An n-type substrate 1 is grounded with an n-type well 2 formed on its surface. n型の基板1は接地され、表面にn型のウエル2が形成されている。 - 特許庁
The p-type layers 2 and 12 are formed on the primary surface 11A of the n-type substrate 11, and the conductive type of the layers is p type. p型層2、12は、n型基板11の主表面11A上に形成され、導電型がp型である。 - 特許庁
ANTISTATIC FILTER CLOTH FOR SURFACE FILTRATION TYPE DUST COLLECTOR 表面濾過方式集塵機用帯電防止濾布 - 特許庁
SURFACE ACOUSTIC WAVE BRANCHING DEVICE OF TRANSMISSION BAND SPLIT TYPE 送信帯域分割型弾性表面波分波器 - 特許庁
SURFACE-MOUNTING TYPE COIL COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 面実装型コイル部品およびその製造方法 - 特許庁
SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE AND TRANSMISSION TYPE DISPLAY DEVICE 面光源装置及び透過型画像表示装置 - 特許庁
WALL SURFACE FINISH CONSTRUCTION METHOD OF PIPING JOINT END PORT BURIED TYPE 配管継端口埋設式壁面仕上げ工法 - 特許庁
FLAT UPPER SURFACE OPENING TYPE HINGE CONNECTING MODULE 平坦上面開放型蝶番連結式モジュール - 特許庁
OPTICAL SYSTEM AND REAR SURFACE PROJECTION TYPE DISPLAY APPARATUS 光学システム及び背面投射型ディスプレイ装置 - 特許庁
AC DRIVEN SURFACE DISCHARGE TYPE PLASMA DISPLAY PANEL AC駆動方式の面放電型プラズマディスプレイパネル - 特許庁
UNIT TYPE WALL SURFACE-GREENING SYSTEM AND CONSTRUCTION METHOD ユニット式壁面緑化システムおよび緑化工法 - 特許庁
To surely enhance the power generation efficiency of a back surface electrode type solar cell by high integration of the back surface electrode type solar cell. 裏面電極型太陽電池セルを高集積化して発電効率を確実に向上する。 - 特許庁
TEMPERATURE COMPENSATION CRYSTAL OSCILLATOR OF SURFACE MOUNTING TYPE 表面実装型の温度補償水晶発振器 - 特許庁
SURFACETYPE LIGHT-LIGHT SWITCH AND ITS MANUFACTURING METHOD 面型光−光スイッチおよびその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR SURFACE MOUNT TYPE CRYSTAL RESONATOR 表面実装型水晶振動子の製造方法 - 特許庁
PRIMER COMPOSITION FOR MOLTEN TYPE ROAD SURFACE LABEL-COATING 溶融型路面標示塗料用プライマー組成物 - 特許庁
PRODUCTION OF END FACE REFLECTION TYPESURFACE WAVE DEVICE 端面反射型表面波装置の製造方法 - 特許庁
LIGHT GUIDE PLATE FOR SIDE SURFACE LIGHT EMISSION TYPE BACKLIGHT DEVICE, AND SIDE SURFACE LIGHT EMISSION TYPE BACKLIGHT DEVICE USING THE SAME 側面発光型バックライト装置の導光板及びこれを採用した側面発光型バックライト装置 - 特許庁
SPRAYING TYPESURFACE TREATMENT CONSTRUCTION METHOD HAVING COVERING LAYER 被覆層を有する散布式表面処理工法 - 特許庁
EXECUTION METHOD IN SCATTERING TYPESURFACE TREATMENT METHOD 散布式表面処理工法における施工方法 - 特許庁
QUATERNARY AMMONIUM BASE TYPE SEMICONDUCTOR SURFACE TREATING AGENT 第四アンモニウム塩基型半導体表面処理剤 - 特許庁
AC SURFACE DISCHARGE TYPE PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING DEVICE FOR AC SURFACE DISCHARGE TYPE PLASMA DISPLAY PANEL 交流面放電型プラズマディスプレイ装置及び交流面放電型プラズマディスプレイパネル用駆動装置 - 特許庁
OXIDATION APPARATUS FOR MANUFACTURING SURFACE-EMITTING TYPE SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE-EMITTING TYPE SEMICONDUCTOR LASER 面発光型半導体レーザ製造用酸化装置および面発光型半導体レーザの製造方法 - 特許庁
SURFACE MOUNT TYPE PIEZOELECTRIC OSCILLATOR, AND PIEZOELECTRIC VIBRATOR 表面実装型圧電発振器、及び圧電振動子 - 特許庁
RESIN CASE FOR SURFACE-MOUNTED TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATOR AND SURFACE-MOUNTED TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATOR, ITS MANUFACTURING METHOD 表面実装型圧電振動子用樹脂ケース及び表面実装型圧電振動子、その製造方法 - 特許庁
SUPPORTING STRUCTURE OF PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT, SURFACE MOUNTING TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATOR AND SURFACE MOUNTING TYPE PIEZOELECTRIC OSCILLATOR 圧電振動素子の支持構造、表面実装型圧電振動子、及び表面実装型圧電発振器 - 特許庁
SIDE MULTICOLOR EMISSION TYPE SURFACE-MOUNTED LED 側面多色発光型表面実装タイプLED - 特許庁
LIQUID ETCHING TYPESURFACE TREATMENT DEVICE AND ITS METHOD 液体エッチング式表面処理装置及び方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING BACK-SURFACE IRRADIATION TYPE PHOTODETECTOR 裏面照射型光検出装置の製造方法 - 特許庁
TEMPERATURE RISE CONTROLLING TYPE PAVING STRUCTURE OF OF PAVING SURFACE 舗装面の温度上昇抑制型舗装構造 - 特許庁
WINDING TYPE COMPOUND VACUUM SURFACE TREATMENT APPARATUS, AND FILM SURFACE TREATMENT METHOD 巻取式複合真空表面処理装置及びフィルムの表面処理方法 - 特許庁
SURFACE TREATMENT STRUCTURE AND SURFACE TREATMENT METHOD FOR VARIABLE CAPACITY TYPE SUPERCHARGER 可変容量型過給機の表面処理構造及び表面処理方法 - 特許庁
An imaging portion 10A uses one surface of a p-type Si substrate as an imaging surface. 撮像部10Aは、p型Si基板の一表面を撮像面とする。 - 特許庁
The light-transmitting surface 211 forms a concave bottom surface of the pan type lens 21. 光透過面211は、皿型レンズ21の凹状の底面を形成する。 - 特許庁
The second surface of the n-type InP substrate 32 is a light-receiving surface of incident light. n型InP基板32の裏面が入射光の受光面である。 - 特許庁
A p-type base layer 3 is formed over the surface of the n-type base layer l. n型ベース層1の表面内にはp型ベース層3が形成される。 - 特許庁
An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c). (c)n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する。 - 特許庁
A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f). (f)p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する。 - 特許庁
This device may be of a guide surface/runner type, a shaft/bearing type, or a ball/socket joint type or the like. 本発明の装置は、案内面/ランナ型、シャフト/軸受型、ボール/ソケットジョイント型等のものであるのがよい。 - 特許庁