「sputtered」を含む例文一覧(401)
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多色スパッタ模様ベル - 特許庁 - The match sputtered out.
マッチはジューッと音を立てて消えた. - 研究社 新英和中辞典 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERED FILM
スパッタ膜の製造方法 - 特許庁 - RE-SPUTTERED COPPER SEED LAYER
再スパッタされる銅シード層 - 特許庁 - “Who…who are you?" he sputtered in surprise.
「だ, だれだ, お前は」と彼はびっくりして言った. - 研究社 新英和中辞典 - Eggs sputtered in the frying pan.
卵がフライパンの中でジューと音を立てた - Eゲイト英和辞典 - ULTRAVIOLET LIGHT SCREENING FABRIC SPUTTERED WITH METAL
金属をスパッタリングした紫外線防止布 - 特許庁 - The transparent conductive membrane 3 is formed as a laminate of sputtered layers of three or more layers (first sputtered layer 31, second sputtered layer 32, and third sputtered layer 33) by sputtering intermittently divided in three times or more.
透明導電膜３は、３回以上に分けて断続的にスパッタリングすることにより、３層以上のスパッタ層（第１スパッタ層３１、第２スパッタ層３２、第３スパッタ層３３）の積層体として形成されている。 - 特許庁 - DRIP ABSORBER SPUTTERED WITH ANTIBACTERIAL METAL
抗菌性金属をスパッタリングしたドリップ吸収体 - 特許庁 - A Ti sputtered layer 11 and a Cu sputtered layer 13 are formed on the whole surface of the surface side of a base board 3.
ベース基板３の表側の表面全体に、Ｔｉスパッタ層１１及びＣｕスパッタ層１３を形成する。 - 特許庁 - Thus, the upper surface of the gate 4 is sputtered, and a suppression film 4s is formed by the material of the sputtered gate 4 (Figure 1 (c)).
これにより、ゲート４の上面がスパッタリングされ、同スパッタリングされたゲート４材料により、抑制膜４ｓが形成される（図１（ｃ））。 - 特許庁 - A part of a sputtered layer 21 is eliminated by etching.
次に、エッチングにより、スパッタ層２１の一部を除去する。 - 特許庁 - Then, the above sputtered thin film is heat-treated (step S20).
次に、前記スパッタリング薄膜に対して熱処理を施す（ステップＳ２０）。 - 特許庁 - To control sputtered amount on a target surface more in details and more precisely.
ターゲット表面の被スパッタ量を、より詳細かつ精密に制御する。 - 特許庁 - COMPOSITE TARGET FOR SPUTTERING, SPUTTERING METHOD AND SPUTTERED FILM
スパッタ用コンポジットターゲット，スパッタ方法，スパッタ膜 - 特許庁 - To provide a magnet system having a uniformly sputtered target surface.
ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。 - 特許庁 - To make an opening for supplying gas unlikely to be sputtered.
ガスを供給する開口部がスパッタされにくくなるようにする。 - 特許庁 - To prevent an opening for supplying a gas from being sputtered.
ガスを供給する開口部がスパッタされにくくなるようにする。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR FORMING SPUTTERED DOPE-FINISHED SEED LAYER
スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 - 特許庁 - In addition, titanium is sputtered to form a film on the surface where the alumina ceramic is exposed to the vacuum side, and platinum is sputtered to form a film having a thickness of 10 μm on it, in order to form a platinum sputtered film 5 with a titanium backing.
さらに、アルミナセラミックスが真空側に露出している面に、チタンをスパッターで膜成形し、その上に白金をスパッターにより10μｍの厚さに成膜して、チタン下地の白金スパッター膜５を形成した。 - 特許庁 - The conductor layer 3 is composed of a first sputtered layer 31 formed by sputtering copper on the upper surface of the film 2 at a temperature of 150-280°C and a second sputtered layer 32 formed by sputtering copper on the upper surface of the first sputtered layer 31 at a temperature of -20°C to 150°C.
導体層３は，ポリイミドフィルム２の上面に，１５０〜２８０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第１スパッタ層３１と，第１スパッタ層３１の上面に，−２０〜１５０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第２スパッタ層３２とからなる。 - 特許庁 - Subsequently, a titanium (Ti) film is sputtered and a nickel (Ni) film is spattered on the titanium film.
その後、チタニューム（Ｔｉ）膜をスパッタし、その上にニッケル（Ｎｉ）膜をスパッタする。 - 特許庁 - The sensitivity is raised especially to metal in a tendency to be sputtered as the positive ion.
感度は、正イオンとしてスパッタリングされる傾向にある特に金属に対して高められる。 - 特許庁 - A graphite target 7 is sputtered in ECR plasma essentially consisting of nitrogen.
黒鉛ターゲット７を、窒素を主成分とするECRプラズマによってスパッタする。 - 特許庁 - By the magnetic field, the ionization of the particles to be sputtered is promoted, and self-sputtering stably occurs.
磁場により被スパッタリング粒子のイオン化が促進されセルフスパッタリングが安定して起こる。 - 特許庁 - A resist pattern 25 is formed on the whole surface of the Cu sputtered layer 13.
次に、Ｃｕスパッタ層１３の表面全体に、レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁 - A diamond like carbon(DLC) protective film 22 is sputtered on the first magnetic film.
更に、第１の磁性膜上にダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）保護膜２２がスパッタリングされる。 - 特許庁 - The intermediate layer is preferably of sputtered titanium nitride and increases the surface area of the carbonaceous outer layer.
中間層は、好ましくはスパッタされた窒化チタンからなり、炭素質外層の表面積を増大させる。 - 特許庁 - To provide a thin film deposition apparatus capable of stabilizing plasma during sputtering and maintaining the thickness of a sputtered film on a substrate constant.
スパッタリングにおけるプラズマを安定させ、基板のスパッタ膜の膜圧を一定とする。 - 特許庁 - A target supplies a material which is sputtered and ionized by plasma.
ターゲットは、プラズマによってスパッタされイオン化される材料を供給する。 - 特許庁 - The surface of the target 5 is sputtered correspondingly to a magnetic field B formed with the magnetic mechanism 7.
ターゲット５の表面は、この磁石機構７の形成する磁界Ｂに応じて、スパッタされる。 - 特許庁 - A cap metal film is sputtered and heat treated at a specified temperature (step S4).
キャップ金属膜を所定温度の熱処理を兼ねてスパッタ形成する（処理Ｓ４）。 - 特許庁 - The reinforcement material is preferable to be a porous membrane, a fibrous material, fine particles, a binder, a sputtered membrane, or a carbon layer.
補強材は、多孔膜、繊維状物、微粒子、結着剤、スパッタ膜又はカーボン層が好ましい。 - 特許庁 - To prevent adhesion to a wafer caused by sputter particles or a sputtered film through a simple structure.
スパッタ粒子やスパッタ膜に起因するウェハとの癒着現象を簡単な構造で防止する。 - 特許庁 - This ultraviolet light screening fabric sputtered with a metal is characterized in that a metal (1) is stuck fast to a base material (2) by a sputtering method.
基材（２）に、金属（１）をスパッタリング法で密着させたことを特徴とする。 - 特許庁 - As the light scattering reflective layer 4, for example, a ground glass substrate is used on which Pt is sputtered.
光散乱反射層４としては、例えば、すりガラス基板上にＰｔをスパッタしたものを用いる。 - 特許庁 - To form a sputtered film on the surface of an organic thin film without causing any damage.
有機薄膜表にダメージを与えずにその表面にスパッタ膜を形成する。 - 特許庁 - When the bias layer 5 is formed, magnetic crystal grains and non-magnetic insulating material are simultaneously sputtered.
バイアス層５を形成するときに、磁性結晶粒子と、非磁性絶縁物質とを同時にスパッタする。 - 特許庁 - A desired part of the applied film of regions where no sputtered film exists can be selectively cured using the sputtered film as a mask by irradiation with UV from the rear surface side of the substrate 1.
基板１裏面側からの紫外線照射により、スパッタ膜をマスクとして、スパッタ膜が存在しない領域のうち所望部分の塗布膜を選択的に硬化させることができる。 - 特許庁 - The etching of an optical member OW by the ion GI of reaction gas progresses with sputtered particles SP as a mask, and innumerable cone-shaped projections CP are formed corresponding to the positions of the sputtered particles SP.
スパッタ粒子ＳＰがマスクとなって反応ガスのイオンＧＩによる光学部材ＯＷのエッチングが進行し、スパッタ粒子ＳＰの位置に対応してコーン状の突起ＣＰが無数に形成される。 - 特許庁 - A screening tool 39 and a shielding plate 391 prevent sputtered particles which are emitted from the target 30, from mixing with the sputtered particles from the other target 30.
遮蔽具３９及びシールド板３９１は、ターゲット３０から放出されるスパッタ粒子が、別のターゲット３０からのスパッタ粒子に混ざらないようにする。 - 特許庁 - The shutter sheet 15 makes the recess part 15B face to the target 18 when the target 18 is pre-sputtered, and makes its aperture 15A face to the target 18 when the target 18 is seriously sputtered.
そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 - 特許庁 - The film deposition apparatus has an ion beam irradiating unit, a target 105 containing a film forming substance to be sputtered, and a holding unit 112 for holding a substrate 106 on which the sputtered film forming substance is deposited.
成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。 - 特許庁 - To provide a method for measuring emission angle distribution of sputtered particles and a simulation method of film pressure distribution, which can accurately measure the emission angle distribution of the sputtered particles in a sputter equipment.
スパッタ装置におけるスパッタ粒子の放出角度分布を精度よく計測することが可能なスパッタ粒子の放出角度分布計測方法及び膜厚分布のシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, an insulation oxide 35 is sputtered on the joined surfaces 2a and 3a, the insulation oxide 35 is filled at least inside the notched recessed part 19 and mirror finishing is executed to the joined surfaces 2a and 3a where the insulation oxide 35 is sputtered.
その後、接合面２ａ，３ａ上に絶縁酸化物３５をスパッタして、少なくとも切り欠き凹部１９内に絶縁酸化物３５を充填し、絶縁酸化物３５がスパッタされた接合面２ａ，３ａに鏡面加工を施す。 - 特許庁 - The base material for immobilizing the biological substance includes the glass base material, containing the alkaline component, a sputtered SiO_2 film formed on the glass base material, and a silane coupling agent layer combined with the sputtered film.
アルカリ成分を含有するガラス基材、前記ガラス基材上に形成されたＳｉＯ_2スパッタ膜、および前記スパッタ膜と結合したシランカップリング剤層を含む生体物質固定用基材とする。 - 特許庁 - To enlarge an area of a sputtered face as much as possible, and at the same time, improve the efficiency of reflection of electrons emitted from a cathode, while simplifying a mounting structure of a sputtered member and also making a reflecting electrode structure compact.
被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。 - 特許庁 - The target 3 of which the surface to be sputtered is exposed in a treatment chamber 1 is subjected to application of high-frequency voltage by a high-frequency power source 4 and is sputtered.
被スパッタ面が処理チャンバー１内に露出したターゲット３は、高周波電源４によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。 - 特許庁 - One-half of the target 22 is covered by a shielding plate 51, thus shielding sputtered particles sputtered from an erosion area 39 underneath (highest magnetic flux-density area) so as not to fly to a substrate 28.
ターゲット２２の片半分を遮蔽板５１によって覆い、その下のエロージョン領域３９（磁束密度の最も大きな領域）から飛び出たスパッタ粒子が基板２８へ飛来しないように遮断する。 - 特許庁 - In the method or manufacturing the metallic film of the surface acoustic wave filter, after Cr/Al-Cu/Cr is metal-sputtered onto a dielectric substrate, a metal-sputtered wafer is heated at a temperature of 200°C-250°C.
弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法において、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒをメタルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から２５０℃で加熱する。 - 特許庁
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