「surface passivation」を含む例文一覧(258)
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金属表面の不動態化処理方法 - 特許庁 - The passivation film is flat on the surface.
パッシベーション膜は、表面が平坦化されている。 - 特許庁 - METHOD FOR BLISTER-FREE PASSIVATION OF SILICON SURFACE
ブリスターを伴わずにシリコン表面をパッシベーションする方法 - 特許庁 - SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING REAR SURFACE PASSIVATION FILM
太陽電池および裏面パッシベーション膜の製造方法 - 特許庁 - Passivation treatment may be conducted on the surface of the non-power generation part to form a passivation film.
さらに非発電部の表面に不動態化処理を施して不動態被膜を形成してもよい。 - 特許庁 - Then, the surface of the stainless steel is subjected to passivation treatment.
それから、ステンレス鋼の表面に不動態処理を施す。 - 特許庁 - PASSIVATION METHOD FOR OXIDE VERTICAL CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
酸化型垂直キャビティ面発光レーザのためのパッシベーション方法 - 特許庁 - The distances from the surface of a passivation film to the taps are made nearly equal to that between the surface of the passivation film and upper-layer wiring.
ここで、パッシベーション膜の表面からタップまでの距離は、パッシベーション膜の表面から上層配線までの距離とほぼ等しくする。 - 特許庁 - To provide a method for passivating a silicon surface which provides excellent passivation quality on the silicon surface.
良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。 - 特許庁 - Along the front surface of the semiconductors 4 and 5, a passivation layer 10 is provided.
半導体４，５の表面に沿って、パッシベーション層１０を備える。 - 特許庁 - The cleaning solution forms a passivation layer on the polished surface.
この洗浄溶液は、研磨済み表面にパッシベーション層を形成させる。 - 特許庁 - To provide a method for forming on a silicon surface a surface passivation layer comprising an Al_2O_3 layer, by which good surface passivation quality of the surface passivation layer is maintained while blister formation is avoided even at high temperature.
シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。 - 特許庁 - A passivation film 4 is formed on a top surface of the semiconductor chip 2.
半導体チップ２の最表面には、パッシベーション膜４が形成されている。 - 特許庁 - A passivation layer is formed over the surface of the FET, and the passivation layer is etched to expose almost the entire top surface of the bus strips.
不動態化層は、ＦＥＴの表面を覆って形成され、不動態化層は、エッチングされてバス条片の上面全体の殆どを露出させる。 - 特許庁 - Chemical passivation for inhibiting surface recombination is executed by coating the semiconductor sample surface by wax or resin for setting the surface to a passivation state.
表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。 - 特許庁 - A passivation layer (18) is attached onto the dielectric layer, and a second thick dielectric layer (20) is formed on the surface of the passivation layer.
パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。 - 特許庁 - A passivation film 8 is formed on the surface of a silicon carbide semiconductor substrate, then the passivation film 8 on the p^+ contact region 6 is removed.
炭化珪素半導体基板の表面にパッシベーション膜８を形成し、ｐ^+コンタクト領域６上のパッシベーション膜８を除去する。 - 特許庁 - This electronic module is obtained by chemically modifying the surface of a passivation 5 until a sufficient depth so as to enrich the reactivity of the cured passivation 5.
硬化したパッシベーションがより反応性に富むように、チップのパッシベーションの表面を十分な深さまで化学的に改質する。 - 特許庁 - A passivation layer (18) sticks to the dielectrics layer, while a second thick dielectrics layer (20) is formed on the surface of the passivation layer.
パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。 - 特許庁 - This semiconductor device 100 is provided with a terminal electrode 2 formed on one surface 1a of an IC substrate 1, a passivation layer 4 formed on one surface 1a and a protecting film 5 covering the passivation layer 4.
ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。 - 特許庁 - A first passivation layer 20 is formed in an area to form an ink supply port on the surface of a silicon substrate 10, and a second passivation layer 15 is formed on the first passivation layer 20.
シリコン基板１０の表面においてインク供給口が開口される領域に第一のパッシベイション層２０を形成し、第一のパッシベイション層２０の上に第二のパッシベイション層１５を形成する。 - 特許庁 - Next, a seed layer 5 is formed to the surface where the passivation film 8 of the wafer W is formed.
次に、ウエハＷのパッシベーション膜８が形成された面に、シード層５が形成される。 - 特許庁 - A passivation film 15 is provided on a major surface 13a of a semiconductor region 13.
パッシベーション膜１５は、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.
水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁 - To provide a passivation layer structure of a solar cell, capable of improving the surface passivation effect and of directly improving the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.
表面パッシベーション効果を高め、太陽電池の光電変換効率を直接向上させることができる太陽電池のパッシベーション層構造を提供する。 - 特許庁 - Then the first passivation film 7 and a side surface of the low-dielectric-constant film wiring laminate structure portion 3 are covered with a second passivation film 9.
そして、第１のパッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は第２のパッシベーション膜９によって覆われている。 - 特許庁 - The surface of the semiconductor photodetector in the first embodiment is covered with the passivation film 113.
第１の実施形態の半導体受光素子の表面は、パッシベーション膜１１３で覆われている。 - 特許庁 - A passivation film 7 is provided on the upper surface of the low dielectric film wiring laminate structural part 3.
低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７が設けられている。 - 特許庁 - Since the second passivation layer 30 is disposed in between the substrate and the first passivation layer 20, the surface passivation effect and carrier lifetime of a photoelectric device are enhanced, and a photoelectric conversion efficiency of the solar cell is increased, as well.
第２のパッシベーション層３０が基板と第１のパッシベーション層２０の間で配置されるので、光電デバイスの表面パッシベーション効果およびキャリア寿命が向上し、太陽電池の光電変換効率も同様に向上する。 - 特許庁 - A semiconductor chip 1 has a multilayer wiring structure, and its uppermost surface is covered with the passivation film 22.
半導体チップ１は、多層配線構造を有しており、最表面がパッシベーション膜２２で覆われている。 - 特許庁 - The photovoltaic cell includes a substrate, a passivation layer formed on one surface of the substrate, a back electrode formed on the opposite side from the surface of the substrate where the passivation layer is formed, and a carbon nanotube structure formed on the opposite side from the surface of the passivation layer connected to the substrate.
本発明の太陽電池は、基板と、前記基板の一つの表面に設置されたパッシベーション層と、前記基板の、前記パッシベーション層が設置された表面と反対側に設置された背面電極と、前記パッシベーション層の、前記基板に接続された表面と反対側に設置されたカーボンナノチューブ構造体と、を含む。 - 特許庁 - By turning the surface of a passivation film 6 to a rugged surface 6d, a distance L2 from the opening end of an opening 6a to the end face of a semiconductor chip through the surface of the passivation film 6 is made longer compared to the case that the rugged surface 6d is not formed.
パッシベーション膜６の表面を凹凸面６ｄとすることで、パッシベーション膜６の表面を経路とした開口部６ａの開口端から半導体チップの端面までの距離Ｌ２を凹凸面６ｄが形成されていない場合と比べて長くする。 - 特許庁 - A first passivation film 7 is provided on an upper surface of the low-dielectric-constant film wiring laminate structure portion 3.
低誘電率膜配線積層構造部３の上面には第１のパッシベーション膜７が設けられている。 - 特許庁 - The passivation layer 11 is obtained by oxidizing a surface of a metal material layer 9 installed on the photothermal conversion layer 7.
不動態層１１は、光熱変換層７上に設けた金属材料層９の表面を酸化してなる。 - 特許庁 - After the surface treatment of the outer pad 144, a metal passivation layer 190 is formed on the outer pad 144.
外側パッド１４４の表面処理後に、外側パッド１４４上に金属不動態化層１９０を形成する。 - 特許庁 - On a surface of the passivation film, grooves are formed as a location information pattern indicating a location on the wafer.
そして、このパッシベーション膜の表面に、ウエハ上の位置を示す位置情報パターンとして、溝を形成する。 - 特許庁 - An opening 5 which exposes a pad portion 3 is formed in a passivation film 4 on the surface of a semiconductor substrate 1.
半導体基板１の表面のパッシベーション膜４には、パッド部３を露出させる開口５が形成される。 - 特許庁 - Many projections and recesses formed by half exposure are formed on a surface of the organic passivation film 109.
有機パッシベーション膜１０９の表面には、ハーフ露光によって形成された多数の凹凸が形成されている。 - 特許庁 - The thin film (the passivation film 6) is formed on the carbon nano-tube 2 with a surface on which the corpuscles 4 are deposited.
その後、表面に微粒子４が堆積したカーボンナノチューブ２上に薄膜（パッシベーション膜６）を形成する。 - 特許庁 - To obtain high H_2 passivation effect when an antireflection film of silicon nitride films is formed with surface-wave plasma.
表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。 - 特許庁 - In particular, the atomic layer multilayer structure functions as a surface passivation layer, a transparent conducting layer and an antireflection layer.
特に、原子層多層構造は表面パッシベーション層、透明導電層、さらには反射防止層として機能する。 - 特許庁 - Although the formation is made in the passivation film in Figure, an antireflection structure can be provided on the surface of the photodiode 2 and on the surface of the insulating film 3.
図ではパッシベーション膜に形成するが、フォトダイオード２の表面、絶縁膜３の表面に反射防止構造体を設けることができる。 - 特許庁 - An insulating passivation film 10 is formed so as to cover the front surface, side surfaces and a part of the rear surface side electrode of the silicon substrate 4.
絶縁性のパッシベーション膜１０は、シリコン基板４の表面と、側面と、裏面側電極の一部を覆うようにして形成されている。 - 特許庁 - The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.
シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁 - A method includes forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer 80 over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer 120 over the first passivation layer 80.
ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通する酸化空洞を形成し、ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化し、酸化空洞の表面上に第１のパッシベーション層８０を形成し、第１のパッシベーション層８０の上に第２のパッシベーション層１２０を形成する。 - 特許庁 - Irregularity caused by cutting dusts generated during the dicing of the bonding pad aperture on the passivation film 6 and the protection film can be eliminated by conducting the dicing after the growth of the passivation film 6 at the front surface of a semiconductor wafer, and removing a photosensitive resin 12 coated to open the passivation film 6 after the dicing or to selectively remove the passivation film 6.
半導体ウェーハの表面にパシベーション膜６を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜６を開口、もしくはパシベーション膜６を選択除去するために塗布する感光性樹脂１２を除去することにより、パシベーション膜６上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。 - 特許庁 - A plurality of openings penetrate the passivation layer and extend to expose a region of the upper surface of the contact pads.
複数個の開口が該パッシベーション層を貫通して延在しており該コンタクトパッドの上表面の区域を露出させている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a photoelectric conversion device having a rear surface passivation effect and high in efficiency at a low cost.
裏面パッシベーション効果を有する高効率な光電変換素子の製造方法を低コストに提供すること。 - 特許庁 - A passivation film 7 and a protective film 9 are provided, on an upper surface of the low dielectric constant film wiring line laminated structure portion 3.
低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。 - 特許庁 - The passivation film 2 is formed so as to cover an entire surface of the semiconductor chip 1 except for the groove 11.
この溝１１を除いて、半導体チップ１の表面全域を被覆するように、パッシベーション膜２が形成されている。 - 特許庁
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