「stram」を含む例文一覧(6)
- A device and a method of a nonvolatile memory cell such as an STRAM cell are disclosed.
ＳＴＲＡＭセルのような、不揮発性メモリセルについての装置および関連する方法が開示される。 - 特許庁 - In some embodiments, the MLC memory cell comprises a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
いくつかの実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルを備える。 - 特許庁 - A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁 - A method and an apparatus are provided for writing data to a magnetic memory cell such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリセルへデータを書込むための方法および装置。 - 特許庁 - To effectively use the interiors of trench regions for a wiring, to contrive reduction in a chip size, to reduce the size of a cell pattern in the direction intersecting orthogonally a word line in the case where a semiconductor device is applied to the memory cell of a CMOS STRAM, and to enable the speedup of the STRAM in the device using a trench element isolation structure.
トレンチ型素子分離構造を用いた半導体装置において、トレンチ領域の内部を配線のために有効に活用し、チップサイズの縮小化を図り、ＣＭＯＳ型のＳＲＡＭのメモリセルに適用した場合には、ワード線に直交する方向のセルパターン寸法を縮小化し、ＳＲＡＭの高速化を実現する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
