「substrate layer」を含む例文一覧(39497)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 789 790 次へ＞- A substrate layer is formed on the trough, and alkyd resin is applied onto the substrate layer to form the protective layer.
トラフに下地層を形成し、その下地層上にアルキド樹脂を塗布して保護層を形成。 - 特許庁 - A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.
表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁 - A substrate temperature control layer 2, an under layer 3, and a magnetic recording layer 4 are sequentially formed on a substrate 1.
基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。 - 特許庁 - SUBSTRATE WITH SHIELDING LAYER, COLOR FILTER SUBSTRATE, DISPLAY ELEMENT, TARGET FOR FORMING SUBSTRATE WITH SHIELDING LAYER AND MANUFACTURE OF SUBSTRATE WITH SHIELDING LAYER
遮光層付き基板、カラ—フィルタ基板、表示素子、遮光層付き基板を形成するためのタ—ゲット及び遮光層付き基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR POLISHING COPPER LAYER OF SUBSTRATE
基板における銅層の研磨方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING LAYER AND WIRING SUBSTRATE
層形成方法および配線基板 - 特許庁 - FORMING METHOD OF MODIFIED LAYER TO SUBSTRATE
基板への改質層形成方法 - 特許庁 - ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE HAVING METALIZED LAYER
メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板 - 特許庁 - A substrate layer may be provided at a reflecting layer side, and an adhesion layer and a peeling layer may be provided.
反射層側に基材層を設け、粘着層および剥離層を設けてもよい。 - 特許庁 - The patterned medium has a substrate, a soft magnetic layer, a non-magnetic layer, an intermediate layer and a recording layer.
パターンドメディアは、基板、軟磁性層、非磁性層、中間層及び記録層とを有する。 - 特許庁 - A resin layer is disposed on a substrate.
樹脂層が基板上に設置される。 - 特許庁 - The substrate has a conductive resin layer.
基板は、導電性樹脂層を有する。 - 特許庁 - SURFACE ROUGHENING DEVICE FOR SUBSTRATE INSULATED LAYER
基板絶縁層の表面粗化装置 - 特許庁 - SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING PHOTORESIST LAYER
基板およびフォトレジスト層形成方法 - 特許庁 - MULTILAYERED STRUCTURE HAVING PAPER SUBSTRATE LAYER
紙基材層を有する多層構造体 - 特許庁 - COPPER FOIL AND COPPER FOIL FOR INNER LAYER SUBSTRATE
銅箔、および内層基板用銅箔 - 特許庁 - A diffusion barrier layer is formed in a substrate.
基板に拡散バリア層を形成する。 - 特許庁 - MULTI-LAYER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多層回路基板及び半導体装置 - 特許庁 - The first substrate layer 4, the second substrate layer 5 and the magnetic layer 6 are formed in this sequence from the substrate 2 side.
そして、基板２側から、第１の下地層４と、第２の下地層５と、磁性層６とが、この順で形成されている。 - 特許庁 - The outer layer substrate (60) and the inner layer substrate (30) are positioned for each unit (30U) of the inner layer substrate and laminated.
外層基板（６０）と内層基板（３０）とを、内層基板の各ユニット（３０Ｕ）ごとに位置合わせして積層する。 - 特許庁 - The outer layer substrate (160) and the inner layer substrate (130) are positioned for each unit (130U) of the inner layer substrate and laminated.
外層基板（１６０）と内層基板（１３０）とを、内層基板の各ユニット（１３０Ｕ）ごとに位置合わせして積層する。 - 特許庁 - The array substrate 12 includes an insulation layer 21.
アレイ基板12は、絶縁層21を備える。 - 特許庁 - CERAMIC MULTI-LAYER SUBSTRATE HOUSING CAPACITOR
コンデンサを内蔵したセラミック多層基板 - 特許庁 - SUBSTRATE WITH SUBSTRATE LAYER, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE
下地層付き基板、磁気記録媒体及び磁気記録装置 - 特許庁 - METHOD FOR TRANSFERRING LAYER FROM DONOR SUBSTRATE ONTO HANDLE SUBSTRATE
ドナー基板からハンドル基板へ層を転写するための方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE, AND WIRING SUBSTRATE, AS WELL AS METHOD OF MANUFACTURING MULTI-LAYER WIRING SUBSTRATE, AND MULTI-LAYER WIRING SUBSTRATE
配線基板の製造方法及び配線基板、並びに、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 - 特許庁 - To transfer a thin layer to the target substrate from a source substrate.
薄層をソース基板からターゲット基板に移転すること。 - 特許庁 - SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
基板、エピタキシャル層付基板およびそれらの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH PROTECTIVE LAYER, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
保護層付き基板の製造方法および基板加工方法 - 特許庁 - SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND FORMING APPARATUS OF CONTINUITY LAYER FOR SUBSTRATE
基板製造方法および基板用導通層形成装置 - 特許庁 - The BM 32 is composed of a Cr/CrOx layer on the anode substrate 31 and a Cr layer laminated on the Cr/CrOx layer.
BM32は、陽極基板31上のCrO _X 層と、CrO _X 層上のCr層からなる。 - 特許庁 - This substrate has a base layer 101, a wiring layer 102 and a resin layer 103.
ベース層１０１、配線層１０２および樹脂層１０３を有している。 - 特許庁 - Another substrate support layer and a ground layer can be provided.
別の基板支持体および接地層が提供され得る。 - 特許庁 - The substrate layer 4 can have a foamable synthetic resin layer.
基材層４が発泡性合成樹脂層を有してもよい。 - 特許庁 - TOP LAYER AND METHOD OF FORMING TOP LAYER FOR SUBSTRATE
上張りおよび基板のための上張りを形成する方法 - 特許庁 - FORMATION METHOD FOR VIA METAL LAYER AND VIA METAL LAYER FORMED SUBSTRATE
ビアメタル層の形成方法およびビアメタル層形成基板 - 特許庁 - The multilayered polyester sheet 11 comprises a substrate layer 12 and a coated layer 13.
多層ポリエステルシート11は基体層12と被覆層13とからなる。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH PARALLAX BARRIER LAYER
視差バリア層付き基板の製造方法 - 特許庁 - ARTICLE COMPRISING SILICON SUBSTRATE AND BOND LAYER
ケイ素基材とボンド層とを含む物品 - 特許庁 - METHOD FOR REMOVING RESIST LAYER FROM SUBSTRATE
レジスト層を基板から除去する方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MULTI-LAYER WIRING SUBSTRATE
半導体装置および多層配線基板 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH PARTICULATE-SINGLE-LAYER-MEMBRANE AND SUBSTRATE WITH PARTICULATE-SINGLE-LAYER-MEMBRANE
微粒子単層膜付き基板の製造方法及び微粒子単層膜付き基板 - 特許庁 - An amorphous silicon layer 3 is formed onto a glass substrate 1 through a substrate cover layer 2.
ガラス基板1上に基板カバー層２を介してアモルファスシリコン層３を形成する。 - 特許庁 - A homogeneous liquid crystal layer 103 is formed between the lower-layer substrate 101 and upper-layer substrate 111.
均質な液晶層１０３は、下層基板１０１と上層基板１１１との間に形成される。 - 特許庁 - The SOI wafer comprises a substrate, an oxidized layer on the substrate, and a semiconductor layer on top of the oxidized layer.
ＳＯＩウエハは、基板、その基板上の酸化層、及びその酸化層のトップ上の半導体層を含む。 - 特許庁 - The magnetic recording medium of this invention is provided with a substrate layer, a magnetic layer and a protective layer on a substrate in this order.
本発明の磁気記録媒体は、基板上に、下地層、磁性層、保護層をこの順に備える。 - 特許庁 - The adhesive material comprises a laminate sheet comprising an adhesive layer, a substrate layer on the adhesive layer and a provisory substrate layer on the substrate layer, wherein the adhesive layer comprises a layer which comprises a resin having ≤80°C melting point and has hot-melt adhesiveness, and the provisory substrate layer comprises an adhesive layer and a nonadhesive layer.
接着層、接着層の上の基材層、および基材層の上の仮基材層を有する積層シートからなる接着性材料において、接着層を、融点が８０℃以下の樹脂からなり、ホットメルト接着性を有する層とし、仮基材層を、接着層と接着しない層とする。 - 特許庁 - The semiconductor device has an SOI substrate structure, comprising a semiconductor support substrate, an insulating layer formed on the semiconductor support substrate, and an SOI layer formed on the insulating layer.
また、素子破壊に至る許容電力を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer, and a cap layer 9 are laminated in order on a substrate 1.
基板１上に、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層およびキャップ層９を順次積層する。 - 特許庁 - An alignment layer is constructed by laminating a controlling layer and an auxiliary layer on a substrate surface.
配向膜は、規制層と補助層とが基板表面に積層されてなる。 - 特許庁
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