「step pattern」を含む例文一覧(2084)

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  • Voice recognition by pattern matching is performed (a step S4) by using the selected recognized vocabulary and grammar.
    これらの選択した認識語彙及び文法を用いて、パターンマッチングによる音声認識を行う（ステップＳ４）。 - 特許庁
  • The cross sectional shape of the resist pattern before the core forming step is thick in the resist center part and thin in the edge part.
    コアを形成するステップの前のレジストパターンの断面形状は、レジスト中央部が厚く、および端部が薄い。 - 特許庁
  • A rectangular pattern TP1 is recorded by ejecting ink only when a recording head moves leftward (step S1).
    記録ヘッドが左方向へ移動するときのみインクを吐出して矩形パターンＴＰ１を記録する（ステップＳ１）。 - 特許庁
  • When a pattern to be formed on an LSI (Large Scale Integrated circuit) is determined, the data are inputted into a computer in step S2.
    ＬＳＩに形成すべきパターンが決定されると、そのデータがステップＳ２で計算機に入力される。 - 特許庁
  • Also the upper layer 32B of the bank pattern 32 is formed with the same material and in the same step as those of a blue color filter.
    また、土手パターン３２の上層３２Ｂは青色カラーフィルタと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁
  • In a fifth processing step, energy is applied to the initial surface pattern in order to destabilize the sacrificial layer regions 25.
    第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。 - 特許庁
  • Successively, the written checker pattern is read out, and determination of a normal/defective semiconductor apparatus is made (step S203).
    続いて、書き込んだチェッカパターンの読み出を行い、半導体装置の良／不良の判定を行う（ステップＳ２０３）。 - 特許庁
  • A specific sub-collection is selected for retrieval (Step 20) based on the recognized pattern in the search word.
    検索語中の認識されたパターンに基づいて、特定のサブコレクションが検索用に選択される（ステップ２０）。 - 特許庁
  • An image generating means comprising a PC 3 and image processing software generates image data of a gradation pattern (step S1).
    ＰＣ３と画像処理ソフトから成る画像生成手段で、グラデーションパターンの画像データを生成する（ステップＳ１）。 - 特許庁
  • In step 140, the reflected waves of the infrared radiation are received at the receiving section 5, and the received pattern is verified.
    ステップ１４０では、その赤外線の反射波を受信部５で受光し、その受信パターンを確認する。 - 特許庁
  • The method for forming the conductive pattern includes a step of irradiating the substrate with a laser or proximity field light.
    および該基板にレーザまたは近接場光を照射する工程を含む導電パターンの形成方法である。 - 特許庁
  • To prevent resist pattern collapse due to a surface tension during drying rinse liquid in a step for developing a photomask substrate.
    フォトマスク基板の現像工程において、リンス液乾燥時の表面張力によるレジストパターン倒れを防止する。 - 特許庁
  • Applying a dye to the pattern finished with the contours using a brush is a step called 'irosashi' (literally 'applying color').
    輪郭が完成した模様に筆や刷毛で染料を染め付けていくのが「色挿し」と呼ばれる工程である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • That is, a transition pattern of the present slice value and some preceding slice values is discriminated (step S23).
    即ち、現在のスライス値およびそれよりも前の幾つかのスライス値の推移パターンが判定される（ステップＳ２３）。 - 特許庁
  • The adjusting step is provided so as to compensate an effect to a pattern overlay accuracy of a distortion of a patterning device.
    調整するステップは、パターニングデバイスの歪みのパターンオーバーレイ精度への影響を補償するよう設定される。 - 特許庁
  • In an exposure step, the gap material mixture resist layer or a resist is exposed (S30) through a mask having an opening pattern for exposing the pattern of the barrier rib, after the step of forming the gap material mixture resist layer and/or during the step of forming the gap material mixture resist layer.
    露光工程において、このギャップ材混在レジスト層形成工程後及びギャップ材混在レジスト層形成工程中の少なくともいずれか一方において、隔壁のパターンを露光するための開口パターンを有するマスクを介して、ギャップ材混在レジスト層又はレジストを露光する（Ｓ３０）。 - 特許庁
  • The method includes a step of forming a trench pattern in an insulating layer on a substrate, a step of forming a Cu layer that fills the trench pattern and is planarized, and a step of forming an HfOx layer on the planarized Cu layer, before heat-treating the substrate.
    本方法は、基板上の絶縁層内にトレンチパターンを形成させるステップと、上記トレンチパターンを充填するプレーナ化されたＣｕ層を形成させるステップと、上記プレーナ化されたＣｕ層上にＨｆＯｘ層を形成した後に上記基板を熱処理するステップとを含む。 - 特許庁
  • The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.
    透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁
  • The pattern forming method has a step for forming an underlayer film on a film to be worked by coating the top of the film to be worked with the solution material, a step for forming a resist film on the underlayer film and a step for forming a resist pattern by patternwise exposing the resist film.
    この下層膜溶液材料を被加工膜上に塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行って、レジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁
  • According to whether the state of the camera is special (step S1) and whether the operation mode of the camera is a recording mode or a reproducing mode (step S2), the illumination pattern of the operation member is changed (steps S3, S4 and S5), and the operation member is illuminated in accordance with the illumination pattern (step S6).
    カメラ状態が特殊な状態であるか否か（ステップＳ１）、カメラの動作モードが記録モードか再生モードか（ステップＳ２）に応じて操作部材の照明パターンを変更して（ステップＳ３、Ｓ４、Ｓ５）、この照明パターンに応じて操作部材を照明する（ステップＳ６）。 - 特許庁
  • The resist trimming method includes: a plasma generation step of generating plasma of a reaction gas; a removing step of removing ions and electrons from the generated plasma to selectively extract a radical; and a trimming step of trimming a resist pattern by irradiating the plasma, from which the ions and the electrons have been removed, to the resist pattern.
    反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 - 特許庁
  • This method for producing a substrate comprises a step for coating the pattern forming face of a substrate 100 with silane coupling to form a silane coupling film 101, a step for forming a mask 102 matching a pattern on the silane coupling film 101, and an activation step for producing a polar group by applying energy to the silane coupling film 101 from above the mask 102.
    基台(100)のパターン形成面にシランカップリング剤を塗布しシランカップリング膜(101)を形成する工程、パターンに合わせたマスク(102)をシランカップリング膜(101)上にかける工程、およびシランカップリング膜(101)にマスク(102)の上からエネルギーを与えて活性化させ極性基を生じさせる活性化工程、を備える。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the polymer sheet having the irregular pattern includes the coating step for coating a water-based polymer latex on a substrate, the drying step for drying a coated polymer latex to form the polymer sheet, and the transfer step for pushing a mold having the irregular pattern on the polymer sheet.
    水系のポリマーラテックスを基材上に塗工する塗工工程、塗工したポリマーラテックスを乾燥させてポリマーシートを形成する乾燥工程、およびポリマーシートに凹凸型のパターンを有するモールドを押し当てる転写工程を含む、凹凸パターンを有するポリマーシートの製造方法。 - 特許庁
  • The method for producing a color filter comprises: an exposure step of exposing a total pattern to a photosensitive film; a developing step of forming a patterned film 30b by developing the total pattern-exposed photosensitive film; and a washing step of washing the patterned film 30b.
    全体パターンを感光膜に対して露光する露光工程と、全体パターンが露光された感光膜を現像してパターニングされた膜３０ｂを形成する現像工程と、パターニングされた膜３０ｂを洗浄する洗浄工程と、を備えるカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁
  • A pattern with high accuracy is formed by carrying out a step (S12) of subjecting the design data to proximity correction; a step (S13) of extracting a portion where the process margin deteriorates; and a step (S14) of correcting a pattern in the extracted portion where the process margin deteriorates.
    設計データに対して近接効果補正を施す工程（Ｓ１２）と、プロセス余裕度が劣化する箇所を抽出する工程（Ｓ１３）と、抽出されたプロセス余裕度が劣化する箇所に対してパターン補正を行う工程（Ｓ１４）とを行うことにより高精度なパターン形成を実現する。 - 特許庁
  • The method forming the dummy gate includes a step for applying polymer made of excessive carbon composition and forming a polymer film, a step for forming a photo-resist pattern on the polymer film, and a step for transcribing the photo-resist pattern onto the polymer film.
    前記ダミーゲートは、前記半導体基板上に、炭素過剰の組成のポリマーを塗布してポリマー膜を形成する工程、前記ポリマー膜上にフォトレジストパターンを形成する工程、及び、前記フォトレジストパターンを前記ポリマー膜に転写する工程により形成されることを特徴とする。 - 特許庁
  • The mold duplicating method comprises a vapor-deposited film forming step for forming a vapor-deposited film on the irregular pattern face of a finished product formed by a stamper mold, and an electroforming step for manufacturing a second stamper mold with a reverse irregular pattern formed by electroforming on the irregular pattern face, of the finished product, on which the vapor-deposited film is formed.
    スタンパ金型により成形された製品の凹凸パターン面に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程と、蒸着膜が形成された製品の凹凸パターン面に電鋳により逆凹凸パターンを備えた第二のスタンパ金型を製造する電鋳工程と、を備える。 - 特許庁
  • A method for forming wiring pattern includes a first step of providing a catalyst 60 in an exposed state in the forming area of a wiring pattern and a second step of forming the wiring pattern with a conductive material 30 by performing electroless plating for depositing the material 30 on the exposed area of the catalyst 60.
    触媒６０を配線パターンの形成領域で露出させて設ける第１工程と、前記触媒６０の露出領域に導電材料３０を析出させる無電解メッキを行い、前記導電材料で前記配線パターンを形成する第２工程と、を含む。 - 特許庁
  • The programming method includes a step of programming data in a memory cell of a certain pattern within a memory array, and a step of preventing programming of a fixed pattern by periodically scrambling the data so that the data are stored in a memory cell of different pattern within the memory array.
    本発明に係るプログラミング方法は、データをメモリアレイ内の或るパターンのメモリセルにプログラムする段階と、データがメモリアレイ内の異なるパターンのメモリセルに記憶されるように、データを定期的にスクランブルすることによって、固定パターンのプログラミングを防止する段階と、を含んでいる方法。 - 特許庁
  • The method for forming a pattern includes: a cooling step of irradiating a coating film containing inorganic powder formed on a substrate with a laser beam for drawing a pattern and simultaneously cooling the portion irradiated with the laser beam; and a step of removing a portion except for the pattern.
    本発明に係るパターン形成方法は、基材上に形成した無機粉末を含む塗膜に対し、パターンを描画するレーザー照射と同時にそのレーザー照射部を冷却する冷却工程と、前記パターン以外の部分を除去する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • The pattern forming method has a step ST12 for preparing a reference table in which the relation between a distance between edges of a pattern and a process margin index value is defined for each portion of defining the distance between edges; and a step ST13 for forming a design pattern by referring to the relation defined in the reference table.
    パターンのエッジ間距離とプロセス裕度指標値との関係がエッジ間距離規定箇所毎に規定された参照テーブルを用意する工程ＳＴ１２と、参照テーブルに規定された前記関係を参照して設計パターンを作成する工程ＳＴ１３とを備える。 - 特許庁
  • The processing method includes a basic shape forming step of forming a recess pattern smaller in depth than a recess shape on a surface of a workpiece; and a shape growth step of irradiating the recess pattern with laser light which has a beam diameter larger than a width of the recess pattern so as to process the recess shape.
    被加工物表面に前記凹形状よりも深さが浅い凹形パターンを形成する基本形状形成工程と、前記凹形パターンの幅よりも大きいビーム径のレーザ光を、前記凹形パターンに照射して、凹形状を加工する形状成長工程とを有する。 - 特許庁
  • To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.
    Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁
  • Each corresponding layer provides a first mask layer at a side facing the conductor pattern ends (27 and 28), and widely and thinly provides a step getting over pattern 5 extended from upward of the lower layer conductor pattern ends (27 and 28) and gotten over the first mask layer on the step part of the first mask layer.
    該当各層では、導体パターン端部（２７，２８）に面する側に第１マスク層を設け、当該第１マスク層の段差部分に、下層の導体パターン端部（２７，２８）上から延びて第１マスク層上に乗り越える段差乗り越しパターン５を幅広で薄厚に設ける。 - 特許庁
  • First, eleven kinds of confirmation patterns are referred to (step 301), and it is judged whether a production state combination pattern of a game start sound, a reel lamp lighting-OFF pattern and a reel lamp flashing pattern in a series of flow of the present game coincides with any of these confirmation patterns or not (step 302).
    まず、１１種類の確定パターンが参照され（ステップ３０１）、今回の遊技の一連の流れにおける遊技開始音，リールランプ消灯パターンおよびリールランプ点滅パターンの演出態様組合せパターンが、このいずれかの確定パターンに一致するか否かが判断される（ステップ３０２）。 - 特許庁
  • The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.
    本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁
  • The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.
    その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁
  • The coil current apply timing signal of 12 patterns is set as a signal of the pattern that alternately repeats 6-step 120° energization and 6-step 180° energization.
    前記１２パターンのコイル電流印加タイミング信号は、６ステップ１２０°通電と、６ステップ１８０°通電の電流印加を交互に繰り返すパターンの信号とする。 - 特許庁
  • To form a minute pattern without replacement of exposure equipment without the need of a flattening step between the cell region and the peripheral circuit region for a patterning step.
    パターニング工程のためにセル領域及び周辺回路領域間の平坦化工程を省略することができ、露光装備の交替なしに微細パターンを形成する。 - 特許庁
  • Each terminal of the lower step chip 11 and the upper step chip 12 and the circuit pattern 19 are connected with metal bumps 15, 17 which penetrate insulating layers 18, 20.
    下段チップ１１及び上段チップ１２のそれぞれの端子と配線パターン１９とが、絶縁層１８，２０を貫通する金属バンプ１５，１７で接続される。 - 特許庁
  • A wafer image near a position serving as a position measurement spot at the time of search alignment is fetched (step S200), and a unique pattern is detected for use as a template candidate (step S300).
    サーチアライメント時に位置計測箇所となる位置近傍のウエハ画像を取り込み（ステップＳ２００）、ユニークなパターンを検出してテンプレート候補とする（ステップＳ３００）。 - 特許庁
  • The SACP (selected area channeling pattern) method includes a step of sending a charged particle beam to the surface of an object by using the particle optical system, and a step of detecting particle strength of a particle discharged from the object.
    SACP法は、粒子光学系を用いて物体表面に荷電粒子ビームを向けるステップと、物体から放出した粒子の強度を検出するステップとを含む。 - 特許庁
  • The fuel receiving member (16) comprises a plurality of step members (162) in a staircase pattern, and ventilation portions (163) capable of allowing air to pass to the front-back direction are formed between the step members (162), respectively.
    燃料受部材(16)は、階段状の複数の段部材(162)を備えており、各段部材(162)の間には表裏方向へ空気の通り抜けが可能な通気部(163)が設けられている。 - 特許庁
  • The practice screen includes a step pattern window 61, high heel objects 54L and 54R, and an arrow object 74L, and using those window and objects, a series of step actions is instructed.
    練習画面は、ステップパターンウインドウ６１、ハイヒールオブジェクト５４Ｌ及び５４Ｒ、並びに、矢印オブジェクト７４Ｌを含み、これらによって、一連の踏み動作が教示される。 - 特許庁
  • A method includes a step of forming wiring patterns mutually in parallel on a semiconductor substrate, and a step of forming a spacer with the upper part width wider than the lower, on a part of a side wall of the wiring pattern.
    半導体基板上に相平行した配線パターンを形成し、配線パターンの側壁の一部分に上部幅が下部幅より広いスペーサーを形成する。 - 特許庁
  • After removing impurities (step S9), a wire is directly joined to the electrode of the semiconductor element and the copper foil pattern by an ultrasonic bonding method (step S10).
    不純物を除去した後（ステップＳ９）、超音波接合法によって、ワイヤを半導体素子の電極部及び銅箔パターンに直接接合させる（ステップＳ１０）。 - 特許庁
  • The peripheral rim isolation groove forming step comprises a step of scanning the laser in a way that the inside terminal of laser beam pattern in respective pulses is superposed on the burr preventing groove.
    前記周縁分離溝形成ステップは、各パルスにおけるレーザービームパターンの内側端部を、前記バリ防止溝に重ねるようにレーザーを走査するステップ、を含む。 - 特許庁
  • The density information of the respective blocks is evaluated on the basis of the decided number of the gradations (step S4) and replacement with the gradation pattern is performed on the basis of the evaluated result (step S5).
    各ブロックの濃度情報を、設定された階調数に基づいて評価し（ステップＳ４）、該評価結果に基づいて階調パターンへの置換を行う（ステップＳ５）。 - 特許庁
  • The carbo-nitriding method comprises an atmosphere control step of controlling the atmosphere, and a heating pattern control step of controlling the temperature history to be given to an object.
    浸炭窒化方法は、雰囲気が制御される雰囲気制御工程と、被処理物に付与される温度履歴が制御される加熱パターン制御工程とを備えている。 - 特許庁
  • The excitation control section 20 is configured to turn on and off the switching elements Q1-Q8, in a predetermined pattern per split step (0.45°) obtained by dividing a basic step into four.
    励磁制御部２０は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ８を、基本ステップを４分割した分割ステップ（０．４５°）毎に所定のパターンでオンオフさせることが可能な構成となっている。 - 特許庁
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