「spin-density」を含む例文一覧(53)
1 2 次へ＞- To provide a spin MOSFET which turns a spin reversely in a low current density and whose output characteristic caused by the reversal of the spin is large.
低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。 - 特許庁 - To provide: a spin injection device that performs spin injection magnetization reversal at low current density; a spin injection magnetic apparatus; and a magnetic memory apparatus.
小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - It is noticed that the spin status of a molecule is derived from α electronic density distribution and β electronic density distribution.
分子のスピン状態が、α電子密度分布とβ電子密度分布から導かれることに着目する。 - 特許庁 - To provide a spin torque oscillator capable of generating a microwave under a low current density.
低電流密度下においてマイクロ波を生成可能なスピントルク発振器を提供する。 - 特許庁 - To enhance the sensitivity of a reproducing head for enhancing recording density of a spin valve type GMR head.
スピンバルブ型ＧＭＲヘッドの記録密度向上のため、再生ヘッドの感度を向上させる。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk drive capable of contriving furthermore high density for a recording density by reducing noise due to a spin transfer effect.
スピントランスファー効果によるノイズを低減し、記録密度のより一層の高密度化を図り得る磁気ディスク装置を提供すること。 - 特許庁 - To reduce the size of a spin torque oscillator sensor for reading in a very high data density.
非常に高いデータ密度での読み取りのために、スピントルク発振子センサを小さくすることを可能とする。 - 特許庁 - The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin.
状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。 - 特許庁 - To realize a high recording density by installing a bias film in a spin valve film to remove the noise originating from the free layer in the perpendicularly current feeding type spin valve film.
垂直通電型スピンバルブ膜におけるフリー層を起源とするノイズを除去するためのバイアス膜をスピンバルブ膜内に設置して高記録密度を実現することにある。 - 特許庁 - To provide a spin injection type memory device and memory that can be increased easily in density and degree of integration.
高密度・高集積化を容易に可能とするスピン注入型のメモリ素子およびメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a spin torque oscillator in which reduction of current density and increase in strength of the in-plane high frequency magnetic field can be achieved simultaneously.
電流密度の低減と面内高周波磁界の強度の増加を同時に実現できるスピントルク発振子を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording element capable of reducing the current density of a spin injection current for magnetization reversal without deteriorating a heat fluctuation resistance and MR characteristic.
熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。 - 特許庁 - To provide a (group Mn-V) co-added group IV magnetic semiconductor whose spin polarized carrier density near the Fermi surface can be increased, whose Curie temperature is high, and which is preferably applied as a basic material for spin electronics.
フェルミ面付近のスピン偏極したキャリア密度を増加でき、キュリー温度が高く、スピンエレクトロニクスの基本材料に適用が好ましい（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体を提供すること - 特許庁 - To obtain a spin transfer oscillator (STO) structure which can oscillate a field generation layer (FGL) under a low current density in MAMR application.
ＭＡＭＲ用途において、低電流密度下で磁界生成層（ＦＧＬ）を発振させ得るスピントランスファー発振器（ＳＴＯ）構造を得る。 - 特許庁 - The single mode optical fiber containing a glass part made of quartz glass and having a center core and a clad, is characterized in that the density of non-crosslinked oxygen defects in the glass parts is ≤1.0×10^14 spins/g in terms of the spin density measured by an electron spin resonance method.
石英系ガラスよりなり、中心コアとクラッドを有するガラス部分を含むシングルモード光ファイバにおいて、前記ガラス部分の非架橋酸素欠陥の密度が、電子スピン共鳴法により測定されるスピン密度の値として１．０×１０^^１４ｓｐｉｎｓ／ｇ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide images in which signals from tissues for which both T1 and T2 are long such as CSF (cold start fix), or the like are suppressed in the case of obtaining proton density emphatic images and T2 emphatic images at a high speed by using an FSE (fast spin echo) method and a GRASE (gradient and spin echo) method.
ＦＳＥ法やＧＲＡＳＥ法を用いて高速にプロトン密度強調画像やＴ２強調画像を得る場合に、ＣＳＦなどのＴ１、Ｔ２とも長い組織からの信号を抑えた画像を得る。 - 特許庁 - To provide a high density and large capacity magnetic recording medium, a data reproducing device, and a data reproducing method using spin-dependent scattering of electrons.
電子のスピン依存散乱を利用して、高密度・大容量の磁性記録媒体およびデータ再生装置及びデータ再生方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a spin valve transistor which has an improved current transmittance and can be used as an high-density magnetic recording element.
電流透過率を向上させ、高密度磁気記録用素子として用いることが可能なスピンバルブトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The gate dielectric is disposed between the gate electrode and the semiconductor layer and includes a pseudo-1D charge or a spin-density wave material.
このゲート誘電体は、ゲート電極と半導体層の間に配置されると共に、擬似１Ｄの電荷またはスピン密度波材料を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a spin valve type magneto-resistance effect reproducing head of a complete reflection type corresponding to a superhigh recording density, and to provide its manufacturing method.
超高記録密度に対応した完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a DC/AC-type spin valve structure which allows the resistance-area (RA) product and the MR ratio to be improved for application to ultra-high-density recording.
超高密度記録に適用するために抵抗（ＲＡ）およびＭＲ比を改善することが可能な直交電流型スピンバルブ構造を提供する。 - 特許庁 - Other outer core layers are made as thin high-density layers with a larger specific weight to increase the inertial moment of the rotation, thereby reducing the spin in the flight.
他の外側コア層は比重の大きな薄い高密度層として回転の慣性モーメントを増加させて飛行中のスピンを減少させても良い。 - 特許庁 - To provide a bottom spin valve magnetometric sensor using GMR, which can read out magnetic information with a surface recording density exceeding 9.3 x 10^4 Gbit/m^2.
９．３×１０^４Ｇbit／ｍ^２を超えるような面記録密度の磁気情報を読み出し可能な、ＧＭＲを利用したボトムスピンバルブ磁気センサを提供する。 - 特許庁 - After a spin on glass material containing silicon and/or silicon compound and organic solvent is applied on a substrate, an amorphous spin on glass film is formed by raising the density of the spin on glass material under the condition that crystallization does not occur in a plasma formed by a gas whose main component is oxygen.
シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。 - 特許庁 - Combining a high-density material in the body portion, with a low-density material in the crown portion, creates an ultra-low center of gravity relative to the geometric face center, resulting in higher launch angles and spin rate ratios.
本体１４の高密度材料とクラウン部の低密度材料とを組み合わせて、幾何学中心に対して重心を極めて低い位置に配置でき、より高い打ち出し角度と、大きなスピンレート比を実現する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistive effect element capable of suppressing decrease in the output voltage of an element, caused by spin transfer torque when it turns into high current density.
高電流密度化した際にスピントランスファートルクに起因して素子の出力電圧が低下するのを抑制することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance sensor element of a spin bubble type, where reading of magnetic recording information of ultrahigh density of 20 Gb/in2 in higher is enabled, and a manufacturing method of the sensor element.
２０Ｇｂ／ｉｎ^2 以上の超高密度の磁気記録情報の読み取りを可能とするスピンバルブ型の磁気抵抗センサ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The polyimide film is characterized in that its thermal shrinkage stress is at most 10 MPa and its electron spin density is at least 1×10^15 spins/g.
熱収縮応力が１０ＭＰａ以下、かつ電子スピン密度が１×１０^15ｓｐｉｎｓ／ｇ以上であることを特徴とする高精細ＦＰＣ用ポリイミドフィルム。 - 特許庁 - The spin density of the material measured by an electron spin resonance method is above 1×10^15 cm^-3 .
Ｌｉを可逆的に吸蔵および放出できる非水電解質二次電池用電極材料であって、Ｓｉを含む材料を含み、電子スピン共鳴法によって測定した前記材料のスピン密度が１×１０^15ｃｍ^-3以上である非水電解質二次電池用電極材料とする。 - 特許庁 - To provide a spin cleaning device in which the surface density of ultrasonic energy being supplied to a substrate to be cleaned can be adjusted easily, and to provide a cleaning method employing that device.
被洗浄基板に供給される超音波エネルギーの面密度を容易に調整可能な、スピン洗浄装置およびその装置を用いた洗浄方法を提供することである。 - 特許庁 - Furthermore, a non-magnetic spacer layer 23, a magnetic field generation layer (FGL) 24 including a high saturation magnetic flux density layer (high Bs layer), and a cap layer 25 are sequentially formed on the spin injection layer 22.
さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。 - 特許庁 - In wash-treatment sections 5a-5d, high-density ozone water is supplied onto the surface of a substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.
洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０から高濃度オゾン水が供給される。 - 特許庁 - To provide a spin torque oscillating element capable of stably oscillating at low current density and having high intensity of an in-plane high frequency magnetic field, and to provide a magnetic recording head, a magnetic head assembly and a magnetic recording device.
低電流密度で安定して発振が可能であり、かつ、面内高周波磁界の強度の高いスピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a spin torque oscillator capable of stably oscillating with a low current density and also having a high intensity of an in-plane high frequency magnetic field, and to provide a magnetic recording head, a magnetic head assembly, and a magnetic recorder.
低電流密度で安定して発振が可能であり、かつ、面内高周波磁界の強度の高いスピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor thin film of good crystallinity is formed by performing solid phase growth for a non-single crystalline semiconductor thin film whose hydrogen content is 7×10^19 to 3×10^20 cm^-3 and spin density is 2×10^19 to 5×10^19 cm^-3.
含有水素量が7×10^19〜3×10^20cm^−3、スピン密度が2×10^19〜5×10^19cm^−3である非単結晶半導体薄膜を固相成長して、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide an optical disk manufacturing method which can secure a high-density recording capacity by easily cutting off the bumps formed on the edges of a disk when manufacturing a transmission layer by the spin coat method.
スピンコート法により透過層を製造する時、ディスクの外周部に形成されるバンプを容易に切り取って高密度の記録容量を確保可能にする光ディスク製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording element having a structure suited for spin injection, which can reduce density of current flowing in interconnection and a TMR (tunnel magneto resistive) element, as well as a method of writing into the magnetic recoding element.
スピン注入に適した構造を有し、配線およびＴＭＲ素子に流れる電流密度を抑えることができる磁気記録素子およびこの磁気記録素子への書き込み方法を提供する。 - 特許庁 - A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.
スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁 - The MR data is then fit to an equation that includes the nonlinear function and the images are reconstructed that include T1 or spin density weighting, T2 weighting images, T2*, or T2' weighting.
ＭＲデータは非線型関数を含む式に当てはめられ、Ｔ１またはスピン密度重み付け画像、Ｔ２重み付け画像並びにＴ２^＊またはＴ２’重み付け画像を含む画像が再構成される。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium where the higher density and the higher sensitivity can be realized by forming a recording layer and a dielectric layer through the application of colloidal nanoparticles by a spin coating method or a web coating method, in a high-density optical recording medium for performing recording, reproduction and erasure, using a laser beam.
レーザー光での記録、再生、消去を行なう高密度光記録媒体において、記録層および誘電体層をナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウエッブ塗布して形成することによりさらに高密度化と高感度化を可能とする光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.
電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium, permitting the increase of a density by providing a recording layer with the compatibility of recording, reproducing and erasing through the short wave laser beam of 600 nm or less, further, permitting the increase of density and sensitivity by forming the recording layer through the spin coating or web coating of a nano-grain colloid.
本発明は、記録層に６００ｎｍ以下の短波レーザー光での記録、再生、消去適正を付与することで高密度化を可能とし、さらにこの記録層をナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウエッブ塗布して形成することにより高密度化と高感度化を可能とする光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - This technique allows rapid acquisition of T2 weighted MR images using gradient echo imaging, and also allows the acquisition of T1 weighted or spin density images, T2* or T2' weighted images all from the same data set.
勾配エコー画像形成を使用してＴ２重み付けＭＲ画像の高速取得を可能にし、Ｔ１重み付けまたはスピン密度画像並びにＴ２^＊またはＴ２’重み付け画像を同一のデータの組から取得することを可能にする。 - 特許庁 - To obtain a magnetoresistive head having a spin valve element, capable of narrowing a track not companied with the reduction of reproducing sensitivity and reproducing recorded signals in high sensitivity from the track having a narrow width of a magnetic recording medium having the signal recorded in a high density.
スピンバルブ素子を備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、再生感度の低下を伴わずに狭トラック化が可能で、信号が高密度記録された磁気記録媒体の幅の狭いトラックから記録信号を高感度で再生することのできるものを得る。 - 特許庁 - To provide means for reducing current density required for spin injection magnetization reversal, to provide means for performing magnetic writing operation directly conducting a current to a memory cell without utilizing an external magnetic field, and further to provide a high density magnetic recording apparatus for enabling record reading operation in an equivalent device structure.
スピン注入磁化反転に要する電流密度を低減化する手段を提供するとともに、高密度磁気記録装置の磁気的メモリーセルに対して、外部磁場を利用することなく、メモリーセルに直接電流を流すことにより磁気的書き込み操作を行う手段を提供し、かつ、同等の素子構造において記録読み取り操作を可能とする高密度磁気記録装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.
書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To highly reliably evaluate the density and the origin of a defect in an insulation film or in a semiconductor film by surely securing an electrical contact for electric detection electronic spin resonance measurement and remarkably reducing noise caused by contact resistance or the like.
本発明は、電気検出電子スピン共鳴測定に対して、電気的接触の確実な確保が可能となり、接触抵抗等に由来するノイズを大幅に低減し、絶縁膜、もしくは、半導体膜中の欠陥の密度、起源の、信頼性の高い評価することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium having higher adhesion and durability than before while enabling the enhancement of density by forming a recording layer enabling recording, reproduction and erasure by the irradiation with laser beam by the spin coating or web coating of nano particle colloid.
本発明は、レーザー光を照射することにより記録、再生、消去を可能とする記録層を、ナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウェブ塗布することによって形成することにより、高密度化を可能としながら、従来に比べて密着性および耐久性の高い光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - To achieve the compatibility of the reduction of critical current density J_C, the improvement in output voltage, and the prevention of malfunction in order to obtain a large capacity (exceeding G bit) MRAM by spin-transfer torque writing method MRAM (STS-MRAM), being related to a magnetic storage device and its method of operation.
磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。 - 特許庁 - This aromatic polyimide film having low heat shrinkage-stress and high adhesion is characterized by having ≤10 MPa heat shrinkage stress and 75-150 mN/m surface free energy and has ≥1×10^15 spins/g electron spin density.
熱収縮応力が１０（MPa）以下で表面自由エネルギーが７５［ｍＮ／ｍ］〜１５０［ｍＮ／ｍ］であることを特徴とする低熱収縮応力高接着芳香族ポリイミドフィルムであり、また、電子スピン密度が１×１０^15 ［spins／ｇ］以上である低熱収縮応力高接着芳香族ポリイミドフィルムである。 - 特許庁
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