「step pattern」を含む例文一覧(2084)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 41 42 次へ＞- In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.
酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁 - The pattern generator 20 stores a step of logical data which generates the difference of the current values corresponding to the signal from the comparator 50.
パターンジェネレータ２０はコンパレータ５０からの信号に対応する電流値の差を発生させた論理データのステップを記憶する。 - 特許庁 - A second method is a step of arranging patterns where the aspect ratio of the width of the dummy pattern to the height of a resist is not larger than 2 in the separated areas.
第２の方法は、ダミーパターンの幅とレジスト高さのアスペクト比が２以下になるパターンを上記分離領域に配置する。 - 特許庁 - A center 2 makes a call to a cordless telephone master set 7 via a telephone line 5 by using a specific call signal pattern (step 201).
センタ２からコードレス電話親機７へ電話回線５を介して特殊な呼出信号パターンで呼び出しを行う（ステップ２０１）。 - 特許庁 - According to the method, exposure time per step is shortened and a thick organic insulating film can be formed without causing collapse of pattern.
これより、１回当たりの露光時間が短くなり、パターン崩れを起こさずに膜厚の厚い有機絶縁膜を形成できる。 - 特許庁 - To prevent a pattern embedding phenomenon due to excessive flowage of a resist resin when a resist flow step is introduced.
レジストフロー工程を導入する場合に、レジスト樹脂の過度な流動によってパターンが埋め込まれる現象の発生を防ぐ。 - 特許庁 - Presence or absence of a foreign matter (dust etc.) or a defect (a flaw etc.) on a surface of a memory medium before transfer of a servo pattern is inspected (step S1).
サーボパターン転写前の記憶媒体の表面に、異物（ゴミ等）又は欠陥（キズ等）があるか否かを検査する（ステップＳ１）。 - 特許庁 - When the value of a counter CT is below 100, the scene of spring is displayed as a background display of each special pattern (step S250).
カウンタＣＴの値が１００未満の場合は、各特別図柄の背景表示として春の風景が表示される（ステップＳ２５０）。 - 特許庁 - The alignment mark 31 and the lower layer 32BM of the bank pattern 32 are formed with the same material and in the same step as those of a black matrix.
アライメントマーク３１及び土手パターン３２の下層３２ＢＭはブラックマトリクスと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁 - Next, positions of the foreign matter or the defect on the surface of the memory medium and the servo pattern on the transfer master relative to each other are calculated (step S2).
続いて、記憶媒体表面の異物又は欠陥と、転写マスタのサーボパターンとの相対位置を計算する（ステップＳ２）。 - 特許庁 - The method for forming the image comprises a step of holding the specific pattern formed from a plurality of halftone dot patterns having different area ratios in a ROM 207.
面積比率の異なる複数の網点パターンによって形成された特定パターンをＲＯＭ２０７に保持しておく。 - 特許庁 - Since WSiN is a heat-resistive metal, a high-temperature processing (step S20) is allowed in the condition of forming the dummy pattern.
ＷＳｉＮは耐熱性金属なので、ダミーパターンを形成した状態で高温熱処理（工程Ｓ２０）を行なうことができる。 - 特許庁 - To attain area reduction, cost reduction, step simplification and the like by making a circuit pattern much finer in a printed wiring board.
プリント配線板に関して、回路パターンをより一層ファイン化し、小面積化とコストダウン及び工程のシンプル化等を図る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method for forming a pattern for reducing manufacturing cost and improving a step coverage.
製造コストを削減を図るとともに、ステップカバレージの向上が図られた半導体装置及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a fourth step, the measured existing color is replaced by the replacement color, and the colors in the image pattern or image area are corrected.
第４のステップでは、測定した既存色を上記置換色で置き換え、画像パターンまたは画像領域の色を補正する。 - 特許庁 - In a step for dividing the aggregate 22 into elements, the alignment pattern 14a is positioned and the aggregate 22 is cut.
集合体２２をエレメント素子に分割する工程では、アライメントパターン１４ａを位置決めとして集合体２２を切断する。 - 特許庁 - Based on the target dimension of the resist pattern, the set temperature of the POST device is calculated from the calculated correlation (step S6).
レジストパターンの目標寸法に基づいて、算出された相関から、ＰＯＳＴ装置の設定温度を算出する（ステップＳ６）。 - 特許庁 - Consequently, the chips 2 are electrically connected to the projected electrodes 5 through the wiring pattern (semiconductor chip bonding step).
これにより、半導体チップ２は配線パターンを介して突起電極５と電気的に接続される（半導体チップ接合工程）。 - 特許庁 - Photolithographic processing including PEB processing of the corrected heating temperature is performed to form a resist pattern on the wafer (a step S5).
補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。 - 特許庁 - An internal electrode pattern 20 and a step difference accommodation layer 31 are formed in one chip area Q1 on a ceramic green sheet 11.
セラミックグリーンシート１１上の一チップ領域Ｑ１に内部電極パターン２０及び段差吸収層３１を形成する。 - 特許庁 - The mask used for re-exposure only has an opening for generating an identification pattern of a single pellet and it is stepped in X and Y directions by a step width different from the dimension of the pellet.
その寸法はペレット幅±αの寸法で、αの値は、識別パターンの間隔に対応する寸法である。 - 特許庁 - In a third step, the preserved memory input signal is converted to a signal pattern which can be taken in the semiconductor memory.
第３ステップでは、保存されたメモリ入力信号を当該半導体メモリテスタに取り込み可能な信号パターンに変換する。 - 特許庁 - After the term pattern rule is all matched, information on fields are imparted to extracted terms (step 206).
用語パタンルールのすべてについて照合が終わったら、抽出された用語に対して、分野の情報を付与する（ステップ２０６）。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a semiconductor chip having an electrode 15 on a surface on a main surface of a wafer 11; a step of forming a lower layer ground metal film 20B on the surface; a step of forming a resist pattern 50 having an aperture on the electrode 15; and a step of removing the resist pattern 50 after forming a conductive post 22 in the aperture part.
半導体装置の製造方法は、表面に電極１５を有する半導体チップをウェハ１１の主面に形成する工程と、表面に下層下地金属膜２０Ｂを形成する工程と、電極１５上に開口部を有するレジストパターン５０を形成する工程と、開口部に導電性ポスト２２を形成した後にレジストパターン５０を除去する工程とを備える。 - 特許庁 - In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.
段差部１１ａを有する下層膜１１上に形成されたポリシリコン膜１２をエッチングしてポリシリコン膜１２に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜１２の段差部領域１２ａのみを選択的にエッチングし、段差部領域１２ａがエッチングされたポリシリコン膜１２を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁 - The pattern forming method includes: a step for dividing a pattern area which is an area to draw the electron beams into drawing areas; a step for specifying a drawing order to the divided drawing areas; a step for drawing the drawing area according to the drawing order; and a step for drawing the drawing areas in the reverse order of the drawing order.
電子線描画を行う領域であるパターン領域を描画領域に分割する工程と、分割された描画領域に描画順序を指定する工程と、描画順序に従って描画領域を描画する工程と、描画順序とは逆順に描画領域を描画する工程と、を備えることを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam.
本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 - 特許庁 - When the dry pattern PD consisting of an aggregate of conductive fine particles Ia written on the main green sheet 23 is pressed by the auxiliary green sheet at a lamination step or a pressure adhesion step, a portion of the auxiliary green sheet touching the dry pattern PD sinks to wrap the dry pattern PD because the auxiliary green sheet has a hardness lower than that of the dry pattern PD.
積層行程や、圧着行程の際に、主グリーンシート２３上に描画された導電性微粒子Ｉａの集合体よりなる乾燥パターンＰＤが補助グリーンシートにて押圧されるとき、補助グリーンシートは、乾燥パターンＰＤよりも硬度が低いことから、補助グリーンシートであって乾燥パターンＰＤと接する部分は、該乾燥パターンＰＤを包み込むように凹む。 - 特許庁 - A determination method for determining a replacement timing of a focus ring disposed around a substrate to improve in-plane uniformity of a pattern when the pattern is formed by etching a film on the substrate comprises a measurement step of measuring a shape or dimension of the pattern and a determination step of determining a replacement timing of the focus ring based on the shape or dimension of the measured pattern.
基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 - 特許庁 - A method for generating the test pattern for the tester includes: the step of cyclizing a first test pattern 201 generated in logic design with a cycle in accordance with a clock signal 20 of the highest frequency to be used in a semiconductor integrated circuit; and the step of changing a timing edge in the first test pattern 201 to a period boundary just before the timing edge, to generate a second test pattern 301.
本発明によるテスタ用テストパタンの生成方法は、論理設計時に生成された第１テストパタン２０１を、半導体集積回路で用いられる最高周波数のクロック信号２０に応じたサイクルでサイクライズするステップと、第１テストパタン２０１におけるタイミングエッジを、タイミングエッジ直前のピリオド境界に変更して第２テストパタン３０１を生成するステップとを具備する。 - 特許庁 - A CPU 1020 receives a signal showing a designated performance pattern shown by information, which is transmitted from portable terminal equipment 3000, showing the designated performance pattern (step S1900) and makes a special picture pattern display device (peripheral device for direction) 100 perform performance based on this signal (step S1902) so that the player can take part in the performance pattern selection.
ＣＰＵ１０２０は、携帯端末装置３０００から送信される指定演出パターンを示す情報で示される指定演出パターンを示す信号を受信し（ステップＳ１９００）、これによる演出を特別図柄表示装置１００（演出用周辺装置）に行なわせるので（ステップＳ１９０２）、演出パターン選択に際して遊技者が関与することができるようになる。 - 特許庁 - A step for preparing the photomask provided with a first photomask pattern used for forming the protrusion and constituted of a pattern having a first shape consisting of a plurality of light shielding units and a second photomask pattern used for forming the spacer and constituted of a light shielding pattern having a second shape is performed and then a step for exposing and developing the photoresist layer using the photomask is performed.
突起を形成するのに用いられ、複数の遮光ユニットからなる第１形状を有するパターンから構成される第１フォトマスクパターンと、スペーサを形成するのに用いられ、第２形状を有する遮光パターンから構成される第２フォトマスクパターンとを備えてなるフォトマスクを準備するステップを行った後、このフォトマスクを用いてフォトレジスト層に露光現像を施すステップを実行する。 - 特許庁 - The controller 2 executes a first step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 31 and the identification mask pattern 32 onto a resist film 81, formed on the wafer 7 for each shot, and a second step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 41 and the identification mask pattern 42 onto a resist film 82, formed on the wafer 7 in every shot.
制御装置２は、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８１に金属配線マスクパターン３１と識別マスクパターン３２とをショット毎に投影させる第１ステップと、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８２に金属配線マスクパターン４１と識別マスクパターン４２とをショット毎に投影させる第２ステップとを実行する。 - 特許庁 - When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.
被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁 - When the SIM card is available (at step S1), the mobile wireless terminal determines whether or not time based on the authentication system startup pattern has elapsed (at step S2), and when the time has elapsed, the personal authentication system is started up (at step S3).
ＳＩＭカードが使用可能状態であると（ステップＳ１）、移動体無線端末は上記の認証システム起動パターンによる時間経過したか否か判定し（ステップＳ２）、この時間経過した時点で個人認証システムを起動する（ステップＳ３）。 - 特許庁 - The pattern forming method which has the process step of previously forming the alignment markers on a first thick film in a first thick film forming process step and references the alignment markers in the exposing process step of a second thickness film.
第１厚膜形成工程において、あらかじめ第１厚膜上にアライメントマーカーを形成する工程を有し、第２厚膜の露光工程において、前記アライメントマーカーを参照することを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The correction value determination method also comprises a step of making the head record a second pattern for checking the amount of the conveyance of the medium while conveying the medium by correcting the target amount of the conveyance of the medium by means of the first correction value, and a step of determining a second correction value on the basis of the second pattern.
また、第１の補正値を用いて目標搬送量の補正を行って媒体を搬送させつつ、媒体の搬送量を確認するための第２パターンをヘッドに記録させるステップと、第２パターンに基づいて、第２の補正値を求めるステップと、を含む。 - 特許庁 - The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.
また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁 - This method for manufacturing the stamper comprises a step of making the surface of a positive photoresist layer insolubilize, on which a latent image having the prescribed pattern is formed by exposing it to a laser beam, by treating it with a low-concentration alkaline developer and a step to furthermore develop the latent image by using the alkaline developer to form the prescribed pattern.
レーザー光の露光により所定パターンの潜像が形成されたポジ型フォトレジスト層の表面を低濃度のアルカリ現像液で処理することにより、フォトレジスト層の表面を難溶化した後、さらにアルカリ現像液で現像してパターン形成を行う。 - 特許庁 - The count of delaying the normal pattern game is not '0' (step S226; No), the prescribed combination of stop figures different from the combination of win figures is determined as the result of the variable display of the normal figures in the normal pattern game with the starting conditions established (step S232).
普通図ゲームの遅延回数が「０」以外であるときには（ステップＳ２２６；Ｎｏ）、開始条件が成立した普通図ゲームにおける普通図柄の可変表示結果として、当り図柄の組合せとは異なる所定の停止図柄の組合せを決定する（ステップＳ２３２）。 - 特許庁 - In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.
図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁 - In a profile pattern extraction step, a profile pattern as a profile of the three-dimensional model is extracted from the plate detected by the plane detection step by mutually connecting border sides belonging to only one triangle among the respective sides of the respective triangles on the plane.
輪郭図形抽出ステップは、前記平面検出ステップによって検出された平面から、該平面の各三角形の各辺のうち、１つの三角形のみに属する境界辺同士を接続して前記三次元モデルの輪郭である輪郭図形を抽出する。 - 特許庁 - In measuring the shape of the droplet changing with time, contrast information is extracted from the diffraction pattern being imaged (step S4-2), and the contrast of the central part of the diffraction pattern is so adjusted as to be a contrast enabling measurement of a contact diameter of the droplet (step S4-7).
経時変化する液滴の形状計測において、撮像された回折パターンからコントラスト情報を抽出し（ステップＳ４−２）、回折パターンの中央部のコントラストを、液滴の接触径を計測可能なコントラストになるように調整する（ステップＳ４−７）。 - 特許庁 - Thereby, first side portions 91y of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the first exposure step, and second side portions 91x of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the second exposure step.
このため、デバイスパターン９１ａの第１辺部９１ｙは、第１露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成され、デバイスパターン９１ａの第２辺部９１ｘは、第２露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成される。 - 特許庁 - In regard to a corresponding decoding step the method comprises extracting from the recorded document, a retrieved pattern element for said pixel, determining a pattern element depending upon a major component extracted from the retrieved pattern element and the position of the pixel on the recorded document, and comparing the retrieved pattern element and the said determined pattern element.
対応する復号工程に関して、方法は、画素に対する検索パターン要素を、記録文書から抽出する工程と、検索パターン要素から抽出された主成分、及び記録文書上の画素の位置に依存するパターン要素を判定する工程と、検索パターン要素及び判定パターン要素を比較する工程とから成る。 - 特許庁 - To provide a touch screen panel for preventing the decrease in sensitivity by removing a mask step for forming a connection pattern for connecting a first sensing pattern or a second sensing pattern formed on the same layer to the first sensing pattern and the second sensing pattern and by decreasing the parasitic capacitance at the intersection, and provide its manufacturing method.
同一のレイヤー上に形成される第１感知パターンおよび第２感知パターンに対して前記第１または第２感知パターンを連結する連結パターン形成のためのマスク工程を除去するとともに、交差部の寄生キャパシタンスを低めてセンシング感度の低下を防止するタッチスクリーンパネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this game machine, when the microcomputer of a picture pattern control board receives an image display command, processing is executed for preparing the variation pattern of special picture patterns from received variation time and the identification numbers of left, middle and right stop picture pattern designation codes (step S300).
図柄制御基板のマイコンが画像表示コマンドを受信すると、受信した変動タイムと左、中及び右静止図柄指定コードの識別番号とから特別図柄の変動パターンを作成する処理を実行する（ステップＳ３００）。 - 特許庁 - In a step (S24) of selectively removing the dummy pattern, this pattern can be selectively removed, hardly changing the shape of a neighboring material SiO2, since the material of the dummy pattern has high selectivity to the neighboring material SiO2.
また、ダミーパターンを選択的に除去する工程（工程Ｓ２４）では、ダミーパターンの材料は周囲の材料、即ち、ＳｉＯ_2との選択比が高いので、ＳｉＯ_2の形状をほとんど変えることなく、ダミーパターンを選択的に除去することができる。 - 特許庁 - In a patterning step, a pattern on a second substrate is formed on the second substrate by imprinting a pattern of the second template where the displacement from an underlayer side pattern already formed on the second substrate is less than a predetermined reference value.
パターン形成ステップは、第２の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第２のテンプレートのパターンを転写して前記第２の基板上に第２の基板上パターンを形成する。 - 特許庁 - The deformation locus of the tread pattern as the belt displacement is obtained for the result (Step 124), a tread pattern model is prepared by using the deformation locus, and the rolling calculation of the tread pattern model and the local analysis for evaluation are performed (Steps 126-134).
その結果についてベルト変位であるトレッドパターンの変形軌跡を求め（ステップ１２４）、その変形軌跡を用いてトレッドパターンモデルを作成しそのトレッドパターンモデルの転動計算及び評価をする局所解析を行う（ステップ１２６〜１３４）。 - 特許庁
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