「surface atomic layer」を含む例文一覧(128)

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  • The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.
    金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される1種以上のゲッター元素を合わせて0.01原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁
  • The surface protective layer 5 of the photoreceptor comprises a plurality of layers of fluorinated amorphous layers 6e, comprising amorphous silicon carbide or amorphous carbon and 12 to 35 atomic% of fluorine, and has a dynamic indentation hardness of 90 to 500 kgf/mm^2.
    感光体における表面保護層5は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を12〜35原子%含有してなるフッ素化アモルファス層6eのみを複数積層形成してなり、且つ、その動的押し込み硬さが90〜500kgf/mm^2である。 - 特許庁
  • The PDP is provided with at least the blue phosphor layer and the green phosphor layer, wherein the blue phosphor layer comprises BaMgAl_10O_17:Eu particles, and the BaMgAl_10O_17:Eu particles present on the surface have Eu^3+/Ba ratio of 1.5 to 2.8, (atomic ratio; measured by XPS method).
    青色蛍光体層及び緑色蛍光体層を少なくとも備えたプラズマディスプレイパネルであって、青色蛍光体層がBaMgAl_10O_17:Eu粒子を含み、BaMgAl_10O_17:Eu粒子は、その表面に存在するBaに対するEu^3+の比Eu^3+/Baが、1.5〜2.8(原子比:XPS法により測定)である組成を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより上記課題を解決する。 - 特許庁
  • This cuvette for the atomic absorption spectrometry provided with a graphite tube or a vitreous carbon tube as an atomization furnace is formed with a layer including at least anyone out of a compound of the rare earth element and carbon, a nitride, a carbide, a boride as a coating layer on an inner surface of the atomization furnace.
    黒鉛管またはガラス状炭素管を原子化炉として備えた原子吸光分析用キュベットであって、原子化炉の少なくとも内表面に、被覆層として、希土類元素と炭素との化合物、窒化物、炭化物、ホウ化物の少なくともいずれかを含む層が少なくとも形成されてなる、原子吸光分析用キュベットに関する。 - 特許庁
  • A base electrode 107 is formed from a polycrystalline silicon, a base electrode 112 is formed by connecting a true base layer 112a and a drawer base electrode 112b, an emitter region 115 is formed on the surface of an intrinsic base region 112a by ALD (atomic layer doping), and an emitter electrode 114 is formed on the emitter region 115.
    ベース電極107を多結晶シリコンにより形成し、真性ベース層112a及び引出ベース電極112bを連結することによりベース電極112を形成し、真性ベース領域112a表面にALD(Atomic LayerDoping)法によりエミッタ領域115を形成し、エミッタ領域115上に金属によりエミッタ電極114を形成する。 - 特許庁
  • To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.
    本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁
  • When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.
    最表面のGe原子にH原子が付着すると、そのGe原子と、その下層に存在するSi原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のGe原子がSi原子と入れ替わることになる。 - 特許庁
  • The barrier film is constructed by forming a TiN film with an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a film selected from those of Ti, Ru, and Co, or an alloy film including at least two out of those is stacked on the TiN film surface with a CVD method or a PVD method.
    バリアメタル膜を、ALD法によりTiN膜を形成し、当該TiN膜表面に、Ti、Ru及びCoの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をCVD法またはPVD法により積層して構成する。 - 特許庁
  • To prevent such a situation as a product of reactive gas permeates the continuous hole of a low dielectric constant film when a barrier film of high melting point metal is formed, by atomic layer deposition, on the wall surface and the bottom face of a recess formed in the low dielectric constant film exhibiting gas permeability.
    ガス透過性を有する低誘電率膜に形成された凹部の壁面及び底面に原子層堆積法により高融点金属からなるバリア膜を形成する際に、反応性ガスよりなる生成物が低誘電率膜の連続孔に浸潤する事態を防止する。 - 特許庁
  • The polyimide resin base material to be used as a constituent material of the wiring board contains silicon of not less than 0.4 atomic% in a layer with 3-5 nm depth from the uppermost surface of the polyimide base material.
    上記課題を解決するため、配線板の構成材料として用いるポリイミド樹脂基材において、当該ポリイミド樹脂基材の最表面から3〜5nm深さの層内に0.4原子%以上濃度でケイ素を含むことを特徴とするポリイミド樹脂基材を採用する。 - 特許庁
  • A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.
    磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層106,107の材料を、3d遷移金属を少なくとも1種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁
  • The magnetic head slider provided with a protective film on an ABS (air bearing surface) which is a side facing a rotationally driven disk recording medium is constituted in such a manner that the protective film has an Al_2O_3 film formed by an ALD (atomic layer deposition) method.
    本発明の磁気ヘッドスライダは、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向する側であるABS(Air Bearing Surface)に保護膜を有する磁気ヘッドスライダであって、前記保護膜がALD(Atomic Layer Deposition)法によって形成されたAl_2O_3膜を有してなるように構成される。 - 特許庁
  • The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3.
    被覆層2は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマCVDにより容器1の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、50〜700オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が1/1.5〜1/2.3である。 - 特許庁
  • For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.
    素子基板2の片面に基板側電極4、有機EL層6、対向電極8を順次積層してなる有機EL素子100において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を1.1%未満にする。 - 特許庁
  • In this radiation shielding system having at least one component 10 susceptible to disruption upon exposure to the ionizing radiation, and in a method for producing the radiation shielding system, the susceptible component is protected by such a rigid housing 12 that a high atomic number metal layer 14 is deposited on its surface by using a thermal spray technique.
    電離放射線にさらされると破壊しやすい少なくとも1つの部品10を有する放射線遮蔽システム、および放射線遮蔽システムを作る方法であって、破壊しやすい部品は、高原子番号金属層14が熱溶射手法を用いて表面上に堆積された剛性のハウジング12によって防護されている。 - 特許庁
  • The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.
    無機膜62aに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜62aの表面62sに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Dに沿った長手を有する複数の空孔62bが形成された層62を含む。 - 特許庁
  • The sheet for printing comprises a substantially noncrystalline aromatic polyester resin as a main component, and a layer containing a resin having a solubility parameter calculated from total sum of atom or atomic group gravitational constant of 9.2 to 9.8 as a main component and laminated on at least one surface of the sheet.
    実質的に非結晶性の芳香族ポリエステル系樹脂を主成分とするシートを有し、該シートの少なくとも一方の面に、原子あるいは原子団の引力定数の総和から計算される溶解性パラメーターが9.2〜9.8である樹脂を主成分とする層が積層されている印刷用シートである。 - 特許庁
  • In an electrode for a battery having a current collector and an active material layer formed on the surface of the current collector and including an active material and a binding agent, the binding agent has a functional group including atomic oxygen capable of being coordinated with a lithium-ion in a molecular structure.
    集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質および結着剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記結着剤が、分子構造中にリチウムイオンに配位しうる酸素原子を含む官能基を有することを特徴とする、電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁
  • A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.
    超硬合金を母在とし、50〜390Mpaの低引張応力レベルを有するTiC_XN_Y層と、原子間力顕微鏡(AFM)技術によって測定される平均Raが0.12μm以下の高い表面平滑度を有するAl_2O_3と備えるCVD被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁
  • In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.
    水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がALD法又はLPD法を用いて添加されている。 - 特許庁
  • In a first polishing device 1, that supplies polishing liquid 31 for polishing a metal layer 26 being formed on the surface to be polished of a substrate 21 to be polished, for example, an atomic absorption photometer, an electrometer, or an ammeter is provided as a detector 19 that measures the amount of constituents of metals contained in the polishing liquid or polishing waste liquid.
    研摩液31を供給して被研磨基板21の被研磨面に形成した金属層26を研摩する第1の研摩装置1において、研磨液もしくは研摩廃液中に含まれる金属成分量を測定する検出器19として、例えば原子吸収分析装置、電位計、もしくは電流計を備えたものである。 - 特許庁
  • In the atomic layer growth including introduction of hafnium compound raw material, introduction of yttrium compound raw material and introduction of an oxidizing agent as one cycle, introduction times of the hafnium compound raw material and the yttrium compound raw material are controlled and a displacement rate of a sample surface OH group due to the raw materials is controlled, thereby accurately controlling the quantity of yttrium to be added into the hafnia.
    ハフニウム化合物原料の導入、イットリウム化合物原料の導入、酸化剤の導入を1サイクルとした原子層成長法において、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料の導入時間を制御し、試料表面OH基の各原料による置換率を制御することで、ハフニア中へのイットリウムの添加量を正確に制御する。 - 特許庁
  • A thermal positive type planographic original printing plate includes one or more recording layers on a surface-hydrophilic support body upper side, either one and the same layer or different layers of the recording layers comprising: a star polymer in which at least 3 polymer chains bind to a core atomic group and radially branch; and an infrared absorbing agent.
    表面親水性の支持体上側に、1層以上の記録層を有するサーマルポジ型平版印刷版原版であって、前記記録層のいずれか同じ層あるいは別の層に、核をなす原子群に3つ以上のポリマー鎖が結合して放射状に分岐している星型ポリマーと赤外線吸収剤とを含有するサーマルポジ型平版印刷版原版。 - 特許庁
  • The apparatus for forming the thin film by atomic layer epitaxy (ALE) uses a source supply means which has corrected the varying supply flow rate of the source gas to each substrate surface according to a distance from a source gas resource of a supply pipe so as to be more uniform, when having a plurality of substrates placed therein and supplying the source gas to the plurality of the substrates.
    複数の基板を配置し、原料ガスが複数の基板に供給される際に、各基板表面への原料ガスの供給流量が供給パイプの原料ガス供給源からの距離に応じて変化することを、より均一化するように補正した原料供給手段を用いる、原子層成長(ALE)による薄膜成膜装置。 - 特許庁
  • An information reproducing device having a light radiation means for reproduction, a light radiation means for label display and a window for label display and reproducing a data region formed by changing atomic arrangement of a recording layer and/or rugged surface by light irradiation, has a function to associate a light radiation pattern on the label region of an information recording medium with data output of the information recording medium.
    再生用光照射手段とラベル表示用光照射手段、ラベル表示用窓を有する、光照射により記録層の原子配列が変化及び/又は凹凸によりして形成されたデータ領域の再生を行う情報再生装置であって、情報記録媒体のラベル領域への光照射パターンを情報記録媒体のデータ出力に連動させる機能を有する。 - 特許庁
  • This stainless steel material coated with the titanium dioxide film is coated with the surface oxidized film between a stainless steel base body and a titanium dioxide particulate layer and this film contains the oxide of Cr, Si, Al and Fe and has an atomic concentration ratio (Cr+Si+Al)/Fe of ≥0.4 and a thickness of 1 to 100 mm.
    ステンレス鋼基体と二酸化チタン微粒子層との間に形成された表面酸化皮膜が、Cr,Si,Al,Feの酸化物を含み、原子濃度比(Cr+Si+Al)/Feが0.4以上であり、かつ、1〜100nmの厚さを有する酸化チタン被覆ステンレス鋼材料は、ステンレス鋼基体に、下記式:750≦T1≦5×T2+1250、−70≦T2≦−30、〔但し、T1は焼鈍温度(℃)を表し、T2は雰囲気の露点(℃)を表す。 - 特許庁
  • The organic resin-coated steel sheet is constituted by providing an organic resin film, which contains a heterocyclic conjugated or hetero atom-containing conjugated type π conjugated polymer and a dopant for imparting conductivity to the π conjugated polymer, on the surface of a steel substrate through an interface layer comprising a silane coupling agent having at least one kind of an organic functional group selected from a cycloalkane and an atomic group having a π bond.
    シクロアルカン,π結合を有する原子団から選ばれた一種又は二種を有機官能基とするシランカップリング剤からなる界面層を介し、複素環式共役系又はヘテロ原子含有共役系のπ共役高分子及び該π共役高分子に導電性を付与するドーパントを含む有機樹脂皮膜が下地表面に設けられた有機樹脂被覆鋼板である。 - 特許庁
  • The fouling-protective additive comprises at least one inorganic and/or organic porous carrier and at least one fouling-protection working substance introduced into the porous carrier, wherein it is confirmed by a test on the outermost atomic layer of the product system by XPS that at least one part on the outermost surface of the product system is formed of the carrier material.
    少なくとも1の無機及び/又は有機多孔質担体と、前記多孔質担体中に導入されている少なくとも1の汚損防止作用物質とを含む汚損防止添加剤において、XPSによる生成物系の最外原子層の試験による確認で、生成物系の最外表面の少なくとも一部が担体材料により形成されていることを特徴とする、汚損防止添加剤。 - 特許庁
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