「surface type」を含む例文一覧(14065)

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  • METHOD FOR COMPENSATING PATTERN DISTORTION ON SHEET-TYPE WORK MATERIAL SPREAD ONTO SUPPORT SURFACE
    サポート面上に広げられたシートタイプワーク材のパターン歪みを補正する方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATICALLY DESIGNING FLAW TYPE DETERMINATION LOGIC AND SURFACE DEFECT METER
    疵種判別ロジック自動設計方法および装置ならびに表面欠陥計 - 特許庁
  • The surface side of the p-type silicon layer 3 is formed with an insulating film 12.
    ｐ形シリコン層３の表面側には絶縁膜１２を形成してある。 - 特許庁
  • To obtain a rotary type surface melting furnace capable of comparatively prolonging the maintenance cycle.
    メンテナンス周期を比較的ながくできる回転式表面溶融炉を得る。 - 特許庁
  • WORK CARRIER STOP POSITION CONTROL DEVICE FOR EPICYCLIC GEAR TYPE PARALLEL FLAT SURFACE FINISHING MACHINE
    遊星歯車方式平行平面加工盤のワークキャリヤ停止位置制御装置 - 特許庁
  • CONDENSED-TYPE SILICONE COMPOSITION, CURED PRODUCT, SURFACE MODIFICATION THEREOF, AND LITHOGRAPHY
    縮合型シリコーン組成物、硬化物、その表面改質方法および平版 - 特許庁
  • SURFACE CURRENT TYPE FLUIDIZATION OVEN AND METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVATED COKE BY USING THE SAME
    表層流型流動炉およびそれを用いた活性コークスの製造方法 - 特許庁
  • In a portal type column 30, a machining head 70 is arranged to perform five-surface machining.
    門型のコラム３０には加工ヘッド７０が設けれ、５面加工を行なう。 - 特許庁
  • SURFACE INSPECTION METHOD FOR ELECTRIC CONNECTION PART OF INSULATOR TYPE GAS INSULATED SWITCHGEAR
    碍子型ガス絶縁開閉装置の電気的接続部材の表面検査方法 - 特許庁
  • The strip type connectors 3 are juxtaposed on a surface 2a of the insulating sheet material 2.
    帯状導体３は絶縁性シート材２の表面２ａに並設されている。 - 特許庁
  • UNDERGROUND WATER CIRCULATING SYSTEM BURIED TYPE SNOW MELTING APPARATUS USING SURFACE LAYER UNDERGROUND AQUIFER
    表層地下帯水層を利用した地下水循環式埋設型融雪装置 - 特許庁
  • A T-type Al electrode 4 is provided on the bottom surface of the recess slot 3.
    リセス溝３の底面上に、Ｔ字型のAl電極４が設けられている。 - 特許庁
  • SURFACE CONDUCTION TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF IMAGE FORMING DEVICE
    表面伝導型電子放出素子及び画像形成装置の製造方法 - 特許庁
  • SECOND SURFACE MACHINING GRINDING WHEEL FOR REGRINDABLE PINION TYPE CUTTER WITH OPTIONAL TOOTH FORM
    研ぎ直し可能な任意歯形を有するピニオンカッタの二番面加工用砥石 - 特許庁
  • The surface type optical elements 1 and 11 are packaged to a small substrate 10 provided with a mirror.
    表面型素子１，１１はミラーを備えた小基板１０に実装される。 - 特許庁
  • INSTALLING DEVICE FOR CHANGING NEW TYPE PORTABLE TERMINAL HAVING SIDE SURFACE INSERT PLUG TO CAR NAVIGATOR
    側面挿入栓の新型携帯端末をカーナビに変える据え付け装置 - 特許庁
  • Then, a p-type InP is buried in the groove 53a, and the surface is flattened.
    次に、溝５３ａ内にｐ型ＩｎＰを埋め込み、表面を平坦化する。 - 特許庁
  • SURFACE DISCHARGE LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM POINT PERPENDICULAR RESONANCE TYPE
    量子点垂直共振型の表面放出レーザー及びその製造方法 - 特許庁
  • HEAT TRANSFER TUBE WITH GROOVED INNER SURFACE AND CROSS FIN TUBE TYPE HEAT EXCHANGER FOR EVAPORATOR
    内面溝付伝熱管及び蒸発器用のクロスフィンチューブ型熱交換器 - 特許庁
  • CARBON SURFACE COATING TYPE FERROMAGNETIC METAL SPHERICAL PARTICLE AND ITS PRODUCTION METHOD
    炭素表面被覆形強磁性金属球形粒子及びその製造方法 - 特許庁
  • MATT THERMOSETTING TYPE SILICONE INK COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING MATT SURFACE
    艶消し加熱硬化型シリコーンインク組成物および艶消し表面の形成方法 - 特許庁
  • The tape type spacer 11 is wound and fixed around a toner non-conveying surface 5b.
    テープ状のスペーサ１１がトナー非搬送面５ｂに巻かれて固定されている。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL MODULE USING REAR SURFACE ELECTRODE-TYPE SOLAR CELL
    裏面電極型太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールの製造方法 - 特許庁
  • An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.
    ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁
  • An electrode 80 is formed on the rear surface of the n-type semiconductor substrate 10.
    次に、ｎ型半導体基板１０の裏面上に電極８０を形成する。 - 特許庁
  • a type of radiation therapy using electrons that is directed at the entire surface of the body.
    体の表面全体に電子を照射する放射線療法の一種。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • AUTOMOBILE EQUIPPED WITH ROAD SURFACE ILLUMINATING TYPE LIGHT EMISSION DEVICE FOR INDICATING POSITION AND CAR WIDTH
    位置、車幅表示用の路面照射型発光装置のついた自動車 - 特許庁
  • To provide a surface-mounted type antenna for improving production efficiency in manufacturing.
    製造効率を上げることが可能な表面実装型アンテナを提供する。 - 特許庁
  • A second conductivity-type second base layer 12 is formed on the first surface.
    第２導電型の第２のベース層１２は、第１面上に形成されている。 - 特許庁
  • PROBE DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE PROBE DEVICE, AND STYLUS-TYPE SURFACE MEASURING DEVICE
    プローブ装置、プローブ装置の製造方法および触針式表面測定装置 - 特許庁
  • The wordline has a second conduction type different from the first conduction type, and a flat upper surface substantially.
    前記ワードラインは、前記第１導電型と異なる第２導電型を有して実質的に平らな上部面を有する。 - 特許庁
  • To provide immersion type surface treatment equipment which is changeable to a counter current type by slightly modifying an existing equipment.
    既存設備を僅かに改造することで対向流式に変更できる浸漬型表面処理装置を提供する。 - 特許庁
  • In another embodiment, a surface of a p-type layer of an acceptor-doped III to V group is covered with a n-type layer positioned over.
    別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われる。 - 特許庁
  • The upper surfaces of the n-type InP layer 13 and the p-type InP region 14 are covered with a surface protection film 15.
    ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。 - 特許庁
  • A p-type electrode 4 comprising a transparent electrode is in ohmic contact with a surface of the p-type GaN guide contact layer 17.
    ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。 - 特許庁
  • To provide a printed wiring board on which an electronic component of either an insertion type or surface mount type can be mounted.
    挿入型及び表面実装型のいずれの電子部品も搭載することができるプリント配線板を提供する。 - 特許庁
  • SHAPE MEASURING DEVICE FOR SHELL TYPE OUTER RING, AND METHOD OF MEASURING ROUNDNESS AND PARALLELISM OF RACEWAY SURFACE IN SHELL TYPE OUTER RING
    シェル形外輪の形状測定装置およびシェル形外輪の軌道面の真直度および平行度の測定方法 - 特許庁
  • An n-type channel layer 12 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the deep diffusion layers 14 and 14.
    ディープ拡散層間１４，１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｎ型チャネル層１２が形成されている。 - 特許庁
  • REFLECTOR FOR REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY, PRODUCTION OF REFLECTOR SURFACE AND REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
    反射型液晶ディスプレイ用反射板、および、その反射板表面の製造方法、並びに、反射型液晶ディスプレイパネル - 特許庁
  • To provide a field emission type electron source which has a good flatness of surface electrodes and to provide a manufacturing method of the electric field emission type electron source.
    表面電極の平坦性が良好な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a self-emulsification type or emulsification type spreader composition comprising a specific silicone having high surface activity.
    高い界面活性を有する特定のシリコーンを含む、自己乳化型又は乳化型の展着剤組成物を提供する。 - 特許庁
  • This member has a surface layer composed of a base material and an anatase-type titania crystal or a rutile-type titania crystal.
    基材と、アナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶からなる表面層を備えた部材が開示されている。 - 特許庁
  • To provide a closed type sandwich maker which can easily make a closed-type sandwich having dents on the surface.
    表面に窪みを有する密閉型サンドイッチを容易に製造することができる密閉型サンドイッチ製造具を提供する。 - 特許庁
  • Then RIE is performed on the surface of the n-type contact layer 12 and p-type contact layer 18 by using a chlorine gas.
    その後、ｎ型コンタクト層１２およびｐ型コンタクト層１８の表面に対して塩素ガスを用いたＲＩＥを施す。 - 特許庁
  • A p-type silicon region 5 having circular openings periodically is formed on the surface of an n-type silicon region 3.
    ｎ型シリコン領域３の表面に、円形の開口部を周期的に有するｐ型シリコン領域５を形成する。 - 特許庁
  • A p-type low density epitaxial growth layer 4 is formed on one surface of a p-type high density semiconductor substrate 2.
    Ｐ型高濃度半導体基板２の一表面上にＰ型低濃度エピタキシャル成長層４が形成されている。 - 特許庁
  • The titanium oxide photocatalyst has an anatase-type titanium oxide layer joining to the surface of a fine particle of rutile-type titanium oxide.
    ルチル形酸化チタン微粒子の表面に接合しているアナタース酸化チタンの層を有する酸化チタン光触媒。 - 特許庁
  • A p-type amorphous silicon film 3 and a surface electrode 4 are formed successively on an i-type amorphous silicon film 2.
    ｉ型非晶質シリコン膜２上にｐ型非晶質シリコン膜３および表面電極４が順に形成されている。 - 特許庁
  • A well 106 of a second conductive type is formed in a surface portion of a semiconductor substrate 100 of a first conductive type.
    第１導電型の半導体基板１００の表面部には、第２導電型のウェル１０６が形成されている。 - 特許庁
  • In a purple-blue semiconductor laser device 100, an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 are formed on one surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.
    青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁
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