「surface diffusion coefficient」を含む例文一覧(25)
- ANALYSER OF SURFACE DIFFUSION COEFFICIENT
表面拡散係数の分析装置 - 特許庁 - Diffusion coefficient of main impurities of the surface region 18 is less than diffusion coefficient of main impurities of the embedded layer 10.
表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 - 特許庁 - The oxygen diffusion coefficient, when a substrate having the surface which is the face (111) is used is smaller than one hundredth of the oxygen diffusion coefficient, when a silicon substrate with the surface which is the face (001) is used and an oxygen diffusion in the substrate with a surface with which the face (110) is suppressed.
表面が（１１１）面の基板を用いた場合は表面が（００１）面であるシリコン基板を用いた場合の酸素拡散係数の１００分の１未満であり酸素拡散が抑制される。 - 特許庁 - In the case that a substrate having a surface parallel to the (111) plane is employed, the oxygen diffusion coefficient is less than one-hundredth of the oxygen diffusion coefficient in the case of employing a silicon substrate having a surface parallel to (001) plane, exhibiting suppression of the oxygen diffusion.
表面が（１１１）面の基板を用いた場合は表面が（００１）面であるシリコン基板を用いた場合の酸素拡散係数の１００分の１未満であり酸素拡散が抑制される。 - 特許庁 - That is, if the regions 3a in contact with the surface channel layer 5 are formed of aluminum in low diffusion coefficient, the fluctuation in threshold value voltage due to the diffusion of B can be avoided.
このように、拡散係数の小さいＡｌで領域３ａを形成すれば、Ｂの拡散によるしきい値電圧の変動を防止できる。 - 特許庁 - A protective insulating film (protective film made of a material having a small Cu diffusion coefficient) for preventing the diffusion of Cu into the inside of a wafer 100 is formed around the peripheral portion of the main surface of the wafer 100 and on its outer peripheral surface and back surface.
ウェーハ主面の周辺部、外周面及び裏面に内部にＣｕが拡散するのを防ぐ保護絶縁膜（Ｃｕ拡散係数の小さい材料からなる保護膜）を形成する。 - 特許庁 - A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.
拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁 - To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.
分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁 - A coefficient of static friction μ between a surface of the light diffusion plate 12 in contact with the anti-deflection pin 14 and a tip of the anti-deflection pin 14 is to be 0.25 or less.
光拡散板１２のたわみ防止ピン１４に当接する表面と、たわみ防止ピン１４の先端との間の静摩擦係数μが０．２５以下となっている。 - 特許庁 - A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.
素子分離溝４の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜６の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層７が形成されている。 - 特許庁 - In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.
第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁 - The mechanical stress is exerted on the surface of an alloy 1 containing Al to generate lattice defects, to increase the diffusion coefficient of oxygen to Al in a surface layer, and to promote generation of an Al_2O_3 film 4.
Ａｌを含有する合金１表面に、機械的応力を付与し、格子欠陥を発生させ、表面層でのＡｌに対する酸素の拡散係数を増大させ、Ａｌ2 Ｏ3 皮膜４の生成を促進させる。 - 特許庁 - Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.
第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁 - A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.
Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁 - A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.
この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁 - In a vacuum container, on each smooth surface of two substrates having a smooth surface, a high density microcrystallized continuous thin film is formed which is composed of materials having a body diffusion coefficient ≥1×10^-80 m^2/s at room temperature and a density ≥80%.
真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，室温における体拡散係数が１×１０^-80m^2/s以上の材料から成り，かつ，密度が８０％以上である高密度の微結晶連続薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a nitrided member and a method for producing the same by which nitridation is promoted to thicken a nitrogen compound layer and increase the internal diffusion depth of nitrogen, and further, a layer having a low friction coefficient is formed on the surface part so as to improve its initial conformability and wear resistance.
窒化を促進させることにより窒素化合物層の厚さを厚くし窒素の内部拡散深さを増加させるとともに表面部に摩擦係数の低い層を形成し、これにより初期なじみ性および耐摩耗性を向上させる。 - 特許庁 - To prevent a temperature rise of the frame by preventing the diffusion of radiant heat through providing surface treatment such as plating for the heating member and the intermediate frame even if they are materials having the same coefficient of thermal expansion and by obtaining the stroke having a temperature difference.
本発明は、加熱部材と中間フレームに熱膨張率が同じ材料でもメッキ等の表面処理によって放射熱拡散を防ぎ、温度差をつけてストロークを得るようにし、フレームの温度上昇を防止することを目的とする。 - 特許庁 - Consequently, many gas particles such as oxygen radicals can be entered into the fine gap for plasma treatment by increasing a gas diffusion coefficient at the time of plasma discharge, and a good surface improvement can be efficiently performed even in the deep part of the fine gap.
これにより、プラズマ放電時においてガスの拡散係数を増大させて酸素ラジカルなどのガス粒子をプラズマ処理対象の微小隙間内に多数進入させることができ、微少隙間の奥部においても良好な表面改質を効率よく行うことが出来る。 - 特許庁 - A mold for producing an optical element has at least two first and second divisible mold members 4 and 6 and the coefficient of thermal diffusion of the first cavity surface coming into contact with a molten resin of the first mold member 4 is made higher than that of the second cavity surface coming into contact with the molten resin of the second mold member 6.
分割可能な少なくとも２つの第１金型部材および第２金型部材を有し、一方の第１金型部材の、溶融樹脂と接触する第１キャビティ面の熱拡散係数を、他方の第２金型部材の、溶融樹脂と接触する第２キャビティ面の熱拡散係数より高くしてある光学素子製造用金型である。 - 特許庁 - In a vacuum vessel, a thin film having a microcrystalline structure composed of a single metal or alloy having a bulk diffusion coefficient at room temperature of not less than 1×10^-55 (m^2/s) and a free energy of oxide formation at room temperature of not less than -330 (kJ/mol of compounds) is formed on a smooth surface of each of two substrates.
真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，室温における前記体拡散係数を１×１０^-55(m^2/s)以上とし，且つ，室温における酸化物の生成自由エネルギーを−３３０(kJ/mol of compounds)以上とする単金属又は合金から成る微結晶構造の薄膜を形成する。 - 特許庁 - A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.
第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a foam obtained by using a thermoplastic polymer composition in combination with a foaming agent having a specific coefficient of diffusion that has a uniform, minute foam structure with a high closed cell ratio in a wide range of foaming rate, and has a smooth surface as well as an excellent appearance, and to provide a manufacturing method therefor.
熱可塑性重合体組成物と特定の拡散係数を有する発泡剤の組み合わせを使用し、広範囲な発泡倍率領域で、均一微細で、独立気泡率の高い気泡構造を有し、且つ表面が平滑で外観性に優れた発泡体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The hydrogen-permeable membrane selectively permeates hydrogen, includes a metal layer, wherein the theoretical hydrogen permeability defined by the diffusion coefficient of hydrogen and the product of the degree of solid solution is equal to the pure Pd or higher, and forms the hydrogen-permeable membrane having the thickness of a surface oxidized layer of at least one side of two surfaces of the hydrogen-permeable membrane is 100 nm or less.
水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、水素の拡散係数と固溶度の積で定義される理論水素透過度が純Pdと同等以上の金属層を含み、前記水素透過膜の２つの面のうち少なくとも一方の表面酸化物層厚が１００nm以下である水素透過膜を形成する。 - 特許庁 - An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.
回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁
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