「surface morphology」に関連した英語例文の一覧と使い方

「surface morphology」を含む例文一覧(85)

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The surface morphology characteristics of the conductive pattern is excellent.
なお、前記導電性パターンの表面モルフォルジー特性が優れている。 - 特許庁
FORMING METHOD OF PATTERNED DIELECTRIC THIN FILM EXCELLENT IN SURFACE MORPHOLOGY
表面モフォロジーに優れたパターン化誘電体薄膜の形成方法 - 特許庁
The surface morphology of the ferroelectric film 32 is improved and flattened.
強誘電体膜３２の表面モホロジーが改善され平坦化される。 - 特許庁
To suppress carbon capturing, and to suppress surface morphology from being degraded.
炭素の取り込みを抑制すると共に、表面モフォロジの低下を抑制する。 - 特許庁
A system (10) includes a filter (12) having an exterior surface (16), wherein the exterior surface (16) contains a three-dimensional surface morphology(14).
システム（１０）は、外面（１６）を有するフィルタ（１２）を備え、前記外面（１６）は、三次元表面モルホロジー（１４）を含む。 - 特許庁
This also allows epitaxial growth having a surface morphology excelling in flatness.
また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。 - 特許庁
To deposit a ruthenium film good in the uniformity of film quality and the reproducibility of surface morphology.
膜質の均一性、表面モフォロジーの再現性が良好なルテニウム膜を形成する。 - 特許庁
To reduce sizes of the crystalline grains, by improving the surface morphology of a polysilicon germanium film.
ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。 - 特許庁
The area (e) exhibits a dot-shaped surface morphology in an area where the synthetic off angle exceeds 1.0°.
エリア（ｅ）は、合成オフ角１．０度を超えるエリアにおける点状の表面モフォロジを示す。 - 特許庁
The rear surface 13b has surface morphology M that includes a plurality of protrusions 23 protruding toward a <000-1> axis direction.
裏面１３ｂの表面モフォロジＭは、＜０００−１＞軸の方向に向いて突出する複数の突起２３を有する。 - 特許庁
The electrode upper layer 16 has a top surface being a flat surface having no relation with surface morphology of the ferroelectric film 13 by planarizing.
そして、電極上層１６の上面は、平坦化により、強誘電体膜１３の表面モホロジーと無関係な平坦面となっている。 - 特許庁
To provide a surface treatment method of an AIN crystal for efficiently forming a surface of excellent morphology in an AlN crystal.
効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface processing method of AlN crystal for efficiently forming a surface of proper morphology in an AlN crystal.
効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁
To improve surface morphology of a nitride semiconductor or its polishing damage.
本発明は、窒化物半導体の表面モフォロジーもしくはその研磨傷を改善することを目的とする。 - 特許庁
To improve a film forming reproducibility of a formed dielectric thin film, and stabilize the surface morphology.
形成した誘電体薄膜の成膜再現性を向上し、かつ表面モフォロジーを安定化し得る。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor element that includes a gallium nitride-based semiconductor film having good surface morphology.
良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁
Such a smooth surface morphology improves hysteresis loop characteristics of the magnetic tunnel junction structure.
このようななめらかな表面モルフォロジーは、前記磁気トンネル接合構造体のヒステリシスループ特性を改善させる。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor element including a semi-polar epitaxial film having a favorable surface morphology.
良好な表面モフォロジを有する半極性のエピタキシャル膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁
To obtain an integrated semiconductor optical device that can reduce contact resistance while maintaining excellent surface morphology.
良好な表面モホロジーを保ちつつ、コンタクト抵抗を低減することができる集積型半導体光素子を得る。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which sizes of crystal grains can be reduced by improving the surface morphology of a polysilicon-germanium film.
ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。 - 特許庁
To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate.
本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。 - 特許庁
To provide an apatite composite body structured by forming apatite crystals having controlled morphology on the surface of a base material.
形態の制御されたアパタイト結晶が基材の表面に形成されてなるアパタイト複合体を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor having a good surface morphology nearly free of pits.
ピットの少ない表面モフォロジーの良好な窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Thus, the crystal state and surface morphology of the nitride-based compound semiconductor layer that is subjected to epitaxial growth on the substrate surface is improved.
これに応じて、この基板表面上にエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体層の結晶状態および表面モフォロジーが改善される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has a ferroelectric film having excellent surface morphology and improved in (111) orientation rate.
良好な表面モフォロジを有し、（１１１）配向率を向上した強誘電体膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a compound semiconductor substrate having a good surface morphology, a manufacturing method thereof, and a semiconductor light-emitting device.
良好な表面モホロジーを有する化合物半導体基板、その製造方法及び半導体発光デバイスを提供する。 - 特許庁
The resultant interparticle collisions are capable of including dramatic changes in surface morphology, composition, and reactivity.
結果として生じる粒子間の衝突は，表面形態，成分，反応性などに劇的な変化を生じさせることができる。 - 英語論文検索例文集
To provide a method of forming a buffer layer of a solar cell that is high in light-electric power conversion efficiency and is superior in surface morphology.
光−電力変換効率の大きい、表面モフォロジーの優れた太陽電池のバッファー層作成方法を提供する。 - 特許庁
In the light emitting diode, a groove with a depth of 7-15 nm is formed on the surface of an AlGaN layer, and hence a surface morphology of the InGaN layer grown on the AlGaN layer is improved.
ＡｌＧａＮ層の表面には、深さ７〜１５ｎｍの溝が形成されているので、この上に成長するＩｎＧａＮ層の表面モフォロジーが改善された。 - 特許庁
The area (d) exhibits a linear surface morphology the synthetic off angle of which is 1.0° or less in an area sandwiched by the area (b) and the area (c).
エリア（ｄ）は、合成オフ角１．０度以下であってエリア（ｂ）及びエリア（ｃ）に挟まれたエリアにおける、線状の表面モフォロジを示す。 - 特許庁
That is, a unique phenomenon is observed in which the luminance intensity is raised when the surface morphology of the AlGaN layer itself is low.
すなわち、ＡｌＧａＮ層自体の表面モフォロジーは低い方が、発光強度が高くなるという特異な現象が観察された。 - 特許庁
To provide an epitaxial substrate including a gallium nitride based semiconductor film capable of providing an excellent surface morphology and an excellent carrier concentration.
良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁
To provide an electrode for p-type SiC which ensures proper surface morphology and gives less amount of damage on a semiconductor crystal layer during the formation of the electrode.
表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への損傷が少ないp型SiC用電極を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, which is based on a solution method and by which morphology of the surface of a crystal growth layer can be improved.
溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。 - 特許庁
To provided a manufacturing method for a semiconductor device for improved surface morphology of epitaxial silicon.
エピタキシャルシリコンの表面モホロジーが良好になるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁
The manufacturing method is suitable for adjusting the surface morphology of particularly a non-annealed galvanized steel sheet having a plated film comprising mainly a η-phase.
特に、主としてη相から構成されるめっき皮膜を有する非合金化亜鉛めっき鋼板の表面形態調整に好適である。 - 特許庁
To provide a method for forming a ferroelectric film excellent in surface morphology with a desired crystal orientation and good yield by a MOCVD method.
ＭＯＣＶＤ法により、表面モフォロジの優れた強誘電体膜を所望の結晶配向で、歩留まり良く製造する方法の提供。 - 特許庁
The morphology of the outermost surface 15a of the epitaxial semiconductor region 15 includes a plurality of pits, and the pit density of the pits is not more than 5×10^4 cm^-2.
エピタキシャル半導体領域１５の最表面１５ａのモフォロジは複数のピットを含み、該ピットのピット密度は５×１０^４ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁
To improve crystallinity and to make sheet resistance high in growth on an Si substrate without making surface morphology of a semiconductor device worse.
半導体装置の表面モホロジーを悪化させることなく、結晶性の向上やＳｉ基板上に成長したときのシート抵抗の高抵抗化を実現すること。 - 特許庁
To provide a high-quality nitride semiconductor excelling in both surface morphology and an optical characteristic, and high in luminous efficiency when formed into a light-emitting element.
表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。 - 特許庁
To provide an electrode for p-type SiC wherein surface morphology is superior and thermal damage to a semiconductor crystal layer which is caused by formation of an electrode is little.
表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への熱的損傷が少ないｐ型ＳｉＣ用電極を提供する。 - 特許庁
To form a fine and uniform Perovskite single-layer film containing lead having homogeneous surface morphology on an iridium oxide electrode film without interposing a platinum layer.
均質な表面モホロジーを有する微細でかつ均一な鉛含有ペロブスカイト単層膜を酸化イリジウム電極膜の上に白金層を介在せずに形成する。 - 特許庁
The step of adjusting the surface morphology adjusts one or more of an average roughness Ra of the surface of the steel sheet, a peak count PPI of the surface of the steel sheet, and a filtered-wave center line waviness Wca of the surface of the steel sheet, through adjusting conditions of the cavitation.
この表面形態調整工程では、キャビテーション条件を調整することにより、鋼板表面の平均粗さＲａ、鋼板表面のピークカウントＰＰＩ、鋼板表面のろ波中心線うねりＷｃａのうちのいずれか１以上を調整する。 - 特許庁
The continuous defect determination method for analyzing distribution morphology based on information regarding surface defects arisen on the thin steel sheet F to determine the presence of continuous defect.
薄鋼板Ｆに発生する表面欠陥に関する情報を基に分布形態を解析して連続欠陥の有無を判定する連続欠陥判定方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor element capable of improving luminous efficiency and a yield by improving an EL emission pattern and surface morphology (flatness).
ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁
The lower electrode is formed of a platinum layer, a ruthenium layer, an iridium layer, a rhodium layer, an osmium layer, a palladium layer, or a layer of oxides of these, and shows smooth surface morphology.
前記下部電極は白金層、ルテニウム層、イリジウム層、ロジウム層、オスミウム層、パラジウム層、または、これらの酸化層で形成されてなめらかな表面モルフォロジーを見せる。 - 特許庁
To efficiently and easily obtain a substrate for epitaxial growth of a GaN compound semiconductor monocrystal membrane which has little crystal defect and favorable surface morphology.
結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、ＧａＮ系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the surface morphology of a ferroelectric film formed through an organic metal vapor phase epitaxy method.
有機金属気相成長法により形成された強誘電体膜の表面モホロジーを改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method includes: a step of depositing a tunnel oxide layer on a substrate; and a step of forming a plasma-altered near surface by exposing a tunnel oxide layer to a plasma and consequently allowing the plasma to alter the morphology of the surface and the near surface of the tunnel oxide.
トンネル酸化物層を基板上に堆積させるステップと、トンネル酸化物層をプラズマに曝し、その結果、プラズマがトンネル酸化物の表面と近傍表面の形態を変化させ、プラズマ変化した近傍表面を形成するステップと、を含む。 - 特許庁
To provide a surface processing method of AlN crystal for forming a surface of proper morphology efficiently in AlN crystal, in order to efficiently obtain an AlN crystal substrate for use in a semiconductor device.
本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

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「surface morphology」を含む例文一覧(85)

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