「structure pattern」を含む例文一覧(2397)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 次へ＞- The method includes: (a) making a molding material 10 get in line contact with an open molding mold 16 and stamping a microfluid treatment structure pattern on the molding material 10 to mold a molding; and (b) separating the molding from the molding surface.
（ａ）成形可能材料（１０）と成形面を有する開放成形型（１６）とを互いに線接触させて、ミクロ流体処理構造パターンを成形可能材料（１０）上に捺印することにより、成形品を形成することと、（ｂ）成形品を成形面から分離することとを含む成形品を作製する方法。 - 特許庁 - The mounting structure 9 in which a connection part 12 provided to a wiring pattern 11 on a printed wiring board 10 and an electrode part 14 of an electronic component are connected through solder 15 has a heat reception part 17 formed by coating outside the part of the connection pad part 12 where the electrode part 14 is connected.
プリント配線基板１０上の配線パターン１１に設けられた接続パッド部１２と、電子部品１３の電極部１４とが半田１５を介して接続される実装構造９であって、前記接続パッド部１２の前記電極部１４が接続される部分の外側に塗布により形成された受熱部１７を有している。 - 特許庁 - A main electrode 30 of the laser oscillator 10 is formed in a rod pattern so as to extend in a longitudinal direction of a discharge tube 122 with a lamination structure obtained by laminating an electrode layer 310 composed of a conductive material (nickel, molybdenum, tungsten or the like) on a substrate 300 composed of a metal material (stainless steel or a brass) different from an electrode material.
レーザ発振器１０の主電極３０は、放電管１２２の長手方向に延在するように棒状に形成されており、電極材と異なる金属材料（ステンレスまたは黄銅）よりなる基材３００に導電材（ニッケル、モリブデン、タングステンなど）よりなる電極層３１０を積層した積層構造になっている。 - 特許庁 - A SiO_2 film is formed on a silicon substrate 100, optical waveguides consisting of clad layers 103, 104 and cores 105, 106 are formed, Cr thin film heaters 107, 108 are formed on the optical waveguides, and a diaphragm structure 102 is formed by reducing the thickness of a base in the region of the Cr thin film heater pattern.
シリコン基板１００上にＳｉＯ_２膜１０１を形成し、クラッド層１０３、１０４と、コア１０５、１０６からなる光導波路と光導波路上にＣｒ薄膜ヒータ１０７、１０８を形成し、Ｃｒ薄膜ヒータパターンの領域で基盤の厚みをうすくしてダイヤフラム構造１０２を形成した。 - 特許庁 - According to the structure of the game machine, a cell sheet 300 stuck to a rear surface of a translucent substrate 90 by an adhesive is formed of a CAB film, and includes an opaque region 310 on which a pattern is gravure-printed with opaque ink, and a transparent region 320 which is a transparent body without being printed, and opposed to a liquid crystal screen 80.
透光性基板９０の裏面に接着剤によって貼着されたセルシート３００は、ＣＡＢからなるフィルムであって、絵柄を不透明インクによりグラビア印刷された不透明領域３１０と、印刷を行うことなく透明体のままとされた、液晶画面８０に対向する透明領域３２０からなる。 - 特許庁 - To prevent the reliability of electrical connections from lowering and prevent the problem of cost increases from occurring by reducing the number of electrical connection terminals and the number of conductive wires, restrain the size of a recording element board and wiring members from increasing by employing the appropriate structure of a recording head according to the use pattern of an ink used.
用いるインクの使用形態に応じた適切な記録ヘッドの構成を採用することで、電気的接続端子数および導線数を削減し、記録素子基板および配線部材など各部の寸法増大を抑制し、電気的接続の信頼性が低下することもなく、かつコストアップの問題も生じないようにする。 - 特許庁 - The manufactured plastic foam sheet has almost rectangular caps arranged in a check pattern, is cut into a proper size, and is folded into a multi-tier structure for use according to a need.
プラスチックフィルムを成形して多数のキャップ状の突起を有するキャップフィルムを形成し、そのキャップの底面に平坦なプラスチックのバックフィルムを貼り合わせて製造したプラスチック気泡シートであって、ほぼ長方形のキャップが碁盤目状に配列されたものを用意し、適宜の大きさに裁断して、必要に応じて複数段に折り重ねて用いる。 - 特許庁 - In the electronic component mounting structure having the printed board 7 on which a BGA-type electronic component is mounted, at least one leading-out pad 13 provided in the circumference of the mounting section 11 of the electronic component, and at least one pad 12 in the mounting section 11, are connected to each other through a leading-out pattern 14.
ＢＧＡタイプの電子部品が実装されるプリント基板７を有する電子部品の実装構造に於いて、被実装部分１１の周囲に設けられた少なくとも１つの引出しパッド１３と該引出しパッドと前記被実装部分のパッド１２の少なくとも１つが引出しパターン１４により接続された。 - 特許庁 - In wirings having a structure that consists of a first layer metal film wiring, a second metal film wiring having a constant side etching portion and an insulating film pattern, a field plating processing is performed to the concave region corresponding to a side etching portion of the second layer metal film wiring and low resistance metal such as Cu and Ag is made to electrodeposit thereon.
第１層金属膜配線と、一定のサイドエッチング部を有する第２層金属膜配線と、絶縁膜パターンの３層膜から成る構造の配線に於いて、電界メッキ処理により前記第２層金属膜配線のサイドエッチング部に相当する凹形領域に、銅や銀の低抵抗金属を電着させる。 - 特許庁 - A laser beam applied by using a phase grating mask which diffracts the laser beam applied from above and forms grid-shaped interference fringes is allowed to interfere, a resist coated or deposited on the material surface is irradiated with the coherent beam and is developed and, thereby, a pattern corresponding to the periodic structure is formed.
本発明は、上部から照射されたレーザー光を回折して格子状の干渉縞を形成する位相格子マスクを用いて、照射されたレーザー光を干渉させ、その干渉光を物質表面に塗布又は堆積したレジストに照射し、現像することによって、前記周期構造に対応するパターンを形成する。 - 特許庁 - In a structure of the circuit board 3, an aluminum oxide substrate 11 formed by a particulate beam depositing method is arranged on the surface of a copper substrate 10, on which a conductive wiring 12 drawing a certain pattern is disposed, and on which aluminum oxide layers 13, 14 likewise formed by a particulate beam depositing method are arranged.
回路基板３の構成は、銅基板１０の表面には微粒子ビーム堆積法にて形成された酸化アルミニウム基板１１が配置され、その表面にあるパターンを描く導電性配線１２が配置され、その上に同じく微粒子ビーム堆積法で形成された酸化アルミニウム層１３、１４が配置される。 - 特許庁 - If a gas is injected from a through hole 22 in the structure like this, the diaphragm 16a bends downwards by that gas pressure and is displaced, the space between the diaphragm and the fixed electrode 13 becomes narrower and the capacitance increases, and the spacing between the diaphragm and the coil pattern 20 becomes wider and its inductance increases.
このような構造において、貫通穴２２からガスが注入されると、そのガス圧力によりダイヤフラム１６ａが下方に撓んで変位して、固定電極１３との間の間隔が小さくなって容量が増加すると共に、コイルパターン２０との間の間隔が大きくなってインダクタが増加する。 - 特許庁 - Thus, in the wiring connection structure, by mechanically applying force and performing pressing by the upper end fixing part 51 and the lower end fixing part 53 welded to the support part 52 and performing connection through the upper end fixing part 51, the support part 52 and the lower end fixing part 53, the bonding wire 30 and the wiring pattern 20 are electrically connected.
したがって、配線接続構造は、支持部５２に溶着された上端固定部５１および下端固定部５３によって機械的に力を加えて圧着するとともに、上端固定部５１、支持部５２および下端固定部５３を介して接続することにより、ボンディングワイヤ３０と配線パターン２０を電気的に接続する。 - 特許庁 - This snow-melting structure 120 comprises: a pavement surface 120 in which a groove 122 is formed in a prescribed pattern; a linear heater 130 which is embedded in the groove 122; a room temperature setting asphalt agent 140 which is hardened after being filled in the groove 122; and the asphalt layer 150 which is laid on the pavement surface 120.
所定パターンで溝１２２が形成された舗装面１２０と、溝１２２の内部に埋め込まれた線状ヒ−タ１３０と、溝１２２の内部に充填された後に硬化した常温硬化性アスファルト剤１４０と、舗装面１２０に敷設されたアスファルト層１５０とを備えることを特徴とする融雪構造１００。 - 特許庁 - To effectively use the interiors of trench regions for a wiring, to contrive reduction in a chip size, to reduce the size of a cell pattern in the direction intersecting orthogonally a word line in the case where a semiconductor device is applied to the memory cell of a CMOS STRAM, and to enable the speedup of the STRAM in the device using a trench element isolation structure.
トレンチ型素子分離構造を用いた半導体装置において、トレンチ領域の内部を配線のために有効に活用し、チップサイズの縮小化を図り、ＣＭＯＳ型のＳＲＡＭのメモリセルに適用した場合には、ワード線に直交する方向のセルパターン寸法を縮小化し、ＳＲＡＭの高速化を実現する。 - 特許庁 - In the structure, of cavities provided on the insulating layers 20 of a multilayer printed board 2, while making the portions to which the bare chip 3 is electrically connected as the electrode portions 10a-10f of the wiring patterns 10; a copper member 6 is fitted to a region (immediately below region) opposite to the electrode portions 10a-10f of the wiring pattern 10.
そして、配線パターン１０のうち、ベアチップ３が電気的に接続される部位を電極部１０ａ〜１０ｆとして、多層プリント配線板２の絶縁層２０に設けられたキャビティのうち、配線パターン１０の電極部１０ａ〜１０ｆに対向する領域（直下領域）に銅部材６が嵌合されている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the structure includes: a step of preparing a conductive material 101 containing tungsten(W); a step of forming a mask layer 103 having a pattern on the material 101; and a step of allowing to flow anode-current through the material 101 on which the mask layer 103 is formed in a molten salt 20.
構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。 - 特許庁 - Hereby, when the glass drop GD collides or comes into contact with the lower die 1, the fine structure of the concave-convex pattern CP can be transferred wholly precisely by utilizing properly its momentum, and a glass lens 100 having a high-precision optical surface transfer surface 11a or the like can be acquired comparatively easily.
これにより、ガラス滴ＧＤが下型１に衝突又は接触する際に、その運動量を適度に利用して凹凸パターンＣＰの微細構造を全体的に精密に転写することができ、高精度の光学面転写面１１ａ等を有するガラスレンズ１００を比較的簡易に得ることができる。 - 特許庁 - To provide a packaging method of an electronic device that can accurately align a discharge head, a wiring pattern on a substrate, and a connection terminal of the electronic device when using a droplet discharge method for forming connection wiring, and can achieve a reliable packaging structure by reliable connection wiring obtained by the accurate alignment.
液滴吐出法を用いて接続配線を形成する際に、吐出ヘッドと、基板上の配線パターンと、電子デバイスの接続端子とを正確に位置合わせすることができ、これにより得られる信頼性に優れた接続配線によって高信頼性の実装構造を実現し得る電子デバイスの実装方法を提供する。 - 特許庁 - To realize a high heat releasing resin substrate excellent in heat releasing property with its significantly simple structure, capable of reliably performing electrical connection between a wiring pattern on a lead frame of the high heat releasing resin substrate and a base plate, and also excellent in workability, and a method of manufacturing the same.
本発明は、非常に簡単な構成により、放熱性に非常に優れ、高放熱樹脂基板のリードフレーム上に設けられた配線パターンとベースプレートとの電気的な接続を確実に行うことができるとともに、作業性にも非常に優れた高放熱樹脂基板およびその製造方法を実現することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a BGA semiconductor package preventing such as the drop off of solder balls, pattern cracks, and the separation of solder ball lands by adopting a solder ball land structure with an SMD type and an NSMD type mixed, and having high reliability with the high fusing power of the solder balls to a substrate.
ＳＭＤ型とＮＳＭＤ型とを混合した半田ボールランド構造を採用にすることによって、半田ボールの脱落、パターンクラック（ｐａｔｔｅｒｎｃｒａｃｋ）、並びに半田ボールランドの分離等の現象を防止することができ、且つ、基板に対する半田ボールの高い融着力のある信頼性を高いＢＧＡ半導体パッケージを提供する。 - 特許庁 - This dual panel type organic electroluminescent element has a structure where a pixel driving part (an array element layer including thin film transistors) and a luminescent part (organic electroluminescent diode element) are formed on substrates different from each other; and an electrical connection pattern for connecting both the elements is formed in the pixel driving part.
本発明は、ピクセル駆動部(薄膜トランジスタを含むアレイ素子層)と発光部(有機電界発光ダイオード素子)を相互に異なる基板上に構成し、発光部に電流を供給するために、ピクセル駆動部に両素子を連結する電気的連結パターンが形成された構造のデュアルパネルタイプの有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁 - In forming a multilayer interconnect structure, a first insulating film 6, 6a is formed on a lower interconnect layer 1, 1a, the first layer having the same interconnect pattern as the lower interconnect layer; and etching speed of the first insulating film is set faster than that of a second insulating film 7 which becomes an interconnect insulating film between 1 and 1a of the lower interconnect layer.
多層配線構造の形成において、下層配線１．１ａ上に下層配線と同一パターンの第１の絶縁膜６．６ａを形成し、第１の絶縁膜のエッチング速度が、下層配線１．１ａの配線間絶縁膜となる第２の絶縁膜７のエッチング速度より大きくなるようにする。 - 特許庁 - To provide a display device for a game machine capable of a light emitting display form full of diversity and game properties without increasing the number of substrates for light emitting elements or complicating a structure at the time of diversifying and varying pattern display forms while utilizing the clarity of the light emitting elements, and the game machine using the same.
発光素子の明瞭性を活かしつつ図柄表示態様の多様化・多彩化を図る際に、発光素子用の基板数を増加させたり構造を複雑化させたりすることなく多様性・ゲーム性に富んだ発光表示形態を可能とした遊技機用表示装置とそれを用いた遊技機を提供する。 - 特許庁 - A process for preparing a flexible device having a superoleophobic surface is used, comprising: a step of providing a flexible substrate; a step of disposing a silicon layer 10 on the flexible substrate 12; a step of using photolithography to create a textured pattern in the silicon layer 10 on the substrate wherein the textured pattern comprises a groove structure 16; and a step of chemically modifying the textured surface by disposing an insulation protective oleophobic coating thereon.
可撓性基板を設けるステップと、可撓性基板１２上にシリコン層１０を施すステップと、写真平板法を用いて基板上のシリコン層１０にテクスチャー加工されたパターンを作成するステップと、この際テクスチャー加工されたパターンは溝構造１６を含むステップと、テクスチャー加工された表面を、その上に絶縁保護的な疎油性被膜を施すことにより化学的に修飾するステップと、を含む超疎油性表面を有する可撓性デバイスを作製するための方法を用いる。 - 特許庁 - To provide a connection structure of a multicore cable equipped with a plurality of extra-fine coaxial cables each having a center conductor which is connected to a conductor pattern portion of a member to be connected, wherein the connection structure is capable of preventing occurrence of short circuit by maintaining insulation among the center conductors, and to provide a method of manufacturing the same.
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、中心導体を有する極細同軸ケーブルを複数本備えた多心ケーブルの、中心導体が被接続部材の導体パターン部に接続された多心ケーブルの接続構造体において、中心導体間の絶縁性を維持して短絡の発生を防止することができる多心ケーブルの接続構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - By this net list extracting method, information on connections among elements is extracted from a layout pattern, designed so that blocks have hierarchical structure, while the hierarchical structure is held; and a dummy element is formed between input and output terminals in a block positioned in a specific layer (step S25) and then only the input and output terminals are extracted without extracting elements in the block.
複数のブロックが階層構造を有するように設計されたレイアウトパターンから、階層構造を保持したまま素子間の接続情報を抽出する集積回路のネットリスト抽出方法であり、所定の階層に位置するブロックに対して、このブロック内の入出力端子間に擬似の抵抗素子を形成することにより（ステップＳ２５）、前記ブロック内の素子を抽出することなく、前記入出力端子のみ抽出を行う。 - 特許庁 - The method for manufacturing the mold structure includes a transfer step to press the projecting and recessing pattern side of a master disk against an imprint resist layer formed on one surface of a substrate to be worked and composed of an electron beam resist so as to transfer the projecting and recessing pattern to the imprint resist layer.
原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるインプリントレジスト層に押し付け、凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写する転写工程を含み、凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、原盤における１ビットの角部の形状を変化させるモールド構造体の製造方法である。 - 特許庁 - A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.
本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - An oxide semiconductor element includes: a gate electrode disposed on a substrate; a gate insulation layer including a recess structure; a source electrode disposed on one side of the gate insulation layer; a drain electrode disposed on the other side of the gate insulation layer; and an active pattern disposed on the gate insulation layer, the source electrode, and the drain electrode.
酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。 - 特許庁 - When the embroidery structure of embroidery patterns is constituted in such a way that image are displayed by a plurality of band-like scanning line patterns L placed parallel with each other, the pattern L contains a series of stitches S and T inclined to the band width direction in the same direction in an angle range between >0° and <90°.
本発明の刺繍柄の刺繍構造は、平行に配された複数の帯状の走査線柄Ｌによって画像を表現した刺繍柄の刺繍構造において、走査線柄Ｌは、その帯幅方向に対して同一方向に０°より大きく９０°より小さい範囲内で傾いた一連のステッチＳ，Ｔを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In a structure provided with a light screening film used also for a wiring film in an uppermost layer of a multilayer wiring disposed on a pixel array of a solid-state image sensor, the opening pattern of the light screening film is formed so that its opening diameter grows gradually large (that is, a wiring width is narrow) from a central region to a circumferential edge region of a pixel array.
固体撮像素子の画素アレイ部上に配置される多層配線の最上層に配線膜兼用の遮光膜を設けた構造において、この遮光膜の開口パターンを画素アレイ部の中心領域から周縁領域にかけて、徐々に開口径が大きくなる（すなわち、配線幅が狭くなる）ように形成する。 - 特許庁 - In a tuner having a tuner circuit 2 and a control circuit 3, connected to the tuner circuit 2, formed on a main substrate 1 in multi-layered structure, the tuner circuit 2 and control circuit 3 are connected to an internal-layer wiring pattern 6 through connection holes 4 and 5 of via and through holes, a blind via hole, and an inner via hole bored in the main substrate 1.
チューナ回路２と、チューナ回路２に接続する制御回路３とを多層構造のメイン基板１に形成したチューナにおいて、前記チューナ回路２と前記制御回路３との接続を、メイン基板１に設けたビア、スルーホール、ブラインドバイアホール、インナーバイアホールの接続穴４，５を介して、内層配線パターン６に接続することより行う。 - 特許庁 - In an optical structure in which first and second mask layers 21, 22 each having a predetermined design pattern and a wavelength region different from that of the other mask layer as a transmission region are formed on a second transparent substrate 18, first and second LEDs 13, 14 each having a peak of light emission intensity in the wavelength region corresponding to each of the mask layers 21, 22 are disposed.
所定の意匠パターンを有しそれぞれ他のマスク層とは異なる波長域を透過領域とする第１及び第２のマスク層２１，２２を第２の透明基板１８上に成膜した光学構造体に対してそれらマスク層２１，２２に対応した波長域に発光強度のピークを有する第１及び第２のＬＥＤ１３、１４を配置した。 - 特許庁 - In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.
固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁 - To provide a process for production of vinyl chloride for a paste excellent in surface smoothness of the foamed molding and having a fine cellular structure, and giving a foamed molding with a feeling of full volume and little decrease of thickness of the foamed molding on reheating the foamed molding to give an embossed pattern, regardless of the kind and volume of plasticizer, or and the volume of filler on blending in a foaming process.
発泡加工する際、配合時の可塑剤種類、量、充填剤量に関わらず、発泡体の表面平滑性に優れ、緻密なセル構造を有し、凹凸模様を施す際の発泡体の再加熱において発泡体の厚み減少が少なく、ボリューム感のある発泡成形体となるペースト用塩化ビニル樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that Lov dimensions in a TFT cannot be formed with excellent controllability since a resist pattern sidewall tapering angle occurs from a desired tapering angle, in a photolithography process utilizing diazo naphto quinone(DNQ)-novolac resin-based positive resist in the gate electrode formation process of a GOLD structure TFT.
ＧＯＬＤ構造ＴＦＴのゲート電極形成工程のジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）−ノボラック樹脂系ポジレジストを利用するフォトリソグラフィ工程に於いて、レジストパターン側壁テーパー角が所望のテーパー角より起っている為、当該ＴＦＴのＬｏｖ寸法を制御性良く形成できない問題があり、この問題を解決することを課題とする。 - 特許庁 - In a flow sensor wherein a flow rate detector 30 and a heater 40 are provided on the diaphragm 10 having a membrane structure formed on the cavity part 1a of a semiconductive substrate 1 and a fluid temperature detector 20 is provided on the semiconductive substrate 1, grooves 21 are formed on both sides of the wiring pattern of the fluid temperature detector 20.
半導体基板１の空洞部１ａ上に薄膜構造のダイアフラム１０を形成し、そのダイアフラム１０に流量検出体３０、ヒータ４０を設けるとともに、半導体基板１上に流体温度検出体２０を設けてなるフローセンサにおいて、流体温度検出体２０の配線パターンの両側に溝２１を形成した。 - 特許庁 - In a semiconductor device 1 having a structure where a semiconductor chip 8 mounted on a principal surface of a package substrate 2 is sealed by a sealing member 11, conductor patterns 4 for wiring are arranged on the principal surface and a back surface of the package substrate 2, and the conductor pattern 4 for a dummy is arranged in a region where no conductor patterns 4 for the wiring are arranged.
パッケージ基板２の主面上に実装された半導体チップ８を封止部材１１によって封止した構成を持つ半導体装置１において、パッケージ基板２の主面および裏面に、配線用の導体パターン４を配置した他に、その配線用の導体パターン４が配置されていない領域にダミー用の導体パターン４とを配置した。 - 特許庁 - To provide the mounting structure of a reflection type photosensor by which space-saving is attained and the cost of parts is reduced because a base plate to support the photosensor is not used in the image forming device of an electrophotographic type using the reflection type photosensor as a density detecting means to detect the density of a reference pattern image on a photoreceptor so as to control toner density.
トナー濃度を制御するために感光体上の基準パターン画像の濃度を検知する濃度検知手段として反射型フォトセンサを使用する電子写真式の画像形成装置において、該センサを支持する基板を用いずに、省スペース化を図り、部品費を削減することができる反射型フォトセンサの取付け構造を提供することができる。 - 特許庁 - Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.
また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.
本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁 - When exposure is to be made at an exposure position where some focus sensors are ineffective, for example the periphery of a wafer, focus measurement is carried out at a spare measurement position where all focus sensors become effective before exposure, the focus measurement value is corrected based on an error due to a pattern structure obtained in advance, and the posture of the wafer is adjusted based on the corrected result.
一部のフォーカスセンサーが無効となる露光位置、例えばウエハ周辺部、で露光を行う場合、露光を行う前に、全てのフォーカスセンサーが有効となる予備計測位置でフォーカス計測を行ない、そのフォーカス計測値を事前に求めておいたパターン構造に起因する誤差に基づいて補正し、その補正結果に基づいてウエハの姿勢を調整する。 - 特許庁 - This phosphorus-containing compound containing a vinyl monomer having a phosphorus compound structure in its side chain, a vinyl monomer having a carboxyl group in its side chain and a vinyl monomer having an aryl or ester group in its side chain as structural units, the resin composition containing the compound, the photosensitive film 1 obtained by using the resin composition, the method for forming the resist pattern and the printed wiring board are provide.
側鎖にリン化合物構造を有するビニルモノマー、側鎖にカルボキシル基を有するビニルモノマー、側鎖にアリール基又はエステル基を有するビニルモノマーを構造単位として含むリン含有化合物、該化合物を含有してなる樹脂組成物及び樹脂組成物を用いた感光性フィルム１、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板。 - 特許庁 - A microphone device includes a microphone element 101 and a case for holding and fixing the microphone element 101, and has a structure in which the case 102 made of a conductive material is directly contacted with a metal section at the outer side of the microphone element 101 and the case 102 is also contacted/connected with a GND pattern of a circuit substrate 104 of a preamplifier that amplifies signals from the microphone element.
マイクロホン素子１０１と、マイクロホン素子１０１を保持・固定するケースとを具備し、このケース１０２は、導電性の材料で構成され、マイクロホン素子１０１の外側金属部に直接接触するとともに、マイクロホン素子からの信号を増幅するプリアンプなどの回路基板１０４のＧＮＤパターンに接触或いは接続する構造を有する。 - 特許庁 - To provide a method capable of using a rugged pattern formed according to an imprinting process as a mask for controlling a micropore production initiating position when performing micropore formation onto substrate material such as aluminum and silicon according to an electrochemical process and, thereby, efficiently and reliably forming a regular hole array structure.
インプリントプロセスにより形成される凹凸パターンを利用し、その凹凸パターンを、アルミニウムやシリコン等の基材材料に電気化学プロセスにより細孔形成を行う際の細孔発生開始位置の制御を行うためのマスクとして使用することで規則的なホールアレー構造を効率良く確実に形成できるようにした手法を提供する。 - 特許庁 - To provide a heat radiation structure for an electronic component that reduces a region on a printed substrate where a pattern or component can not be mounted and also enhances heat radiation effect of an electronic component by disusing conventional block-like radiation fins when the electronic component as a heating body is mounted on a printed board.
本発明は電子部品の放熱構造に係り、発熱体たる電子部品をプリント基板に実装するに当たり、従来のブロック状の放熱フィンをなくすことでプリント基板上のパターンや部品の実装不可領域を削減し、併せて電子部品の放熱効果を高めた電子部品の放熱構造を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The structure includes the external antenna 100 including a sleeve 114 capable of being drawn outside the case, a stopper 116 connected to a low end portion of the sleeve, and pogo pins provided inside the stopper and at a low end portion of the stopper, and an additional antenna pattern 130 to contact to the pogo pins electrically when the external antenna 100 is inserted inside the case 111.
ケースの外部に引き出し可能なスリーブ１１４と、スリーブの下端部に連結されたストッパー１１６と、ストッパーの内部及び下端部に設けられたポゴピンとを備える外装型アンテナ１００、並びに、外装型アンテナ１００がケース１１１の内部に挿入される時、ポゴピンと電気的に接触する追加アンテナパターン１３０、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an optical waveguide, which produces a core part (optical path) which has a high optical transmission performance, a large degree of freedom in designing a pattern form, and a high dimensional accuracy with a simple method, and to provide an optical waveguide manufactured by the method and to provide an optical waveguide structure equipped with the optical waveguide.
本発明の目的は、光伝送性能が高く、また、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができる光導波路の製造方法、この製造方法により製造された光導波路、および、これを備えた光導波路構造体を提供すること。 - 特許庁 - To provide a power source connection structure of a driver integrated circuit chip capable of reducing line resistance by arranging a routing pattern inside a driver integrated circuit chip parallel to LOG and connecting power sources arranged at both ends of the chip together, for a simplified wiring.
本発明は、ドライバー集積回路チップの電源連結構造に関し、より詳細には、ドライバー集積回路チップ内部のルーティングパターンをＬＯＧと並列で配置して、チップの両端に配置された電源を連結することで配線を簡素化してライン抵抗を減少させることができるドライバー集積回路チップの電源連結構造を提供する。 - 特許庁
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