layer 3 of a solid-state electrolytic capacitor comprises a conductive high polymer layer 33 having a hybrid high polymer region 32 that contains electrolytic polymerization conductive high polymer and chemical polymerization conductive high polymer on an electrolytic polymerization high polymer region 31.
固体電解コンデンサの固体電解質層３は、電解重合高分子領域３１上に、電解重合導電性高分子及び化学重合導電性高分子を含有するハイブリッド高分子領域３２を有する導電性高分子層３３を備える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device which can prevent the occurrence of defective products due to defective bonding portions at the time of splitting, etc. of a laminate structure consisting of a joined wafer and glass board such as a chip size packaged solid-state imaging device.
チップサイズパッケージタイプの固体撮像装置のように、接合されたウェーハとガラス板とで構成された積層構造物を切断等するにあたり、接着不良箇所によって不良品となることを防止できる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A control circuit 15 performs control that multiplies the resolution of the solid-state image pickup device 11 by receiving the light of pixels at a plurality of positions of the original 2 with time division by common pixels of the solid-state image pickup device 11 by shifting an optical path by the optical path deflecting element 12.
制御回路１５は、原稿２の複数の位置の画素を、光路偏向素子１２による光路のシフトにより、固体撮像素子１１の共通の画素により時分割で受光することで、固体撮像素子１１の解像度を増倍する制御を行なう。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises the solid state image sensor, and a means for applying a voltage to the transfer electrode 18 wherein the read-out pulse voltage is applied from the voltage applying means to the x sheets of the transfer electrode 18B1, 18B3 and 18A4.
また、前記固体撮像素子と、転送電極１８に電圧を印加する電圧印加手段とを備え、電圧印加手段から前記ｘ枚の転送電極１８Ｂ１，１８Ｂ３，１８Ａ４に読み出しパルス電圧が印加される固体撮像装置を構成する。 - 特許庁 - To obtain a photocurable resin composition that provides a low refractive index cured material for a planarization layer of a solid-state imaging element and has excellent coating properties by a spin coating method and a solid-state imaging element in which flare is prevented by using the resin composition.
固体撮像素子の平坦化層用の低屈折率硬化物及びマイクロレンズ用反射防止膜を与え、かつスピンコート法による塗布性に優れた光硬化性樹脂組成物、及びこれを用いた、フレアの防止された固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image sensor capable of improving a frame rate, a method of driving the solid-state image sensor, and an imaging apparatus.
画像処理に使用しないＯＰＢ不問領域の画素の信号も含めて、全画素に対して順次アクセスして各画素の信号を出力した場合、１フレーム期間の中にＯＰＢ不問領域の画素を読み出す無駄な期間が存在し、フレームレートの向上を図る上で障害となる。 - 特許庁 - To provide a solid state image pickup device capable of automatically switching the linear transformation operation and logarithmic transformation operation of an electric signal corresponding to incident light upon a solid state image pickup element in accordance with the brightness of a subject whose image is to be picked up.
本発明は、撮像する被写体の明るさに応じて、固体撮像素子の入射光に対する電気信号の線形変換動作と対数変換動作とを、自動的に切り換えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In actually using the solid-state imaging apparatus, a memory 26 in an image processing circuit stores the fixed pattern noise from the nonvolatile memory 27 and the fixed pattern noise read from the memory 26 is added to/subtracted from the imaging signal outputted from the solid-state imaging device 22.
固体撮像装置の実使用に際して、不揮発性メモリ２７から画像処理回路内のメモリ２６へ固定パターンノイズが記憶され、固体撮像素子２２から出力される撮像信号に、メモリ２６から読み出された固定パターンノイズが加減算される。 - 特許庁 - To attain high resolution comparable to that provided when three solid-state imaging sensors are used for four solid-state image sensors, to detect the direction correlation by standard deviation, and to implement interpolation with high accuracy by high-frequency components, based on its direction correlation detection result.
３枚の固体撮像素子で４枚の固体撮像素子を用いた場合と同等の高解像度化を実現すると共に、標準偏差によって方向相関を検出し、その方向相関検出結果に基づく高域周波数成分で高精度な補間をする。 - 特許庁 - To provide an image pickup device capable of performing correction coping with an increase in flaws by the secular change of a solid-state image pickup device and temperature rise by detecting an image defect position on the solid-state image pickup device and occasionally updating the detection position information.
従来は固体撮像素子の経年変化による画素欠陥や、製品内部の温度上昇、あるいは低輝度撮像時に映像信号の増幅率が増加した場合等、後天的な原因に基づく画素欠陥によるキズによる補正が難しい。 - 特許庁 - To relax strain of a substrate made by sticking both semiconductor layers, i.e. a semiconductor layer in which a solid state imaging element is formed and a semiconductor layer in which a logic circuit for controlling the solid state imaging element is formed, together by canceling the internal stress of both semiconductor layers.
固体撮像素子が形成された半導体層と、固体撮像素子を制御するロジック回路が形成された半導体層の双方の内部応力を打ち消すことで、双方の半導体層を張り合わせてなる基板の歪みを緩和することを可能とする。 - 特許庁 - It is preferable that a lubricating layer 4 is formed on the outermost layer of the insulated wire, and the lubricating layer 4 is formed of a mixture of wax in a solid state at ordinary temperature, and fat in a liquid state at ordinary temperature.
絶縁電線の最外層に潤滑層4を形成し、その潤滑層4を、常温で固体のワックスと常温で液体の油脂との混合物から構成することが好ましい。 - 特許庁 - An active metal in a solid state is brought into contact with a raw-material metal in a molten state and impurities in the raw-material metal are adsorbed or bonded onto the active metal to remove the impurities.
溶融状態の原料金属に固体状の活性金属を接触させ、原料金属中の不純物を活性金属に吸着もしくは結合させて不純物を除去する。 - 特許庁 - Each light emitting element 140 comprises a light emitting diode(LED) having e.g. a directivity and emits a light in state of being close to a spot light in front of the solid-state imaging device 110.
各発光素子１４０は、例えば指向性を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）より形成されており、スポット光に近い状態の光を固体撮像素子１１０の前方に出射する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an organic liquefied fertilizer which can obtain the high quality organic liquefied fertilizer by dissolving a solid state or a powder state organic fertilizer in a liquid medium such as water and the like certainly.
固体状又は粉末状の有機肥料を確実に水等の液状媒体に溶け込ませ、高品質な有機液肥を得ることができる有機液肥の製造方法を提供する。 - 特許庁 - It is preferable that the resin composition is kept in a stable state in terms of chemical reaction (respective components are separated, the respective components are mixed in a solid state and the respective components are capsuled).
樹脂組成物は化学反応的に安定な状態（成分毎に分離する、各成分を固体状で混合する、各成分をカプセル化する等）で保管するのが好ましい。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging element and imaging apparatus using the same in which a pixel state can be read in an arbitrary region from a MOS-type image sensor without increasing a circuit scale.
回路規模を増大させることなく、ＭＯＳ型イメージセンサから画素状態を任意の領域で読出すことができる固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置を提供する。 - 特許庁 - While an atmosphere surrounding a compound semiconductor substrate is substituted by an inert atmosphere, the compound semiconductor substrate is hearted so as to be thermally decomposed into solid state power elements and liquid state elements.
化合物半導体基板の置かれる雰囲気を不活性雰囲気にし、この化合物半導体基板を加熱し、固体粉末状の元素と液体状の元素に熱分解する。 - 特許庁 - To provide a solid-state electrolytic capacitor of which the space factor of a capacitor element is high and the state of electric connection of a pillow member and an anode terminal is superior, and to provide a manufacturing method for the capacitor.
コンデンサ素子の占積率が高くて、枕部材と陽極端子との電気的な接続状態が良好な固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optically active polymer which can perform simultaneously the control of the color change as well as the new spiral structure formation, and the spiral winding direction even in a solid state or film state.
固体状態や膜状態でも色彩変化及び新たならせん構造の形成やらせんの巻き方向の制御を同時に行うことができる光学活性ポリマーを提供する。 - 特許庁 - To provide a gas sensor without generating blackening in a solid electrolyte body of an oxygen pump cell in which, even when a rich state and a lean state are switched, current of the oxygen pump cell can follow such a switching without being disturbed.
酸素ポンプセルの固体電解質体にブラックニングを生じさせることなく、リッチとリーンが切り替わるときでも酸素ポンプセルの電流が乱れず追従できるガスセンサを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of color filter and a manufacturing method of solid-state imaging device, capable of reducing color mixing of pigments in a color filter by enhancing the cured state of the color filter.
カラーフィルタの硬化状態を高めることにより、カラーフィルタの色素混色を低減することができるカラーフィルタの製造方法および固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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