「spin electronics」を含む例文一覧(6)
- MATERIAL FOR SPIN ELECTRONICS AND ITS MANUFACTURING METHOD
スピンエレクトロニクス材料およびその作製方法 - 特許庁 - To provide a spin current circuit artificially having diode characteristics by using spin electronics.
スピンエレクトロニクスを用いて擬似的にダイオード特性を有するスピン流回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a (group Mn-V) co-added group IV magnetic semiconductor whose spin polarized carrier density near the Fermi surface can be increased, whose Curie temperature is high, and which is preferably applied as a basic material for spin electronics.
フェルミ面付近のスピン偏極したキャリア密度を増加でき、キュリー温度が高く、スピンエレクトロニクスの基本材料に適用が好ましい（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体を提供すること - 特許庁 - To provide a spin electronics material having the properties that transition temperature is higher than room temperature, spin polarlizataion degree is high, a manufacturing process is compatible with that of an existent semiconductor electronics material, hetero structure is available and no byproduct deteriorating the property of the hetero structure in the manufacturing process occurs.
スピンエレクトロニクス材料の特性として、室温以上の転移温度と高いスピン偏極率とを備え、また既存の半導体エレクトロニクス材料との相性として、作製プロセスの互換性、ヘテロ構造が作製可能であること、ヘテロ構造作製時に特性を劣化させる副生成物が現れないことといった要求を満たすことができるようにする。 - 特許庁 - The spin electronics material which shows an electronic phenomenon depending on the spin is formed by a heterojunction of a III-V group semiconductor which consists of GaAs, AlAs, InAs or their mixed crystals with a sphalerite type CrAs.
この発明のスピンエレクトロニクス材料は、スピンに依存した電子現象を発揮する材料であって、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓあるいはそれらの混晶からなるＩＩＩ−Ｖ族半導体と、閃亜鉛鉱型ＣｒＡｓとのヘテロ接合からなる、ことを特徴としている。 - 特許庁 - The area has absorbed many factories transferred out of Tokyo by large companies, with new businesses emerging as spin-offs, and as a consequence, electrical machinery and electronics, transport machinery and precision machinery agglomerations have formed.
この地域は、東京都心部からの大手企業の工場移転の受け皿になり、またスピンオフによる新規創業が行われたことによって、電気・電子機械、輸送機械、精密機械等の集積が形成されてきた。 - 経済産業省
