「source process」を含む例文一覧(1590)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 次へ＞- When a indication for revision is inputted (S12), environmental information on the voltage of a battery as the power source and peripheral temperature is obtained (S14) and when the environment meet certain conditions (S16), the clock frequency, communication speed, etc., are switched to values higher than usual (S18), so that the revision process is performed fast (S20).
そこで、バージョンアップの指示が入力された場合（Ｓ１２）、電源であるバッテリの電圧や周辺温度などの環境情報を取得し（Ｓ１４）、環境が一定の条件を満足していれば（Ｓ１６）、クロック周波数や通信速度などを通常時よりも高い値に切り替えることにより（Ｓ１８）、バージョンアップ処理を高速に実行する（Ｓ２０）。 - 特許庁 - To facilitate control of a power source by imparting a suitable voltage dependency or current dependency to each value of resistance concerning the thickness direction and the longitudinal direction of an electrically conductive material constituting a transfer belt and by reducing influence due to change with lapse of time and change in the external environment in each section of the device relative to the transfer efficiency at the transfer process.
転写ベルトを構成する導電性材料の厚さ方向及び長さ方向のそれぞれに関する抵抗値に適当な電圧依存性又は電流依存性を与え、転写工程時の転写効率に対する装置各部の経時変化や外部環境の変化の影響を小さくして、電源の制御を容易化する。 - 特許庁 - To provide a positive type resist processing liquid composition which prevents a contamination source such as polish waste from attaching to a positive type resist surface, by imparting hydrophilicity to the positive type resist surface in a manufacturing process, including applying resist as a surface protective film of a semiconductor wafer or the like and polishing the peripheral part of the substrate (such as, a beveled part, an edge part and a notch part).
半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。 - 特許庁 - The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.
イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁 - Since the light guide 31a and the light guide 31 are joined at a joining jig 38 into a light guide 35, each light from two light source units 40a and 40b being guided after all through the light guide 35 to a lens system 29 and cast to an edge part of a substrate (W) held by a spin chuck 13 to carry out an edge exposing process.
ライトガイド３１ａとライトガイド３１ｂとは合流用治具３８においてライトガイド３５に合流されるため、２つの光源ユニット４０ａ，４０ｂから出射されたそれぞれの光は結局ライトガイド３５によってレンズ系２９まで導かれ、スピンチャック１３に保持された基板Ｗの端縁部に向けて出射されてエッジ露光処理が進行する。 - 特許庁 - To provide an electron emitting element capable of obtaining the even electron emitting characteristic over a large area and being easily manufactured at a low cost and coping with unevenness of the element pitch per each board due to the dimensional change of the board in a heating process, and to provide an electron source having excellent evenness and productivity, to provide an image forming device, and to provide methods of manufacturing them.
大面積にわたって均一な電子放出特性が得られ、低コストで容易に製造でき、かつ熱プロセスにおける基板の寸法変化に起因する基板ごとの素子ピッチのばらつきにも対応可能な電子放出素子、均一性および生産性に優れた電子源、画像形成装置、およびこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, in a carbon nanotube forming process, a strong electric field is generated between the negative electrode 402 and the positive electrode 403 by an electric source 409 to cause a dielectric breakdown to bring about a plasma discharge, and thus, carbon nanotubes oriented along the direction of the electric field are produced on the substrate 404 arranged on the negative electrode 402.
その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源４０９によって、陰極４０２と陽極４０３との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極４０２の上に配置された基板４０４上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁 - To provide a melting pretreatment apparatus with which a melting pretreatment process can be simplified, a sorted material has no adhesion of fine ash and fine particles, a special processing device of waste plastics is unnecessary when waste plastics are utilized as a heating source of a melting device, and to provide a melting apparatus using the melting pretreatment apparatus.
溶融の前処理工程を簡略にすることができると共に、分別物に微細な灰や細粒物の付着を有することなく、廃プラスチック類を溶融設備での熱源に利用する場合にも特別な廃プラスチック類の加工設備を必要としない溶融前処理装置及び該溶融前処理装置を用いた溶融装置を提供すること。 - 特許庁 - A material which acts as a carbon source and the reactant of the slaked lime with HCl in incineration waste gas (a mixture composed of calcium chloride and calcium hydroxide) are mixed with main ash generated from a municipal refuse incinerator equipped with a dry process waste gas treating equipment or an industrial waste incinerator, flying ash recovered from the waste gas or their mixture.
乾式排ガス処理装置を備える都市ごみ焼却炉あるいは産業廃棄物焼却炉から発生する主灰、排ガスから回収された飛灰、またはこれらの混合物に、炭素源となる物質と、焼却排ガス中のＨＣｌとの消石灰反応物（塩化カルシウムと水酸化カルシウムの混合物）とを混合する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the positive active material contains a process mixing metal-doped lithium manganese phosphate: LiMn_1-xM_xPO_4 (wherein, 0<x≤0.1; M represents a doped metal element) with a carbon source, and heat-treating the mixture obtained in inert gas atmosphere, and the nonaqueous electrolyte battery has a positive electrode containing the positive active material.
金属をドープしたリン酸マンガンリチウムＬｉＭｎ_１−ｘＭ_ｘＰＯ_４ （式中、０＜ｘ≦０．１であり、Ｍはドープ金属元素を表す）と炭素源とを混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気中にて熱処理する工程を含む正極活物質の製造方法、並びにその正極活物質を含む正極を有する非水電解質電池。 - 特許庁 - An optical disk device 1 controls an operation of a device main body on the basis of main body characteristics adjustment value read out from a flash ROM 25 when the power source is on, without performing a main body characteristics adjustment which obtains adjustment value for absorbing the dispersion in characteristics by the manufacturing process, etc., about electronic parts, such as LSI used for the device main body.
光ディスク装置１は、電源オン時には、装置本体に使用されているＬＳＩ等の電子部品について、その製造プロセス等による特性のばらつきを吸収するための調整値を得る本体特性調整を実行せずに、フラッシュＲＯＭ２５から読み出した本体特性調整値に基づいて本体の動作を制御する。 - 特許庁 - In the vapor deposition process, vapor deposition material gas is generated from an evaporation source including a crucible for storing the vapor deposition material, a heating unit for heating the crucible, a nozzle for emitting the vapor deposition material vaporized in the crucible toward an object to be processed, and a reflector 15 arranged around the crucible, and a vapor deposition film is formed on the object to be processed.
蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ１５を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。 - 特許庁 - To achieve early first print time by accelerating temperature up of a heating roller even in an image forming apparatus in which an image carrier in a printer engine, a member to be interlocked with the image carrier, a resist member and a heat fixing member are driven by driving force of a single driving source, as well as to perform process control with proper timing.
適正なタイミングでプロセス制御を行なうとともに、プリンタエンジンにおける像坦持体およびこの像坦持体の動作に連動すべき部材とレジスト部材と加熱定着部材とを単一の駆動源の駆動力によって駆動する画像形成装置であっても加熱ローラの昇温を早めてファーストプリント時間を早くする。 - 特許庁 - The batch heat treatment device includes: a shield 52 for confining an electromagnetic wave to the outside of a process tube 36 concentrically arranged; an electromagnetic wave introduction port 53 drilled at central height of the shield 52; a waveguide 54 with its one end connected to the electromagnetic wave introduction port 53; and a microwave source 55 for supplying the microwave connected to the other end of the waveguide 54.
バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。 - 特許庁 - The method includes a step of inputting a target amount of the material to be delivered from a source position to a target position, a step of updating the target amount during delivery of the material by using algorithm of a prediction model base, and a step of updating the algorithm of the prediction model base based on process performance data by using a recursive minimum square procedure.
本願発明の方法は、ソース位置から目標位置に送達すべき材料に関する目標量を入力するステップと、予測モデルベースのアルゴリズムを使用して、材料の送達中に目標量を更新するステップと、再帰的最小二乗手順を使用して、工程性能データに基づいて予測モデルベースのアルゴリズムを更新するステップとを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.
ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A translator for converting previously created HTML into a program source for outputting it is prepared, and HTML used as output of a CGI program is converted into a subprogram capable of being called from a CGI program for executing a process other than output of HTML such as reception, analysis and processing of an input character string by using the translator.
あらかじめ作成したＨＴＭＬを、それを出力するプログラムソースに変換するトランスレータを用意し、そのトランスレータを用いて、ＣＧＩプログラムの出力となるＨＴＭＬを、入力文字列の受付・解析および処理などＨＴＭＬの出力以外の処理を行うＣＧＩプログラムから呼び出すことの出来るサブプログラムに変換する。 - 特許庁 - This method comprises collecting samples in a papermaking process, analyzing microbial phase of each sample based on the base sequence of DNA, judging whether the detected microorganisms having resistance to the working slime control agent or not and specifying a collecting point to be the source of the resistance-inducing microorganisms, wherein the ratio of the resistance-inducing microorganisms is high in the collecting point.
製紙工程から試料を採取し、各試料ごとの微生物相をDNAの塩基配列に基づいて解析し、その結果検出された微生物が現在使用しているスライムコントロール剤に対して抵抗性を有するか否かを判定し、抵抗性微生物の存在比率が高い試料の採取場所を抵抗性微生物の発生源と特定する。 - 特許庁 - Then, when an organic layer is formed on an element forming substrate using a vacuum vapor deposition device, the organic EL element material 11 is input into a deposition source and then, in the process of reducing pressure of the vacuum chamber, the ampul 13 is ruptured by pressure difference of inside and outside, thereby the exposed organic EL material 12 is heated and evaporated.
そして、真空蒸着装置を用いて素子形成用基板上に有機層を形成する場合は、その有機ＥＬ素子用材料１１を蒸着源に投入した後、真空チャンバ内を減圧する過程で、アンプル１３を内外圧力差により開裂させ、これによって露出した有機ＥＬ材料１２を加熱して蒸発させる。 - 特許庁 - The method of treating the surfaces of medical instruments which are contaminated with protein associated disease (such as prions) includes a process contacting the surface with a composition containing a source of peroxide ions, such as hydrogen peroxide, at a molar concentration of at least 1.5M peroxide (equivalent to approximately 5% hydrogen peroxide) and preferably, about 2M peroxide (approximately 7% hydrogen peroxide).
タンパク質関連疾患（プリオンなど）で汚染された医療機器の表面を処理する方法は、この表面と過酸化物イオン源を含む組成物（例えば、少なくとも１．５Ｍ過酸化物のモル濃度の過酸化水素（約５％過酸化水素と等価である）および好ましくは、約２Ｍ過酸化物（約７％過酸化水素））とを接触する工程を含む。 - 特許庁 - A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.
そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic photoreceptor having excellent durability, capable of retaining high image quality and capable of maintaining its filming preventing effect, particularly an electrophotographic photoreceptor adaptable to a writing light source whose wavelength range is 400-450 nm and to provide an electrophotographic method using this electrophotographic photoreceptor, an electrophotographic apparatus and a process cartridge.
耐久性に優れると共に高画質を維持することができ、さらにフィルミング防止効果を持続できる電子写真感光体、特に４００乃至４５０ｎｍの波長領域の書き込み光源に対応できる電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真方法、電子写真装置及びプロセスカートリッジを得る。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device wherein incident light from a light source can be efficiently reflected without being diffused or scattered in its propagation path and enhancement of luminance at a display device part and correction of luminance unevenness in a short time are made possible and whose manufacturing time can be reduced since a complicated process conventionally required for manufacturing a metal mold is eliminated.
液晶表示装置の光源からの入射光がその伝播経路において拡散または散乱されることなく効率的に反射させることができ、かつ、金型製作上に要していた複雑な工程と異なり大幅な製作時間の短縮を可能にし、表示部での輝度向上および短期間での輝度ムラ修正を可能にするものである。 - 特許庁 - To provide a electrophotographic photoreceptor free from the absorption of monochromatic light even when the photoreceptor is used for an electrophotographic device provided with an exposure means having monochromatic light source of 400-410 nm wavelength and having high sensitivity, high mechanical strength of wear resistance/scratch resistance and stable repeatability and to provide a process cartridge having the electrophotographic photoreceptor and the electrophotographic device.
波長４００〜４１０ｎｍの単色光源を有する露光手段を備える電子写真装置に用いても、該単色光を吸収せず、高い感度を有し、耐摩耗性・耐傷性の機械的強度が強く、繰り返し安定性に優れた電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁 - To detect, as apparent transition, transition between events in a process instance created by sequentially arranging event instances (EIs) each belonging to any of an event classes (ECs) of a plurality of work events implemented during work processing, the events being independently implemented in parallel with each other with no causal relationship between the works corresponding to the source and destination events.
業務処理中に実施された複数の業務イベントのイベントクラス(EC)のいずれかに属するイベントインスタンス(EI)を時系列に並べることにより作成したプロセスインスタンス中のイベント間遷移であって、その発側イベント・着側イベントに対応する業務間に因果関係が無く独立して並列実施されているものを見かけ上遷移として検出する。 - 特許庁 - To prevent an image forming apparatus from being made large-sized due to the addition of a high voltage power source and a connecting means in applying bias voltage to a discharging sheet for discharging residual toner in a process cartridge using one-component development and also to prevent the deterioration of an image such as banding due to the fluctuation of developing bias caused by leakage from a developing roller to the discharging sheet.
一成分現像を用いたプロセスカートリッジにおいて、残留トナーを除電する除電シートにバイアス電圧を印加する場合、高圧電源や接続手段の追加による画像形成装置の大型化を防止し、かつ現像ローラから除電シートにリークして現像バイアスが変動し、バンディング等の画像劣化を防止する。 - 特許庁 - The main control unit 80 fluctuates an amount of supply of the atmosphere gas from an atmosphere gas supply source 106 in a direction where the pressure fluctuation within the vacuum chamber 10 due to the evaporation of the vapor deposition material or the introduction of a process gas is mitigated during the course of the changeover of the heating state between the film-forming state and the non film-forming state.
そして、主制御装置８０は、成膜状態と非成膜状態との間における加熱状態の切り替え途上において、蒸着材料の蒸発やプロセスガスの導入による真空チャンバ１０内の圧力変動を緩和する方向に、雰囲気ガス供給源１０６からの雰囲気ガスの供給量を変動させる。 - 特許庁 - The ink jet head is manufactured through a process for forming a taper in the nozzle hole using the light path of laser beam to be converged optically and dually through a mask having a hole shape pattern at the ink channel side and a mask having a hole shape pattern at the ink ejection side, which are arranged in order from a light source for drilling a nozzle hole into the nozzle plate by means of a laser.
レーザーを用いてノズルプレートにノズル穴を穿孔するにあたり、光源側から順に配置された、インクチャネル側の穴形状パターンを有するマスク及びインク吐出側の穴形状パターンを有するマスクを経て、光学的に２元に収光されるレーザー光の光路によりノズル穴にテーパーを形成する工程を経て製造されたインクジェットヘッド。 - 特許庁 - The destination computer 200 is composed of a movement destination file storage area 220 for acquiring to store the file to be moved from the source computer 100; and a movement destination watching process 210 for reading the file stored in the work area 302 of the storage device 300 to write and move it into the file storage area 220.
移動先コンピュータ２００は、移動元コンピュータ１００からの移動させたいファイルを取り込み格納するための移動先ファイル格納領域２２０と、記憶装置３００のファイル移動作業領域３０２にあるファイルを読み込み移動先ファイル格納領域２２０に書き込み移動するための移動先監視プロセス２１０と、から構成されている。 - 特許庁 - To provide a steelmaking method with which in the case of producing molten steel from molten iron by continuously performing a dephosphorizing treatment and a decarburizing treatment while interposing a slag-off process in the middle by using the same converter-type vessel, even though fluorine source is not blended in a refining agent for dephosphorization, the dephosphorizing treatment can be performed and the intermediate slag-off can sufficiently be performed.
同一の転炉型容器を用いて脱燐処理と脱炭処理とを中間に排滓工程を挟んで連続して実施して溶銑から溶鋼を製造する際に、脱燐用精錬剤にフッ素源を配合しなくても脱燐処理することができ且つ中間排滓を充分に行うことができる製鋼方法を提供する。 - 特許庁 - Since the signal gain of the transmitter line driver 506 and the signal gain of the receiver amplifier 508 are decreased and the analog filters 502, 504 are realized in the high voltage processing process, they are physically downsized so as to be adaptive to a higher noise source thereby reducing the die area and the power consumption being requirements in the ADSL analog front end.
送信機ラインドライバ５０６および受信機増幅器５０８の信号利得が削減され、アナログフィルタ５０２、５０４が高電圧処理工程内で実現されるので、これらはより高い雑音床に適応するように物理的に小さくすることができ、これによってＡＤＳＬアナログフロントエンドで要求されるダイ領域と電力消費を削減する。 - 特許庁 - The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.
バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁 - A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.
本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁 - In this manufacturing method of the radiological image conversion panel including a process for forming a phosphor layer by depositing on a substrate a material generated by heating an evaporation source containing a halogen-containing phosphor or its raw material, deposition is performed in a deposition atmosphere having a partial pressure of hydrogen halogenide of 2.0×10^-5 Pa or higher.
ハロゲン含有蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、ハロゲン化水素の分圧が２．０×１０^−５Ｐａ以上の蒸着雰囲気中で行う。 - 特許庁 - To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.
ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁 - To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.
電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁 - In a manufacturing method of an electron source having plural surface conduction electron emission elements arranged on a substrate, conductivity forming is carried out for the plural surface conduction electron emission elements by dividing them in plural groups electrically opened, and electrical connections are made among respective groups after the conductivity forming process which is carried out for these respective groups.
基体上に配置された複数の表面伝導型電子放出素子を有する電子源の製造方法において、複数の表面伝導型電子放出素子を、電気的に開放した複数群に分けて通電フォーミングを行い、これら各群に対して行われる通電フォーミング工程の後に、各群間を電気的に接続する。 - 特許庁 - To provide a method and a system for monitoring periodical collection of operation data from a large number medical imaging systems (2) which are remotely arranged by central service facilities (16 and 22) and starting a correction disposition process, when the collection of operation data is deviated from a historical reference value, based on the reception frequency and capacity of data received from a data source.
中央サービス施設（１６、２２）によって、遠隔配置された多数の医用イメージング・システム（２）からの運用データの定期的な収集を監視し、運用データの収集が、データ源から受領したデータの受領頻度及び容量に基づいて履歴的基準値から逸脱している場合には修正処置過程を開始する方法及びシステムを提供する。 - 特許庁 - On a manufacturing line provided with plural buffers 1-6 for temporarily storing processing lots, each process forms a device group including plural processors of the same kind and the waiting time from the processing completion of a processing lot up to its carrying-out is defined for every device group to be a carrying-out source of the processing lot and to be a carrying-out destination.
一時的に処理ロットを保管するための複数のバッファ１〜６を備えた製造ラインにおいて、各工程は複数の同種の処理装置が設置された装置群を形成し、処理ロットの搬出元となる装置と搬出先となる装置群ごとに処理ロットが処理完了してから搬出されるまでの待機時間を定義付ける。 - 特許庁 - A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.
表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁 - A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.
ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁 - This method for recovering cerium comprises the following processes: recovering cerium hydroxide from a solution containing both chromium and cerium; washing precipitation of cerium hydroxide obtained in the above process with water; adding both nitric acid and a source of ammonia to cerium hydroxide after washed with water in such a way as to crystallize cerium ammonium nitrate; and recovering cerium ammonium nitrate crystal formed in the cerium ammonium nitrate crystallization process.
クロム及びセリウムを含む溶液から、水酸化セリウムを回収する水酸化セリウム回収工程、水酸化セリウム回収工程で得られた水酸化セリウムの沈殿を水洗する洗浄工程、洗浄工程を経た水酸化セリウムに硝酸およびアンモニア源を添加して硝酸セリウムアンモニウムを晶析させる硝酸セリウムアンモニウム晶析工程、および硝酸セリウムアンモニウム晶析工程で生成した硝酸セリウムアンモニウム結晶を回収する硝酸セリウムアンモニウム回収工程の各工程よりなることを特徴とするセリウムの回収方法 - 特許庁 - In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.
メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁 - A manufacturing process for a transistor includes: sequentially forming an oxide semiconductor layer, a source electrode layer, a drain electrode layer, a gate insulation film, a gate electrode layer, and an aluminum oxide film; and performing heat treatment on the oxide semiconductor layer and the aluminum oxide film, thereby removing impurities including hydrogen atoms and forming an oxide semiconductor layer including a region containing oxygen more than the stoichiometric ratio.
トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁 - A data provider 20, which cooperates with the application provider 30 using access information and provides a data manipulation function, manipulates the stored data in accordance with a data Add/Modify/Delete/Browse request if the data manipulation process is required in accompany with the user operation on the Web browser 10, and sends only information on the result back to the Web browser 10, which is a request source.
接続情報を用いてアプリケーションプロバイダ３０と連携し、データ操作に関する機能を提供するデータプロバイダ２０は、Ｗｅｂブラウザ１０上でのユーザの操作に伴ってデータ操作処理が必要になった場合、データの追加・修正・削除・参照などの要求に応じて保持するデータを操作し、その結果の情報のみを要求元のＷｅｂブラウザ１０に返信する。 - 特許庁 - To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.
ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The light source is constructed by completely covering an LED, implemented on an electrode on a circuit substrate with electric wiring formed thereon with wire bonding, with a translucent impervious transparent resin having phosphor particles, which converts a wavelength of light emitted from the LED into a different wavelength, mixed therein, and subjecting the light emitted from the LED and the light with the converted wavelength to an additive process so as to obtain white light.
電気配線が形成された回路基板上の電極にワイヤーボンディングで実装されたＬＥＤを、このＬＥＤからの出射光を異なった波長に変換する蛍光体粒子が混合された透光性の非通水性透明樹脂で完全に被覆し、ＬＥＤからの出射光と変換された光とを加法混色して白色光を得る光源を構成した。 - 特許庁 - The access node device 10 generates a management record showing the correspondence relation between a user ID and an IP address in the performance process of a series of control procedures that a user terminal, the device itself, and an authenticating server 20 mutually follow and generates a data record 70 showing the relation between packet reception time and destination/transmission source IP addresses when receiving an Internet access packet from the user terminal.
アクセスノード装置１０が、ユーザ端末と自装置および認証サーバ２０との間で行われる一連の制御手順の実行過程で、ユーザＩＤとＩＰアドレスとの対応関係を示す管理レコードを生成し、ユーザ端末からインターネットアクセスパケットを受信した時、パケット受信時刻と宛先／送信元ＩＰアドレスの関係を示すデータレコード７０を生成する。 - 特許庁 - To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.
ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁 - A computer 7 controls power feeding process for a distribution panel 3 that distributes electric power transmitted from an AC power source 2, an AC/DC converter 4 that converts the AC current distributed from the distribution panel 3 into a DC current, and a DC/DC converter control unit 6 that controls ON/OFF of variable output DC/DC converters 5a-5c, for indoor power feeding.
コンピュータ７により、交流電源２から送電された電気の配電を行う配電盤３と、配電盤３より配電された交流電流を直流電流に変換するＡＣ／ＤＣコンバータ４と、各可変出力ＤＣ／ＤＣコンバータ５ａ〜５ｃのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うＤＣ／ＤＣコンバータ制御部６の給電処理制御を行い、屋内における給電を行う。 - 特許庁
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