「sub-layer」を含む例文一覧(608)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 次へ＞- SUB-FRAME OF PIPE LAYER AND WORK MACHINE HAVING THIS SUB-FRAME
パイプレイヤのサブフレーム、及びそれを備える作業機械 - 特許庁 - The PIN photo diode is comprised of the P-sub layer 80 as an anode and the epitaxial layer 82 between a cathode region 72 and the P-sub layer 80 as an i-layer.
ＰＩＮフォトダイオードはＰ-sub層８０をアノードとし、カソード領域７２とＰ-sub層８０との間のエピタキシャル層８２をｉ層として構成される。 - 特許庁 - A link layer is provided with a link access control(LAC) sub layer and a medium access control(MAC) sub layer.
リンク層は、リンクアクセス制御（ＬＡＣ）副層および媒体アクセス制御（ＭＡＣ）副層を備える。 - 特許庁 - The sub-sheet 2 has a sub-pattern formed of a light storage layer.
サブシート２には、蓄光層からなる副図柄が施されている。 - 特許庁 - Each of the magnetic islands includes a first magnetic sub-layer adjacent a second magnetic sub-layer, wherein the first sub-layer has a relatively high magnetic anisotropy that is greater than a magnetic anisotropy of the second sub-layer.
各磁気アイランドが第２の磁気サブレイヤに隣接する第１の磁気サブレイヤを含み、それは第２のサブレイヤよりも大きい比較的高い磁気異方性を有する。 - 特許庁 - FLUID DISPENSING SUB-ASSEMBLY WITH POLYMER LAYER
ポリマ層を有する流体分注サブアセンブリ - 特許庁 - To provide a sub-frame of a pipe layer, and a work machine having this sub-frame.
パイプレイヤのサブフレーム、及びそれを備えた作業機械を提供する。 - 特許庁 - A planer doped layer 211 is formed inside the sub-collector layer.
そして、前記サブコレクタ層内にプレーナドープ層２１１を形成する。 - 特許庁 - An InGaP layer 3 is inserted between a sub-collector layer 2 and a collector layer 4.
サブコレクタ層２とコレクタ層４の間にＩｎＧａＰ層３を介在させる。 - 特許庁 - An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.
Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁 - The moisture resistant layer includes a plurality of sub-layers 310.
防湿層は複数のサブ層（３１０）を含む。 - 特許庁 - DYNAMIC INSERTION AND REMOVAL OF VIRTUAL SOFTWARE SUB-LAYER
仮想ソフトウェアサブレイヤの動的挿入および除去 - 特許庁 - The collector layer 50, the base layer 60, and the emitter layer 70 are formed on the buffer layer 30 and the sub-collector layer 40.
コレクタ層５０、ベース層６０、及びエミッタ層７０は、バッファ層３０及びサブコレクタ層４０上に形成されている。 - 特許庁 - The magnetic flux flow flowing from the upper sub-magnetic pole 31 to the lower sub-magnetic pole layer 32 is concentrated to the front end of the upper sub-magnetic pole 31 and the lower sub-magnetic pole end layer 32.
上部副磁極３１から下部磁極端層３２に流れ込む磁束流は上部副磁極３１や下部磁極端層３２の先端に集中する。 - 特許庁 - EMBEDDED BASE LAYER CODEC FOR 3D SUB-BAND ENCODING
３Ｄサブバンド符号化のための組み込み基本レイヤコーデック - 特許庁 - This layer 9 is composed of either a collector (sub-collector) layer or both a base layer.
導電層９はコレクタ層（サブコレクタ層）、ベース層のいずれか若しくは両方で構成される。 - 特許庁 - The virtual layer remains active during the dynamic insertion of the virtual sub-layer.
仮想レイヤは、仮想サブレイヤの動的挿入中もアクティブ状態を維持する。 - 特許庁 - The planarization layer may be provided in multiple sub layers.
この平坦化層は、複数の副層に設けられてもよい。 - 特許庁 - This mask includes a main metal layer 20A, a first sub-layer 30a and a second sub-layer 30b, and further has a conductive ball housing through hole 15.
メイン金属層２０Ａと第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂとからなり、導電性ボール収容貫通孔１５を有するマスクである。 - 特許庁 - An electron 51 excited at a sub- energy level 11 in the well layer 42 of the unit element 32 reaches a sub-energy level 15 in the well layer 44 via a sub-energy level 21 in the barrier layer 43.
単位素子３２の井戸層４２でサブ準位１１に励起された電子５１は、バリア層４３のサブ準位２１を介して井戸層４４のサブ準位１５へ到達する。 - 特許庁 - The sub open stub is formed on a dielectric layer different from the main and sub line conductors.
副開放スタブは、主線路導体と副線路導体とは異なる誘電体層に形成される。 - 特許庁 - A composite upper shield layer S2p has a structure wherein an FM layer S2a-1 and an FM sub layer 16, an AFCT layer 17, an FM sub layer 18 and an FM layer S2a-2, and an AFM layer 19 are layered in this order.
複合上部シールド層Ｓ２ｐは、ＦＭ層Ｓ２ａ−１およびＦＭサブ層１６と、ＡＦＣＴ層１７と、ＦＭサブ層１８およびＦＭ層Ｓ２ａ−２と、ＡＦＭ層２０とがこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁 - The thickness of each reference layer 15 (sub-AP1 layer) of a plurality of nonparallel MR sensors is made to be thinner than that of the corresponding magnetic pinned layers 13 (sub-AP 2 layer).
複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。 - 特許庁 - By altering thickness of a passivation layer, dielectric layer or organic layer in the two sub-pixels, the total capacitances of the two sub-pixels are different.
二つのサブ画素における保護層の厚さ、誘電層の厚さおよび有機層の厚さを変えて、二つのサブ画素の合計容量値を相違させる。 - 特許庁 - The magnetic layer may comprise a first sub-layer 248 comprises NiFeCr and a second sub-layer 250 comprises NiFe formed thereon.
磁性層は、ＮｉＦｅＣｒからなる第１の副層２４８と、その上に形成されたＮｉＦｅからなる第２の副層２５０とを含むことが可能である。 - 特許庁 - Since β is associated with the oxygen concentration of the sub-collector layer, oxygen is added to the sub-collector layer and it is operated as an electronic trap.
βはサブコレクタ層の酸素濃度に関連するので、サブコレクタ層に酸素を添加して電子トラップとして作用させる。 - 特許庁 - The white sub picture element 1W includes the white light emitting layer 16W.
白サブ画素１Ｗは、白発光層１６Ｗを有する。 - 特許庁 - When the PIN-PD is made to function by reverse biasing a cathode region 66 formed in each region and the P-sub layer 80, the isolation region 64 is brought to ground potential together with the P-sub layer 80 and becomes the anode.
各区画毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。 - 特許庁 - The color pattern layer is disposed on each of the sub-pixel regions, and the electrode layer is disposed on the color pattern layer and the black matrix layer.
カラーパターン層を各サブピクセル領域内に配置し、電極層をカラーパターン層およびブラックマトリックス層の上に配置する。 - 特許庁 - The main insulation layer 11 is formed on a lower core layer 10, with a sub insulation layer 15 formed on the main insulation layer 11.
下部コア層１０上に主絶縁層１１を形成し、前記主絶縁層１１の上に副絶縁層１５を形成する。 - 特許庁 - The HBT device having electrostatic discharge ruggedness includes: a sub-collector layer; a collector layer formed on the sub-collector layer; a base layer formed on the collector layer; an emitter layer formed on the base layer; a transition layer formed on the emitter layer; and an emitter cap layer formed on the transition layer.
静電気放電耐久性を有するＨＢＴ素子は、サブコレクタ層と、サブコレクタ層の上に形成されたコレクタ層と、コレクタ層の上に形成されたベース層と、ベース層の上に形成されたエミッタ層と、エミッタ層の上に形成された遷移層と、遷移層の上に形成されたエミッタキャップ層と、を備える。 - 特許庁 - For example, a 3D sub-band video encoder includes an embedded base layer codec in addition to temporal sub-band transforms and spatial sub-band transforms.
例えば、３Ｄサブバンド映像エンコーダは、時間サブバンド変換および空間サブバンド変換に加えて、組み込み基本レイヤコーデックも含む。 - 特許庁 - The subunit substrate 1 has a region where a sub substrate power supply layer 3 having a sub substrate power supply pattern 35 and a sub substrate ground layer 2 having a ground pattern 21 face each other via an insulating layer.
サブユニット基板１は、サブ基板電源パターン３５を有するサブ基板電源層３とグランドパターン２１を有するサブ基板グランド層２とが絶縁層を介して対向する領域を有する。 - 特許庁 - In data link layers 14b and 16b located upper of the physical layer 14a and 16a, there are sub-layers of LLC(Logical Link Controller) and sub-layers 140 and 160 of MAC(Media Access Control).
物理層14a, 16aの上位に位置するデータリンク層14b, 16bには、LLC（Logical Link Control）副層とMAC（Media Access Control）副層140, 160がある。 - 特許庁 - This transistor is successively equipped with at least one sub- collector layer SC, a collector layer C, a base layer B, and a metal layer 10 that is deposited onto the base layer.
本トランジスタは１つ以上のサブコレクタ層ＳＣと、コレクタ層Ｃと、ベース層Ｂと、ベース層上に堆積した金属層１０とを連続して備えている。 - 特許庁 - In a semiconductor substrate wherein an epitaxial layer 82 is stacked on a P-sub layer 80, the light receiver 62 and a signal processing circuit 66 are formed.
Ｐ-sub層８０の上にエピタキシャル層８２を積層した半導体基板に受光部６２及び信号処理回路部６６を構成する。 - 特許庁 - Consequently, a potential barrier against electrons is formed on the epitaxial layer 82 between the isolation region 64 and the P-sub layer 80.
その結果、分離領域６４とＰ-sub層８０とに挟まれた位置のエピタキシャル層８２には、電子に対する電位障壁が形成される。 - 特許庁 - The fourth organic light-emitting layer 437 is formed on the first sub-pixel area, the second sub-pixel area, and the third sub-pixel area.
第４の有機発光層４３７は、第１のサブ画素領域、第２のサブ画素領域及び第３のサブ画素領域上に配置される。 - 特許庁 - A sub-collector layer 31, a base layer 33 and emitter layers 34, 35 are formed on a substrate 30.
基板３０上にサブコレクタ層３１と、ベース層３３と、エミッタ層３４、３５とを形成する。 - 特許庁 - A virtual sub-layer associated with a component of the software application is dynamically inserted in the virtual layer.
ソフトウェアアプリケーションのコンポーネントに関連する仮想サブレイヤを仮想レイヤ内に動的に挿入する。 - 特許庁 - The stabilizing layer(s) can stabilize chemical and optical characteristics of the sub-stoichiometric layer during heating.
安定化層は、加熱中亜化学量論層の化学および光学特性を安定化させる。 - 特許庁 - The transmission contents, the end to end address and the step number code reaching a low-order layer of the router 11 connecting to the sub net 21 are sent to a low order layer of a sub net 22 via a high-order layer of the router 11.
ルータ１１のサブネット２１側の下位層は、送信内容とエンド・エンドのアドレス、段数符号を上位層経由でサブネット２２側の下位層に送る。 - 特許庁 - The carrier block layer 2 is a wide gap semiconductor to the sub collector layer, and the sub-collector layer 3 has sufficiently high density and a sufficient thickness so as to reduce collector resistance.
キャリアブロック層２は、サブコレクタ層に対するワイドギャップ半導体であり、サブコレクタ層３は、コレクタ抵抗を低減するために十分高濃度かつ十分な厚さを有している。 - 特許庁 - The third sub-layer may have a magnetic anisotropy that is less than that of the second sub-layer of each of the magnetic islands and/or may serve as an interlayer, extending between the first sub-layer and the soft magnetic under-layer of the recording medium, and having a structure to help to produce the greater anisotropy of the first magnetic sub-layer.
第３のサブレイヤは各磁気アイランドの第２のサブレイヤよりも小さい磁気異方性を有し、かつ／または記録媒体の第１のサブレイヤおよび軟磁性下層間を延びる中間層として働くことができ、第１の磁気サブレイヤのより大きな異方性を作り出すのを助ける構造を有する。 - 特許庁 - A main light attenuating layer 12, an intermediate layer 14, and a sub-light attenuating layer 13 are sequentially formed on a substrate 11.
基板１１上に順次、主光減衰層１２、中間層１４、及び副光減衰層１３が形成されている。 - 特許庁 - A collector layer 3 is formed on a sub-collector layer 2, and an intrinsic base region 5a is formed on the collector layer 3.
サブコレクタ層２上にコレクタ層３が形成され、コレクタ層３上に真性ベース領域５ａが形成されている。 - 特許庁 - With this arrangement, the sub-collector layer 9 is formed of n-InGaP.
この構成において、サブコレクタ層９はｎ−ＩｎＧａＰで形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal layer 4 differs in cell thickness by sub-pixels SG of respective colors.
液晶層４は、各色のサブ画素ＳＧごとにセル厚が異なる。 - 特許庁 - ATM NETWORK ELEMENT AND METHOD TO APPLY AUTOMATIC PROTECTION SWITCHING TO TRANSMISSION CONCENTRATED SUB LAYER SUB NETWORK CONNECTION
送信集中サブレイヤサブネットワーク接続を自動保護切り換えするためのＡＴＭネットワーク要素及び方法 - 特許庁 - Then, a sub-epitaxial layer 2 is formed at a lower temperature than the growth temperature of a main epitaxial layer 3 (step S8), and the main epitaxial layer 3 is formed on the sub-epitaxial layer 2 at ≥900°C and ≤1,200°C (step S9).
そして主エピタキシャル層3の成長温度よりも低温で副エピタキシャル層2を形成し（ステップS8）、900℃以上1200℃以下の温度で副エピタキシャル層2上に主エピタキシャル層3を形成する（ステップS9）。 - 特許庁
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