「static RAM cell」を含む例文一覧(8)

  • LUMINOUS DISPLAY STATIC RAM CORE CELL, STATIC RAM CORE CELL, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
    発光表示装置用スタティックRAMコアセル,スタティックRAMコアセル,および半導体素子 - 特許庁
  • To provide a luminous display static RAM core cell, a static RAM core cell and a semiconductor element that can be applied to the data drive section of an organic EL luminous display.
    有機EL発光表示装置のデータ駆動部に適用することが可能な発光表示装置用スタティックRAMコアセル,スタティックRAMコアセルおよび半導体素子を提供する。 - 特許庁
  • To shorten a cycle time of a static RAM incorporated in a logic integrated circuit as a macro-cell.
    論理集積回路にマクロセルとして搭載されるスタティック型RAMのサイクルタイムを高速化する。 - 特許庁
  • Cell information is referred, and whether the image data read from the DVD-RAM are image data belonging to the static image section or image data belonging to the dynamic image section is decided.
    CELL情報を参照することにより、DVD-RAMから読み出されたピクチャデータが静止画区間に属するピクチャデータであるか動画区間に属するピクチャデータであるかを判定する。 - 特許庁
  • To provide a cell structure of a low-power static RAM which reduces the standby current and can control the data holding voltage.
    スタンバイ電流を低減させ、データ維持電圧を制御し得る低電力スタティックラムのセル構造を提供する。 - 特許庁
  • To provide a SRAM(static RAM) in which an error of a cell ratio based on dispersion of manufacturing is compensated, data holding operation is stable, and write-in operation and recovery operation are fast.
    製造ばらつきに基づくセルレシオの誤差を補償し、データ保持動作が安定で書込み動作及びリカバリー動作が早いSRAMを提供する。 - 特許庁
  • To reduce power consumption of a static RAM by reducing variation of potentials of bit lines 21a, 21b of a true side or a complementary side in write of data in a memory cell 55.
    メモリーセル55においてデータ書込み時のトゥルー側又はコンプリメント側ビット線21a,21bの電位の変化分を減少させ、スタティック型RAMの消費電力を低減する。 - 特許庁
  • A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.
    半導体集積回路装置1は、CMOSFETから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたSRAMセルアレイ11と、SRAMセルアレイ11の1ビット列等の1ビット列ごとに設けられた電源線VL1、GL1等を備えている。 - 特許庁

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