「superlattice」を含む例文一覧(220)
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超格子熱電材料 - 特許庁 - SUPERLATTICE AVALANCHE PHOTODIODE
超格子アバランシェフォトダイオード - 特許庁 - ISOTOPE SUPERLATTICE SEMICONDUCTOR DEVICE
同位体超格子半導体装置 - 特許庁 - OPTICAL SUPERLATTICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
光超格子及びその製造方法 - 特許庁 - INTER-SUBBAND SUPERLATTICE OPTICAL EMITTER AND QUANTUM CASCADE SUPERLATTICE LASER
サブバンド間超格子光エミッタおよび量子カスケード超格子レーザ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE HAVING SUPERLATTICE
超格子を有する半導体層構造 - 特許庁 - SUPERLATTICE STRAIN RELIEF LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体デバイス用超格子歪緩衝層 - 特許庁 - ORGANIC SUPERLATTICE THIN FILM AND SEMICONDUCTOR USING IT
有機超格子薄膜およびこれを用いた半導体素子 - 特許庁 - OXIDE ARTIFICIAL SUPERLATTICE THIN FILM AND ITS PRODUCTION
酸化物人工超格子薄膜とその製造方法 - 特許庁 - SUPERLATTICE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
超格子構造体及び半導体レーザ装置 - 特許庁 - OXIDE SUPERLATTICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
酸化物超格子およびその製造方法 - 特許庁 - SUPERLATTICE NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
超格子のナノデバイス及びその製造方法 - 特許庁 - The pit opening region comprises a superlattice structure.
ピット開き領域は、超格子構造を備えている。 - 特許庁 - GaN/HBT SUPERLATTICE BASE STRUCTURE
ＧａＮ・ＨＢＴ超格子ベース構造 - 特許庁 - In a third embodiment, the P-transition layer is a superlattice.
第３実施形態では、Ｐ型遷移層は超格子である。 - 特許庁 - SUPERLATTICE PHOSPHOR THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
超格子蛍光体薄膜及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a light emitting diode having a group III nitride based superlattice and a group III nitride based active region on the superlattice.
ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁 - SILICON PARTICLE SUPERLATTICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SILICON PARTICLE SUPERLATTICE STRUCTURE USING THE SAME, LIGHT EMITTING ELEMENT AND ELECTRONIC COMPONENT
シリコン粒子超格子、その製造方法、及びそれを用いたシリコン粒子超格子構造物、並びに発光素子及び電子部品 - 特許庁 - SUPERLATTICE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SOLID-STATE MEMORY INCLUDING THE SUPERLATTICE DEVICE, DATA PROCESSING SYSTEM, AND DATA PROCESSING DEVICE
超格子デバイス及びその製造方法、並びに、超格子デバイスを含む固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置 - 特許庁 - A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.
ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁 - An N-type GaN layer 12 is formed on a sapphire substrate 10, over which an N-type superlattice layer 14 and a P-type superlattice layer 16 are formed.
サファイア基板１０上にＮ型ＧａＮ層１２を形成し、さらにＮ型超格子層１４及びＰ型超格子層１６を形成する。 - 特許庁 - Further, an average In mixed crystal ratio in the second superlattice structure is smaller than that in the first superlattice structure.
さらに、第２超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比は、第１超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比よりも小さい。 - 特許庁 - ARTIFICIAL SUPERLATTICE DIELECTRIC NANOPARTICLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
人工超格子誘電体ナノ粒子、およびその製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SUPERLATTICE STRUCTURE SEMICONDUCTOR LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD
超格子構造の半導体層を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR METAL NANOPARTICLE LOW SYMMETRIC TWO-DIMENSIONAL SUPERLATTICE
金属ナノ粒子低対称性二次元超格子の製造方法 - 特許庁 - SINGLE-POLE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE AS BASE
ＩＩＩ族窒化物半導体超格子をベースとした単極発光装置 - 特許庁 - Then, a p-Ga1-z1 Alz1N/GaN superlattice second clad layer 27 and a p-GaN contact layer 28 are formed.
p-Ga_1-z1Al_z1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。 - 特許庁 - The current-blocking layer can be made of a short-period superlattice.
この電流ブロッキング層は、短周期超格子から成ることができる。 - 特許庁 - NATURAL SUPERLATTICE HOMOLOGOUS SINGLE CRYSTAL THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法 - 特許庁 - OPTICAL FUNCTIONAL COMPOUND SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD
光機能性化合物半導体超格子構造物及びその製造方法 - 特許庁 - COLOR-DEVELOPING SUPERLATTICE STRUCTURE, ITS INTERMEDIATE, AND THEIR PRODUCTION METHODS
発色性超格子構造体、その中間体及びそれらの製造方法 - 特許庁 - NORMAL TEMPERATURE MAGNETIC FERROELECTRIC SUPERLATTICE AND ITS PRODUCTION METHOD
常温磁性強誘電性超格子およびその製造方法 - 特許庁 - To provide a superlattice nanodevice and a manufacturing method thereof.
本発明は、超格子のナノデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - UPRIGHT TYPE SUPERLATTICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DEVICE
直立型超格子、デバイス及び直立型超格子の製造方法。 - 特許庁 - To provide a superlattice in which thickness is finely controlled in in-plane direction of the surface.
表面の面内方向に厚さが微細に制御された超格子を得る。 - 特許庁 - In addition, the superlattice may have a common energy band structure.
また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。 - 特許庁 - The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: a superlattice n-type layer 5; a p-type GaN layer 6 laminated on the superlattice n-type layer 5; and a superlattice n-type layer 7 laminated on the p-type GaN layer 6.
窒化物半導体積層構造部２は、超格子Ｎ型層５、この超格子Ｎ型層５に積層されたＰ型ＧａＮ層６、およびこのＰ型ＧａＮ層６に積層された超格子Ｎ型層７を有している。 - 特許庁 - A distortion compensation superlattice multiplication layer 103 is used as a superlattice multiplication layer, thus thinning the film thickness of the superlattice multiplication layer without decreasing a multiplication rate and increasing the dark current, quickening a response speed, and, in addition, reducing an operating voltage.
超格子増倍層として歪み補償超格子増倍層１０３を用いることにより、増倍率を低下させることなく、さらには暗電流を増やすことなく、超格子増倍層の膜厚を薄くすることが可能となり、応答速度を速くできる上に動作電圧も低くできる。 - 特許庁 - The superlattice reflections were split into satellites along a direction perpendicular to the anti-phase boundaries.
その超格子反射は、逆位相境界と直角な方向に沿って衛星(反射)に分裂した。 - 科学技術論文動詞集 - The artificial superlattice method has extended, allowing inclusion of phonon excitations.
人工超格子法(の影響力の範囲)が拡張し、フォノン励起を含むことを可能にした。 - 科学技術論文動詞集 - The splitting of the superlattice reflections can be attributed entirely to the phase shift of the lattice at the anti-phase boundaries.
超格子反射の分裂は、完全に逆位相境界での格子の位相のずれのせいである(に帰する)。 - 科学技術論文動詞集 - When certain superlattice reflections are operating, the fringe-type contrast characteristic of a stacking fault is obtained.
ある超格子反射が働いて(起きて)いるとき、積層欠陥に特有の縞状のコントラストが得られる。 - 科学技術論文動詞集 - MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND AlGaN-BASED SUPERLATTICE STRUCTURE
化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造 - 特許庁 - SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RADIATION RESISTANCE BY SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS OPERATION METHOD
超格子構造による耐放射線性を有する炭化珪素半導体素子およびその運転方法 - 特許庁 - GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE WITH QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE
量子井戸と超格子とを有するＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード構造 - 特許庁 - The base 1, III nitride foundation layer 2, and superlattice structure 3 compose an epitaxial substrate 4.
基材１、III族窒化物下地層２、及び超格子構造３はエピタキシャル基板４を構成する。 - 特許庁 - LIGHT EMITTING DIODE HAVING WELL LAYER OF SUPERLATTICE STRUCTURE AND/OR BARRIER LAYER THEREOF
超格子構造のウェル層及び／又は超格子構造のバリア層を有する発光ダイオード - 特許庁 - To provide a silicon/germanium (SiGe) superlattice temperature sensor, together with a production method thereof.
シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING SUPERLATTICE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH
超格子構造を含む半導体構造および該半導体構造を備える半導体デバイス - 特許庁 - To provide a semiconductor device with a superlattice structure semiconductor layer, and to provide its manufacturing method.
超格子構造の半導体層を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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