「split electrode」を含む例文一覧(112)
＜前へ 1 2 3 次へ＞- In a ^11B-MQMAS solid-state NMR spectrum for the positive electrode in a charge state, a peak belonging to the boron atom is split into three.
充電状態での正極の^１１Ｂ−ＭＱＭＡＳ固体ＮＭＲスペクトルにおいて、ホウ素原子に帰属するピークが３つに分裂する。 - 特許庁 - To provide a split-gate flash memory device preventing misalignment of active region and a floating gate electrode, and to provide its manufacturing method.
アクティブ領域及びフローティングゲート電極のミスアラインを防止することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A retardation compensating element 57 is provided between a reflective electrode of a reflective display element 54 and a polarization and split layer 64 of a polarization beam splitter 51.
反射表示素子５４の反射電極と偏光ビームスプリッタ５１の偏光分離層６４との間に、位相差補償素子５７を設ける。 - 特許庁 - A capacitor section 10 has two split electrodes 12 and 13 on one surface and a common electrode 14 on the other surface wherein the common electrode 14 is mounted on a ground metal 20 and connected with the ground metal 20.
コンデンサ部１０は、一面に２つの分割電極１２、１３を有し、他面に共通電極１４を有し、接地金具２０に搭載され、共通電極１４が接地金具２０に接続されている。 - 特許庁 - To provide a technology for reducing a shortage between a selective gate electrode and a memory gate electrode in a semiconductor device having a MONOS type non-volatile memory cell of a split gate structure.
スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極とメモリゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - A margin 5 that extends in a direction intersecting metalicon electrodes 6, 7 and dividing the deposition electrode 2 to a plurality of split electrodes 2a, 2b is provided on a metalized film 3 having a deposition electrode 2.
蒸着電極２を有する金属化フィルム３に、メタリコン電極６、７とは交差する方向に延びると共に蒸着電極２を複数の分割電極２ａ、２ｂに分割するマージン部５を設ける。 - 特許庁 - Insulating films 5 with charge storage layers 5b formed therein are formed between a memory gate electrode MG6n and a p-type well PW1 and between a control gate electrode CG4n and a memory gate electrode MG6n of a split-gate type nonvolatile memory.
スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧ６ｎとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧ４ｎとメモリゲート電極ＭＧ６ｎとの間には、内部に電荷蓄積層５ｂを有する絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁 - In this pyroelectric temperature compensated infrared sensor having structure arranged with a photoreception main electrode 2 and the temperature compensated electrode 3, on a pyroelectric ceramic plate 1, the temperature compensated electrode 3 is constituted of a plurality of split electrodes 33, the split electrodes 33 constituting the temperature compensated electrode 3 are arranged in a position not affected substantially by the infrared ray from the detection area, in a relation with an opening part 11 of a package.
焦電セラミック板１上に、受光主電極２と温度補償電極３とが配設された構造を有する焦電型温度補償型赤外線センサにおいて、温度補償電極３を複数の分割電極３３から構成し、温度補償電極３を構成する分割電極３３を、パッケージの開口部１１との関係において、検知エリアからの赤外線の影響を実質的に受けない位置に配設する。 - 特許庁 - A pin hole 1b of which axial direction is nearly parallel with an electrode rod 2 is continuously formed in the bottom part of bolt hole 1c of a split-type terminal 1 made of a copper alloy.
銅合金製の割り型端子１のボルト穴１ｃの底部には軸方向が電極棒２と略平行なピン穴１ｂが連通されている。 - 特許庁 - An organic EL display panel 10 and a split-drive circuit 50 are positioned in place so that a connecting terminal 56 of the anode side of the split-drive circuit 50 may be jointed to the lead-out wiring 22 of the transparent anode electrode 14 side and a connecting terminal 58 of the cathode side may be jointed to the lead-out wiring 26 of the cathode electrode 16 side.
分割駆動回路５０のアノード側の接続端子５６が、透明アノード電極１４側の引出配線２２に接合し、カソード側の接続端子５８が、カソード電極１６側の引出配線２６に接合するように、有機ＥＬディスプレイパネル１０と分割駆動回路５０を位置合わせする。 - 特許庁 - To provide an electric dust collecting unit in which on condition that at least a ground electrode between the ground electrode and a high voltage electrode constituting a dust collecting part is made of resin and is split into several pieces, such split bodies are easily and reliably connected to attain improvement in the workability, and even when used over a long term, the reliability of the electric connection can be retained.
本発明は、集塵部を構成するアース電極と高圧電極のうち、少なくともアース電極が樹脂製で、かつ複数に分割されていることを前提として、これらの分割体相互を容易に、かつ確実に連結して作業性の向上を得るとともに、長期に亘る使用であっても電気的接続の信頼性を保持できる電気式集塵ユニットを提供する。 - 特許庁 - To provide a technique by which a short circuit of a selection gate electrode and a control gate electrode can be suppressed, and a short circuit failure between both can be reduced in a semiconductor device having a MONOS-type nonvolatile memory cell of a split gate structure.
スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極と制御ゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - The second electrode 22 is formed of two split electrode bodies 22a and 22b which face each other with a path of the ions 4 between and are given different potentials V2a and V2b to deflect the ions.
そして、第２の電極２２を、イオン４の経路を挟んで相対向していて互いに異なる電位Ｖ２ａ、Ｖ２ｂが与えられてイオン４を偏向させる二つの電極体２２ａ、２２ｂに分けて構成している。 - 特許庁 - The element isolation region of an IGBT chip 21 is divided into 19 blocks 22, where cells are provided in array, and a split gate electrode 30a is provided to each of the blocks 22.
ＩＧＢＴのチップ２１の素子形成領域は、セルが配列形成された１９個のブロック２２に分割され、各ブロック２２には分割ゲート電極３０ａが形成される。 - 特許庁 - This porous electrode material for the polymer electrolyte fuel cell contains carbon short fiber practically dispersed in random directions in a two dimensional plane, and split fiber having a fibril part, and the carbon short fiber is bound with the split fiber.
実質的に二次元平面内においてランダムな方向に分散した炭素短繊維と、フィブリル部を有する分割繊維とを含み、該炭素短繊維が該分割繊維により結着されたことを特徴とする固体高分子型燃料電池用多孔質電極基材。 - 特許庁 - In order to manufacture a photovoltaic module, a front electrode layer 3, a semiconductor layer 4 and a rear electrode layer 5 are machined in pattern using split lines 8 so that serially connected cells (C_1, C_2, ..., C_n, C_n+1) can be formed.
光起電モジュールを製造するために、前側電極層３、半導体層４、および後ろ側電極層５が、直列接続されたセル（Ｃ_１、Ｃ_２、・・・、Ｃ_ｎ、Ｃ_ｎ＋１）を形成するように分割線８によってパターン加工される。 - 特許庁 - In a cell corresponding to two neighboring partition walls 30, a pair of display electrodes 22, 23 (scan electrode 22, sustaining electrode 23), made of metal materials (Ag or Cr/Cu/Cr, etc.), are provided split in three thin line parts 22a-22c, 23a-23c respectively.
2つの隣接する隔壁30に対応したセル内において、金属材料（AgまたはCｒ/Cｕ/Cｒなど）からなる一対の表示電極22、23（スキャン電極22、サステイン電極23）をそれぞれ3本の細いライン部22a〜22c、23a〜23cに分割して配設する。 - 特許庁 - Each of at least some of these regions has a pixel electrode split into two halves, and a counter-electrode 8 arranged to apply a first electric field for controlling the liquid crystal director 12 out-of-plane tilt angle.
これらの領域のうちの少なくとも一部のそれぞれは、２つの半部に分割される画素電極と、液晶ダイレクタ１２面外チルト角を制御するための第１電界を印加するように構成される対向電極８とを有する。 - 特許庁 - To provide an ultrasonic probe and a method for manufacturing the same for suppressing damage, such as split of a vibrator, even when another member of the ultrasonic probe is pressed and adhered onto an electrode.
電極上に超音波探触子の他の部材を加圧接着しても、振動子に割れ等の損傷を抑制する超音波探触子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then the dielectric filter block 1 is divided at a split plane passing through the signal input output electrode 5 and in crossing with the inner conductor forming hole 2 so as to obtain two dielectric filters.
その後、信号入出用電極５を通り、且つ内導体形成用孔２に交差する分割面で誘電体ブロック１を分割することにより、２つの誘電体フィルタを得る。 - 特許庁 - After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.
半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁 - The semiconductor storage device is formed by splitting a memory array into a plurality of mats 11, and a transistor element 18 is arranged between cell counter electrode plates 17 of each mat split as a switching device.
半導体記憶装置はメモリアレイが複数のマット１１に分割形成されてなり、分割された各マットのセル対極プレート１７間にトランジスタ素子１８をスイッチ素子として配置する。 - 特許庁 - The electrode may have a split structure into a plurality of segments, a bent structure, or be equipped with a plurality of through holes, or may be held pinchedly by an electricity collector having resilience.
また、電極は複数に分割したもの、屈曲させたもの、複数の貫通孔を有するもののいずれかとしてもよく、また弾性を有する集電体により挟持してもよい。 - 特許庁 - Stimulation electrodes of the first to third IDT electrodes are configured of split electrodes in pairs with two positive electrode fingers and two negative electrode fingers, weighting is applied to each stimulation electrode of either or both of the second and third IDT electrodes 2, 3, and the electrode structure of each of the second and third IDT electrodes 2, 3 is made asymmetrical relative to the center of the first IDT electrode 1.
第１〜第３のＩＤＴ電極は、正電極指２本と負電極指２本を１対としたスプリット電極で励振電極を構成し、第２及び第３のＩＤＴ電極２、３のどちらか一方、又は両方の励振電極に重み付けを施し、第１のＩＤＴ電極１の中心を基準として第２及び第３のＩＤＴ電極２、３の電極構造を互いに非対称にする。 - 特許庁 - The detection circuit generates a drive signal in response to the scanning drive signal and the controller determines a complex impedance across the at least one pair of split electrode pads as a function of the drive signal.
検出回路は、走査駆動信号に応じて駆動信号を発生し、そしてコントローラーは、駆動信号の関数として少なくとも１対の分割電極パッドにおける複素インピーダンスを決定する。 - 特許庁 - After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.
半導体基板１Ｓｕｂの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁 - The split electrodes constituting the temperature compensated electrode are arranged in a position substantially symmetrical with the opening part of the package as the center, when viewed from a direction perpendicular to a main face of the pyroelectric ceramic plate.
また、温度補償電極を構成する分割電極を、焦電セラミック板の主面に垂直な方向から見た場合に、パッケージの開口部を中心として略対称となる位置に配設する。 - 特許庁 - One connecting terminal 2 which is interposed between the electrode of an electronic component and a substrate or between the electrodes of a plurality of electronic components is composed of a plurality of split connecting terminals 2A.
電子部品の電極と基板の電極との間、或いは、複数の電子部品の電極との間に介在させる１個の接続端子２が複数の分割接続端子２Ａからなっている。 - 特許庁 - The center part 16a of one split electrode of the oscillator 12 is formed by a laser, from the inside of the position corresponding to one node part to the outside of the position, corresponding to the other node part.
振動子１２の一方の分割電極の中央部１６ａは、一方のノード部分に対応する位置の内側から他方のノード部分に対応する位置の外側にレーザで形成される。 - 特許庁 - A center part 16b of the other split electrode of the oscillator 12 is formed by the laser, from the outside of the position corresponding to one node part to the inside of the position corresponding to the other node part.
振動子１２の他方の分割電極の中央部１６ｂは、一方のノード部分に対応する位置の外側から他方のノード部分に対応する位置の内側にレーザで形成される。 - 特許庁 - A signal processing adapter comprises: a circuit board for converting a transferred video signal into an analog video signal; a video signal electrode (split rod) that can be adhered to an analog video terminal for receiving the analog video signal; and a lead wire, that can be cut, connecting the circuit board and the video signal electrode.
信号処理アダプタは、転送されたビデオ信号をアナログビデオ信号に変換する回路基板と、前記アナログビデオ信号を受けるアナログビデオ入力端子に接着可能なビデオ信号電極（先割ロッド）と、前記回路基板と前記ビデオ信号電極とを繋ぐ切断可能なリード線とを具備する。 - 特許庁 - A feed radiation electrode 14 which is split into branch radiation electrodes 16 and 17 is provided on the surface of a base body 10, and non-feed radiation electrodes 18 and 19 are provided on each side of the feed radiation electrode 14 so as to be adjacent to the branch radiation electrodes 16 and 17 respectively.
基体１０の表面に、２つの分岐放射電極１６，１７に分けた給電放射電極１４を設け、この給電放射電極１４の両側には、夫々の分岐放射電極１６，１７に近接して無給電放射電極１８，１９を設ける。 - 特許庁 - In the discharge chamber 1, (n) sheet-like split electrodes 12 are located on an electrode attaching plane 11, which is provided on the inner wall, at slight intervals (a) along the axial direction and tightly fixed via a sheet-like insulator 13.
放電室１は、内壁に設けた電極取付面１１にｎ片のシート状の分割電極１２を僅かな間隙ａを空けて軸方向に沿って配列し、シート状の絶縁体１３を介して密着固定する。 - 特許庁 - To provide a technology for improving the reliability of a nonvolatile semiconductor memory device, and, in particular, to provide a technology for surely supplying power to a memory gate electrode of a split gate transistor.
不揮発性半導体記憶装置の信頼性を向上できる技術を提供することにあり、特に、スプリットゲート型トランジスタのメモリゲート電極への給電を確実に行なうことができる技術を提供する。 - 特許庁 - The split piece 332 is deflected, expanded to an outer peripheral side, and pressed against an inner peripheral face of a through-hole 212 of the neutralization tank 2 by screwing in the electrode 4 composed of a screw member with respect to an insertion hole 36.
挿入孔３６に対し、ネジ部材により構成された電極４をねじ込むことにより、分割片３３２が撓んで外周側へ拡開して、中和タンク２の透孔２１２の内周面に押し付けられる。 - 特許庁 - The electrode structural body 24 is assembled with the center part of a torch main body through a collet 25 made of peripherally four-split structure comprising right and left collet bodies 25a and forward and rear spacer bodies 25b and projected downward through a gas cup.
電極構造体２４を、左右のコレット体２５ａと前後のスペーサ体２５ｂとからなる周方向４分割構造としたコレット２５を介し、トーチ本体の中央部に組み付け、ガスカップを通し下方へ突出させる。 - 特許庁 - Then each emitter electrode 4 is split into emitter electrodes 4a-4d and each of the division emitter electrodes 4a-4d is grounded to a ground conductor 9 via bonding wires (inductive elements) 12a-12d.
そして、エミッタ電極４を、エミッタ電極４ａ〜４ｄに分割し、これら分割したエミッタ電極４ａ〜４ｄ各々を、それぞれボンディングワイヤ（インダクタンス素子）１２ａ〜１２ｄを介して接地導体９に接地する。 - 特許庁 - The mass spectroscopy device has an insertion electrode of a shape split into two or more in axial direction arranged in the ion trap, and an electrostatic harmony potential is formed by DC voltage impressed on the insertion electrode, and ions in the ion trap are vibrated in axial direction by resonance excitation by an auxiliary AC voltage impressed between the split insertion electrodes, thereby, ions in a specific range of mass charge ratio are dissociated mass-selectively.
本発明の質量分析装置は、イオントラップの中に軸方向に２つ以上に分割された形状の挿入電極を配置し、挿入電極に印加する直流電圧で静電調和ポテンシャルを形成し、分割された挿入電極の間に印加する補助交流電圧によりイオントラップの中のイオンを共鳴励起により軸方向に振動させ、特定の質量電荷比範囲のイオンを質量選択的に解離する。 - 特許庁 - An oxidizer gas discharging communicating hole 54 and a fuel cell gas discharging communicating hole 50 to compose the oxidizer gas passage 62 and the fuel gas passage 64 and to discharge oxidizer gas and fuel gas which have passed through an electrode reaction surface are provided between cathode side electrodes 40a, 40b split into two and between anode side electrodes 42a, 42b split into two, respectively.
酸化剤ガス流路６２および燃料ガス流路６４を構成し、電極反応面内を通過した酸化剤ガスおよび燃料ガスを排出するための酸化剤ガス排出連通孔５４および燃料ガス排出連通孔５０は、２分割されるカソード側電極４０ａ、４０ｂ間およびアノード側電極４２ａ、４２ｂ間に設けられている。 - 特許庁 - At least one or more electrode grooves 54c comprises a first recess 54a connected to a recess (an example of groove) 54 formed by an intaglio manufacturing step 20; and a second recessed part 54b formed to the bottom side of the first recessed part 54a are provided to a border 33, and the substrate is split at the border 33 (split step 28).
凹版製造工程２０で形成した凹部（溝の一例）５４に連結された第１の凹部５４ａと、この第１の凹部５４ａの底面に形成された第２の凹部５４ｂとから成る電極用溝５４ｃを境界部３３に少なくとも一つ以上設けるとともに、この境界部３３で切断して分割（分割工程２８）するものである。 - 特許庁 - In an electric double layer capacitor comprising an electrode principally comprising a carbon material, and an electrolyte solution containing an electrolyte having anion containing fluorine atom, the electrode in which a peak belonging to the anion of electrolyte is split into three when ^19F NMR spectrum is measured under a state where the electrode is impregnated sufficiently with the electrolyte is combined with the electrolyte.
炭素材料を主成分とする電極とフッ素原子を含むアニオンを有する電解質を含む電解液とを備える電気二重層キャパシタにおいて、前記電極に電解液を十分に含浸させた状態で^１９Ｆ ＮＭＲスペクトルを測定した際に、電解質のアニオンに帰属するピークが３本に分裂する電極と電解液との組み合わせを使用する。 - 特許庁 - There are provided an electrostrictive material formed in a plate shape, a first electrode provided on one surface of the electrostrictive material, a triangular projection structure which is provided on the first electrode and whose cross section is formed in an inverted V shape, and a second electrode which is provided on the other surface of the electrostrictive material and is split at the position facing the tip of the triangular projection structure.
板状に形成された電歪材と、その電歪材の一方の表面上に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられ、断面が逆Ｖ字状に形成された三角突起構造体と、電歪材の他方の表面上に設けられ、三角突起構造体の頂点と対向する位置で分割された第２の電極と、を備える。 - 特許庁 - The first electrode film 11, the first semiconductor film 12, the second semiconductor film 13, and the second electrode film 14 are respectively split by a plurality of first splitting grooves 15, a plurality of second splitting grooves 16, a plurality of third splitting grooves 17, and a plurality of fourth splitting grooves 18, which are arranged in a stripe shape.
第１電極膜１１、第１半導体膜１２、第２半導体膜１３および第２電極膜１４は、それぞれ、ストライプ状に配置された複数の第１分割溝１５、複数の第２分割溝１６、複数の第３分割溝１７および複数の第４分割溝１８によって分割されている。 - 特許庁 - A bus bar 5 (electrode terminal connecting member) has a conical-shaped fitting hole 14 formed therein, with its breadth dimension gradually reduced from the tip 4a side of the electrode terminal 4 toward the battery container 11 side, so that the split bodies 4c can be elastically deformed so as to get close to each other by the bus bar 5 to fit into the fitting hole 14.
バスバー（電極端子接続部材）５は、電極端子４の先端４ａ側から電池容器１１側に向って幅寸法が小さくなる円錐状の嵌合穴１４が形成され、嵌合穴１４にバスバー５が分割体４ｃを互いに近接させるように弾性変形させて嵌合されている。 - 特許庁 - In a capacitor holding substrate where a capacitor is formed on an inner layer or a surface layer and used as a bypass capacitor in the power supply section or control section of an active component, an electrode 106 on the earth electrode side of the capacitor is split into electrodes 106a, 106b.
コンデンサが内層もしくは表層に形成され、そのコンデンサが能動部品の電源部もしくは制御部のバイパスコンデンサとして使用されるコンデンサ保持基板であって、コンデンサの接地電極側の電極１０６が、電極１０６ａ、１０６ｂに分割されていることを特徴とするコンデンサ保持基板。 - 特許庁 - A split word lid configuration without using any plate lines is formed, and a capacitor is formed at a trench provided at an insulation layer that is formed on a substrate so that a transistor can be insulated while the first electrode directly comes into contact with the substrate.
プレートラインを使用しないスプリットワードライン構成とし、トランジスタを絶縁するように基板上に形成させた絶縁層に設けたトレンチにキャパシタをその第１電極が基板に直接接触するように形成させた。 - 特許庁 - N-pieces of sheet split electrodes 2 are placed at small gaps (a) on an electrode mounting face 1 provided on the bottom of a plane container and closely fixed to each other via sheet insulators 3 superior in electric insulation and heat conductivity.
平面容器の底面に設けた電極取付面１にｎ片のシート状の分割電極２を僅かな間隙ａを空けて敷き詰め、電気絶縁性と熱伝導性に優れたシート状の絶縁体３を介して密着固定する。 - 特許庁 - To provide a technique for obtaining a diffraction optical element for which manufacturing processes of relief structure and a pattern electrode, etc. are unnecessary, which operates without imparting voltage, having large diffraction efficiency and with which deviation, condensing and polarization split effects are obtained and its element.
レリーフ構造やパターン電極などの作製工程が不要で、電圧を印加することなしに動作し、大きな回折効率を有する偏向、集光及び偏光分離効果が得られる回折光学素子を得る手法及びその素子を提供する。 - 特許庁 - To improve charge retention characteristics and to make a gate electrode low in resistance in a nonvolatile memory cell having a split gate structure wherein a MOS type transistor for nonvolatile storage using a charge accumulation film and a MOS transistor for selecting this are adjacent to each other.
電荷蓄積膜を用いる不揮発性記憶用ＭＯＳ型トランジスタと、これを選択するＭＯＳ型トランジスタが隣接するスプリットゲート構造を有する不揮発性メモリセルにおいて、電荷保持特性を向上し、ゲート電極を低抵抗化する。 - 特許庁 - In another way, the solution is dropped onto each divided pixel electrode group composed of the plurality of the divided pixel electrodes 3 with the inkjet method, and then the dropped solutions are split to respective divided pixel electrodes 3, so that the solution is applied selectively.
又は、複数の分割画素電極３からなる分割画素電極群の各々に対し溶液をインクジェット法で滴下した後、滴下された溶液を各分割画素電極３に対応して分離させることにより、溶液を選択的に塗布する。 - 特許庁
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