「source device」を含む例文一覧(28884)

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  • In order to inspect whether the component W sucked on the suction nozzle 105 of the mounting machine is in the correct suction state or not, a confocal optical system is used, wherein probe light P passing a pinhole 102 from a monochromatic light source 101 and condensed by an objective lens 104 is reflected by the component W, and condensed to a photodetection device 106 by a half mirror 107.
    実装機の吸着ノズル１０５に吸着された部品Ｗが正しい吸着状態にあるか否かを検査するために、単色光源１０１からピンホール１０２を通り対物レンズ１０４によって集光されるプローブ光Ｐを部品Ｗによって反射させ、ハーフミラー１０７によって光検出装置１０６に集光する共焦点光学系を用いる。 - 特許庁
  • The device includes one component toner where an additive with a reverse polarity as the electrified polarity of a toner base is added to the toner base consisting of binding resin, charge controller and colorant, a developing roll, a contact member installed in contact with the developing roll and provided with a conductor in at least one part and a power source applying AC and DC voltage between the developing roll and the contact member.
    結着樹脂と電荷制御剤と着色剤とからなるトナー母体に、トナー母体と帯電極性が逆極性である外添剤を外添処理した一成分トナーと、現像ローラと、現像ローラに接触して設置され少なくとも一部に導電体を有する接触部材と、現像ローラと接触部材との間に交流および直流電圧を印加する電源とを有する。 - 特許庁
  • The control device 1 of the automatic transmission for performing the shift control corresponding to the specified mode based on an input signal of a rebound type specified mode switch 22a has an input reception prohibiting means to prohibit reception of the input signal from the specified mode switch 22a for a first predetermined time from a contact time of a switching means 21a to connect/disconnect a power source.
    跳ね返り式の特定モ−ドスイッチ２２ａの入力信号に基づいて、特定モ−ドに対応する変速制御が可能な自動変速機の制御装置１において、電源の接断を行うスイッチ手段２１ａの接断時点から第１の所定時間、特定モ−ドスイッチ２２ａからの入力信号の受け付けを禁止する入力受付禁止手段を装備する。 - 特許庁
  • In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.
    メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁
  • In the multi-domain liquid crystal display device, a control electrode 73 is connected with a source terminal 57 which is one of the terminals of a TFT 54 as a switching element, and a pixel electrode 71 with an opening part 74 formed therein has coupling capacitance 126 across the control electrode 73, and a divided signal voltage is applied to the pixel electrode 71 through the coupling capacitance 126.
    開示されるマルチドメイン液晶表示装置は、制御電極７３はスイッチング素子となるＴＦＴ５４の一つの端子であるソース端子５７に接続されて、開口部７４が形成された画素電極７１は制御電極７３との間に結合容量１２６を有し、画素電極７１には結合容量１２６を介して信号電圧の分圧が印加される。 - 特許庁
  • To arrange always power source devices as many as possible in small regions (one device per 200 households taken charge of by local welfare commissioner; medical treatment facilities, gas stations) with small maintenance costs and installation costs while miniaturization of facilities, facilitation of operations and improvement of mobility are embodied in order to prepare for demands for fire, feed and drainage pumps for temporality, in particular disaster.
    臨時，特に災害時における消火用・給水用・排水用ポンプ又は電源等の急激な需要に備えるためには，日頃から維持費や設置費用が少なく，設備の小型化・操作の簡素化・移動性等を解決し，狭い地域（民生委員の受持ち世帯数約２００世帯に一台の割合・医療機関・ガソリンスタンド等）にできるだけ配置することである。 - 特許庁
  • The control device 60 for controlling a hybrid vehicle 1 having an engine 10, a motor generator 20 and the battery 30 for charging and discharging the motor generator 20 includes an abnormal condition determination part which determines whether abnormal conditions have occurred in the engine 10, and an assist prohibition part which prohibits the use of the motor generator 20 as a power source when the abnormal conditions occur in the engine 10.
    エンジン１０と、モータジェネレータ２０と、モータジェネレータ２０への充放電を行うバッテリ３０と、を備えたハイブリッド車輌１を制御する制御装置６０は、エンジン１０に異常が生じているか否かを判定する異常判定部と、エンジン１０に異常が生じている場合に、モータジェネレータ２０を動力源として使用することを禁止するアシスト禁止部と、を備えている。 - 特許庁
  • The image forming device equipped with a switching power source supplying a driving output voltage of 24V for operating a driving load such as a motor needed for an image forming operation and a control output voltage of 3.3V for controlling the image forming operation from single transformer T101 has a cooling means (fan motor) connected to the output terminal for the driving output voltage.
    画像形成動作に必要なモータ等の駆動負荷を動作させるための駆動用出力電圧２４Ｖと、画像形成動作を制御するための制御用出力電圧３．３Ｖとを１個のトランスＴ１０１より供給しているスイッチング電源を備えた画像形成装置において、前記駆動用出力電圧の出力端に冷却手段（ファンモータ）を接続する。 - 特許庁
  • The gas sensor assembly 100 comprises a radiation source 102 emitting radiation 116; a gas measuring chamber 104 filled with test gas 110 containing at least one type of object to be measured; and at least one detector device 108 for detecting the radiation and generating a detector signal 109, that depends on one or both of the presence and concentration of the object to be measured.
    ガスセンサ組立体（１００）は、放射（１１６）を放出する放射源（１０２）、少なくとも１種類の被計測物を含む試験ガス（１１０）で充填され得るガス計測室（１０４）、及び放射を検出し、被計測物の存在及び濃度の一方又は両方に依存した検出器信号（１０９）を生成する少なくとも１個の検出器デバイス（１０８）を具備する。 - 特許庁
  • A discharge plasma sintering device 6 is provided with a vacuum chamber 8 arranging a sintering unit 7 at the inside, an upper punch electrode 10 and a lower punch electrode 11 provided above and below the vacuum chamber 8 and arranged across the sintering unit 7 and a power source 12 impressing pulse power to the sintering unit 7 through these electrodes.
    この放電プラズマ焼結法を行う放電プラズマ焼結装置６は、焼結ユニット７を内部に配設している真空チャンバ８と、この真空チャンバ８の上下に設けられ焼結ユニット７を間に挟んで配設された上部パンチ電極１０及び下部パンチ電極１１と、これら電極を介して焼結ユニット７にパルス電力を印加する電源部１２とを備えている。 - 特許庁
  • To provide a photographing device, for photographing in accordance with a photographing operation, in which the temperature rise inside its housing by the generated heat of a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is mounted, and the temperature rise of the semiconductor chip itself can be suppressed without the addition of a circuit as a possible heat source.
    本発明は、撮影操作に応じて写真撮影を行う撮影装置に関し、熱源となりうる回路を増設することなく、半導体集積回路が搭載された半導体チップの発熱による、撮影装置の筐体内部の温度上昇やその半導体チップ自体の温度上昇を抑制することができる撮影装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The device comprises (1) a conductive roll member 14 disposed spaced from a surface of the member to be charged, and (2) a high-voltage power source 22 for applying to a photoreceptor (drum) 12 an electrical bias including an oscillating voltage signal which is clipped to remove a selected polarity component to supply a single polarity oscillating input drive voltage to the conductive roll member 14.
    （１）荷電対象部材の表面から間隔配置された導電ロール部材１４と、（２）単一極性の発振入力駆動電圧として導電ロール部材１４に印加すべく、ある選択された極性の成分が除去されるようクリップされた発振電圧信号を含む電気的バイアスを、フォトレセプタ部材（ドラム）１２に印加する高電圧電源２２と、を備える。 - 特許庁
  • A power source device for a vehicle includes: a battery block 2 formed by connecting a plurality of battery cells 1; a cooling plate 3 thermally connected to the battery cells 1 and cooling the battery cells 1 with supplied coolant; a cooling mechanism 4 supplying the coolant to the cooling plate 3; and a control circuit 7 controlling a cooling state of the cooling plate 3 by controlling the cooling mechanism 4.
    車両用の電源装置は、複数の電池セル１を連結してなる電池ブロック２と、電池セル１に熱結合されて、供給される冷媒で電池セル１を冷却する冷却プレート３と、冷却プレート３に冷媒を供給する冷却機構４と、冷却機構４を制御して冷却プレート３の冷却状態を制御する制御回路７とを備える。 - 特許庁
  • A noncontact temperature measuring device 1 measures the temperature distribution of a sample stand and comprises: a sample base 10 placed on the sample stand 20, an electron beam source 2 for applying electron beams; a secondary electron detector 3 detecting secondary electrons induced by the irradiation of electron beams; and a temperature measurement section (signal processing section 7) for measuring temperature distribution, based on the induced secondary electrons.
    非接触温度測定装置１は、試料台の温度分布を測定する装置であり、試料台上２０に載置される試料ベース１０と、電子線を照射する電子線源２と、電子線照射によって誘起される二次電子を検出する二次電子検出器３と、検出した二次電子に基づいて温度分布を測定する温度測定部（信号処理部７）とを備える。 - 特許庁
  • The center device calculates necessary time between registration positions from registration position pass information received from the respective vehicles, registers it in a necessary time table, calculates travel time from a start position and a destination, which the received travel time transmission request designates, from necessary time stored in the necessary time table and transmits travel time to the vehicle 2 of a transmission request source.
    中央装置は、各車両から受信した登録位置通過情報から各登録位置相互間の所要時間を算出して所要時間テーブルへ登録し、受信した旅行時間送信要求が指定する出発位置から目的位置までの旅行時間を所要時間テーブルに記憶されている各所要時間から算出して、旅行時間を送信要求元の車両へ送信する。 - 特許庁
  • In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.
    ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁
  • A fixing device includes: a fixing member 21 that is heated by a heat source; an opposed member 22 that comes into contact with the fixing member 21 to form a fixing nip; and separation members 23a to 23d that separate a recording material that has come into contact with the fixing member 21 and passed the fixing nip from the fixing member 21.
    加熱源によって加熱される定着部材２１と、定着部材２１に当接して定着ニップを形成する対向部材２２と、定着部材２１に当接し定着ニップを通過した記録媒体を定着部材２１から分離する分離部材２３ａ〜２３ｄを備え、分離部材２３ａ〜２３ｄを定着部材２１に対して接離可能に構成した定着装置におけるものである。 - 特許庁
  • The vacuum treatment device comprises: a vacuum chamber; a rotating body having a work supporting part and rotatably provided in the vacuum chamber; at least one vacuum treatment source provided facing a passage in which the supporting part is moved following the rotation of the rotating body; and a cooling body separated from the rotating body and provided opposite thereto.
    真空室と、被処理物の支持部を有し、前記真空室内に回転可能に設けられた回転体と、前記回転体の回転に伴って前記支持部が移動する経路に対向して設けられた少なくとも１つの真空処理源と、前記回転体から離間し対向して設けられた冷却体と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。 - 特許庁
  • The scanning size decision device includes a light source 11 for transmitting an initial optical signal, a detection unit 21 that generates an initial detection signal corresponding to the initial optical signal and a composite detection signal according to the scanning size of a scanning object 3, and a signal processing unit that decides the scanning size of the scanning object 3 by calculating the initial detection signal and the composite detection signal.
    初期光信号を送るための光源１１と、走査対象物３の走査寸法に従って初期光信号と複合検出信号に対応して初期検出信号を形成する検出ユニット２１と、初期検出信号と複合検出信号を計算することによって、走査対象物３の走査寸法を決定する信号処理ユニットと、を含む。 - 特許庁
  • To provide a projection type video display device wherein the temperature load applied to partial liquid crystal panels out of liquid crystal panels for red light, green light, and blue light is prevented from becoming excessively high when adjusting the amount of light emitted from a light source to the liquid crystal panels constituting a liquid crystal light valve in accordance with an average brightness level APL per picture of a video signal to be displayed.
    表示する映像信号の１画面当りの平均輝度レベルＡＰＬに応じて光源から液晶ライトバルブを構成する液晶パネルへの出射光量を調整する場合において、赤色光用、緑色光用及び青色光用液晶パネルの内の一部の液晶パネルの温度負荷が過大にならないようにした投写型映像表示装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an ion source for a charged-particle beam device capable of cleaning a charged particle optical system easily by any person to restore performance, without breaking vacuum in the charged particle optical system to conduct disassembling, cleaning, and component replacement, even when a problem that normal detection and measurement for an analytical object get impossible is generated caused by contamination in the charged particle optical system.
    荷電粒子光学系の汚染によって分析対象の正常な検出、測定ができないという問題を生じても、荷電粒子光学系の真空を破って解体、洗浄、部品交換などを行なうことなく、誰でも簡単に荷電粒子光学系のクリーニングを行ない、性能の回復を図れるような荷電粒子線装置のイオン源を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device 1 includes the horizontal MISFET formed on the main surface of a SOI substrate 2, and on the substrate 2 where concave-convex structures 6 for expanding the current pathway between a source region 3 of the MISFET and the drain region 4 are disposed, and the boundary of the concave part 11 and the convex part 12 of the concave-convex structure 6 is constituted by a slanting face.
    半導体装置１は、ＳＯＩ基板２の主表面に横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成り、基板２の主表面には、ＭＩＳＦＥＴのソース領域３とドレイン領域４間の電流経路を拡大させるための凹凸構造６が設けられており、凹凸構造６の凹部１１と凸部１２の境界が斜めに傾斜している面によって構成されている。 - 特許庁
  • A method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a source electrode 20, a gate electrode 24, and a drain electrode 22 on a nitride semiconductor layer 19, respectively; a step of forming a silicon nitride film 26 on the nitride semiconductor layer; and a step of processing an upper surface of the silicon nitride film between the gate electrode and the drain electrode using a solution containing a hydrofluoric acid.
    窒化物半導体層１９上に、ソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２をそれぞれ形成する工程と、前記窒化物半導体層上に窒化シリコン膜２６を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面をフッ酸を含む溶液を用い処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
  • This field emission electron source device is equipped with a substrate, an insulating layer having a plurality of openings formed on the substrate, withdrawable electrodes formed on the insulating layer and a cathode formed in each of the openings in the substrate, wherein the insulating characteristic of the entire insulating layer is controlled by the use of an insulating layer of multilayer structure that has a relative dielectric constant different from the other layers.
    基板、基板上に形成された複数の開口部を有する絶縁層、絶縁層上に形成された引き出し電極、および基板上の開口部内に設けられた陰極を備えた電界放出型電子源装置において、比誘電率が他の層とは異なる多層構造の絶縁層を用いることで、絶縁層全体の絶縁性を制御する。 - 特許庁
  • The device is provided with a plurality of cells for storing respective cartridges for storing data, a drive for accessing data stored in respective cartridges and a means for checking whether a loading request source has access right or not at the time of receiving a request for loading one of plural cartridges to the drive.
    データを格納するカートリッジを収納する複数個のセルと、カートリッジに格納されたデータをアクセスするドライブと、を備えてなるライブラリ装置を制御する装置であって、前記複数のカートリッジの内の一つのカートリッジを前記ドライブにローディングする要求を受けた際に、当該ローディング要求元のアクセス権の有無を確認する手段を備える、ライブラリ装置を制御する装置である。 - 特許庁
  • Concerning this data retrieving device, by designating the address of a memory means for retrieval while using an associated memory address number outputted from an address number output part, a coupling destination element data stream corresponding to a coupling source element data stream is outputted from the relevant memory means for retrieval so that the element data streams coupled in the data structure can be serially outputted.
    データ検索装置であって、アドレス番号出力部から出力された連想メモリアドレス番号を用いて検索用メモリ手段をアドレス指定することによって、結合元要素データ列に対応する結合先要素データ列を、当該検索用メモリ手段から出力することで、連鎖的に、データ構造によって結合され要素データ列を出力するように構成する。 - 特許庁
  • This electrophotographic image forming device has the photoreceptor, the ion generator which is arranged in proximity to this photoreceptor, has a heat source and electrostatically charges the surface of the photoreceptor to a prescribed potential and temperature rise preventing means which prevent the surface temperature of the photoreceptor from being elevated to a prescribed temperature or above by the heat generated by the ion generator.
    感光体と、前記感光体に近接して配置され、熱源を有し、前記感光体の表面を所定の表面電位に帯電させるイオン発生器と、前記イオン発生器の発生する熱により前記感光体の表面温度が所定温度以上に上昇することを防止する温度上昇防止手段とを有することを特徴とする電子写真画像形成装置である。 - 特許庁
  • This organic semiconductor device 100 is provided with the organic semiconductor layer 80, a drain electrode 30a and a source electrode 30b, a first gate electrode 40a which is arranged to the organic semiconductor layer 80 via a first gate insulating layer 60a, and a second gate electrode 40b which is arranged to the organic semiconductor layer 80 via a second gate insulating layer 60b.
    本発明の有機半導体装置１００は、有機半導体層８０と、ドレイン電極３０ａおよびソース電極３０ｂと、有機半導体層８０に対して第１ゲート絶縁層６０ａを介して配置された第１ゲート電極４０ａと、有機半導体層８０に対して第２ゲート絶縁層６０ｂを介して配置された第２ゲート電極４０ｂとを含む。 - 特許庁
  • In the image forming method in which a silver halide photographic sensitive material is developed and color-separated image informations are read from the developed dye image information via image input media and converted into a digital image information, the read is carried out using a device capable of altering the light quality setting of a light source.
    ハロゲン化銀写真感光材料を現像処理し、顕在化した色素画像情報から画像入力媒体を介して色分解画像情報を読み取り、デジタル画像情報に変換する画像形成方法において、該読み取りを、光源の光質設定が変更可能な手段を用いて行うことを特徴とする画像形成方法及びこれに用いる画像形成装置である。 - 特許庁
  • This washing machine 13 comprises a blower 5 for circulating air in this washing machine 13, photoelectron generating material 1, and a minus particle generating device having a light source for irradiating the photoelectron generating material 1 with ultraviolet rays, wherein the photoelectron generating material is electrically connected to the earth and the amount of generated minus particles can be generated in a stable manner without reducing their amount.
    洗濯機１３内空気を循環させる送風機５と、光電子発生材１と、前記光電子発生材１に紫外線を照射するための光源４を有するマイナス粒子発生装置を備えたもので、光電子発生材を１電気的に接地することにより、発生するマイナス粒子量が減少することなく安定して発生することができるようにしたものである。 - 特許庁
  • The optical fiber characteristic measuring device 1 includes the synchronous detector 21 for detecting synchronously a detection result of the photodetector 20 by using a synchronous signal having a prescribed frequency, and a frequency setting part 24a for changing the frequency of the synchronous signal when the modulation frequency in the light source 11 is an integer-fold value of the frequency of the synchronous signal.
    この光ファイバ特性測定装置１は、所定の周波数を有する同期信号を用いて光検出器２０の検出結果を同期検波する同期検波器２１と、光源１１における変調周波数が上記の同期信号の周波数の整数倍である場合に、上記の同期信号の周波数を変更する周波数設定部２４ａとを備える。 - 特許庁
  • In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al.
    絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。 - 特許庁
  • To provide a highly reliable solid carrying device provided with multiple brushes slantly disposed toward the carrying direction on a surface of a carrying passage forming member vibrated by environmental vibration having no driving source, mounting a solid for carriage on the brush, efficiently, smoothly, and appropriately carrying the solid, and formed into a light-weight and compact one at low cost.
    駆動源を有さない環境振動により振動する搬送路形成部材の表面に搬送方向に向かって傾斜して配設される複数本のブラシを設け、このブラシ上に搬送用の固体を搭載し、この固体を効率的に円滑に、かつ適切に搬送し、比較的安価で軽量コンパクトにまとめられ、信頼性の高い固体搬送装置を提供する。 - 特許庁
  • The displacement detection device is composed of a circuit connected with an electric source and a reference impedance element of a known impedance in serial and arranged so as to generates a complementary impedance variation depending on the relative positional relation between the fixed member and the movable member, and the circuit comprises the 1st impedance element and the 2nd impedance element connected in parallel, respectively.
    この変位検出装置は、電源と既知のインピーダンス値を有する基準インピーダンス素子とが直列に接続される回路と、該固定部材と該可動部材との相対的な位置関係によって互いに相補的なインピーダンスの変化を生じるように配置され、該回路にそれぞれが並列に接続される第一インピーダンス素子および第二インピーダンス素子とを備える。 - 特許庁
  • The film thickness measuring device of this invention for measuring the film thickness of the material applied on the substrate is characteristically composed of the fixing part for fixing the substrate, the chamber for isolating the substrate externally, the light source for irradiating the substrate with slit light by generating slit light, and the detecting part for detecting the reflected light from the substrate.
    本発明においては、基板に塗布した材料の膜厚を測定する膜厚測定装置において、基板を固定する固定部と、基板を外部から隔離するチャンバーと、スリット状の光を発生させて、このスリット状の光を基板に照射する光源と、基板から反射した光を検出する検出部とを備えたことを特徴とする膜厚測定装置が提供される。 - 特許庁
  • A microcavity forming device for making microcavities in a tungsten wire includes a source of particles; a housing for receiving a heated tungsten wire; and a plurality of jet nozzles disposed in the housing for spraying the particles toward the heated tungsten wire with sufficient force to embed the particles into the heated tungsten wire, whereby the particles form microcavities in the heated tungsten wire.
    本発明の微小キャビティをタングステンワイヤに作る微小キャビティ形成デバイスは、粒子ソースと、加熱したタングステンワイヤを受け取るハウジングと、該ハウジングに配置され、十分な力で該粒子を該加熱したタングステンワイヤに吹き掛けて、該粒子を該加熱したタングステンワイヤに埋め込む複数のジェットノズルであって、該粒子は、該加熱したタングステンワイヤに該微小キャビティを形成する、複数のジェットノズルとを含む。 - 特許庁
  • This infrared light source device having a filament formed in a micro-bridge shape on a substrate, for emitting an infrared ray by energizing the filament and generating heat therefrom is characterized by being equipped with the etching-formed filament comprising deposited polysilicon to which an impurity is added simultaneously so that the impurity concentration becomes equal in the thickness direction.
    基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源装置において、 厚さ方向に不純物濃度が均等になるように不純物が添加されつつ堆積されたポリシリコンからなりエッチング形成されたされてエッチング形成されフィラメントを具備したことを特徴とする赤外線光源装置である。 - 特許庁
  • The device includes a light source main body generating light; a first and a second external electrodes respectively formed at opposed end parts of an outer surface of the main body to apply a discharge voltage to the main body; and a reflecting film formed inside the main body and composed of a coating resin 310 and scattering particles 322, 324 with at last two or more particle sizes.
    面光源装置は、光を発生する光源本体、光源本体の外側表面の両端部にそれぞれ形成され、光源本体に放電電圧を印加するための第１外部電極及び第２外部電極、及び光源本体の内部に形成され、コーティング樹脂３１０と少なくとも二種以上の粒径を有する散乱粒子３２２，３２４で構成される反射膜を含む。 - 特許庁
  • The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.
    スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁
  • The impact rotary tool includes: a motor 2 that is a rotation driving source; an impact generating device for generating pulse-like impact from motor rotation and adding a rotation torque to an output shaft 7 by the impact; a torque sensor 10 for measuring the torque added to the output shaft; and a control means C for stopping the motor when the torque measured by the torque sensor reaches the target torque that is set.
    回転駆動源であるモータ２と、モータ回転からパルス状の衝撃を発生させるとともに該衝撃で出力軸７に回転トルクを加えるインパクト発生装置と、出力軸に加わるトルクを測定するトルクセンサ１０と、トルクセンサにより測定されたトルクが設定された目標トルクに達した時に上記モータを停止させる制御手段Ｃとを備える。 - 特許庁
  • In the light source device 21 constituted of at least one or more laser chips 1 for emitting a plurality of laser beams and a beam combination means 2-1 for emitting the laser beams in an adjacent state, an interval p1 between light emitting points of the laser beams is proportionally converted by the beam combination means 2-1 to proportionally shorten or extend the interval p1.
    少なくとも、複数のレーザ光を放射する、一つ又は複数のレーザチップ１と、上記複数のレーザ光を近接して出射するビーム合成手段２−１とから構成される光源装置２１において、上記複数のレーザ光の発光点間隔ｐ１が、上記ビーム合成手段２−１により比例変換されて比例縮小又は比例拡大されるようにした。 - 特許庁
  • This desalting device 20a is obtained by connecting in series a liquid passing type condenser 1 for removing an ion component in liquid to be treated under liquid passing by applying direct current voltage to a pair of electrodes and recovering the removed ion component into the liquid to be treated under liquid passing by short-circuiting a pair of the electrodes or reversibly connecting a direct current power source with a single of plural desalting means 2.
    一対の電極に直流電圧を印加して通液中の被処理液のイオン成分を除去し、前記一対の電極を短絡あるいは直流電源を逆接続して、除去されたイオン成分を通液中の被処理液に回収する通液型コンデンサ１と、単一又は複数の脱塩手段２とを直列に接続してなる脱塩装置２０ａ。 - 特許庁
  • In the optical head device provided with a light source, an optical lens system, and a photodetector, the optical lens system is provided with a refractive lens and a liquid crystal cell for modulating the phase of a light incident on the optical lens, and the aberration due to the difference in the thicknesses of transparent parts is corrected by modulating the phase of the light by the liquid crystal cell.
    光源と、光学レンズ系と、光検出器とを具備する光ヘッド装置であって、前記光学レンズ系は、屈折型のレンズと、前記光学レンズに入射する光の位相を変調する液晶セルを具備し、前記液晶セルによって前記光の位相を変調することによって、透明部の厚みの違いに起因する収差を補正することを特徴とする光ヘッド装置。 - 特許庁
  • The LED device 100 includes a plurality of LED elements 1, provided in vertical and horizontal lines in a matrix form and includes a voltage detection circuit 5 for detecting the voltage applied to a drive circuit 3 for driving the LED elements 1 and outputting a signal, to control the output voltage of a power source 6 at a predetermined value so that the voltage across the driving circuit 3 is constant.
    複数のＬＥＤ素子１が縦列、横列にマトリックス状に設けられ、ＬＥＤ素子１を駆動する駆動回路３に印加される電圧を検出して、前記駆動回路３の両端電圧が一定値となるように電源６の出力電圧を所定値に制御する信号を出力する電圧検出回路５とを備えたＬＥＤ装置１００。 - 特許庁
  • The fluid temperature control device comprises the fluid flow path as a member integrally formed to contact the temperature controlled fluid passing therethrough and having medical fluid resistance, cleanliness and heat resistance to the temperature controlled fluid, and the heat source for making heat exchange between the temperature controlled fluid passing through the fluid flow path and itself.
    上記目的を達成するべく、本発明に関わる流体温調装置は、通過する被温調流体と接液する一体に形成された部材であって被温調流体に対する耐薬液性、クリーン性および耐熱性を備えて成る流体流路と、流体流路を通過する被温調流体との間で熱交換を行う熱源と、を具備して成ることを特徴としている。 - 特許庁
  • The particle beam taking-out device for taking out particle beam emitted out of a particle source and for irradiation of materials in the air is provided with at least two steps of lenses for forming at least two crossovers and small holes provided at the position of crossovers for differential pumping to take out the particle beam to the air.
    粒子線源から放出された粒子線を大気中へ取り出して、大気中の材料を照射すための粒子線取り出し装置は、粒子線に少なくとも２つのクロスオーバーを作成するための少なくとも２段のレンズと、前記クロスオーバーの位置に設けられた差動排気のための小穴とを具備し、前記粒子線を大気中へ取り出すことを特徴とする。 - 特許庁
  • The system includes: a controller adapted to connect to an energy source, wherein the controller is configured to control a phase relationship between electrical signals in channels; and a number of energy delivery devices N, where N is an integer greater than 1, each energy delivery device operatively coupled to the controller via a corresponding one of the channels.
    エネルギー供給源に接続するように適合されるコントローラであって、コントーラは、各チャネルにおける電気信号間の位相関係を制御するように構成される、コントローラと、エネルギー送達デバイスの数Ｎであって、Ｎは１より大きい整数であり、各エネルギー送達デバイスは、チャネルのうちの対応する１つを介してコントローラに動作可能に連結される、エネルギー送達デバイスとを含む、システム。 - 特許庁
  • This semiconductor device 100 is provided with a first conductive semiconductor board 10, a first conductive well 12 formed on the semiconductor board 10, a gate insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10, a gate electrode 22 formed on the gate insulating layer 20, and second conductive source/drain layers 14a and 14b formed on the semiconductor substrate 10.
    半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された、第１導電型のウェル１２と、半導体基板１０の上に形成されたゲート絶縁層２０と、ゲート絶縁層２０の上に形成されたゲート電極２２と、半導体基板１０に形成された第２導電型のソース／ドレイン層１４ａ，１４ｂと、を有する。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes an output MOS transistor M2, a sense MOS transistor M3, a voltage conversion circuit 20 which converts a sense current of the sense MOS transistor M3 into a sense voltage, and a control MOS transistor M10 which receives a voltage across the voltage conversion circuit 20 at its gate and source, and has its drain connected to the gate of the output MOS transistor M2.
    本発明に係る半導体装置は、出力ＭＯＳトランジスタＭ２と、センスＭＯＳトランジスタＭ３と、センスＭＯＳトランジスタＭ３のセンス電流をセンス電圧に変換する電圧変換回路２０と、電圧変換回路２０の両端の電圧をゲートとソースに受け、ドレインが出力ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続された制御ＭＯＳトランジスタＭ１０を備える。 - 特許庁
  • When the preparation of the business process is instructed from an operation device 600, an application server 200 acquires definition information of the service component which internally includes a parameter indicating an undefined value, rewrites the acquired undefined parameter of the service component into an actual value, generates the definition information of the business process where the service component is in-lined in the usage source business process, and then, performs the business process.
    アプリケーションサーバ２００は、運用装置６００からビジネスプロセスの配備の指示を受けたとき、内部に未定義値を示すパラメータを含むサービス部品の定義情報を取得し、取得したサービス部品の未定義パラメータを実際の値に書き換えるとともに、そのサービス部品を利用元ビジネスプロセス内にインライン化したビジネスプロセスの定義情報を生成した後、そのビジネスプロセスを実行する。 - 特許庁
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