「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 304 305 306 307 308 309 310 311 312 .... 368 369 次へ＞- To provide a semiconductor memory device high in reliability and having a small-size nonvolatile memory, by suppressing extreme field concentration on an active layer surface in a channel region and realize a minute semiconductor memory element.
チャネル領域における活性層表面での極端な電界集中を抑え、かつ微細な半導体記憶素子を実現することで、信頼性が高く小型の不揮発性メモリを有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Thus, a bright display with a low directivity is performed by enlarging the pixel electrode 29 by superposing it with the TFT element 24 or a wiring pattern part through the insulating resin layer 27, enhancing the reflectivity, and forming ruggedness on the surface.
こうして、画素電極２９を、絶縁性樹脂層２７を介してＴＦＴ素子２４や配線パターン部と重ねて大きく、反射率を高く、表面に凹凸を設けて形成することによって、明るく指向性の少ない表示を行う。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element by which light emission efficiency is improved and shift of an emission wavelength is prevented by eliminating a piezoelectric field peculiar to C-surface GaN group III-V compound semiconductor.
Ｃ面ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体特有のピエゾ電界を解消し、発光効率の向上を図ることができるとともに、発光波長のシフトを防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The DFB laser element 52 has the laminated structure of an MQW-SCH layer, a p-InP spacer layer, a diffraction grating whose period is about 240 nm, and a p-InP buried layer for the diffraction grating on the surface of an n-In substrate.
ＤＦＢレーザ素子５２は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層、ＭＱＷ−ＳＣＨ層、ｐ−ＩｎＰスペーサー層、周期が約２４０ｎｍの回折格子、及び回折格子のｐ−ＩｎＰ埋め込み層の積層構造を有する。 - 特許庁 - The intermediate layer of low density is formed between the internal layer and the external layer, so that the sintered element can be increased in surface area, and the solid electrolytic capacitor having a high electrostatic capacity can be provided.
また、上記の内層と外層との間に密度の低い中間層を形成することで、焼結後の焼結体素子の表面積を増加させることができるため、高い静電容量を有する固体電解コンデンサを提供することができる。 - 特許庁 - The light, which is made incident on the second element 503 by the geometrical shape of the reflection surface of the mirror and reflected, is not coupled into a single output light, supplied with different angles or outputted from the points in accordance with the wavelengths.
そのミラーの反射面の幾何形状に起因して、第２の波長分散要素５０３に入射して反射された光は単一の出力光線に結合されないで、異なる角度で供給され、または波長に応じた点から出力する。 - 特許庁 - Thereafter, the crystallizing process of a semiconductor active layer with effective continuous oscillation laser irradiation is employed to manufacture a minute semiconductor memory element whose active layer surface is flat.
絶縁表面を有する基板上に、金属元素を添加して加熱処理を行った後、連続発振レーザ照射を行う半導体活性層の結晶化プロセスを用いて、活性層表面が平坦で、かつ、微細な半導体記憶素子を作製する。 - 特許庁 - A laser beam emitted from a semiconductor laser 1 is made parallel beams by a collimating lens 2, passes through a beam splitter 3, a coma aberration compensating element 30 and the objective 20, and is converged on a recording surface 12 through the transparent protective layer 11 of the optical disk 10.
半導体レーザー１から発したレーザー光は、コリメートレンズ２で平行光とされ、ビームスプリッター３、コマ収差補正素子３０、対物レンズ２０を通り、光ディスク１０の透明な保護層１１を介して記録面１２上に収束する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has less variance and appropriate characteristic by eliminating a variance in gap quantity between the surface of a silicon substrate causing any difference among elements and a silicon nitride film liner, when isolating a trench element using the silicon nitride film liner.
シリコン窒化膜ライナーを用いたトレンチ型素子分離において、素子間で差が生じるシリコン基板の表面からシリコン窒化膜ライナーまでのギャップ量のバラツキをなくして、バラツキが小さくかつ良好な素子特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The electrode for generating hydrogen has a hydrogen adsorbing layer comprising an oxide containing at least one kind of an element selected from Pd, Ta, Nb, Ti, Ni, Zr and lanthanum based metals or carbon, formed on a catalytic layer formed on the surface of a conductive base material.
導電性基材表面に形成した触媒層に、Pd、Ta、Nb、Ti、Ni、Zr及びランタン系金属から選択される少なくとも１種類の元素を含む酸化物又はカーボンから成る水素吸着性層を形成した水素発生用電極。 - 特許庁 - A complex refraction element 7 is a deformed coupled Wollaston polarizing prism in which two complex refraction crystals 7a and 7b are contacted with a top angle α and the optical axis inclines with angle ε against the incidence surface 7c of the complex refraction crystal 7a.
複屈折素子７は、２つの複屈折結晶７ａ，７ｂが頂角αで接合され、かつ、複屈折結晶７ａの入射面７ｃに対して光学軸が傾斜角εで傾斜している変形２枚組ウォラストンプリズムである。 - 特許庁 - An organic EL element includes a substrate 1, a first electrode 2 formed on one surface side of the substrate 1, a second electrode 4 facing the first electrode 2, and an organic EL layer 3 interposed between the first electrode 2 and the second electrode 4.
有機ＥＬ素子は、基板１と、基板１の一表面側に形成された第１電極２と、第１電極２に対向する第２電極４と、第１電極２と第２電極４の間に介在する有機ＥＬ層３とを備えている。 - 特許庁 - The EL sheet includes an emitting layer 2 provided on one surface of a light transmissive film substrate 1, a pair of electrodes 3a, 3b provided on the emitting layer 2 so that one electrode element is intruded between the other electrode elements.
本発明は、光透過性フィルム基板１の一方の面に発光層２が設けてあるとともに、発光層２上に１対の電極３ａ、３ｂを、一方の電極要素が他方の電極要素間に入り込むように設けたものからなる。 - 特許庁 - The fuel electrode has at least on the surface of the Ni/YSZ cermet electrode an oxide coating film composed of a cerium oxide and an oxide of at least one element selected from the group consisting of magnesium, calcium, praseodymium, neodymium and samarium.
Ｎｉ／ＹＳＺサーメット電極の少なくとも表面に、セリウム酸化物と、マグネシウム、カルシウム、プラセオジム、ネオジム及びサマリウムからなる群より選択される少なくとも１種の元素の酸化物とからなる酸化物被覆膜を形成する電極。 - 特許庁 - A second surface 60B of the microlens array 60 with convex lenses 61 formed is faced to the light-emitting element chips 50, wherein, provided a lens height and a lens width of the convex lens 61 are set at h and w, respectively, an h/w ratio is to be within the range of 0.46≤h/w≤0.75.
マイクロレンズアレイ６０の凸レンズ６１が形成された第２面６０Ｂを発光素子チップ５０に対向させ、凸レンズ６１のレンズ高さをｈ、レンズ幅をｗとしたときｈ／ｗを、０．４６≦ｈ／ｗ≦０．７５の範囲にあるようにする。 - 特許庁 - To solve the problem wherein a glass material is easily adhered on the surface of a pressing die during molding because a softening temperature is higher than that of conventional glass when glass containing an oxide such as B_2O_3 and Li_2O and used in recent years for a material of an optical element is machined.
近年光学素子の材料として用いられるＢ_２Ｏ_３やＬｉ_２Ｏといった酸化物を含有したガラスを加工する際に、従来のガラスより軟化温度が高いため、成形時に押し型の表面にガラス材料が付着しやすい。 - 特許庁 - The heat dissipation mechanism 14 comprises a heating element 60 covered with an outer case 90 which is provided with an exhaust opening 94 in the rear surface 90e located oppositely to the side for discharging a printed matter 12.
発熱体６０を具備し、この発熱体６０が外部ケース９０によって覆われている放熱機構１４であり、外部ケース９０には、印刷対象物１２の排出側とは反対側に位置する背面９０ｅに排気口部９４が設けられている。 - 特許庁 - As surface roughness of the rolling element composed of silicon nitride is center line average height Ra of 0.002-0.05 μm, as shown in the figure (b), solution lead-in effect to the inside of a bearing can be improved, and high durability can be achieved.
図（ｂ）から明らかなように、窒化けい素からなる転動体の表面粗さを中心線平均粗さＲａで０．００２μｍ以上、０．０５μｍ以下とすることで、軸受内部への溶液の引き込み効果が向上し、優れた耐久性が得られた。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having such a Cu distribution that the semiconductor element, and the like, of a transistor, and the like, existing on the front surface side of its semiconductor substrate will not be subjected to Cu pollution, when it is packaged, and which has superior yield, and to provide a method of manufacturing the device.
パッケージングされた段階で、シリコン半導体基板の表面側のトランジスタ等の半導体素子等にＣｕ汚染が及ばないようなＣｕ分布を有し、歩留まりに優れた半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Also reflection preventing parts consisting of reflection reducing coating are formed on the light-emitting surface of the active matrix substrate and on both light incident and light-emitting surfaces of a light- emitting side polarizing element disposed on the light emitting side of the liquid crystal panel via an air layer.
また、アクティブマトリクス基板の光出射面、及び液晶パネルの光出射側に空気層を介して配された光出射側偏光素子の光入出射両面に、減反射コーティングからなる反射防止部が形成されている。 - 特許庁 - To provide a surface acoustic wave element which is capable of stably maintaining a filter without causing damage to it even if it is dynamically brittle, and being improved in response making contact between a base material and an external atmosphere better through the filter.
力学的に脆弱なフィルターであっても、これを破損することなく安定に維持できるとともに、フィルターを通しての基材と外部雰囲気との接触を良好にして応答性を向上できる弾性表面波素子を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a substrate includes a step for vapor depositing an amorphous material 6 at a part being bonded to a support 2 on the surface of an active element composed of a first material, and a second material is not rarer than the first material.
第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。 - 特許庁 - Since the magnetoresistive element (MRE) 31 is disposed so as to have a predetermined length in the thickness direction of a substrate 30, a sensing axis of the MRE 31 is not set in the direction along a surface of the substrate 30, and is set in the thickness direction of the substrate 30.
基板３０の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３１を配置することにより、ＭＲＥ３１の検知軸を、基板３０の表面に沿う方向ではなく、基板３０の厚さ方向に設定した。 - 特許庁 - The first and second reflecting surfaces meet each other in a position above the central axis line of the linear light source; and a distance from a plane including the light-emitting surface of the LED element is increased as the first and second reflecting surfaces get away from a meeting portion.
第１及び第２の反射面は、線状光源における中心軸線の上方位置で会合し、かつ、会合部分から離れるにしたがってＬＥＤ素子の出射面を含む平面との間の距離が大きくなるように構成される。 - 特許庁 - To obtain an excellent image by obtaining an excellent illuminance distribution on a document surface and reducing the deterioration in an image, when regular reflected light enters an imaging element, even in a light source in which point light sources are arranged like an array in a main scanning direction.
点光源を主走査方向にアレイ状に並べた光源の場合でも、原稿面で良好な照度分布を得ること、及び正反射光が撮像素子に入った際に画像が劣化することを低減させることで、良好な画像を得ること。 - 特許庁 - This jointless relief printing sleeve constituting element made of a resin has a synthetic resin layer formed releasably and substantially without a joint on the surface of the support sleeve, and further, a laminated resin layer which can be made into a printing plate by exposing it to chemical rays.
支持体スリーブ表面に実質的につなぎ目なく剥離可能に設けられた合成樹脂層が存在し、さらに化学線露光製版が可能な樹脂層が積層されてなることを特徴とする、つなぎ目のない樹脂製凸版スリーブ構成体。 - 特許庁 - Since a cavity can be formed by the light element that is about 10^20 atoms/cm^2 in peak density, and the metallic impurity is highly efficiently obtained by high density dangling bond at the inner surface; a strong gettering capability can be exerted while maintaining productivity.
このキャビティは軽元素ピーク濃度10^20atoms/cm^2程度で形成でき、かつその内部表面の高密度なダングリングボンドにより高効率に金属不純物をゲッタリングできるため、生産性を確保しつつ強力なゲッタリング能力を発揮させられる。 - 特許庁 - To provide a highly reliable elastic surface wave element which is free from electrode short-circuiting, or the like in a comb-like electrode due to attachment of conductive foreign matters and free from deterioration of characteristic due to discharge between electrodes caused by pyroelectric characteristic of a piezoelectric substrate.
導電性異物付着によって櫛歯状電極で電極ショート等が無く、圧電基板のもつ焦電性に起因する電極指間の放電による特性劣化の無い信頼性の非常に優れた弾性表面波素子を提供すること。 - 特許庁 - After an Ni film 115 is formed to the entire part of the element forming surface of the silicon substrate 101 on which the sidewall 107 is formed, the silicon substrate 101 is heated to react between the silicon substrate 101 and the Ni film 115 in the source-drain region 109.
サイドウォール１０７が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面全面に、Ｎｉ膜１１５を形成した後、シリコン基板１０１を加熱し、ソース・ドレイン領域１０９においてシリコン基板１０１とＮｉ膜１１５とを反応させる。 - 特許庁 - In the EBG material having a band-gap in a specified frequency band, piezoelectric resonators 1 are arranged on the surface of a substrate 3 one-dimensionally or two-dimensionally, and a capacitive reactance element electrically connects adjacent piezoelectric resonators to each other.
特定周波数帯にバンドギャップを有するＥＢＧマテリアルにおいて、基板３表面上に圧電共振子１を一次元的あるいは二次元的に配列し、隣接する前記圧電共振子同士を容量性リアクタンス要素により電気的に接続する。 - 特許庁 - There is a section which is embedded by damascene technique so that copper wirings 121 and 122 may pierce the substrates at least from the main surface side to the rear side together with the embedded copper wiring 12 embedded by damascene technique concerned with the element region 11.
素子領域１１に関係するダマシン技術による埋め込み銅配線１２と共に、少なくともその主表面側から裏面側に亘って銅配線１２１，１２２が貫通するようにダマシン技術で埋め込まれている部分がある。 - 特許庁 - A coolant spouted out from each pipe 25 is strongly spouted to the lower surface of the upper plate under the semiconductor element 12, and then flowing around a gap between the spouting pipes 25 and the heat radiating fins 26 and falling down the heat radiating fins 26.
各噴出管２５から噴出された冷却液は、半導体素子１２直下の上板下面に勢いよく噴き付けられ、その後、噴出管２５と放熱フィン２６の隙間に回り込み、放熱フィン２６を伝って下方向へ流れおちる。 - 特許庁 - A current-carrying circuit element structure with a wholly or partially small thickness, which undergoes abrasion-resistant and electric leakage-resistant treatment, is installed on the inner surface of a bracket 2, so that an accident causing damage to the wiring can be prevented and so that labor for construction work and the space can be saved.
ブラケット２，内面に、耐磨耗耐漏電処理を施した全面、又は部分的に厚みの少ない通電回路素子構造体（図７、図８、図１１等）を設置する事により、・配線損傷事故 ・工事省力化 ・少ペース化をはかる。 - 特許庁 - Two kinds of rectangular polarizing plates are disposed on front surfaces of the light emitting element groups for illumination and on an optical path of the reflected light, such that their vibrating directions become orthogonal, and an illumination mode is switched to correspond to two kinds of imaging on the surface of the skin and imaging inside of the skin.
照明用発光素子群の前面と反射光光路上に振動方向が直交する２種類の方形偏光板を配し、皮膚表面撮像、皮膚内部撮像の２種類に対応した照明モード切替を行う。 - 特許庁 - To provide an organic luminescent element enabled to utilize for a surface light source of a full-color display, a back light, an array of a printer light source, or the like, enabled to illuminate in plurality, with high brightness and luminous efficiency, enabled to be manufactured into big size, and easy to manufacture.
フルカラーディスプレイ、バックライト等の面光源やプリンター等の光源アレイなどに有効に利用でき、複数の発光が可能であり、高輝度で発光効率が高く、大面積化が可能であり、しかも製造容易な有機発光素子を提供する。 - 特許庁 - The hydrocarbon such as methane is oxidized partially by using the catalyst obtained by depositing Ni on a carrier composed of an oxide of a rare earth element and Al_2O_3, preferably, on the carrier obtained by covering the surface of an Al_2O_3 particle with CeO_2 to produce a gaseous mixture containing CO and H_2.
希土類元素の酸化物とＡｌ_2Ｏ_3からなる担体、好ましくはＡｌ_2Ｏ_3粒子の表面をＣｅＯ_2が被った担体、にＮｉを担持した触媒を使用して、メタンなどの炭化水素を部分酸化してＣＯとＨ_2を含む混合ガスを生成する。 - 特許庁 - For this surface defect checking (S5), defect points on the magnetic disk are checked and registered by determing whether the thermal asperity phenomenon occurs or not based on a sense current applied to a magnetoresistive element included in the magnetic head.
この表面欠陥検査（Ｓ５）では、ヘッドに含まれる磁気抵抗効果素子に印加されたセンス電流に基づいて、サーマルアスペリティ現象が生じたか否かを判断することで、磁気ディスクに生じている欠陥箇所を検査して登録する。 - 特許庁 - The surface roughness of the thermal head 10 on the contact side of the thermoplastic resin film 25 opposed to the heating element 35 in the main scanning direction, is equivalent to a maximum height (Rmax) by JIS B 0601 and not more than the thickness of the thermoplastic resin film 25.
主走査方向に沿った発熱体３５に対向した熱可塑性樹脂フィルム２５との接触側のサーマルヘッド１０の表面粗さを、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の最大高さ（Ｒｍａｘ）相当で熱可塑性樹脂フィルム２５の厚み以下にした。 - 特許庁 - Return light Lr1, Lr2 of laser beams L1, L2 exited from a two- wavelength optical source 2 of the optical pickup device 1 is received as it is by the light receiving surface 14 of a common light receiving element 13 without aligning optical axes by the single beam splitter 7.
光ピックアップ装置１の２波長光源２から出射されるレーザ光Ｌ１、Ｌ２の戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２は、単一のビームスプリッタ７によって、光軸が一致することなく、そのまま共通受光素子１３の受光面１４で受光される。 - 特許庁 - The liquid crystal display element is equipped with a first substrate having a reflective display region and a transmissive display region and a second substrate placed opposite to the first substrate and having protrusions on the opposing surface, and is constructed by forming a liquid crystal layer between the substrates.
反射表示領域と透過表示領域を有する第１基板と、第１基板と対向配置され対向面に突起を有する第２基板とを備え、これら基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示素子である。 - 特許庁 - To improve the planarity of a capacitor lower electrode surface and to prevent the increase of the leakage current of a dielectric capacitor, when preparing a capacitor element, using a dielectric to be crystallized by heat treatment at a high temperature over a long period of time.
高温で長時間にわたる熱処理によって結晶化する誘電体を用いたキャパシタ素子を作成する場合に、キャパシタ下部電極表面の平坦性を改善し、ひいては誘電体キャパシタのリーク電流の増加を防止する。 - 特許庁 - This electronic device includes a glass surface 101 to which a conductive covering film 104 is applied, and a conductive hard terminal 10 which is harder than the conductive covering film 104 forming a conduction route between the conductive covering film 104 and another element.
この発明にかかる電子機器は、導電被膜１０４が表面に施されたガラス面１０１と、導電被膜１０４と他の要素との導通経路を形成する導電被膜１０４よりも硬い導電性の硬質端子１０とを含む。 - 特許庁 - In the magnetic head using a magnetoresistance effect element, the magnetization of two free magnetic layers is set to be in mutually opposite directions and at nearly 45° to a surface facing a medium by a current magnetic field for detection, thus obtaining reproduction output approximately two times larger than before.
磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、感知用の電流磁界により二つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ45°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。 - 特許庁 - To provide a solar cell module capable of increasing added values by imparting two or more colors to a light receiving surface as the colors of a solar cell element to create a good design such as a pattern of specific characters, symbols or figures, inexpensively manufacturable for industrial purposes.
受光面に太陽電池素子の色で２色以上を付与して、特定の文字、記号または図形のパターン等の意匠性を持たせて、付加価値を上げ、工業的に安価に作製できる太陽電池モジュール及びその製造方法の提供にある。 - 特許庁 - When the ignition switch of a passenger vehicle is turned on, the light emitting element 70 of the light emitting pointer P, by its light emission, makes cross-sectionally rectangular light incident on the surface of a scale plate 10a through an opening 81 of a cap 80 for a short time.
乗用車のイグニッションスイッチがオンされると、発光指針Ｐの発光素子７０は、その発光により、短時間の間、断面四角形状の光を、キャップ８０の開口部８１を通して目盛り盤１０ａの表面に放射状に入射する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a gas sensor which enables the formation of a protective film with good production efficiency in a short time in forming the protective film for preventing the contact with a filling layer containing a glass component to the rear end surface of a sensor element.
センサ素子の後端面に、ガラス成分を含む充填層との接触を防止するための保護膜を形成するにあたり、短時間でかつ製造効率良く保護膜を形成することができるガスセンサの製造方法を提供する - 特許庁 - By forming an InP metamorphic buffer layer 2 having a thickness of 4 μm or above and a surface defect density of 10^8/cm^2 or less on the GaAs substrate 1, the InP-based semiconductor element 11 having a superior property and a high reliability can be formed on the GaAs substrate.
GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する - 特許庁 - The piezoelectric element 16, the measurement inner surface 12b, and the pressurization member 18 are adhered by the deformation of the first heat-resistant soft metal 14a and the second heat-resistant soft metal 14b, and voltage is applied between the pedestal 12 and the pressurization member 18 or voltage is measured.
第１耐熱軟金属１４ａ及び第２耐熱軟金属１４ｂの変形により圧電素子１６と計測内面１２ｂ及び加圧部材１８とを密着させ、台座１２と加圧部材１８間に電圧を印加し又は電圧を計測する。 - 特許庁 - A beam separation surface of the luminous flux separation element is a dielectric multilayer film, satisfies the following relation: Tp_0+Rs_0)/2<(Tp_1+Rs_1)/2 and is designed such that (Tp+Rs)/2 monotonically increases as an incident angle θ increases.
光束分離素子のビーム分離面は、誘電体多層膜であり、（Ｔｐ_０＋Ｒｓ_０）／２＜（Ｔｐ_１＋Ｒｓ_１）／２の関係が満足され、入射角θが大きくなるにつれて（Ｔｐ＋Ｒｓ）／２が単調増加するように設計されている。 - 特許庁 - When a photoresist film is formed of the above composition, a ratio (F_1)/(C_1) of a fluorine content rate (F_1 (atom%)) to a carbon content rate (C_1 (atom%)), measured and calculated by the following surface element analysis, ranges from 0.01 to 0.6.
フォトレジスト膜を形成した場合に、下記表面元素分析により測定及び算出される、フォトレジスト膜のフッ素含有率（Ｆ_１（ａｔｏｍ％））と炭素含有率（Ｃ_１（ａｔｏｍ％））との比が、（Ｆ_１）／（Ｃ_１）＝０．０１〜０．６となるものである。 - 特許庁
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