「step coverage」を含む例文一覧(167)
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網羅状況の生成--順を追って説明します - PEAR - If it is usual, depositing is performed over many hours by sputtering power in which coverage (step-difference coverage) is guaranteed.
通常なら、カバレッジ（段差被覆性）の保証されるスパッタパワーで時間をかけて成膜する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS OF IMPROVING STEP COVERAGE ON SUBSTRATE AT LOW TEMPERATURE
低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置 - 特許庁 - To efficiently form a high-quality film having an excellent step coverage.
ステップカバレッジの優れた高品質な膜を、効率よく形成する。 - 特許庁 - In this way, both a step coverage and a film deposition rate are highly held.
これにより、ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing copper seed layer having excellent step coverage.
段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - PRESSURE MODULATION METHOD TO OBTAIN IMPROVED STEP COVERAGE OF SEED LAYER
シード層の改善されたステップカバレージを達成する圧力変調方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR WAFER WITH IMPROVED STEP COVERAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
段差被覆性を向上させた半導体ウェハー及びその製造方法 - 特許庁 - The defect of the ta-C film inferior in step coverage can be covered by forming the DLC film 7 superior in step coverage.
そのため、ステップカバレッジの良いＤＬＣ膜７を形成することにより、ステップカバレッジが劣るというｔａ−Ｃ膜８の欠点をカバーすることができる。 - 特許庁 - To prevent a barrier metal from being undercut, and to make the step coverage satisfactory.
バリアメタルがアンダーカットされてしまうことを防止し、ステップカバレッジを良好にする。 - 特許庁 - To form a thin film of desired film quality while a step coverage is increased.
ステップカバレッジを高めながらそれとともに所望の膜質で薄膜を形成する。 - 特許庁 - Generating coverage analysisGenerating coverage analysis--Step by stepGenerating coverage analysis data Make sure you have a fresh checkout of pear and peardoc directories from cvs.php.net.
網羅状況の生成網羅状況の生成--順を追って説明します網羅状況の解析データの生成 cvs.php.netからチェックアウトしたpear ディレクトリおよびpeardoc ディレクトリが存在することを確認します。 - PEAR - INTERCONNECTION PORTION METALLIZATION PROCESS HAVING STEP COVERAGE EQUAL TO OR MORE THAN 100%
１００％又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス - 特許庁 - A coverage of the fine silica particles in the second covering step is made larger than that in the first covering step.
第二被覆工程でのケイ酸微粒子の被覆率は、第一被覆工程での被覆率よりも大きくなるようにする。 - 特許庁 - To obtain an insulating layer having high dielectric breakdown voltage and large step coverage for a magnetic reading head.
磁気読み取りヘッド用の絶縁破壊電圧が高く、ステップカバレージの大きい絶縁層を得る。 - 特許庁 - Thus, the step coverage can be increased, and the throughput can be kept high.
これにより、ステップカバレジを向上させることができ、スループットも高く維持することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a film deposition method capable of keeping the both of a step coverage and a film deposition rate high.
ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic EL element capable of enhancing step coverage of an organic capping layer.
有機キャッピング層のステップカバレッジを良好にすることができる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - To improve the step coverage of a dielectric film and to reduce the disposal amount of a dielectric substance.
誘電体膜の段差被覆性がよく、かつ誘電体物質の廃棄量を少なくする。 - 特許庁 - The metal compound layer serves as the barrier metal layer, and has excellent step coverage and low resistance.
金属化合物層は障壁金属層として、優れたステップカバーレージ及び低い抵抗を有する。 - 特許庁 - To provide a method for high temperature deposition of an amorphous carbon film having improved step coverage.
改善されたステップカバレージを有するアモルファスカーボン膜を高温堆積するための方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of borderless contact structure for improving the step-coverage of barrier metal.
バリアメタルのステップカバレッジを向上させるボーダレスコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To improve step coverage of Al or an Al alloy layer forming wiring in a method for forming wiring.
配線形成法において、配線を構成するＡｌ又はＡｌ合金層の段差被覆性を改善する。 - 特許庁 - To provide a technique capable of cleanly depositing films such as NS, Pt, NiPt, NiSi, and PtSi, namely, with satisfactory step coverage property or film deposition property.
Ｎｉ，Ｐｔ，ＮｉＰｔ，ＮｉＳｉ，ＰｔＳｉ等の膜を綺麗に、即ち、段差被覆性良く形成できる技術を提供することである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a BGA (ball grid array) of high reliability which prevents disconnection and deterioration of step coverage.
断線やステップカバレージの劣化を防止し、信頼性の高いＢＧＡを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF IMPROVING STEP COVERAGE AT THIN FILM DEPOSITION IN RECESSED PORTION AND APPLICATION TO MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
凹槽に薄膜を沈積させる際のステップカバレージを改善する方法及び半導体素子の製造への適用 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a highly reliable BGA by preventing open circuit and deterioration of step coverage.
断線やステップカバレージの劣化を防止し、信頼性の高いＢＧＡを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To form a silicon nitride layer being excellent in step coverage and having a uniform film thickness in a high-aspect-ratio hole.
高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。 - 特許庁 - The deterioration of step coverage and the hillock are both prevented when the relation 1 μm<W1-W2<4 μm holds.
１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍの関係にあればステップカバレージの低下とヒロックの両方を防止できる。 - 特許庁 - To provide an insulation film having excellent movable ion resistance, heavy metal resistance, and water resistance and exhibiting excellent step coverage.
可動イオン耐性、重金属耐性、耐水性に優れ、かつステップカバレッジに優れた絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metal thin film having a low impurity content, excellent in a step coverage property, and prepared without using high vacuum.
低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of a structure, wherein the step coverage of an electrode in the open end edge part of a contact hole can be improved.
コンタクトホール開口端エッジ部における電極のステップカバレージを向上可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for achieving the conformal step coverage on a substrate by a PVD.
本発明は、ＰＶＤによって基板上にコンフォーマルな段差被覆性を達成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for depositing a conductive plug for improving a step coverage of a contact hole having high aspect ratio.
高いアスペクト比を有するコンタクトホールのステップカバリッジを向上させる導電性プラグの堆積方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a damascene wiring formation method having a seed layer with superior step coverage characteristics, and a structure formed by the method.
ステップカバレージ特性が優秀なシード層を有するダマシン配線形成方法およびその構造体を提供する。 - 特許庁 - To provide a film depositing method capable of depositing a film which is uniform in film thickness, high in step coverage, and excellent in quality.
本発明は膜厚の均一性、良好なステップカバレッジ及び高品質な膜を得る成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To form a capacity insulating film provided with a good step coverage and good film quality without lowering throughput.
スループットを低下させることなく、良好なステップカバレッジ及び良好な膜質を備えた容量絶縁膜を成膜する。 - 特許庁 - To provide a method and a apparatus for achieving the conformal, step coverage on a substrate by an ionized metal plasma deposition.
イオン化金属プラズマ堆積によって、基板上で共形ステップカバレッジを達成する方法と装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a conductive diffusion barrier having a good step coverage and desired characteristics.
良好なステップカバレッジおよび所望の特性を備えた導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method for forming a pattern for reducing manufacturing cost and improving a step coverage.
製造コストを削減を図るとともに、ステップカバレージの向上が図られた半導体装置及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, the TiCl4 is the reaction rate-determination in a thermal chemical reaction, the TiN film 8 having a good step-coverage is formed.
ここでは、ＴｉＣｌ_4を熱化学反応における反応律速とし、ステップカバレージに優れたＴｉＮ膜８を形成する。 - 特許庁 - An electrode 17 whose step coverage is satisfactory is formed in a contact opening 16 composed of the funnelform hole 14a and the second hole 15.
漏斗状孔１４ａと第２の孔１５とから成るコンタクト開口１６にステップカバレージの良い電極１７を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a copper film on barrier metal so that excellent properties of trench filling and step coverage are provided.
優れたトレンチ充填およびステップカバレッジを有するように銅膜をバリア金属上に形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - An electrode 17 having a good step coverage is formed at a contact opening 16 defined by the funnelform hole 14a and the second hole 15.
漏斗状孔１４aと第２の孔１５とから成るコンタクト開口１６にスッテプカバレージの良い電極１７を形成する。 - 特許庁 - Since the shapes of the interlayer insulation films 2 and 3 are improved by the isotropic etching, the metal interconnection layer can be formed with a good step coverage.
等方性エッチングにより層間絶縁膜２，３の形状が改善され、金属配線層がステップカバレージ良く成膜される。 - 特許庁 - To provide a method of forming a gate electrode capable of preventing the generation of voids or seams due to the failure of the step coverage of a conductive film.
導電膜のステップカバレッジの不良によるボイドまたはシームの発生を防止できるゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁 - This method facilitates control of the oxygen content in the SRO, and is especially excellent in step coverage, thus allowing high-quality semiconductor devices to be manufactured.
これにより、ＳＲＯで酸素含量の調節が容易であり、特に、ステップカバリッジに優れており、良質の半導体素子を製造できる。 - 特許庁 - To provide a dielectric memory which has a capacitive insulating film showing a superior step coverage, and has a structure enabling microfabrication.
段差被覆性に優れた容量絶縁膜を備え、且つ微細化の実現が可能な構造を有する誘電体メモリを提供する。 - 特許庁 - By suitably increasing or decreasing the amount of active oxygen or ozone generated in a vapor phase, step coverage can be controlled.
本発明では、気相中に発生した活性酸素またはオゾン量を適宜増減させることにより、ステツプカバレツジをコントロールできる。 - 特許庁 - The method includes a step for forming a trench whose width is further expanded in its lower portion, a step for generating an air gap in the lower corner of the trench by utilizing the step coverage of an insulating substance, and a step for burying the insulating layer in the trench.
半導体基板の所定の領域に下部の幅がさらに広いトレンチを形成する段階と、絶縁物質の段差被覆性（ステップカバレージ）を用いてトレンチの下部コーナーにエアギャップを発生させるとともに、トレンチを絶縁層で埋め込む段階とを含む。 - 特許庁
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