SURFACE MOUNT TYPE CRYSTAL RESONATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD 表面実装型水晶振動子及びその製造方法 - 特許庁
REAR-SURFACE IRRADIATING TYPE SOLID PHOTOGRAPHING ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 - 特許庁
SURFACE LIGHT EMITTING BODY, REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE 面状発光体、反射型表示装置及び電子機器 - 特許庁
SEALING MATERIAL FOR OPTICAL ELEMENT AND SURFACE MOUNTING TYPE LED ELEMENT 光学素子用封止材および面実装型LED素子 - 特許庁
A seed layer is formed on each of the p-type surface and the n-type surface while the sheet layers are electrically separated. p型表面上及びn型表面上に夫々シード層を電気的に分離された状態で形成する。 - 特許庁
FLOATING TYPE FORM SUPPORTING AND CONSTRUCTION METHOD FOR WATER-SURFACE BUILDING 浮遊式型枠支保工と水上構造物の構築方法 - 特許庁
WAFER FOR REAR SURFACE IRRADIATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND REAR SURFACE IRRADIATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハおよびその製造方法ならびに裏面照射型固体撮像素子 - 特許庁
An N type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a P type semiconductor substrate 1, and a P type well layer 4 is formed on a surface of the epitaxial layer 2. P型の半導体基板1の表面にN型のエピタキシャル層2が形成され、エピタキシャル層2の表面にはP型のウェル層4が形成されている。 - 特許庁
Overall P+-type surface layers 6a and 6b are surrounded with an N+-type surface diffusion layer 4, by which a photocurrent is retrained from leaking out of the P+-type surface layers 6a and 6b to a P+-type isolation layer 3. また、P^+型表面拡散層6a,6b全体をN^+型表面拡散層4により囲むことにより、P^+型表面拡散層6a,6bからP^+型分離層3への光電流のリークを抑制する。 - 特許庁
An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6. アノードとなる複数のP^+型表面拡散層6a,6b間にN^+型表面拡散層8を配置して、P^+型表面拡散層6間に生成するP型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁
The surface and inner-surface keys combine, when the lid (7) is open, to provide a standard type keyboard. 蓋(7)が開いているとき表面と内側のキーは一体で標準型キーボードとなる。 - 特許庁
A surface opposite to the light emitting layer 4 in the n-type semiconductor layer 3 is made a light extraction surface to the outside. n形半導体層3の光取り出し面にはグレーティング3aを設けてある。 - 特許庁
COATING TYPESURFACE TREATMENT AGENT OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY AND SURFACE TREATMENT METHOD アルミニウム又はアルミニウム合金材の塗布型表面処理剤及び表面処理方法 - 特許庁
The surface electron source part 10 is formed by a ballistic electron surface emission type electron source. 面電子源部10は、弾道電子面放出型の電子源により構成されている。 - 特許庁
WATER SURFACE SUSPENDED MATTER INDUCTION ELIMINATING METHOD AND WATER SURFACE JET INDUCTION TYPE DUST REMOVING APPARATUS 水面浮遊物誘導除去方法及び水面噴出誘導型ごみ取り装置 - 特許庁
STEREOSCOPIC SURFACE PRINTER, CONTACT TYPE PRINTHEAD AND METHOD FOR PRINTING BY STEREOSCOPIC SURFACE PRINTER 立体面印刷装置、接触型印刷ヘッド、立体面印刷装置の印刷方法 - 特許庁
In a surface light emission type of position detection, a distance (height) from the light emitting surface is measured. 面発光型の位置検出において、光出射面からの距離(高さ)を測定する。 - 特許庁
Then an n-type absorption reducing layer 4 is provided on an under surface of the n-type clad layer 5, and a p-type absorption reducing layer 12 is provided on an upper surface of the p-type second clad layer 11. そして、n型クラッド層5の下面にn型吸収低減層4が備えられるとともに、p型第2クラッド層11の上面にp型吸収低減層12が備えられる。 - 特許庁
The surface layer of the n^--type layer 12 is selectively formed with a p-type region 14, and the surface layer of the p-type region 14 is selectively formed with an n^+-type region 15. n^−型層12の表面層に選択的にp型領域14が形成され、p型領域14の表面層に選択的にn^+ 型領域15が形成されている。 - 特許庁
In a method for manufacturing a solar cell, a solar cell substrate 20 which has one principal surface and another principal surface and has a p-type surface and an n-type surface that are exposed to one region and other region of the one principal surface, respectively is formed. 一主面と他主面とを有し、一主面の一の領域及び他の領域に夫々露出するp型表面及びn型表面を有する太陽電池基板20を形成する。 - 特許庁
Then, a P^+- type layer 9 is formed by diffusing a P-type impurity into the surface layer of the N^--type channel layer 8. その後、N^-型チャネル層8の表層部にP型不純物を気相拡散させることで、P^+型層9を形成する。 - 特許庁
Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3. この後、N型基板10の表面側を平坦化し(図2(d))、P型エピタキシャル層12をP型層3とする。 - 特許庁
To provide a dry typesurface cleaning apparatus that removes surface contaminants on a surface of a workpiece. 被処理体の表面上の表面汚染物質を除去するための乾式表面クリーニング装置を提供する。 - 特許庁
After forming an element structure or a surface electrode on the surface side of an n^+-type substrate 1, an amorphous layer 12 is formed on the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1. n^+型基板1の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、n^+型基板1の裏面1bにアモルファス層12を形成する。 - 特許庁
The connector of the front surface mounting type and wiring of an electronic part are disposed on a surface A, and the connector of the dip type and the wiring of the electronic part are disposed on a surface B. ま表面実装タイプのコネクタと電子部品との配線をA面に、ディップタイプのコネクタと電子部品との配線をB面に配置する。 - 特許庁
The connector of the front surface mounting type and wiring of an electronic part are disposed on a surface A, and the connector of the dip type and the wiring of the electronic part are disposed on a surface B. 表面実装タイプのコネクタと電子部品との配線をA面に、ディップタイプのコネクタと電子部品との配線をB面に配置する。 - 特許庁
A solar battery 1 comprises: a solar battery substrate 10 having an n-type surface 10an and a p-type surface 10ap on one main surface 10a; an n-side electrode 21n disposed above the n-type surface 10an; and a p-side electrode 21p disposed above the p-type surface 10ap. 太陽電池1は、一主面10aにn型表面10anとp型表面10apとを含む太陽電池基板10と、n型表面10anの上に配されているn側電極21nと、p型表面10apの上に配されているp側電極21pとを備えている。 - 特許庁
A non-sun gear type both-surface polishing device is used to easily finish the surface of wafer into mirror and the rear surface can be made to be a high gloss satin-finished surface. 無サンギヤ式両面研磨装置を使って、簡単にウェーハ表面を鏡面とし、裏面を高光沢度の梨地面にできる。 - 特許庁
The box type vessel has a bottom surface 12, a side surface 13 and an upper surface 14, and a swingable plate 20 and a cover 21 are attached to the upper surface. 箱型容器は、底面12と、側面13と、上面14とを有し、上面に揺動板20とカバー21が取付けられている。 - 特許庁
P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3. P型ドレイン分離層6とP型素子分離層3に囲まれたN型エピタキシャル層5からなるN型層5bにその表面から内部に延在するP型コレクタ層7を形成する。 - 特許庁
A P+type contact layer 11 is formed on the surface of the P-type body layer 6 exposed to a bottom surface of the second contact hole 10. 第2のコンタクトホール10の底面に露出したP型ボディ層6の表面にP+型コンタクト層11を形成する。 - 特許庁
DETERMINATION METHOD OF SWITCH AREA, AND SURFACE SCAN TYPE INPUT DEVICE スイッチ領域の決定方法及び面走査型入力装置 - 特許庁
To prevent a surface fastener-type securing tape from unintended releasing. 面ファスナー式止着テープの意図しない止着解除を防止する。 - 特許庁
SURFACE MOUNT TUNING FORK TYPE CRYSTAL OSCILLATOR INCORPORATING ILLUMINATION 照明を内蔵した表面実装音叉型水晶振動子 - 特許庁
SURFACE CONDUCTIVE TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD 表面伝導型電子放出素子およびその形成方法 - 特許庁
SURFACE DISCHARGE AC TYPE PLASMA DISPLAY DEVICE AND ITS DRIVE METHOD 面放電交流型プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法 - 特許庁
CUP WHEEL-TYPE GRINDING WHEEL AND SURFACE GRINDING DEVICE HAVING IT カップホイ−ル型砥石およびそれを具備した平面研削装置 - 特許庁
SURFACE MOUNTED TYPE ANTENNA, ITS MANUFACTURING METHOD AND COMMUNICATION EQUIPMENT 面実装型アンテナおよびその製造方法および通信装置 - 特許庁
METHOD FOR APPLYING SOLDER TO ELECTRODE OF SURFACE- MOUNTING TYPE ELECTRONIC COMPONENT 表面実装型電子部品の電極へのはんだ付与方法 - 特許庁
The camera body 101 comprises a housing type lens unit 105 on its front surface. カメラ本体101は、前面に収納式のレンズユニット105を備える。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING N-TYPE CONDUCTIVE LAYER IN ZINC OXIDE SURFACE LAYER 酸化亜鉛表層にn型伝導層を形成する方法 - 特許庁
A plating film is formed on each of the seed layers on the p-type surface and the n-type surface using an electrolytic plating method. 電解メッキ法を用いてp型表面上及びn型表面上のシード層上に、夫々めっき膜を形成する。 - 特許庁
UPPER SURFACE OILING TYPE CARTRIDGE TANK WITH EXCESS FEED PREVENTING MECHANISM 過剰供給防止機構付上面給油型カートリッジタンク - 特許庁
MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF SURFACE BONDING TYPE DIODE FRAME 表面接着型ダイオードフレームの製造方法及びその構造 - 特許庁
SURFACE MOUNTING TYPE SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD 表面実装型の固体電解コンデンサおよびその製造方法 - 特許庁
SURFACE MOUNTING TYPE ANTENNA AND COMMUNICATION EQUIPMENT EQUIPPED WITH THE SAME 表面実装型アンテナおよびそれを搭載した通信機器 - 特許庁
LOWER SURFACE ELECTRODE TYPE SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 下面電極型固体電解コンデンサおよびその製造方法 - 特許庁