「surface type」を含む例文一覧(14065)
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シリコン基板１内に隣接して形成されたＰ型領域２とＮ型領域３のうちＰ型領域２の上面に、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。 - 特許庁 - In the upper surface of an n-type impurity region 28, a p+ type impurity region 33 is formed between an NMOS 14 and a PMOS 15 to come into contact with a p-type well 29.
ＮＭＯＳ１４とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｐ型ウェル２９に接するようにｐ^+型不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a cement type base material which can control occurrence of back-surface shrinkages of the cement type molding in the press molding process of press-molding a cement type molding.
セメント系成形体にプレス成形を施すプレス成形工程においてセメント系成形体の裏面ヒケの発生を抑制することができるセメント系基材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The packaging device has a sleeve covering a storage type hot water supply device 1 and a protrusive protrusion type support device 8 mounted on the inner surface of the sleeve so as to surround the storage type hot water supply device 1.
貯湯式給湯器１を覆うスリーブと、スリーブの内面側に、貯湯式給湯器１を取り巻くように設けた突起状の凸型支持装置８とを備えたものである。 - 特許庁 - Each light receiving element is provided with a semi-insulating semiconductor substrate 10, an n-type semiconductor layer 11, an i-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer which are successively laminated on the surface of the substrate 10.
各受光素子は、半絶縁性の半導体基板10と、この基板上に順次積層されたn型半導体層11、i型半導体層12およびp型半導体層を具えている。 - 特許庁 - In the n-type shallow well region 124, an n-type layer 128 having small impurity concentration, and an n-type layer 126 having large impurity concentration are formed successively from the surface side.
Ｎ型の浅いウェル領域１２４内には、表面側から順に、Ｎ型の不純物濃度の薄い層１２８と、Ｎ型の不純物濃度の濃い層１２６とが形成されている。 - 特許庁 - A p-type well layer 14 is formed partially on the upper surface of an n^--type embedded layer 11 in an n^--layer 12 on a part enclosed by a p-type separation layer 13.
ｐ型ウェル層１４は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁 - An n-type well region 3 and a p-type well region 4 are formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, and an element separation insulation film 2 separates between the well regions 3 and 4.
ｐ型シリコン基板１の表面にｎ型ウェル領域３，ｐ型ウェル領域４を形成し、このウェル領域３，４間を素子分離絶縁膜２によって分離している。 - 特許庁 - Alternately, the two adjacent magnetic field type antennas are stored in parallel on the surface side, and the two adjacent magnetic field type antennas are stored on the back face side, and they are faced to each other (D type).
或いは、表面側に対して２個の近接磁界型アンテナを並列に収納し、かつ裏面側に２個の近接磁界型アンテナを収納してこれらを対向させる（Ｄタイプ）。 - 特許庁 - The treatment members, provided with a treatment agent on the surface, is prepared by unitization of various types of members such as a matrix type, plate type, rod type and the like or by fixing a simple unit of members to a conveyance device.
表面に処理剤を備えた、マトリックス状、プレート状、ロッド状等の各種の部材をユニット化し、或いは部材単体を搬送装置に固定して処理部材とする。 - 特許庁 - The light receiver has a p-type layer 101, an i-type layer 102, and an epitaxial n-type layer 103 which are successively formed from a light incident surface and has also an isolating/insulating oxide film 104.
受光装置は、光入射表面からｐ型層１０１、ｉ型層１０２、エピタキシャルｎ型層１０３を有し、さらに、分離絶縁膜である酸化膜１０４を有している。 - 特許庁 - Between an NMOS14 and a PMOS15, in the upper surface of an n-type impurity region 28, a p+-type impurity region 33 is formed, in such a manner that it contacts a p-type well 29.
ＮＭＯＳ１４とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｐ型ウェル２９に接するようにｐ^+型不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁 - In the p-type shallow well region 123, a p-type layer 127 having small impurity concentration and a p-type layer 125 having dense impurity concentration are formed successively from the surface side.
Ｐ型の浅いウェル領域１２３内には、表面側から順に、Ｐ型の不純物濃度の薄い層１２７と、Ｐ型の不純物濃度の濃い層１２５とが形成されている。 - 特許庁 - Since the p-type semiconductor 27 is also grown from the second exposed portions of the n-type semiconductor 22, formation of V-shaped grooves are prevented on the surface of the p-type semiconductor 27.
また、ｎ型半導体２２の第２の露出部からもｐ型半導体２７が成長するので、ｐ型半導体２７の表面にＶ字状の溝が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁 - For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.
たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁 - In the light emitting element having two electrodes for an n type and for a p type on the same one surface side, a transparent conductive film is utilized as a transparent electrode for the n type.
同一面側にｎ型用とｐ型用の両電極を有する発光素子において、透明導電膜をｎ型用透明電極として利用したことを特徴としている。 - 特許庁 - Then a third N^+ type diffusion layer 14 is made to grow by diffusion from the surface side of an N type epitaxial growth layer 13, and is joined to the second N^+ type embedded diffusion layer 12.
この後、Ｎ型エピタキシャル成長層１３の表面側から第３のＮ^＋型拡散層１４を拡散成長させて、第２のＮ^＋型埋め込み拡散層１２と接合する。 - 特許庁 - The polarizer protective film has a resin layer comprising a copolymer including styrene type monomer and olefin type monomer as monomer unit on one side surface of (meth)acrylic type resin layer.
本発明にかかる偏光子保護フィルムは、（メタ）アクリル系樹脂層の片面にスチレン系モノマーおよびオレフィン系モノマーをモノマー単位として含有する共重合体からなる樹脂層を有する。 - 特許庁 - In an n-type first semiconductor region nw1 formed on a main surface of a p-type semiconductor substrate 1, a plurality of p-type second semiconductor regions pw1 are arranged in an array form.
ｐ型の半導体基板１の主面に形成されたｎ型の第１半導体領域ｎｗ１内にはｐ型の複数の第２半導体領域ｐｗ１がアレイ配置されている。 - 特許庁 - An n-type buried layer 11 and an epitaxial layer 12, and a P-type semiconductor layer 13 are arranged on a surface of a P-type semiconductor substrate 10 constituting an IC chip 10A.
ＩＣチップ１０Ａを構成するＰ型の半導体基板１０の表面には、Ｎ型の埋め込み層１１及びエピタキシャル層１２と、Ｐ型の半導体層１３が配置されている。 - 特許庁 - A p-type diffusion layer 22 is formed in the surface 11b of the n-type substrate 11, which corresponds to a detector 31 between the p-type well region 15 and the reading gate 21.
また、Ｐ型ウェル領域１５および読み出し用ゲート２１の相互間の検出部３１に対応する、Ｎ型基板１１の表面部１１ｂにはＰ型拡散層２２が形成されている。 - 特許庁 - A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.
第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。 - 特許庁 - The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.
トレンチ７の側面から所定距離離れた位置に、ｎ^+型ソース領域４よりも深く、かつ、ｐ型ベース領域３よりも高濃度となるｐ^+型ボデー層６を備える。 - 特許庁 - To provide a surface light emitting device capable of emitting more light than a surface light emitting device using chip type LED elements.
チップ型のＬＥＤ素子を用いた面発光装置と比較して、より多くの光を取り出すことが可能な面発光装置を提供する。 - 特許庁 - The thermistor 102 and the resistor element 103 are formed into a film type on the surface of a base part 101 of the light-emitting element carrier, on which surface a light emitting element is to be mounted.
発光素子キャリアの基部101の発光素子を実装する面にサーミスタ102および抵抗素子103が膜状に形成されている。 - 特許庁 - To provide an urban-type road-surface drainage treatment tank to be underlaid in a side ditch for the separation and removal of pollutants in road-surface drainage at rainfall.
降雨時の路面排水中の汚濁物質の分離除去用の側溝に敷設する都市型の路面排水処理槽を提供する。 - 特許庁 - To provide a hand-carry type electric-driven tool capable of enhancing the operability when the tool is used in a corner area of a wall surface, a floor surface or the like.
壁面又は床面等のコーナー領域で使用する際の操作性を向上させて手持式電動工具を提案する。 - 特許庁 - Accordingly, the end face Pc of the reaction type hot-melt adhesive layer P is formed in a flat surface, and a post-coated surface having no fine irregularity is obtained.
それにより、反応式ホットメルト接着剤層Ｐの端面Ｐｃは平坦面となり、微細な凹凸のない後塗装面が得られる。 - 特許庁 - One side surface portion 25 of an outer layer coil 23 is used as a surface type commutator, and carried out commutation with a brush 51.
外層コイル２３の一方の側面部２５はサーフェス型コンミテータとして利用しており、ブラシ５１とともに整流作用をおこなう。 - 特許庁 - To prevent any step from being formed between a base surface and a cover base surface in a two-piece type mirror base of a vehicular door mirror.
車両用ドアミラーの２ピースタイプのミラーベースにおいてベース表面とカバーベース表面との間に段差が生じるのを防止する。 - 特許庁 - A depressed part depressed in an axial direction is formed on the width surface 27a of the connecting part 23 facing the width surface of a shell type outer ring.
ここで、シェル型外輪の幅面と対面する連結部２３の幅面２７ａには、軸方向に凹んだ凹部が設けられている。 - 特許庁 - To provide a thin film thermal diffusivity measuring device of a surface heating/surface temperature measuring type, into which an analysis model that takes into consideration the film thickness is incorporated.
膜厚を考慮した解析モデルを組み込んだ表面加熱・表面測温型の薄膜熱拡散率測定装置を構築する。 - 特許庁 - One end of the resonant type external resonator is the target surface 40, and the other end is a far position surface 12 of the semiconductor oscillation medium.
共鳴型外部共振器の一端はターゲット面４０であり、もう一方の端は半導体発振媒体の遠位面１２である。 - 特許庁 - An electrode nozzle 30 of a surface opposing type is arranged opposed to the processed surface of the separator base material B which is covered with a partial masking M.
部分的にマスキングＭを施したセパレータ基材Ｂの被加工面に対し、面対向型の電極ノズル３０を対向配置する。 - 特許庁 - SURFACE FLAW EVALUATION DEVICE OF ROUND BAR STEEL BY SUBMERGED ULTRASONIC FLAW DETECTION USING ELECTRON SCANNING TYPE ARRAY PROB,E AND SURFACE FLAW EVALUATION METHOD OF ROUND BAR STEEL
電子走査式アレイ探触子を用いた水浸超音波探傷による丸棒鋼の表面欠陥評価装置及びその方法 - 特許庁 - Right above the display surface 3 of a display device 2 provided with a touch type coordinate input device, a display surface rugged part 8 is provided.
タッチ式座標入力装置を有した表示装置２の表示面３のすぐ上には、表示面凹凸部８が備えられている。 - 特許庁 - The rim mounting type spot cooler comprises a Peltier element 1 having a heating surface 1a which is contacted with a rim 4a, and a spot cooler body 2 provided on the cooling surface 1b side of the element 1.
ペルチェ素子１の発熱面１ａ側をリム４ａに当接させ、冷却面１ｂ側にスポットクーラ本体２を設ける。 - 特許庁 - The refractory floor surface material 32 and the refractory surface material 31 form a double refractory structure to improve the refractory performance of a unit type building.
耐火床面材３２と、耐火面材３１とで、二重の耐火構造となり、ユニット式建物１の耐火性能を向上できる。 - 特許庁 - To provide a control method for registering the image positions on the surface side and the rear surface side with a stabilized precision regardless of the type of a web.
ウェブの種類によらず、安定した精度での表面側の画像位置と裏面側の画像位置とを揃える制御を提供する。 - 特許庁 - To provide a straight-down type light-emitting surface member, capable of increasing the luminance at a receiving surface, while suppressing the generation of lamp image.
ランプイメージの発生を抑制しつつ、発光面における輝度を高めることができる直下型用発光面部材を提供する。 - 特許庁 - The infrared rays reflected on the reflection surface 3a of the pedestal 3 reflect on the convex type reflection surface 5a toward the center of the pedestal 3.
凸面型反射面５ａにより、台座３の反射面３ａにて反射した赤外線が台座３の中央に向けて反射する。 - 特許庁 - To obtain a lead-acid storage battery having a stable electrolytic solution surface height by suppressing time variations in the liquid surface height of a liquid type lead-acid storage battery.
液式鉛蓄電池の、液面高さの時間変化を抑制し、安定した電解液面高さを有した鉛蓄電池を得ること。 - 特許庁 - To provide a novel surface acoustic wave device capable of exhibiting an excellent Q value even when a high speed SH type surface acoustic wave is used.
高速なＳＨタイプの表面波を利用しても優れたＱ値を発揮することができる新規な弾性表面波デバイスの提供。 - 特許庁 - A determining section 15 determines the road type based on a recognition result of the road-surface sign coupled with a recognition result of the road-surface convex condition.
そして、判別部１５は路面標示の認識結果と路面凸状態の認識結果を加味して道路種の判別を行う。 - 特許庁 - To provide a surface emitting type UV irradiation apparatus using UV emitting diodes, which arbitrarily controls with luminance distribution in a light emitting surface.
紫外線発光ダイオードを用いて面発光型の紫外線照射装置を実現し、発光面内の輝度分布を任意に制御する。 - 特許庁 - An attached garage 11 includes an inner surface 23, the surface of which is provided with a photocatalyst layer 24 including a visible light response type photocatalyst.
付属車庫１１は、可視光応答型光触媒を含む光触媒層２４が表面に設けられた内面２３を備えている。 - 特許庁 - A substrate 1 is a flat plate type substrate which is made of stainless steel and has a specular surface 2 as one surface, and serves as an electrode of a piezoelectric body 3.
図１において、１は片面を鏡面２としたステンレス製の平板状基板であって圧電体３の電極を兼ねている。 - 特許庁 - Photocatalyst coating of a cold setting type coating agent is applied to the surface of the net 3 and the surface side of the membrane material 5 for the tent.
次に、ネット３の表面及びテント用膜材５の表側に、常温硬化型コーティング剤により光触媒コーティングを施す。 - 特許庁 - To enhance dehydration efficiency by making effective use of the whole filtration surface of a screw press type dehydration device, and dispense with the cleaning of the filtration surface.
スクリュープレス式脱水装置のろ過面全体を有効利用して脱水効率を高めると共にろ過面の洗浄を不要にする。 - 特許庁 - VESSEL IN WHICH SIDE SURFACE OF VESSEL OF WATER-DISCHARGING TYPE SINGLE BODY VESSEL IS PROJECTED IN ADVANCEMENT DIRECTION AND BOTTOM SURFACE OF VESSEL IS NOTCHED TO FORM WELL
排水量型の単胴船の船の側面を進行方向に突出せしめ且つ船の底面を切り欠いてウエルを形成した船 - 特許庁
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