「surface diffusion」を含む例文一覧(2566)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 51 52 次へ＞- The cylindrical first lenses 12 are formed such that the position of 2 to 15 times of focal distance F of each cylindrical first lens 12 is located on a surface 27 in front of the light diffusion layer 22 of the lenticular lens sheet 21.
シリンドリカル型の第１レンズ１２の焦点距離Ｆの２倍以上１５倍以下の位置が、レンチキュラーレンズシート２１が有する光拡散層２２の手前面２７上に位置するように形成されている。 - 特許庁 - In the absorbent article 10, the entire main surface on the absorbent side of a diffusion preventing sheet 1 for storing the excrement is not bonded and a space R2 is formed with an upper layer sheet 11.
吸収性物品１０では、排泄物を蓄積する拡散防止シート１の吸収体側の主面全体が非接着とされて、上層シート１１との間に空間Ｒ２が形成される。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a copper polyimide substrate, the surface of a polyimide resin film is made hydrophilic, a physical development core layer is provided, a silver film is formed according to a silver diffusion transfer process, and then copper plating is carried out.
ポリイミド樹脂フィルムの表面を親水化し、物理現像核層を設け、銀拡散転写法により銀膜を形成させたのち、銅めっきすることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。 - 特許庁 - (1) The method in which at least a surface of iron powder is coated with an alloy film containing iron and zinc and the powder coated with the alloy is treated with oxidization/diffusion is provided.
（１）鉄粉末の少なくとも表面に鉄および亜鉛からなる合金膜を形成して合金膜被覆鉄粉末を作製し、この合金膜被覆鉄粉末を酸化・拡散処理する方法。 - 特許庁 - A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.
接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁 - A P-type impurity diffusion layer 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100, and then a gate electrode 102 is formed on the semiconductor substrate 100 through the intermediary of a gate insulating film 101.
半導体基板１００の表面部にｐ型の不純物拡散層１０３を形成した後、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介してゲート電極１０２を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING DIFFERENT ALUMINIDE-DIFFUSION COATING ON DIFFERENT SURFACE REGIONS OF A SUPERALLOY SUBSTRATE, SUPERALLOY SUBSTRATE ON WHICH COATING IS FORMED AND GAS TURBINE ENGINE COMPONENT ON WHICH COATING IS FORMED
同じ超合金基材の異なった表面領域に異なったアルミニド拡散コーティングを形成する方法及びコーティングを形成した超合金基材とコーティングを形成したガスタービンエンジン部品 - 特許庁 - Oblique lighting having little diffusion light in another direction having high directivity is allowed, so that the shadow of the irregularity flaw in the steel plate surface can be clarified and accurate detection of the irregularity flaw is allowed.
指向性に優れ他方向への拡散光がほとんどない斜光照明が可能となるので、鋼板表面の凹凸疵の影を鮮明化することができ、精度の良い凹凸疵の検出が可能となる。 - 特許庁 - At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface.
論理部Ａ２およびＩ／Ｏ部Ａ３では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上の高誘電率絶縁膜７を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層１４を形成する。 - 特許庁 - To obtain the subject diffusing agent intended to lower the contact angle of water droplets adhered, due to rain or water spray, to the surface of a polycarbonate resin in the form of sunglasses, goggles for skiing use, safety glasses, or the like, to effect diffusion of the droplets and improve the visible recognizability of the resin.
雨、水飛沫によりサングラス、スキー用ゴーグル、保護眼鏡等のポリカーボネート樹脂の表面へ付着する水滴の接触角を低下し拡散させ視認性を良好とする。 - 特許庁 - A low-melt-point metal layer 18 is formed on the upper surface of the low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 and the end face protective film 16 for joining to a support substrate 19 via the low-melt-point metal layer 18.
次に、低融点金属拡散防止層１４と端面保護膜１６の上面に低融点金属層１８を形成し、低融点金属層１８を介して支持基板１９と接合する。 - 特許庁 - In the case that the device is not driven, light made incident vertically on the surface of the diffusion plate 4 from the underside of the plate a passes through the second glass plate 42, is made incident on the polymer dispersed liquid crystal 40 and is scattered there.
非駆動時に、拡散板４の下方からその板面に垂直に入射した光は、第２ガラス板４２を通過して高分子分散型液晶４０に入射してここで散乱される。 - 特許庁 - A light diffusion member 6, a first light control member 4 and a second light control member 5 are arranged in layers by turns in the emitting surface 13 in which the cover member 8 of the light guide plate 10 is not arranged.
また、導光板１０のカバー部材８を配置してない出射面１３には、光拡散部材６，第１の光制御部材４，第２の光制御部材５を順に重ねて配置してある。 - 特許庁 - Since the diffusion plates 2, 4 have the same shape, the manufacturing cost can be reduced, thus providing the surface light emitting apparatus that emits light in the front and back sides directions at a low cost.
この拡散板２，４は同一形状であるため、製造コストを下げることができ、低コストで正面及び背面方向に発光する面発光装置を提供することを可能としている。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.
ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁 - The raw material formed by forging are subjected to a high-concentration carburizing treatment of ≥1.1% in carbon potential in forming the hard carbide layer on the surface of the raw material, and is then subjected to a diffusion coating treatment.
鍛造成形した素材の表面に硬質炭化物層を形成するにあたり、上記素材にカーボンポテンシャルが１．１％以上の高濃度浸炭処理を行い、次いで拡散浸透処理を行う。 - 特許庁 - Alternately, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^19cm^-3, is formed larger than the depth of 1.2μm or smaller, exceeding 0.3μm from the surface of the epitaxial layer 6.
または、エピタキシャル層６の表面から０．３μｍを超え、かつ、１．２μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁 - The layer 14b is removed, the fine irregularities are formed on the surface 14e of the layer 14 by the protrusion and/or dropout of the fine particles 12 to obtain the light diffusion sheet master disc.
そして感光層１４ｂを除去し、感光性樹脂層１４の表面１４ｅに微粒子１２の突出及び／又は脱落による微細な凹凸を形成させ、光拡散シート原盤を得る。 - 特許庁 - An air pipe 8 is driven into soil of the polluted area 2 and the surface of soil is perfectly covered with a polluted air diffusion preventing sheet 10 to be sealed so as not to leak air in soil to the outside.
汚染エリア２の土中に対してエアーパイプ８を打ち込むとともに、土の表面を汚染空気拡散防止シート１０により完全に覆い、内部の空気が外部に漏れないよう密封する。 - 特許庁 - Since the whole circumferential curved surface of the semicircular sectional ring-like diffusion plate functions as a light emitter for radiating the light to all directions, the area to be lighted can be illuminated uniformly.
半円形断面のリング状拡散板の外周曲面の全体が発光体として機能して全方向に光を放出するので、照明対象領域の全体をむらなく均一に照明できる。 - 特許庁 - The shower head 14 has a hollow portion 23 inside, and at the same time, has a gas diffusion plate 22 in which a plurality of gas jet nozzles 24 are formed on the surface facing the substrate 13 which is laid on the substrate support 12.
シャワーヘッド１４は、内部に中空部２３を有するとともに基板支持部１２に載置された基板１３と対向する面に複数のガス噴出孔２４が形成されたガス拡散板２２を有する。 - 特許庁 - To provide a luminous diffusion panel, in which its surface luster is superior, its transmission unevenness is little, and its afterglow brightness is superior, and preferable to use for an illumination fixture for the emergency of a guide light or the like.
表面光沢に優れ、透過ムラが少なく、かつ残光輝度に優れたものであって、誘導灯などの非常用照明器具に好適に用いられる蓄光性拡散パネルを提供する。 - 特許庁 - To provide a diffusion bonding method capable of avoiding the treatment at high temperature or preventing the deformation of the entire metal component by partially lowering the transformation temperature of a bonding surface part.
接合表面部分の変態点を部分的に下げることで、高温での処理を回避し、あるいは金属部品全体の変形を防止することができるような拡散接合方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^20cm^-3, is formed ranging to a depth of 0.3μm or less, exceeding 0.1μm from the surface of the epitaxial layer 6.
よって、エピタキシャル層６の表面から０．１μｍを超え、０．３μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁 - This significantly decreases a variation in contact area between the lower electrode 40 and a silicide film 23a on the surface of the impurity diffusion region 21a to stabilize electrical resistance between the both low.
これにより、下部電極４０と、不純物拡散領域２１ａの表面のサリサイド膜２３ａとの接触面積のバラツキが大幅に低減し、両者間の電気抵抗が低く安定化する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device provided with a diffusion plate which does not display stripe-like irregularity on the surface of a liquid crystal panel even when using point light sources as a light source of backlight.
点状光源をバックライトの光源とした場合であっても液晶パネルの表面に縞状のムラを表示させない拡散板を備える液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To assure an inspection in accuracy by stably discriminating a tilt state of a surface, even when an illuminating device employing a point source such as an LED having a high directivity is used without introducing any diffusion plate.
ＬＥＤのような指向性の高い点光源を用いた照明装置を拡散板を導入せずに使用しても、表面の傾斜状態の判別を安定して行って、検査の精度を確保する。 - 特許庁 - To provide a backlight unit capable of effectively absorbing heat transmitted from a heat diffusion layer to a reflecting sheet to improve temperature difference on a panel surface, and of improving luminance; and to provide a display device equipped with it.
熱拡散層から反射シートに伝えられた熱を效果的に吸収し、パネル面の温度差を改善し、輝度を向上させることができるバックライトユニット及びそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁 - The gas diffusion electrode is manufactured by a manufacturing method having a process for form a metal or its compound on a part or whole of the surface of the conductive porous body by a gas phase method.
このガス拡散用電極は、導電性多孔体の表面の一部又は全部に金属又はその化合物を気相法により形成させる工程を備えた製造方法によって製造される。 - 特許庁 - A p-type diffusion layer 12 is formed by injecting ions onto an n-type semiconductor substrate 15 and an n-type resistive element region 13 is formed by injecting ions onto the surface layer of the layer 12.
ｎ型半導体基板１５の上にイオン注入によってｐ型の拡散層１２を形成し、拡散層１２の表面層にイオン注入によってｎ型の抵抗素子領域１３を形成する。 - 特許庁 - When a substrate 10 possibly reacts on the piezoelectric film 40, for example, a diffusion barrier layer 20 of an oxide film, a nitride film, etc., is formed on a surface of the substrate 10.
基板１０が圧電膜４０と反応する可能性のあるものの場合には、例えば、基板１０の表面を酸化物膜や窒化物膜などの拡散バリア層２０を基板１０上に形成する。 - 特許庁 - The gas diffusion layer has carbon water repellent layer containing carbon particles coated by a water repellent agent and particles of water repellent agent on the surface of a gas diffusing base material.
撥水剤でコーティングされてなるカーボン粒子と、撥水剤粒子とを含むカーボン撥水層をガス拡散基材表面に有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。 - 特許庁 - In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.
本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に、銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成され、当該キャップ膜の表面がシリサイド化されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The surface of an austenitic stainless steel blade section 2b with luster and flexibility or a cutting tool formed by combining the blade section 2b and a handle 3b is hardened and polished by a specific carbon diffusion treatment.
光沢、柔軟性のあるオーステナイト系ステンレス鋼の刃部２ｂ、または刃部２ｂとハンドル３ｂを一体で形成した切断用具に炭素固有拡散処理により表面を硬化させ、表面研磨した。 - 特許庁 - A diffusion surface DF is formed on a condensing lens 65k,l corresponding to a specified pattern 67k,l for measurement lighted by illumination light with the illuminance distribution thereof uneven as compared with other patterns.
また、他のパターンに比べて照度分布が不均一な照明光によって照明される特定の計測用パターン６７_k,lに対応する集光レンズ６５_k,lに拡散面ＤＦが形成されている。 - 特許庁 - To provide a method capable of suppressing diffusion of fluorine element into a metal oxide film as low as possible when depositing the metal oxide film on a surface mainly consisting of fluorine-containing synthetic resin.
含フッ素合成樹脂を主成分とする表面上に金属酸化物膜を形成する際に、フッ素成分の金属酸化物膜中への拡散をより低く抑えることができる方法を提供する。 - 特許庁 - A surface diffusion process is applied to the article (1) to enrich the at least one grain boundary with grain boundary strengthening elements of one or a combination of boron, hafnium, zirconium without forming brittle precipitates.
物品（１）に表面拡散法を適用し、ホウ素、ハフニウム、ジルコニウムの１種または組み合わせからなる粒界強化元素で少なくとも１個の粒界が富化され、脆弱な沈積物が形成されない。 - 特許庁 - Then a p-type gauge diffusion resistance layer 18 is formed on the epitaxial layer 11, and aluminum wiring 26 for supplying a voltage used for electrochemical etching is formed on the surface side of the epitaxial layer 11.
エピタキシャル層１１にｐ型のゲージ拡散抵抗層１８を形成し、エピタキシャル層１１の表面側に電気化学エッチング用の電圧を供給するためのアルミ配線２６を形成する。 - 特許庁 - On a surface of the light diffusion plate 30 on the prism sheet 40 side, a first prism array 31 having a plurality of triangular prisms 31A extending nearly in parallel with the longitudinal direction of the linear light sources 10 is formed.
光拡散板３０のプリズムシート４０側の面には、線状光源１０の長手方向と略平行に延びる複数の三角プリズム３１Ａを有する第１プリズム条列３１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a light diffusion film laminate having a specific optical characteristic and composition that can ensure high luminance and illuminance and can make a fleck of the luminance and illuminance smaller when it is used in a surface light source device.
面光源装置に用いた場合に、輝度や照度が高く、かつ該輝度や照度の斑が小さくできる特定の光学特性及び構成を有する光拡散フィルム積層体を提供する。 - 特許庁 - Pure water discharged from a liquid discharge slit 45 collides perpendicularly with the upper surface 461 of a collision member 46 installed at a diffusion part 35 in the state of facing to a discharge opening 451.
液体吐出スリット４５から吐出された純水は吐出口４５１に対向させた状態で拡散部３５に設けられた衝突部材４６の上面４６１に垂直に衝突する。 - 特許庁 - To provide an extreme ultraviolet light optical source device capable of preventing re-diffusion due to sputtering of ion collision surfaces of an ion collection device and/or a substance accumulated on the ion collision surface.
イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによる再拡散を防止することができる極端紫外光光源装置を提供する。 - 特許庁 - Since the end face 14a of the shutter 14 has an inclination surface having an inclination angle larger than a diffusion angle of ion beams, reflected ions and recoil particles on the shutter end face 14a can be reduced.
シャッタ１４の端面１４ａをイオンビームの拡散角度よりも大きい傾斜角度を有する傾斜面とすることで、シャッタ端面１４ａでの反射イオンや反跳粒子を少なくできる。 - 特許庁 - To provide an agent for forming a film for a semiconductor device which can prevent the diffusion of copper atoms and form a film having excellent interlayer insulation on the surface of copper.
本発明は、銅原子の拡散を防止でき、且つ良好な層間絶縁性を有する被膜を銅表面に形成することができる半導体装置用の被膜形成剤を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.
選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁 - The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.
再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁 - The rolling tool is provided with a nitrided diffused layer formed by diffusion treatment of heating a nitriding treatment layer in a nitrogen atmosphere and whose hardness is gradually reduced to the depth direction at the surface layer part.
窒化処理層を窒素雰囲気中で加熱する拡散処理により形成された、深さ方向に硬度がなだらかに低下している窒化拡散層を表層部に具えてなる圧延工具である。 - 特許庁 - The first semiconductor diffusion layer reaches to a second position from the top surface of the semiconductor layer located among the plurality of trenches and has a third impurity concentration lower than the second impurity concentration.
第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。 - 特許庁 - The fuel cell gas diffusion layer comprises a hydrophilic surface layer having a thickness of 1 micron or less, and, thereunder, a hydrophobic second layer comprising a fluoropolymer having a thickness of at least 5 microns.
１ミクロン以下の厚さを有する親水性表面層、および、その下に、少なくとも５ミクロンの厚さを有するフルオロポリマーを含んでなる疎水性の第２の層を含んでなる燃料電池ガス拡散層。 - 特許庁 - To provide an electrode structure of an n-type GaAs-based semiconductor that reduces diffusion of Ga atoms and As atoms to an electrode surface, and to provide a semiconductor device having the electrode structure.
Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を低減可能なｎ型ＧａＡｓ系半導体の電極構造及びこの電極構造を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁
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