「source effect」を含む例文一覧(1407)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 28 29 次へ＞- The forceps is adapted to connect to a source of electrosurgical energy such that the jaw members are capable of conducting bipolar energy through tissue held therebetween to effect a tissue seal.
この鉗子は、電気外科用エネルギーの供給源に、顎部材の間に保持された組織を通って伝導するよう接続されて組織シールを行う。 - 特許庁 - To assemble a noise source electric wire with an electric wire in which noise effect is desired to reduce or eliminate into one wire harness as separately as possible.
ノイズ源電線と、ノイズの影響を低減除去したい電線とをできるだけ離した間隔をあけて１つのワイヤハーネスとして組み立てること。 - 特許庁 - A field effect transistor includes a conductive film containing a high-concentration impurity above parts constituting a source region and a drain region.
本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。 - 特許庁 - To generate oscillation signals different in phase by 90° while reducing a phase error caused by variation in drain-source capacitances of field effect transistors (FETs).
電界効果トランジスタのドレイン−ソース間容量のばらつきによる位相誤差を低減しつつ、位相が互いに９０°ずつ異なる発振信号を生成する。 - 特許庁 - In a field-effect transistor 10, a conductive region, a source electrode 14, a drain electrode 16, and a gate electrode 18 are arranged on a substrate 12.
電界効果トランジスタ１０は、基板１２の上に導電性領域、及び、ソース電極１４、ドレイン電極１６及びゲート電極１８が配置される。 - 特許庁 - Thereby the pattern edge of the light-shielding film 4 is covered with the metal source line 10s, having a light-shielding effect so that irregularity in display can be prevented.
これにより、遮光膜４のパターンエッジが遮光効果のある金属膜のソース線１０ｓに隠れて、表示むらの発生を防止することができる。 - 特許庁 - To provide a structure and a manufacturing method of an LED chip carrier for increasing a luminance effect in a light-emitting diode without restricting the refraction of a light source and a diffusion range.
光源の屈折、拡散範囲を制限することなく、発光ダイオードの輝度効果を高めるLEDチップキャリアの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - To achieve high-precision evaluation of prevention effect on ultraviolet light included in an irradiating sunlight source under use conditions of actual life in use environment.
実生活の利用条件及び利用環境で照射される太陽光源に含まれる紫外線に対する防御効果の高精度な評価を実現する。 - 特許庁 - The phosphorescent particles 6 make the light from a light source 7 photoluminescent and phosphorescent, and the nonlinear optical particles 5 convert the phosphorescence into a short-wavelength light by a nonlinear optical effect.
光源７からの光を蓄光燐光粒子６で蓄光、燐光し、この燐光を非線形光学粒子５が非線形光学効果により短波長化する。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor permitting the exchange of a source electrode and a drain electrode, and enabling electric field relaxation at a drain end.
ソース電極とドレイン電極の入れ替えが可能であり、かつ、ドレイン端での電界緩和を実現することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁 - A back-gate bias deeper than a source potential is applied to each of field-effect transistors P1-P6 configuring the current-mirror circuit and the first to fourth current sources.
カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。 - 特許庁 - To provide a field-effect transistor and its manufacturing method in which contact resistances between an active layer, and a source electrode and a drain electrode are set to be small.
活性層とソース電極，ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を小さくした電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An FET (field effect transistor) has: a gate disposed between a source and a drain; a gate dielectric layer disposed under the gate; and spacers disposed on the sides of the gate.
ＦＥＴトランジスタは、ソースとドレーンの間に配置されたゲートと、ゲートの下側に配置されたゲート誘電体層と、ゲートの側部のスペーサと、を有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of reducing the source resistance of a field effect transistor due to a GaN system semiconductor and increasing drain currents.
ＧａＮ系半導体による電界効果トランジスタのソース抵抗の低減、ドレイン電流の増大を図ることのできる半導体装置を提供する - 特許庁 - The field effect transistor has a channel layer 1, a contact layer 3 on the side of the drain, a contact layer 4 on the side of the source, a dielectric film 5, and gate electrodes 7.
電界効果型トランジスタは、チャネル層１、ドレイン側コンタクト層３、ソース側コンタクト層４、誘電体膜５、及び、ゲート電極７を有する。 - 特許庁 - To provide a Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor (MISFET) using a ferromagnet-based Schottky junction for the source-drain.
ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）を提供すること。 - 特許庁 - The Fermi-threshold field effect transistor includes a contoured-tub region of the same conductivity type as the source, drain and channel regions.
フェルミスレショルド電界効果型トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、そしてチャネル領域と同一の導電度型にある輪郭形成タブ領域を含む。 - 特許庁 - Three field effect transistors 15, 16, 17 having source electrodes 10, drain electrodes 12 and gate electrodes 11 are formed on the surface of a silicon substrate 2.
シリコン基板２の表面に、ソース電極１０とドレイン電極１２とゲート電極１１を備えた３個の電界効果トランジスタ１５、１６、１７を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a first layer of a semiconductor material and a field-effect transistor having a first source/drain region formed in the first layer.
半導体デバイスは半導体材料の第１の層と、第１の層中に形成された第１のソース／ドレイン領域を有する電界効果トランジスタを含む。 - 特許庁 - To enable to have linear illumination with a space saved and cost reduced so as to obtain high visual effect, in a linear light source device, a liquid crystal display and electronic equipment.
線光源装置、液晶表示装置及び電子機器において、省スペースかつ低コストな線状のイルミネーションが可能で、高い視覚的効果を得ること。 - 特許庁 - To improve the utilization efficiency of stimulated laser beams, and to reduce the effect by the return to a luminous source of the laser beams in an up-conversion fiber laser device.
アップコンバージョンファイバレーザ装置において、励起レーザ光の利用効率を高め、励起レーザ光が発光源に戻ることによる影響を低減する。 - 特許庁 - To provide a triple-effect absorption refrigerating machine which enlarges the heat recovery from a heat source and lowers the temperature and pressure of a high-temperature regenerator.
加熱源からの熱回収を大きくし、高温再生器の温度・圧力を低下し、しかも効率の良い三重効用吸収冷凍機を提供する。 - 特許庁 - The second compensation means compensates as to an amplitude component of variation of an input signal to compensate the memory effect according to source voltage variation.
第２の補償手段は、入力信号の変化の振幅成分について補償することで、電源電圧変動に従うメモリ効果を補償する。 - 特許庁 - The invention has such an effect that the power source of the electronic product can be cut off to reduce the power loss due to residual current.
前記のような本発明によると、電子製品などの電源を遮断することができて、残余電流による電力損失を減らすことができる効果がある。 - 特許庁 - The window frame is mainly enhanced in heat insulation effect by using a foam material and the strip-like heat source system and desigined to be easy to assemble so that anyone can perform installation thereof.
主に、窓枠は、発泡材と帯状熱源を利用し断熱効果を高め、窓枠を組立てし易い様に工夫され、誰にでも取り付けが出来る。 - 特許庁 - A grounded source transistor (TR) M1 is biased in a current saturation region under a bias condition to obtain a minimum noise figure of field-effect transistors connected in cascade.
カスコード接続の電界効果トランジスタの最小雑音指数を得るバイアス条件 は、ソース接地トランジスタＭ１が電流飽和領域にバイアスされることにある。 - 特許庁 - To suppress the effect of heat generation from a heat source installed in an image reading apparatus without a cost increase or without the need for excess power (energy).
画像読取装置内に設置されている熱源から発熱の影響を、コストアップあるいは余分に電力（エネルギ）を使用することなく抑制できるようにする。 - 特許庁 - Since a current which flows inside the driving transistor in the interval period becomes smaller by portion corresponding to the early effect, rise in the source potential Vs_121 in the interval period is suppressed.
間隔期間に駆動トランジスタを流れる電流はアーリ効果分だけ小さくなるため、間隔期間におけるソース電位Ｖｓ_121の上昇が抑えられる。 - 特許庁 - To provide a laminated heat insulating plate capable of insulating heat radiated from a heat source, highly maintaining a damping effect of vibration, and manufacturing method therefor.
振動の減衰効果を高く維持しつつ、熱源から放射される熱の遮熱を行うことのできる積層遮熱板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an image reading apparatus that prevents an adverse effect from being given to a lighting to an original while eliminating the need for an exclusive backlight light source.
バックライト用の専用光源を不要にしつつ原稿に対する照明に悪影響が及ばないようにした画像読取装置を提供する。 - 特許庁 - This electromagnetic actuator which differentially amplifies voltage between source and drain terminals of field effect transistors 109A and 109B and outputs a voltage signal Vsd.
差動アンプ１２３は電界効果トランジスタ１０９Ａおよび１０９Ｂのソース端子とドレイン端子間電圧を差動増幅して電圧信号Ｖsdを出力する。 - 特許庁 - Further, an adverse effect on sense operation can be prevented by generating pre-charge potential without using power source voltage Viic for the core of a sense amplifier.
さらに、センスアンプ用のコア用電源電圧Ｖiic を用いることなくプリチャージ電位を生成することにより、センス動作への悪影響も回避できるようにする。 - 特許庁 - To provide a rotational driving mechanism to effect the rotation and revolution of a rotary shaft with a single rotational driving source and provide a grass mower utilizing the mechanism.
一つの回転駆動源で回転軸を自転・公転させる回転駆動機構を提供するとともに、この機構を利用した草刈機を提供する。 - 特許庁 - To provide a heat source of a water heater which enables always supplying of more than a certain amount of heat without discharging a gas such as carbon dioxide having a green house effect.
二酸化炭素等の温室効果を有するガスを排出せず、また、常にある量以上の熱を供給する、温水器の熱源を提供する。 - 特許庁 - In the electronic circuit, a voltage applied between the gate and source of the field-effect transistor 20 can be controlled with the magnetization state of the magnetoresistive element 10.
本発明によれば、磁気抵抗素子１０の磁化状態により、電界効果トランジスタ２０のゲート−ソース間に印加される電圧を制御できる。 - 特許庁 - The surface electrode 7 of the electron source 10 is also used as a humidity-proof part 8 being a humidity-proof means for preventing the electron passing part 6 from receiving the effect of humidity.
電子源１０の表面電極７は、電子通過部６が湿度の影響を受けるのを防止する防湿手段としての防湿部８を兼ねている。 - 特許庁 - To provide a complete depletion type SOI-MOS transistor which can enhance throughput, suppress short channel effect, and reduce source/drain resistance, and to provide its manufacturing method.
スループットを向上させ、短チャネル効果を抑制しソースドレイン抵抗の低い完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve the heating effect by preventing diffusion of the heat from a heat source to the outside of a kotatsu as much as possible and reflecting the heat to the inside of the kotatsu.
熱源からの熱を炬燵外部へ放散させるのを極力防止すると共に、炬燵内部に反射させて暖房効果の向上を図ること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a full-depletion SOI-MOS transistor capable of raising through-put and suppressing a short-channel effect with low source train resistance.
スループットを向上させ、短チャネル効果を抑制しソースドレイン抵抗の低い完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The field effect transistor structure includes a source region 24, a first body region 23, a drain region 21, a gate electrode structure 40, and a gate insulating layer.
電界効果トランジスタ構造は、ソース領域２４、第１のボディ領域２３、ドレイン領域２１、ゲート電極構造４０およびゲート絶縁層とを含む。 - 特許庁 - An inverter amplifier of the present invention comprises a voltage variation prevention circuit at the gate terminal of a field effect transistor that is a constant current source constituting the amplifier.
本発明のインバータアンプは、アンプを構成する定電流源である電界効果型トランジスタのゲート端子に電圧変動防止回路を備えている。 - 特許庁 - To provide a light emitting diode lighting device and a lighting system allowing an easy installation and repair and obtaining a light divergence effect like a surface light source.
設置及び修理が容易であり、面光源のような光の発散効果を得ることができる発光ダイオード照明装置及び照明システムを提供する。 - 特許庁 - Since the shape of a xenon tube itself has the effect of a glass tube, the number of components of the light source device is reduced and cost reduction becomes possible.
キセノン管の形状自体にガラス管の効果を持たせることにより光源装置の構成部品点数が少なくなり、コストダウンが可能となる。 - 特許庁 - To provide a technology for maintaining the capacitance-coupling effect between the source electrode and the data line of a liquid crystal display device in a thin film transistor array structure.
薄膜トランジスタアレイ構造について、液晶表示装置のソース電極とデータラインとの間のキャパシタンスカップリング効果を維持する技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a shift-by-wire system where it is practicable to effect a reliable shift from a parking range even when insufficiency in the voltage of a power source occurs.
電源の電圧不足が発生した場合であっても、確実にパーキングレンジからのシフトを行うことが可能なシフトバイワイヤシステムを提供すること。 - 特許庁 - A field effect transistor comprises a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.
半導体基板１上にゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁 - Each needle 34 is made of a resistance metal so as to be heated by energizing to induce joule effect and connected to a power source.
個々の針３４は、通電されてジュール効果を誘導することによって加熱されるように、抵抗金属から作製されて電力源に接続される。 - 特許庁 - A vertical ferroelectric gate field-effect transistor (FeGFET) is provided with a substrate and a first drain/source electrode formed on the top surface of the substrate.
垂直強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（ＦｅＧＦＥＴ）は、基板と該基板の上面上に形成された第１のドレーン／ソース電極とを備える。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor (FET) with a channel formed by a semiconductor nanowire (semiconductor nanowire channel) and doped semiconductor source and drain regions.
半導体ナノワイヤによるチャネル（半導体ナノワイヤ・チャネル）及びドープされた半導体ソース及びドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）提供すること。 - 特許庁 - To achieve both short channel effect suppression and mobility improvement by devising a film deposition method for a silicon-germanium film making up a source/drain.
ソース・ドレインを構成するシリコンゲルマニウムの成膜方法を工夫することで、短チャネル効果の抑制と移動度の向上を両立させることを可能とする。 - 特許庁
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