「split-gate」を含む例文一覧(138)
1 2 3 次へ＞- SPLIT GATE MEMORY CELL
スプリットゲート型メモリセル - 特許庁 - SPLIT-GATE TYPE MEMORY CELL
スプリットゲート型メモリセル - 特許庁 - SPLIT GATE FLASH MEMORY
スプリットゲート型フラッシュメモリ - 特許庁 - OUTER FORM FOR BAMBOO SPLIT TYPE PIT GATE
竹割型坑門用外型枠 - 特許庁 - METHOD OF FORMING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY
スプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE
スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁 - SPLIT GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
スプリットゲートメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
分割ゲート型金属酸化物半導体デバイス - 特許庁 - SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE
スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT-GATE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
スプリットゲート型半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR INTEGRATING SIDE WALL SPLIT GATE FLASH TRANSISTOR
サイドウオ—ルスプリットゲ—トフラッシュトランジスタの集積方法 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
スプリットゲート型メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
スプリットゲート型不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - SPLIT GATE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
スプリットゲート不揮発性メモリ装置及びそれの形成方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE NONVOLATILE STORAGE UNIT AND ITS MANUFACTURING METHOD
スプリットゲート型不揮発性記憶装置及びその製造方法 - 特許庁 - IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE
分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁 - To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.
消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - SPLIT-GATE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS
スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a split-gate semiconductor memory device.
スプリットゲート型半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a split-gate nonvolatile memory device.
スプリットゲート型の不揮発性メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT WITH MOSFET INCLUDING SPLIT WORK FUNCTION GATE
スプリット仕事関数ゲートを含むＭＯＳＦＥＴを有する集積回路 - 特許庁 - A split gate is composed of the first and second gates 204, 210a.
スプリットゲートは、第１ゲート(204)及び第２のゲート(210a)によって構成される。 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁 - To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SAME
スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - SPLIT GATE DRIVING SYSTEM FOR IMPROVING RELIABILITY OF VOLTAGE OPERATION RANGE
電圧作動範囲の信頼性を改善するためのスプリットゲート駆動方式 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.
分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁 - To make sharper the acute angle section of a floating gate that opposes an erase gate, in a split-gate type nonvolatile semiconductor storage.
スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、消去ゲートと対向するフローティングゲートの鋭角部をより尖らせること。 - 特許庁 - A split gate structure (84) including a first gate electrodes (48, 87) controls the first MOSFET device (41).
第１ゲート電極（４８，８７）を含む分割ゲート構造（８４）は、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス（４１）を制御する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING AND OPERATING TRENCH SPLIT GATE NONVOLATILE FLASH MEMORY
トレンチスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル構造を形成、および操作する方法 - 特許庁 - To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.
ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.
スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁 - To provide a highly integrated split gate type nonvolatile semiconductor memory device.
高集積化されたスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - COMBINED SELF-ALIGNED SOURCE AND ONO CAPACITOR FOR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY
スプリット・ゲート不揮発性メモリ用の組み合わされた自己整合ソースおよびＯＮＯキャパシタ - 特許庁 - SELF ALIGNED SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
自己整列スプリットゲート型の不揮発性半導体メモリ素子、及びその製造方法 - 特許庁 - The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.
ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁 - To provide a method of forming a split gate type flash memory which enables to form a tip of a floating gate into an acute angle.
フローティングゲートのチップ部分を鋭角に形成することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
