「source-drain」を含む例文一覧(7120)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 142 143 次へ＞- A source-drain layer including a source contact and a drain contact is formed with a source-drain layer material.
ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを含むソース−ドレイン層は、ソース−ドレイン層から形成される。 - 特許庁 - DRAIN DISCHARGE DEVICE FOR HEAT SOURCE EQUIPMENT
熱源機のドレン排出装置 - 特許庁 - DRAIN TREATMENT DEVICE, HEAT SOURCE DEVICE AND DRAIN TREATMENT METHOD
ドレン処理装置、熱源装置及びドレン処理方法 - 特許庁 - DRAIN DISCHARGING METHOD, DRAIN DISCHARGING DEVICE AND HEAT SOURCE DEVICE
ドレン排出方法、ドレン排出装置及び熱源装置 - 特許庁 - The one source-drain material film 12 works as the source 2 and the other source-drain material film 12, as the drain 3.
一方のソース・ドレイン材料膜１２がソース２、他方の前記ソース・ドレイン材料膜１２がドレイン３となる。 - 特許庁 - A source/drain diffused layer is formed on the lightly doped source/drain region.
低濃度ソース／ドレーン領域上にソース／ドレーン拡張層が形成される。 - 特許庁 - TRANSISTOR WITH WIRE SOURCE AND DRAIN
ワイヤソース及びドレインを備えたトランジスタ - 特許庁 - HEAT SOURCE DEVICE, DRAIN TREATING METHOD AND DRAIN TREATING PROGRAM
熱源装置、そのドレン処理方法及びそのドレン処理プログラム - 特許庁 - The recess 2A is pinched between a source-drain region 6a and another source-drain region 6b.
この凹部２Ａは、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂに挟まれている。 - 特許庁 - A source/drain electrode 114 is formed on the Schottky junction source/drain 115.
ショットキー接合・ソース／ドレイン１１５上にソース／ドレイン電極１１４が形成されている。 - 特許庁 - The first source and the first drain and the second source and the second drain are provided on a surface of the substrate.
第一のソース及びドレインと第二のソース及びドレインは、基板表面に設けられる。 - 特許庁 - The source/drain of the switch transistor are grounded.
スイッチトランジスタのソース／ドレインは接地される。 - 特許庁 - The low noise amplifier is provided with at least one field effect transistor having a source, a drain and a gate, a drain power source and a drain bias input line connecting the drain power source and the drain.
ソース、ドレイン、ゲートを備える少なくとも一の電界効果トランジスターと、ドレイン電源と、前述のドレイン電源と前述のドレインを結ぶドレインバイアス入力線路を備える。 - 特許庁 - A transistor comprises a gate, a source, and a drain.
トランジスタは、ゲート、ソース、およびドレインを備える。 - 特許庁 - To prevent leakage and short-circuiting between source and drain.
ソース・ドレイン間のリークや短絡を防止する。 - 特許庁 - The drain of Q6 is connected to a power source, the source of Q7 is grounded and the drain of Q7 is connected to the source of Q6.
Ｑ６のドレインを電源に接続し、Ｑ７のソースを接地し、Ｑ６のソースにＱ７のドレインを接続する。 - 特許庁 - When, the N^+ regions 17 of source/drain are formed.
ソース・ドレインのＮ^+領域１７を形成する。 - 特許庁 - The driving transistor has a first drain/source terminal, a second drain/source terminal and a gate terminal.
該駆動トランジスタは、第１のドレイン／ソース端子、第２のドレイン／ソース端子、及びゲート端子を有する。 - 特許庁 - A conductive layer is provided between a source or drain region and source or drain wiring.
ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層を設ける。 - 特許庁 - A source/drain region 7 sandwiches a channel region.
ソース／ドレイン領域７はチャネル領域を挟む。 - 特許庁 - One source/drain region is positioned closer to the midpoint of the gate conductor than is the other source/drain region.
ソース及びドレイン領域の一方は、他方よりもゲート導電体の中心に近づけられる。 - 特許庁 - Namely, it is possible to maintain the symmetry of paths from a source to a drain and from the drain to the source.
即ち、ソースからドレイン及びドレインからソースへの経路の対称性を保持することができる。 - 特許庁 - A contact part of source/drain electrodes and source/drain regions is shown at 802.
そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。 - 特許庁 - A power source 11 applies between the source 3 and the drain 4.
電源１１は、ソース３およびドレイン４間に電圧を印加する。 - 特許庁 - The back gate is connected to the source (or the drain).
バックゲートがソース（あるいはドレイン）に接続される。 - 特許庁 - the outlet of a river or drain or other source of water
川、排水、または他の水の源のはけ口 - 日本語WordNet - SOURCE/DRAIN REGION FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子のソース／ドレイン領域形成方法 - 特許庁 - HEAT SOURCE UNIT AND DRAIN PAN FOR REFRIGERATING CYCLE DEVICE
冷凍サイクル装置の熱源ユニット及びドレンパン - 特許庁 - When respective inter-center distances D_C of drain width and source width in a direction parallel to the extending direction of the control gates in the drain regions and the source regions are set as distances between a drain and a source, the distance between the drain and the source is made shorter than a distance between the drain and the source when drain resistance and source resistance are made equal.
ドレイン領域及びソース領域の、コントロールゲートの延在方向と平行な方向のドレイン幅及びソース幅それぞれの中心間距離Ｄ_Ｃをドレイン及びソース間距離とするとき、ドレイン及びソース間距離を、ドレイン抵抗及びソース抵抗を等しくしたときのドレイン及びソース間距離よりも短くしてある。 - 特許庁 - HEAT SOURCE DEVICE AND ITS DRAIN DISCHARGE CONTROL METHOD
熱源装置及びそのドレン排出制御方法 - 特許庁 - PROTUBERANT SILICIDE SOURCE/DRAIN TYPE MOS TRANSISTOR WITH EXPANDED SOURCE/DRAIN CONTACT REGION AND METHOD
拡張されたソース／ドレインコンタクト領域を有する隆起シリサイドソース／ドレイン型ＭＯＳトランジスタおよび方法 - 特許庁 - By patterning the source-drain layer 24, a source region 24a and a drain region 24b are formed.
ソース・ドレイン層２４をパターニングすることにより、ソース領域２４ａおよびドレイン領域２４ｂを形成する。 - 特許庁 - Subsequently, wiring electrodes Dh, Sh of drain and source are formed on the passivation film 22 by etching thus forming electrodes of two layer structure for the drain and source.
その一部２５ａは孔２４に入り込んで電極Ｄ、電極Ｓと夫々接続する。 - 特許庁 - Moreover, it is possible to lower a resistance in source and drain diffusion layer by the thickness of the polysilicon film which is thick in the source and drain.
しかもソースドレイン部の厚いポリシリコン膜厚によりソースドレイン拡散層抵抗を低くできる。 - 特許庁 - One of the second source and the second drain is arranged so as to be adjacent to one of the first source and the first drain.
第二のソース及びドレインの一方は、第一のソース及びドレインの一方に隣接配置される。 - 特許庁 - The other of the second source and the second drain is arranged so as to be adjacent to the other of the first source and the first drain.
第二のソース及びドレインの他方は、第一のソース及びドレインの他方に隣接配置される。 - 特許庁 - Thereafter, source to drain regions are formed, and the nickel silicide layer is formed in the source to drain regions.
その後、ソース・ドレイン領域が形成され、そのソース・ドレイン領域にニッケルシリサイド層がそれぞれ形成される。 - 特許庁 - The channel 4 electrically connects the source 2 with the drain 3 through the side surface of the source 2 and drain 3.
チャネル４は、ソース２およびドレイン３の側面でソース２とドレイン３とを電気的に接続している。 - 特許庁 - A predetermined drain voltage is applied between the source region 6 and the drain region 7 via a source electrode 11 and a drain electrode 12.
ソース領域６・ドレイン領域７間には、ソース電極１１およびドレイン電極１２を用いて、所定のドレイン電圧が印加される。 - 特許庁 - A source of M1B and a drain of M2B are connected.
Ｍ１Ｂのソースと、Ｍ２Ｂのドレインと、が接続される。 - 特許庁 - A source of M1A and a drain of M2A are connected.
Ｍ１Ａのソースと、Ｍ２Ａのドレインと、が接続される。 - 特許庁 - COMPLETELY AMORPHOUS SOURCE/DRAIN FOR WET JUNCTION
漏れ接合部用の完全に非晶質化されたソース／ドレイン - 特許庁 - Finally, a high concentration source/drain region 11 is formed.
最後に高濃度ソース・ドレイン領域１１を形成する。 - 特許庁 - In the source/drain regions 131 and 132, source/drain conductors 155 are so formed as to be stretched over the source/drain regions 131 and 132 and an element isolation region 102.
また、ソース／ドレイン領域１３１,１３２においては、ソース／ドレイン導電体１５５をソース／ドレイン領域１３１,１３２と素子分離領域１０２にまたがるように形成する。 - 特許庁 - WASTE GAS DRAIN PROCESSING APPARATUS OF LATENT HEAT RECOVERY TYPE HEAT SOURCE MACHINE
潜熱回収式熱源機の排ガスドレン処理装置 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which the source-drain spacing can be downsized while assuring the source-drain breakdown voltage.
ソース−ドレイン間の耐圧を確保しつつ、その間隔の微細化を可能にした半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.
ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁 - A second conductive layer is formed and a source/drain line 128 comes into contact with the source/drain by a fourth mask step.
第２導電層が形成され、第４マスク工程によりソース／ドレイン線１２８がソース／ドレインと接触する。 - 特許庁 - The source/drain wire (14) is formed of tungsten.
ソース、ドレイン配線（１４）は、タングステンから形成されている。 - 特許庁 - A detector detects a current between the source and the drain.
検出器がソース、ドレイン間の電流を検出する。 - 特許庁
