To provide an image pickup apparatus which achieves phase difference AF based on image signals from pixels for phase difference detection arranged in a solid-state image pickup element and effectively utilizes the pixels for phase difference detection for an image in main imaging to achieve taking a wide dynamic range image and taking a high-resolution image. 固体撮像素子内に設けられた位相差検出用の画素からの画像信号に基づいて位相差AFを実現するとともに、位相差検出用の画素を本撮影時の画像用に有効活用し、広ダイナミックレンジの画像の撮影や高解像度の画像の撮影を実現可能にする。 - 特許庁
A plurality of pixel parts of the solid-state imaging device each include; a photodiode for generating charge of an amount corresponding to quantity of incident light, an FD region as a charge storing part for storing the charge, and a first transistor having a gate electrode electrically connected to the FD region. 固体撮像装置の複数の画素部それぞれは、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部としてのFD領域と、FD領域と電気的に接続されたゲート電極を有する第1トランジスタと、を含む。 - 特許庁
The solid state imaging apparatus and electronic camera comprise: a plurality of pixels to convert light into analog electric signals by photoelectric conversion; signals based on arbitrary pixels; an operation part to calculate differential signals from signals based on the pixels of the same color which are adjacent to the aforementioned pixels; and a converter to convert the differential signals to digital data. 光電変換により光をアナログ電気信号に変換して出力する複数の画素と、任意の画素に基づく信号と、その画素と隣接する同色の画素に基づく信号との差分信号を演算する演算部と、差分信号をデジタルデータに変換する変換部とを備える。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device and a method of driving the same, and a camera system which can suppress circuit noise which occurs in a bias voltage generating circuit causing image deterioration and an external noise which is generated from a device external portion and goes around to a column processing system, without adding external capacity. 外部容量を付加することなく、画像劣化の要因となるバイアス電圧の生成回路で生じる回路ノイズやデバイス外部から経由する外部ノイズのカラム処理系への回り込みを抑止することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法、カメラシステムを提供する。 - 特許庁
The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117. 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部101、電荷保持部102と、フローティングディフージョン114と、転送部103を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層111と、画素分離層117とを有している。 - 特許庁
The solid-state imaging element includes a light reception region including a plurality of first photosensors 20 and a first vertical transfer register 25 arrayed in two dimensions, and an optical black region including a plurality of second photosensors 30 and a first vertical transfer register 35 arrayed in two dimensions. 本発明に係る固体撮像素子は、二次元配列された複数の第1フォトセンサ20及び第1垂直転送レジスタ25を有する受光領域と、二次元配列された複数の第2フォトセンサ30及び第2垂直転送レジスタ35を有するオプティカルブラック領域とを備える。 - 特許庁
To suppress the generation of faulty connection and improve a yield by surely connecting a capacitor element with an anode lead frame and a cathode lead frame, in a solid-state electrolytic capacitor equipped with the capacitor element, a flat sheet type anode lead frame and a cathode lead frame. コンデンサ素子と平板状の陽極リードフレーム及び陰極リードフレームを具えた固体電解コンデンサにおいて、コンデンサ素子と該陽極リードフレーム及び陰極リードフレームが確実に接続されることにより、接続不良の発生を抑制し、歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁
A stacked electronic component 60 has a first electronic component 5 adhered on a substrate 2, a second electronic component 8 adhered on the first electronic component 5 through an adhesive layer 61 containing an insulation filler 62 held a solid state at the temperature of adhesion. 積層型電子部品60は、基板2上に接着された第1の電子部品5と、第1の電子部品5上に接着時温度に対して固形状態を維持する絶縁性フィラー62を含む接着剤層61を介して接着されている第2の電子部品8とを具備する。 - 特許庁
The high temperature waste water WH wasted from a cooling part of the solid state macromolecular electrolyte fuel cell I is introduced into the air preheater 26 and utilized for the preheat of the air, and afterwards, it is stored in a warm water tank and recycled to the cooling part. 固体高分子電解質型燃料電池Iの冷却部から排出された温排水HWを空気予熱器26に導いて空気の予熱に使用した後、固体高分子電解質型燃料電池Iの温水タンクに貯蔵させてから冷却部へリサイクルさせる。 - 特許庁
The invention relates to the radiation-curable resin composition for a planarized layer comprising a fluorine-containing polymer containing an ethylenic unsaturated group and a solvent, and relates to the planarized layer obtained by curing the same, and a method for producing the flattened layer position-selectively and the solid-state image sensing device comprising the planarized layer. エチレン性不飽和基含有含フッ素重合体及び溶剤を含有することを特徴とする平坦化層用放射線硬化性樹脂組成物;それを硬化させてなる平坦化層;位置選択的に平坦化層を製造する方法及びその平坦化層を含む固体撮像素子。 - 特許庁
In a solid-state imaging device 100 wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, the inner surface of the sealing package 1, the surface of the imaging element chip 2, and the surfaces of bonding wires are completely covered with a protective film 4. 封止パッケージ1内にて撮像素子チップ2を、そのマイクロレンズ8上に中空空間を設けて封止してなる固体撮像装置100において、封止パッケージ1の内面、撮像素子チップ2の表面およびボンディングワイヤの表面を保護膜4で完全に覆うようにした。 - 特許庁
In the oxygen sensor, since the solid electrolyte layer 105 is printed in the classified state into a plurality of layers 105a-105c beforehand when sintering in a body each functional layer comprising different kinds of materials, a stress can be dispersed into each layer, to thereby prevent crack generation. 本発明の酸素センサによれば、異種材料からなる機能層を一体焼結する際に、固体電解質層105が予め複数の層105a〜105cに分けて印刷されているため、それぞれの層ごとに応力を分散でき、クラックの発生を防止することができる。 - 特許庁
The solid-state imaging device includes an electric charge storage region including an n-type intermediate impurity region 11 the depth of which is deeper than the depth of an n^+-type impurity region 12 of an n-type silicon substrate 8, and shallower than the depth of an n-type impurity region 10. この固体撮像装置は、n型シリコン基板8のn^+型不純物領域12の深さよりも大きく、かつ、n型不純物領域10の深さよりも小さい深さを有するn型中間不純物領域11を含む電荷蓄積領域を備えている。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element that suppresses light reflected in an inter-layer insulation layer below a light shield film among incident light made incident to a photosensor unit and leaked to a vertical electric charge transfer unit so as to reduce a smear component, and to provide a manufacturing method thereof. 本発明は、フォトセンサ部に入射する入射光のうち遮光膜下の層間絶縁層を反射して垂直電荷転送部に漏れ込む光を抑制してスミア成分を低減するようにした固体撮像素子及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁
Thus, a nonsmooth connection in the solid-state imaging element 3 is corrected by matching element sensitivity of each area to be corrected with element sensitivity of the reference area so as to separately correct an optical output component and a dark output component of the imaging pixel output voltage in the imaging area. これにより、撮像領域の撮像画素出力電圧の光出力成分と暗出力成分とが別個に補正される形で、各補正対象領域の素子感度が基準領域の素子感度に合致するようにして、固体撮像素子3のつなぎ段差が補正される。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus equipped with an AD converter for detecting the traveling position of a pulse delayed in accordance with a pixel signal and converting the pixel signal into a digital value, which can be miniaturized in obtaining a digital signal of the difference between the output of a light-shielding pixel and the output of a light-receiving pixel. 画素信号に応じて遅延されるパルスの走行位置を検出して画素信号をデジタル値に変換するAD変換器を備えた固体撮像装置において、遮光画素の出力と受光画素の出力との差分のデジタル信号を求めるに際し、小型化を図る。 - 特許庁
For an image (progressive image) read from a solid-state imaging device 12 by a progressive system, in order to suppress a driving frequency in a post-stage configuration, reduction processing is applied while keeping the progressive image as it is in a resolution conversion processing section 25-1 that is a first-stage resolution conversion processing section. 固体撮像素子12からプログレッシブ方式で読み出された画像(プログレッシブ画像)に対しては、後段の構成の駆動周波数を抑制するために、プログレッシブ画像のまま、初段の解像度変換処理部である解像度変換処理部25−1において縮小処理が施される。 - 特許庁
In the third inspection process, the solid-state imaging device is inspected per predetermined range set in advance, and the number of peculiar pixels within each range is counted, and at the same time, the sum of brightness data of the individual peculiar pixels within each range is calculated as a defect level. 第3検査工程では、予め設定されている所定範囲ごとに固体撮像素子の検査が行われ、この所定範囲内の特異画素の個数が計数されると同時に、この所定範囲内の各特異画素の輝度データの合計値が欠陥レベルとして算出される。 - 特許庁
There, the curable resin composition contains a component (A), a solid state photo-polymerizable metal salt consisting of a divalent or trivalent metal with an organic carboxylic acid having an unsaturated bond, a component (B), a photo-polymerizable ethylenically unsaturated compound and a component (C), a photo-polymerization initiator, in a specific ratio. ここで、硬化性樹脂組成物は、成分(A)不飽和結合を有する有機カルボン酸の2価または3価の金属とからなる固体状光重合性金属塩、成分(B)光重合性エチレン系不飽和化合物、 および成分(C)光重合開始剤を、特定の配合比率で含有する。 - 特許庁
The protection agent 42Y of solid state, which is scraped by a scraping member and is applied to the image carrier for protecting the image carrier, has step differences 41Y formed in directions intersecting the scraping direction D1 of the scraping member on scraping positions where the protection agent is scraped by the scraping member. 像担持体を保護するために掻き取り部材によって掻き取られ像担持体に塗布される固体状の保護剤42Yが、掻き取り部材によって掻き取られる掻き取り位置において掻き取り部材の掻き取り方向D1に対して交差する方向に形成された段差41Yを有する。 - 特許庁
Heat and pressure are applied to the substrate (12), the interlayer (16), and the porous tantalum structure (10) to achieve solid-state diffusion between the substrate (12) and the interlayer (16) and between the interlayer (16) and the porous tantalum structure (10). 前記基板(12)と前記中間層(16)との間、及び、前記中間層(16)と前記多孔性のタンタル構造体(10)との間に固体状態の拡散を実現するために、前記基板(12)、前記中間層(16)及び前記多孔性タンタル構造体(10)に熱及び圧力が加えられる。 - 特許庁
The solid-state image pickup device is provided with a circuit that has a function of multiplying electric charges generated in a photoelectric conversion layer of a pixel, varies the multiplication factor of the photoelectric conversion layer and calculates the multiplication factor and with a circuit that corrects the strength of the output signal of the pixel in response to the calculated multiplication factor. 画素の光電変換層に生成した電荷を増倍する機能をもたせ、光電変換層の増倍率を可変にするとともに、増倍率を算出する回路と、画素の出力信号の強度を算出した増倍率に応じて補正する回路を備える。 - 特許庁
To provide a compact high-performance zoom lens equipped with a vibration-proofing function which is suitable for a video camera or a digital camera using a solid-state imaging element or the like, the position of the exit pupil of which is very far from an image formation surface, and which uses a diffraction optical element and has such a variable power ratio as about 3. 固体撮像素子等を用いたビデオカメラやデジタルカメラ等に好適で、射出瞳位置が結像面から十分遠くに離れ、回折光学素子を用いて、3倍程度の変倍比を有し、小型で高性能且つ防振機能を備えたズームレンズを提供する。 - 特許庁
In a solid state image sensor having a sensor 1 and a charge transfer section 2 where 2n-phase driving is performed by 2n sheets of a transfer electrode 18, x (n<x<2n) sheets of transfer electrodes 18B1, 18B3 and 18A4 out of 2n sheets of the transfer electrode 18 are applied with read-out pulse voltages. センサ部1及び2n枚の転送電極18により2n相駆動が行われる電荷転送部2を有する固体撮像素子に対して、2n枚の転送電極18のうちx枚(n<x<2n)の転送電極18B1,18B3,18A4に読み出しパルス電圧を印加する。 - 特許庁
When an operator selects the photographed position of a subject by the photographed position setting button of a display part 4, the solid-state image pickup element 2 is driven, a timer is started and a photographing condition, an image processing parameter, etc., according to the selected position is automatically set in addition. 操作者がディスプレイ部4の撮影部位設定ボタン41により被写体1の撮影する部位を選択すると、固体撮像素子2が駆動されるとともにタイマがスタートし、さらに選択された部位に応じた撮影条件及び画像処理パラメータ等が自動的に設定される。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus for not conducting shading compensation or alleviating a degree of shading compensation as a result of considering that necessity of shading compensation is low, when the center region of the image including small influence of the shading is extracted as an output image by utilizing electronic zooming. 電子ズーム使用し、シェーディングの影響が小さな画像の中心領域を出力画像として取り出す場合には、シェーディング補正をする必要性が低いと考え、このような場合にはシェーディング補正を行わないか、またはシェーディング補正の補正度合いを軽減する。 - 特許庁
The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier. 本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第2導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁
To provide a solid electrolyte type carbon dioxide sensor element for measuring highly accurately even when the operation temperature is lowered to a low temperature, for example, 200°C, with shortened response time, and causing no change of an electromotive force even when left for long hours in the non-heated state. 動作温度を例えば200℃という低い温度に下げても高精度での計測が可能で、また応答時間が短縮され、さらにまた非加熱の状態で長時間放置されても起電力の変化を生じることがない固体電解質型炭酸ガスセンサ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a solid electrolyte fuel cell system including a reformer and a stack structure, wherein the stack structure can be prevented from being in an overheat state even if such a load fluctuation operation that a requested output rapidly increases is performed. 改質器とスタック構造体を備えた燃料電池システムにおいて、要求出力が急激に増大するような負荷変動運転を行った場合でも、スタック構造体が過熱状態になるのを防ぐことができる固体電解質型燃料電池システムを提供する。 - 特許庁
The solid-state imaging element comprises color filters that are disposed to face each of a plurality of photoelectric conversion regions constituting pixels to color-separate light entering the photoelectric conversion regions, wherein the color filters are configured to have different light gathering characteristics depending on colors. 画素を構成する複数の光電変換領域のそれぞれに対向するように配置され、前記光電変換領域に入射する光を画素毎に色分離するためのカラーフィルタを備えた固体撮像素子であって、前記カラーフィルタは、色に応じて集光特性が異なるように構成される。 - 特許庁
To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device. MOS型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁
In the connecting wire for solar cell module for connecting a plurality of solar cell elements with the soldering process using the connecting wire for solar cell module, a part of the connecting wire for solar cell module to be soldered with electrode of the solar cell elements is covered with a solid-state flux. 複数の太陽電池素子を太陽電池モジュール用接続配線によりハンダ付けにより接続するための太陽電池モジュール用接続配線であって、この太陽電池モジュール用接続配線の前記太陽電池素子の電極とハンダ付けする部分に固形状のフラックスを被覆させる。 - 特許庁
The low-impedance loss line consists of an anode foil 19, a cathode foil 15, 23, a dielectric oxide film 16, 18, 20, 22 and a solid-state electrolytic layer 17, 21 consisting of electrolyte conductive polymer, formed by polymerization of monomer impregnated in a separator or monomer solution with an oxidant. 低インピーダンス損失線路は、陽極箔19、陰極箔15、23、誘電体酸化皮膜16、18、20、22、およびセパレータに含浸されたモノマー又はモノマー溶液を酸化剤で重合してなる導電性ポリマーからなる固体電解質層17、21によって構成されている。 - 特許庁
The signal transmission cable 37 is fixed to a connection terminal 36 provided in the circuit board 35 having a solid-state image pickup element 33 and having flexibility, the signal transmission cable 37 is folded along with the circuit board 35 and the circuit board 35 and the signal transmission cable 37 are sealed with a resin material 34. 固体撮像素子33を備え可撓性を有する回路基板35に設けられた接続端子36へ信号伝送ケーブル37を固定し、回路基板35とともに信号伝送ケーブル37を折りたたみ、回路基板35と信号伝送ケーブル37とを樹脂素材34で封止する。 - 特許庁
The solid-state image pickup device 1 photoelectrically converts light from an image-picked up body incident on the rear face S2 (second face) of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10, receives a charge generated by photoelectric conversion in the light receiving part 20, and image-picks up the image-picked up body. 固体撮像装置1は、半導体基板10の裏面S2(第2面)に入射した被撮像体からの光を半導体基板10の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部20で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 - 特許庁
To provide a curing light irradiating method for preventing occurrence of a time difference in curing between two adhesives to thereby prevent a positional displacement between a solid-state imaging element and a lens caused by curing of the adhesives, and also to provide a lens block to which the irradiation method is applied. 2つの接着剤が硬化するのに時間差が発生してしまうことを防止して、接着剤硬化による固体撮像素子とレンズ間の位置ずれを防止するための硬化光照射方法及び当該硬化光照射方法が施されたレンズブロックを提供する。 - 特許庁
To provide a radiation curable liquid resin composition for an optical solid molding having a good preservation stability as a liquid state before curing, also capable of obtaining an optical molded material having an excellent rigidity directly after its molding by curing, and also excellent in transparency over a long period. 硬化前には、液状の状態での保存安定性が良好であり、かつ、硬化によって、造形直後に優れた剛性等を有し、長期に亘る透明性に優れる光造形物を得ることができる光学的立体造形用放射線硬化性液状樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
A solid-state image sensing device includes: the photoelectric conversion element formed inside a semiconductor substrate; an insulating layer provided on the surface side of the semiconductor substrate; a plurality of wiring layers formed inside the insulating layer; and a semiconductor area formed inside the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element. 半導体基体内に形成されている光電変換素子と、半導体基体の表面側に設けられている絶縁層と、絶縁層内に形成されている複数の配線層と、光電変換素子の周囲の半導体基体内に形成されている半導体領域とを備える。 - 特許庁
In the solid-state image pickup element having a plurality of pad parts for bonding the leads on a semiconductor substrate at a predetermined interval, the plurality of leads fixed on the semiconductor substrate and provided with a width wider than the predetermined interval and a plurality of wiring materials narrower than the predetermined interval are provided. 半導体基板上にリードをボンディングするための複数のパッド部を所定の間隔で備えている固体撮像素子において、半導体基板上に固定された、所定の間隔より広い幅を有する、複数のリードと、所定の間隔より細い複数の配線材と、を有している。 - 特許庁
Not only a solid-state imaging device but also a video signal processor, a display data output circuit, a compressed data generation circuit and the like are comprised of one single chip, and an imaging signal processing apparatus outputs display data so as to interleave compressed data simultaneously therewith. 固体撮像素子だけでなく、映像信号処理器、ディスプレイデータ出力回路、及び圧縮データ生成回路などが、一つの単一チップより構成され、ディスプレイデータの出力と同時に圧縮データをインターリーブするように出力する撮像信号処理装置である。 - 特許庁
Consequently, a great restoration response delay at a low temperature to a power transmittable state of the automatic transmission in response to the control release determination of the neutral control is set off or at least moderated, as clear from an elevation tendency of start friction element operation pressures Pf, Pr shown by a solid line. 従って、実線で示す発進摩擦要素作動圧Pf,Prの上昇傾向から明らかなように、ニュートラル制御の解除判定に呼応した自動変速機の動力伝達可能状態への、低温時における大きな復帰応答遅れを相殺、若しくは少なくとも緩和することができる。 - 特許庁
A solid-state imaging device 100 is configured to include: a substrate 101; a photoelectric conversion part 10; a first impurity layer 51 having a carrier polarity of a second conductive type; a charge voltage conversion part; an amplifying part; and a second impurity layer 52 having a carrier polarity of a second conductive type. 固体撮像装置100を、基板101と、光電変換部10と、キャリア極性が第2の導電型である第1不純物層51と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第2の導電型である第2不純物層52とを備える構成とする。 - 特許庁
The method for detecting the pixel defect of the solid state imaging element comprises the step of detecting whether the defect is generated or not in the element imaging any of the spectral lights in response to a compared result of video signals obtained by imaging and outputting the same imaging position or near imaging position at each spectral light. 分光光毎に同一撮像位置もしくは近傍撮像位置で撮像し出力した映像信号どうしを比較した結果に応じて、分光光のうちいずれの分光光を撮像した撮像素子で画素欠陥が発生しているか否かを検出する。 - 特許庁
This imaging element device eliminates the need to make the imaging element formation layer thin by grinding etc., since the imaging element formation layer 2 originally has a thickness suitable for curving, and strength when the imaging element formation layer 2 and solid-state imaging element 1 are curved is improved. この撮像素子装置では、撮像素子形成層2の厚みが、もともと湾曲に適した厚みとなっているので、研削などにより撮像素子形成層を薄肉化する必要がなく、撮像素子形成層2ないしは固体撮像素子1を湾曲させたときの強度が向上する。 - 特許庁
The conductive metal particles and pressurized mixed gas of a temperature of 20 to 400°C are jetted into the throughout holes or blind holes, thereby plastically deforming the conductive metal particles with the solid state kept as it stand to be attached and deposited in the holes to fill them with the metal particles. 前記導電性金属粒子を温度が20〜400℃の圧力気体に混合してなる混合気体を前記貫通孔あるいは止り穴に噴射して前記導電性金属粒子を固相状態のまま塑性変形させて付着堆積させて充填する。 - 特許庁
The solid-state imaging device is provided with a pixel array 400 in which cells 150 each provided with at least one photodiode 101 are arranged in matrix, and a wiring such as power source lines 105 and vertical signal lines 106 which are arranged on the upper part of the pixel array 400. 固体撮像装置は、少なくとも1つのフォトダイオード101が設けられたセル150が行列状に配置されてなる画素アレイ400と、画素アレイ400の上方に配置された電源線105および垂直信号線106などの配線とを備えている。 - 特許庁
The copper concentration in molten solder is estimated according to the molten state of the copper pattern formed on the substrate, by bringing the copper pattern formed on the substrate into contact with the fused solder, while utilizing the relation that the rate of dissolution of solid metal is dependent on the solute concentration in fluid metal. 固体金属の溶解速度が液体金属中の溶質濃度に依存していること利用し、基板上に形成された銅パターンと溶融はんだと接触させ、上記基板上に形成された銅パターンの溶解状態により溶融はんだ中の銅濃度を推定する。 - 特許庁
To provide a solid oxide fuel cell cogeneration system and its operation control method, capable of improving tracking ability of a thermoelectric ratio and durability, without making facilities complicated, and with a temperature state of a system, such as, cell temperature or offgas combustion temperature maintained stable at changing of a thermoelectric ratio. 設備を複雑にすることなく、熱電比変更時にセル温度やオフガス燃焼温度などシステムの温度状態を安定に保ちながら、熱電比追従性と耐久性を向上できる固体酸化物形燃料電池コジェネレーションシステムとその運転制御方法を提供する。 - 特許庁
In the CCD solid-state imaging element 10 having a color filter, horizontal CCDs 14, 15 are arranged above and below an imaging area 11 comprising optical detectors, respectively, and signal charges are sent from vertical CCDs 12, 13 to the horizontal CCDs 14, 15 in separate directions at respective odd lows and even rows of the optical detectors. カラーフィルタを備えたCCD型固体撮像素子10において、撮像領域11上の光検出器の奇数列と偶数列とでそれぞれ、上下に配置された水平CCD14,15に対して、別々の方向に垂直CCD12,13から信号電荷を転送する。 - 特許庁
By the formation of the fine projections, the reflection of light, occurring on the surface of the semiconductor substrate or the film interface where the refractive index in the inside differs, can be reduced drastically, thus obtaining a solid-state image pickup device, having small loss in the quantity of incident light and the superior sensitivity characteristics. 微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁