「source region」を含む例文一覧(4512)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 90 91 次へ＞- A source/drain region 7 sandwiches a channel region.
ソース／ドレイン領域７はチャネル領域を挟む。 - 特許庁 - Source: Reproduced from the Industrial Change in the Bangkok Urban Region (NESDB?World Bank (2010)).
資料：NESDB・世界銀行（2010）「Industrial Change in the Bangkok Urban Region」から転載。 - 経済産業省 - A first low-concentration source region is formed outside a second high-concentration source region so as to be deeper than the second high-concentration source region.
高濃度の第２ソース領域の外側にこれより深く低濃度の第１ソース領域を形成する。 - 特許庁 - A source region 4 is made smaller than an element region 2 in width.
ソース領域４を素子領域２より狭幅にする。 - 特許庁 - Then a source region 15 is formed in the body region 14.
その後、ボディ領域１４内にソース領域１５を形成する。 - 特許庁 - The recess 2A is pinched between a source-drain region 6a and another source-drain region 6b.
この凹部２Ａは、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂに挟まれている。 - 特許庁 - The MOS transistor comprises a source region 20A, a drain region 20B, and a gate region arranged between the source region 20A and the drain region 20B.
前記モストランジスタは、ソース領域２０Ａ、ドレイン領域２０Ｂ及びソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に配置されたゲート領域を有する。 - 特許庁 - In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.
動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁 - The source region (18) has an n-type low-doped region (32) and an n^+-region (34), but does not have any source halo region.
ソース領域（１８）は、ｎ型の低濃度ドープ領域（３２）と、ｎ^＋領域３４とを有するが、ソースｈａｌｏ領域は有しない。 - 特許庁 - Then, a source region and a drain region of the transistor are formed.
その後、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁 - An N-type source leadout region is formed on the extending region 122.
延在領域１２２に、Ｎ型のソース引出領域が形成される。 - 特許庁 - A source region 12, a source extension region 10 connected with the source region 12, and a junction field effect transistor (JFET) extension region 11 connected with a JFET region are formed in each well region 20, and the region between the source extension region 10 and the JFET extension region 11 becomes a channel region.
各ウェル領域２０には、ソース領域１２、当該ソース領域１２に接続したソースエクステンション領域１０、およびＪＦＥＴ領域に接続したＪＦＥＴエクステンション領域１１が形成され、ソースエクステンション領域１０とＪＦＥＴエクステンション領域１１の間がチャネル領域となる。 - 特許庁 - A source region and a drain region are provided within the active region.
前記活性領域内に提供されてソース領域及びドレイン領域が提供される。 - 特許庁 - A memory cell includes a source region and a drain region separated by a channel region.
本メモリセルはチャネル領域で分離されたソース領域及びドレイン領域を備える。 - 特許庁 - The source region 23 and the drain region 25 are provided with an N+ impurity region.
ソース領域２３及びドレイン領域２５はＮ＋ 不純物領域から形成される。 - 特許庁 - A source region 17 and a drain region 18 are formed on both sides of the channel region 13.
チャネル領域１３の両側には、ソ−ス・ドレイン領域１７，１８が形成されている。 - 特許庁 - The transistor has a source region, drain region, and channel region, formed of polysilicon.
トランジスタは、ポリシリコンで形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有する。 - 特許庁 - One source/drain region is positioned closer to the midpoint of the gate conductor than is the other source/drain region.
ソース及びドレイン領域の一方は、他方よりもゲート導電体の中心に近づけられる。 - 特許庁 - Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.
また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁 - Subsequently, ions are implanted into the region for forming the source-drain region of a PMOS transistor, thus forming the source- drain region.
その後、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン形成予定領域にイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁 - After this, a source region and a drain region which are not shown in a drawing are formed.
この後、図示しないソース領域、ドレイン領域などを形成する。 - 特許庁 - The electrification of the surface of the source region and the drain region can be prevented.
ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。 - 特許庁 - A source region 13 is formed at a surface layer section of the body region 11.
ボディ領域１１の表層部には、ソース領域１３を形成する。 - 特許庁 - An N- type thin-film source region 11 which is thinner than the source region 5 is so provided as to adjoin the source region 5 by an adjoining part R between the source region 5 and the drain region 6, so that, as shown with an allow Q2, a current path is formed from the drain region 6 to the source region 5 through the thin-film source region 11.
そして、厚さがソース領域５より薄く、Ｎ^-型の薄膜ソース領域１１が、ソース領域５とドレイン領域６の間にソース領域５に隣接部Ｒで隣接するよう設けられ、矢印Ｑ２で示すようにドレイン領域６から薄膜ソース領域１１を介してソース領域５へ電流経路が形成される。 - 特許庁 - The source region 107 comprises a first source region 107A jointed to the first base region 105, and a second source region 107B which is provided continuous from the first source region 107A formed on the second base region 106.
ソース領域１０７は、第一のベース領域１０５と接合する第一のソース領域１０７Ａと、第一のソース領域１０７Ａに連続して設けられ、第二のベース領域１０６上に形成された第二のソース領域１０７Ｂとを有する。 - 特許庁 - Nickel concentration of the drain low concentration region 11D and the source low concentration region 11S are lower than those of the channel region, the drain high concentration region 10D and the source high concentration region 10S.
ドレイン低濃度領域及びソース低濃度領域のニッケル濃度が、前記チャネル領域、ドレイン高濃度領域、及びソース高濃度領域のそれよりも低い。 - 特許庁 - The channel region protrudes over the source region and the drain region, and the electric charge storage layer is separated from the source region and the drain region.
前記チャンネル領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域より突出しており、前記電荷保存層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と離隔されている。 - 特許庁 - The source region and the drain region are formed on the substrate where the gate structure is formed, and the channel region is formed between the source region and the drain region under the gate structure.
ソース領域とドレイン領域は、ゲート構造のおける基板に形成され、チャネル領域がゲート構造の下においてソース領域とドレイン領域との間に形成される。 - 特許庁 - At a part where the source region NS and the source region PS adjoin each other, one contact hole 291 is formed and the source region NS and the source region PS are connected with a capacitor electrode 29 simultaneously.
ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとの隣接部分には、１つのコンタクトホール２９１が形成されて、ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとが、同時に容量電極２９と接続されている。 - 特許庁 - a geographic region serving as the principal source of grain
穀物の主要な産地である地理的な地域 - 日本語WordNet - SOURCE/DRAIN REGION FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子のソース／ドレイン領域形成方法 - 特許庁 - The impurity region 9 is formed directly below the source region 5 along the overall bottom of the source region, and is also formed directly below the semiconductor layer 3 between the source region 5 and the drain region 6.
不純物領域９は、ソース領域５の直下においてその底部の全領域に渡って形成され、ソース領域５とドレイン領域６との間の半導体層３の直下にも形成されている。 - 特許庁 - A channel region 24 is provided between the source region 22 and drain region 23.
チャンネル領域２４は、ソース領域２２とトレイン領域２３の間に設けた構成となっている。 - 特許庁 - The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region.
そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。 - 特許庁 - The pocket region 16 is formed deeper than the source-drain expansion region 15 and shallower than the source-drain expansion region 14.
ポケット領域１６は、ソース・ドレイン拡張領域１５よりも深く、ソース・ドレイン拡散領域１４よりも浅く形成される。 - 特許庁 - A fourth doped region is formed on the second source/drain region while having a conductivity opposite to that of the second source/drain region thus forming a channel region.
第４のドープ領域が第２のソース／ドレイン領域上に形成され、第２のソース／ドレイン領域とは相対する伝導形をもち、チャネル領域を形成する。 - 特許庁 - The raised strap region contacts the raised source region to provide an electrically conductive path between the planar source region and the conductive fill region.
レイズド・ストラップ領域は、プレーナ・ソース領域及び導電性充填領域の間の導電性通路を与えるためにレイズド・ソース領域に接触する。 - 特許庁 - An emitter/source region 208 is formed within the base region 206.
ベース領域２０６内には、エミッタ／ソース領域２０８が形成されている。 - 特許庁 - A second region source and a drain (304) are formed in the second region.
第２の領域に第２の領域のソース／ドレイン（３０４）が形成される。 - 特許庁 - A source region 160 and a drain region 170 are provided on a substrate, and a silicide layer 174 is arranged on the source region and the drain region.
基板上にソース領域１６０およびドレイン領域１７０を有し、珪化物層１７４が、ソース領域およびドレイン領域の上に配置されている。 - 特許庁 - The X-ray source 9 is also located in the region.
Ｘ線源９もその領域内に位置する。 - 特許庁 - A plug (37) is formed in the connection hole to which the source region and the common source wiring region are connected.
接続孔にソース領域と共通ソース配線領域が接続されるプラグ（３７）が形成される。 - 特許庁 - A drain region is connected to a bit line BL0, and a source region is connected to a source line SL0.
また、ドレイン領域はビット線ＢＬ０に接続され、ソース領域はソース線ＳＬ０に接続される。 - 特許庁 - By patterning the source-drain layer 24, a source region 24a and a drain region 24b are formed.
ソース・ドレイン層２４をパターニングすることにより、ソース領域２４ａおよびドレイン領域２４ｂを形成する。 - 特許庁 - An impurity element is doped to a source region, a drain region, a Lov region and a Loff region as required.
また、必要に応じて、ソース領域、ドレイン領域、Ｌｏｖ領域、Ｌｏｆｆ領域への、不純物元素のドーピングを行う。 - 特許庁 - An MISFET employs a structure in which a source region and a drain region interpose a semiconductor region as a channel region.
ＭＩＳＦＥＴの構造を、ソース領域とドレイン領域でチャネル領域となる半導体領域を挟む構造とした。 - 特許庁 - Moreover, an impurity element is doped, as required, to the source region, drain region, Lov region and Loff region.
また、必要に応じて、ソース領域、ドレイン領域、Ｌｏｖ領域、Ｌｏｆｆ領域への、不純物元素のドーピングを行う。 - 特許庁 - The plurality of transistor cells each have a source region 15, a body region 14 disposed between the source region 15 and the drift region 12, and a gate electrode 16 disposed so as to be insulated from the source region 15 and the body region 14.
トランジスタセルは、それぞれ、ソース区域１５と、ソース区域１５と上記ドリフト区域１２との間に配置されるボディ区域１４と、ソース区域１５およびボディ区域１４から絶縁して配置されるゲート電極１６とを有する。 - 特許庁 - A source/drain diffused layer is formed on the lightly doped source/drain region.
低濃度ソース／ドレーン領域上にソース／ドレーン拡張層が形成される。 - 特許庁 - A source region (n+ region) 8 is made on the base region 6, and a trench 10, which breaks through the source region 8 and is shallower than the thickness of the base region 6, is made within the base region 6.
ベース領域６の上部にはソース領域（ｎ＋領域）８が形成され、ベース領域６内にはソース領域８を突ら抜き、ベース領域６の層厚より浅いトレンチ１０が形成されている。 - 特許庁
