「sub atomic」を含む例文一覧(6)
- Here, sub-nanoscale atomic vacancies are uniformly distributed between individual metal clusters.
また、各金属クラスター間にサブナノスケールの原子空孔が均一に分布している。 - 特許庁 - The strontium-containing thin film such as a SrTiO_3 film and a (Ba, Sr)TiO_3 film is formed by using bis(propyltetramethylcyclopentadienyl) strontium as an Sr source, with a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method.
Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ<sub>3</sub>または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ<sub>3</sub>膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。 - 特許庁 - In the non-linear voltage resistor porcelain composition comprising a main component containing zinc oxide, a 1st sub-component containing a rare earth element, and a 2nd sub-component containing silicon oxide; the ratio of the 2nd sub-component to 100 mol of the main component is 1 atomic %<2nd sub-component<30 atomic % in the conversion of Si.
酸化亜鉛を含む主成分と、希土類元素の酸化物を含む第１副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第２副成分とを、有する電圧非直線性抵抗体磁器組成物であって、前記主成分１００モルに対する前記第２副成分の比率が、Ｓｉ換算で、１原子％＜第２副成分＜３０原子％である。 - 特許庁 - On a silicon substrate 1, the high-density silicon oxide film 3 having a density of 2.25 g/cm^3 or higher is formed via a sub-oxide layer 2 formed of not more than several atomic layers.
シリコン基板１上に数原子層以下のサブオキサイド層２を介して密度が2.25ｇ／ｃｍ^３以上の高密度シリコン酸化膜３を設ける。 - 特許庁 - The time within which the Controller dispose of the request made under sub-rule (1), except in case of inventions relating to defense and atomic energy applications, shall ordinarily be within a period of twenty one days from the date of filing of such request.
(1)に基づいてされた請求については，国防及び原子力の出願に関する発明の場合を除き，長官が処理する期間は，通常当該請求提出の日から21日以内とする。 - 特許庁 - The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.
微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁
