「surface type」を含む例文一覧(14070)
＜前へ 1 2 .... 64 65 66 67 68 69 70 71 72 .... 281 282 次へ＞- Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.
さらに、フォトダイオード２１と平面的に重なりをもって、フォトダイオード２１よりも第１面側に、ｎ型のフローティングディフュージョン３３と、ゲート電極３２のｎ型のドレイン領域３４およびｎ型のソース領域３５が形成されている。 - 特許庁 - The n-type semiconductor layer 13 is formed by an epitaxial growing method so as to retain the recess of the trench 12 on the inner wall of the trench 12, and a p-type semiconductor layer 14 is similarly formed on the surface of the n-type semiconductor layer 13.
トレンチ１２の内壁上にトレンチ１２の凹みを残すようにＮ型半導体層１３をエピタキシャル成長法により形成し、同様にＮ型半導体層１３の表面上にＰ型半導体層１４を形成する。 - 特許庁 - The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.
前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁 - A gate electrode 9 is formed on the inner wall of a trench 12, that penetrates the p-type silicon carbide channel layer 4 to the n-type silicon carbide drift layer 2 from the surface of the n-type silicon carbide source layer 5 via the gate insulation film 8.
ゲート電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５表面から、ｐ型炭化珪素チャネル層４を貫通して、ｎ型炭化珪素ドリフト層２に達するトレンチ１２内壁にゲート絶縁膜８を介して形成される。 - 特許庁 - By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.
埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁 - The polarizing plate is characterized by laminating a protective film composed of a norbornene type resin film on at least one surface of a polarizer composed of a polyvinyl alcohol type sheet with adhesion using an aqueous polymer-isocyanate type adhesive.
ポリビニルアルコール系シートからなる偏光子の少なくとも１面にノルボルネン系樹脂フィルムからなる保護フィルムを水性高分子−イソシアネート系接着剤により接着、積層せしめることを特徴とする偏光板により提供。 - 特許庁 - A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.
ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁 - A mean square deviation value for the surface roughness of the binary type diffractive lattices of the first diffractive lens 22, the binary type diffractive lattices of the second diffractive lens 32 and the binary type diffractive lattices of the diffractive lattices of the grism 10 are 5 nm or less.
第１回折レンズ２２のバイナリ型回折格子と、第２回折レンズ３２のバイナリ型回折格子と、グリズム１０の回折格子のバイナリ型回折格子の表面粗さの平均二乗偏差値は５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The main electrodes are provided on the surface of the second-conductive-type base layer and surfaces of the first-conductive-type source layers, and at a deeper position than the gate electrodes in the trenches and the second-conductive-type base layer.
主電極は、第２導電形ベース層の表面上及び第１導電形ソース層の表面上に設けられると共に、トレンチ内におけるゲート電極及び第２導電形ベース層よりも深い位置に設けられた。 - 特許庁 - To provide a projection type video display device capable of properly displaying a video on a projection surface in cooperation with the other projection type video display device without adjusting the positional relation with respect to the other projection type video display device.
他の投写型映像表示装置に対する位置関係を調整せずに、他の投写型映像表示装置と連携して、投写面上に適切に映像を表示することを可能とする投写型映像表示装置を提供する。 - 特許庁 - When an n-type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, the n-type epitaxial layer 2 is formed outside first and second grooves 4a, 4b, while the n-type epitaxial layer 2 is not formed on a projecting part 5 located between them.
半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。 - 特許庁 - A source/drain region 16 composed of an n^- type region 161 and an n^+ type region 162 having concentration higher than the region 161 is constituted at a distance of the channel region, along the trench 13 from the uppermost surface in the p^- type region 12.
Ｐ^−型領域１２における最上面から溝部１３に沿うようにチャネル領域を隔ててＮ^−型領域１６１及びそれより高濃度のＮ^＋型領域１６２でなるソース・ドレイン領域１６が構成される。 - 特許庁 - Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.
その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁 - A p-type well 30P is provided in annular inside input/output pads 12 and the like on the main surface of semiconductor chip 10, with an N-type well 30N provided in annular along the inside of the P-type well 30P.
半導体チップ１０の主面における各入出力パッド１２等の内側には、Ｐ型ウェル３０Ｐが環状に設けられ、該Ｐ型ウェル３０Ｐの内側に沿うようにＮ型ウェル３０Ｎが環状に設けられている。 - 特許庁 - A P-type well region 120 is formed at the deep part of an N- type silicon substrate 110, and a ground wiring 130 of a metal film is provided on the surface of silicon substrate 110, discharging an electric charge from the P-type well region 120 to a ground.
Ｎ型シリコン基板１１０の深部にＰ型ウエル領域１２０が形成され、シリコン基板１１０の表面には、金属膜のグランド配線１３０が設けられ、Ｐ型ウエル領域１２０からの電荷をグランドに排出する。 - 特許庁 - A conveyance surface 2 of the conveyor belt is a polyether type and a peroxide vulcanized type and is formed with a millable polyurethane rubber layer 1 where the mixing pts.wt. of a plasticizer or/and an oil type addition agent or/and lubricant is about 15 pts.wt. or below.
その搬送面２がポリエーテルタイプでパーオキサイド加硫系であると共に、可塑剤又は／及び油系の添加剤又は／及び滑剤の混合重量部数が約１５重量部以下のミラブルウレタンゴム層１により形成された。 - 特許庁 - A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.
第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁 - Further, each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22 is jointed with the i-type semiconductor region 23, and the junction surface extends in the direction intersecting with the optical receiving side 11 and rear side 12.
また、ｎ型半導体領域２１及びｐ型半導体領域２２のそれぞれとｉ型半導体領域２３とが互いに接合しており、該接合面が受光面１１及び裏面１２と交差する方向に延びている。 - 特許庁 - Then an internal wall insulating film 4 and n^+-type doped Poly-Si 5 are arranged in the trench 3, and an n^+-type impurity layer 6 is formed below the trench 3 while extending from a bottom surface of the trench 3 to the n^--type substrate 1.
そして、トレンチ３の内部に内壁絶縁膜４とｎ^+型ドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ５を配置し、トレンチ３の下方において、トレンチ３の底面からｎ^-型基板１に向かって伸びるようにｎ^+型不純物層６を形成する。 - 特許庁 - In the measuring method for the deflection of the screw, the distance up to the leading end surface of the screw blade of the screw 12 during the operation of the screw type extruder 10 is measured using the eddy current type displacement sensor 14 provided to the barrel 11 of the screw type extruder 10.
スクリュ式押出し機１０のバレル１１に設けられた渦電流式変位センサ１４を用いて、スクリュ式押出し機運転中におけるスクリュ１２のスクリュ翼先端面までの距離を計測するスクリュ振れ計測方法。 - 特許庁 - The pen type indicator 2 includes a movement sensor, and transmits identification information identifying the pen type indicator 2 and movement information indicating movement state of the pen type indicator 2 to the optical touch panel 1, when being brought into contact with the display surface 171.
ペン型指示具２は、移動センサを備え、表示面１７１に接触した場合に、ペン型指示具２を識別する識別情報、及びペン型指示具２の移動状態を示す移動情報を光学式タッチパネル１へ送信する。 - 特許庁 - In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed.
ＤＭＯＳ型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極１４をマスクとしてＰ^+ 型ボディー拡散層１５表面に低濃度Ｎ型不純物を導入してなるＮ^- 型のオフセット領域１７を形成する。 - 特許庁 - In such a case, it is preferable to provide a drive electrode 21 for driving the disk type oscillator 20A and a detection electrode 22 for detecting a change in oscillation of the disk type oscillator 20A so as to face the surface of the disk type oscillator 20A.
この場合、ディスク型振動子２０Ａを駆動する駆動電極２１、ディスク型振動子２０Ａの振動の変化を検出する検出電極２２は、ディスク型振動子２０Ａの表面に対向するように設けるのが好ましい。 - 特許庁 - Then the semiconductor laser layer 3 includes a light projection surface 20a, and inclined surfaces 20c and 20d extending near the light projection surface 20a obliquely at an angle θ1 (=about 62°) with respect to a [1-100] direction perpendicular to the principal surface of the n-type GaN substrate 1 while having an acute angle to the principal surface of the n-type GaN substrate 1.
そして、半導体レーザ素子層３は、光出射面２０ａと、光出射面２０ａの近傍に、ｎ型ＧａＮ基板１の主表面と鋭角をなしながらｎ型ＧａＮ基板１の主表面に垂直な［１−１００］方向に対して角度θ_１（＝約６２°）だけ傾斜して延びる傾斜面２０ｃおよび２０ｄとを含んでいる。 - 特許庁 - To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.
第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the solar battery cell is provided with (a) a step of forming a rear surface Al electrode 4 containing aluminum on the rear surface of a p-type silicon substrate 1 as a cell main body; and (b) a step of forming a front surface electrode 7 containing silver having ionizing tendency smaller than that of aluminum and glass on the front surface of the p-type silicon substrate 1.
本発明に係る太陽電池セルの製造方法は、（ａ）アルミニウムを含有する裏面Ａｌ電極４をセル本体であるｐ型シリコン基板１の裏面側に形成する工程と、（ｂ）アルミニウムよりもイオン化傾向が小さい銀と、ガラスとを含有する表面電極７をｐ型シリコン基板１の表面側に形成する工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a panel glass for CRT having a panel outer surface treated with a surface treatment film so that an overall permeability distribution and a reflectance distribution in the effective screen surface on the panel outer surface for CRT can meet the requirements of a specified expression and having uniform brightness and contrast over the entire surface of an image display surface even if the glass is of a flat panel type.
ＣＲＴ用パネル外側面上の有効画面面内の総合透過率分布、反射率分布が特定の数式を満たすように該外側面上に表面処理膜が施され、フラット化パネルガラスであっても、画像表示面の全面にわたり輝度、コントラストが均一であるＣＲＴ用パネルガラスおよびＣＲＴ、並びにそれらの製造方法。 - 特許庁 - Surface-mounting type composite electronic components are provided with a prescribed lower electrode 22 formed on the surface of an insulating substrate 10, a titanium film 24 formed on the surface of the electrode 22, and a crystalline ferroelectric film 26 electrochemically formed on the surface of the titanium film 24.
絶縁性の基板１０の表面に所定の下部電極２２が形成され、この下部電極２２の表面にチタン膜２４が設けられ、さらにこのチタン膜２４の表面に電気化学的に形成された結晶性の強誘電体膜２６を備える。 - 特許庁 - The housing 200 of the projection type video display device has a side wall 210 on the projection surface side opposed to the first arrangement surface 420, and is provided with a projection distance setting part 700 setting a distance from the side wall on the projection surface side to the first arrangement surface.
投写型映像表示装置の筐体２００は、第１配置面４２０に対向する投写面側側壁２１０を有すると共に、投写面側側壁から第１配置面までの距離を設定する投写距離設定部７００が設けられる。 - 特許庁 - The radio wave absorber has a top surface of a map type fiber aggregation, having a radio wave reflecting layer provided on its reverse surface is coated dispersedly, with dielectric loss paint and the rate of surface coating rate of the surface with cured bodies of the paint is 30 to 50%.
裏面に電波反射層を設けたマット状繊維集合体の表面に誘電損失塗料が分散して塗布され、当該塗料の硬化物による当該面の表面被覆率が３０〜５０％とされていることを特徴とする電波吸収体。 - 特許庁 - The reflection type liquid crystal spatial optical modulator is constructed with an array of pixels each having a cover glass 21, an adhesive layer 22, the microlens array 23, a liquid crystal layer 24, and a reflection surface 25, and is characterized by having the reflection surface 25 which is a curved surface (for example, a concave surface).
本発明の反射型液晶空間光変調素子は、カバーガラス２１と、接着層２２と、マイクロレンズアレイ２３と、液晶層２４と、反射面２５を有する画素の配列からなり、前記反射面２５が曲面（例えば凹面）であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an outer surface developing type air bag device capable of developing an air bag along a vehicle body outer surface without generating a clearance between the vehicle body outer surface even when the vehicle body outer surface is convex to an external side of a vehicle body or is concave to an internal side of the vehicle body.
車体外面が車体外部側に凸曲或いは車体内部側に凹曲していても、該車体外面との間に殆ど隙間を生じることなくエアバッグを該車体外面に沿って展開させる外面展開型エアバッグ装置を提供する。 - 特許庁 - In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.
ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁 - When the close condition is satisfied by the position sensor group, α-rays and β-rays from the clothes are measured simultaneously by each plane type detector and each curved-surface type detector.
位置センサ群により前記近接条件が満たされているときに、各平面型検出器及び湾曲面型検出器によって衣服類のα線とβ線を同時に測定する。 - 特許庁 - A surface acoustic wave device has a structure adaptable to both of an unbalanced input-unbalanced output type reception filter and an unbalanced input-balanced output type reception filter.
表面弾性波装置は、不平衡入力−不平衡出力型の受信フィルタおよび不平衡入力−平衡出力型の受信フィルタのいずれにも対応可能な構造を有する。 - 特許庁 - A p-type GaAs contact layer 108 is arranged so that the layer 8 does not include the position which is spaced by the length of 1/4 (odd multiple of 1/4) of a laser light wavelength from the surface of a p-type DBR 106.
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８は、ｐ型ＤＢＲ１０６の表面から数えて、レーザ光波長の１／４（１／４の奇数倍）の位置が含まれないように配置されている。 - 特許庁 - On a surface of a substrate 1, a semiconductor layer 30 is formed which has an undoped GaN layer 2, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 laminated in this order.
基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。 - 特許庁 - A coplanar line 4 is formed on a side face of the NRD guide dielectric strip 1 of an LSE01 mode transmission type in the very high frequency circuit and a surface mount type gun diode 5 is mounted to the coplanar line 4.
ＬＳＥ_01モード伝送型のＮＲＤガイドの誘電体ストリップ１の側面に共平面線路４を形成し、該共平面線路４に表面実装型のガンダイオード５を実装する。 - 特許庁 - To provide a work method for caisson upper end portion by making a caisson embedded near the ground surface with a dividing type earth retaining wall, and the dividing type retaining wall is removed after backfilling the top of the pile cap.
地表付近に埋入されるケーソンを分割式の土留め壁とし、頂版上を埋め戻した後、土留め壁を撤去するケーソン上端部の施工方法を提供する。 - 特許庁 - A pair of n-type source/drain regions 417a, 417b are formed on the surface of a p-type well region 415, being separated with a predetermined space so as to interpose a channel region.
Ｐ型ウェル領域４１５の表面には、チャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて１対のｎ型のソース／ドレイン領域４１７ａ、４１７ｂが形成されている。 - 特許庁 - To provide a film cartridge type digital camera that can be loaded in a film camera of a type which can be attached with a film without opening a back lid, and can capture an image on an imaging surface that is kept clean.
裏蓋を開けずにフィルムを装着するタイプのフィルムカメラにも装着でき、また、清浄に保った撮像面で撮像することが可能なフィルムカートリッジ型デジタルカメラを提供する。 - 特許庁 - An n^+-embedding layer 31 is formed in a p^--substrate 200 so as to contact the bottom surface of the n-type impurity region 121 while covering at least the lower part of the n^+-type source region 133.
ｎ^+埋め込み層３１は、少なくともｎ^+型ソース領域１３３の下方を覆いつつ、ｎ型不純物領域１２１の底面に接してｐ^-基板２００内に形成されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method superior in mass production and capable of inexpensively manufacturing a highly precise, small-sized and thin type semiconductor device in the semiconductor device of a leadless surface mounting type.
リードレス表面実装方式の半導体装置において、高精度，小型，薄型タイプの半導体装置を、量産性に優れ、かつ安価に生産できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - After the SiO2 film containing P is removed, the SiO2 film containing no P is formed on the surface of the P-type silicon substrate 14, then the P-type silicon substrate 14 is heated.
その後、Ｐを含んでいたＳｉＯ_２膜を除去した後、Ｐ型シリコン基板14の表面にＰを含まないＳｉＯ_２膜を形成し、さらに当該Ｐ型シリコン基板14を加熱する。 - 特許庁 - More specifically, a barrier metal 12a is arranged on the surface of the p-type region 4b so that the contact parts of the collector electrode 12 and the p-type region 4b come into Schottky contact reliably.
具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。 - 特許庁 - When electrons are injected in the metal film 13 from the n-type semiconductor substrate 11 through the i-type semiconductor layer 12, surface plasmon excited on the metal film 13 emits light.
ｎ型半導体基板１１から金属膜１３にｉ型半導体層１２を通して電子を注入することにより、金属膜１３に励起された表面プラズモンが発光する。 - 特許庁 - Since the P-type semiconductor diffusion region 160 is provided, no potential barrier is provided on the way from the surface of silicon substrate 110 to the P-type well region 120.
このＰ型半導体拡散領域１６０を設けたことにより、シリコン基板１１０の表面からＰ型ウエル領域１２０に至る間の中途位置でポテンシャルバリアをもたないものとなる。 - 特許庁 - An n^+-type semiconductor area 106 is formed in the surface area of the p-type channel layer 103 so as to come into contact with a part of the side of the trench gate 2 through the gate oxide film 3.
ゲート酸化膜３を介してトレンチゲート２の側面の一部に接してＰ型チャネル層１０３の表面領域にＮ^+ 型半導体領域１０６が形成されている。 - 特許庁 - To provide a tire type portal crane capable of efficiently hoisting and lowering a container while suppressing shocks to a loading surface, and a container hoisting and lowering method with the tire type portal crane.
載置面に対して衝撃を抑えつつ効率的にコンテナを吊り下ろすことが可能な、タイヤ式門型クレーン及びこのタイヤ式門型クレーンによるコンテナの吊り下ろし方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an upper surface emission type light emitting device of active matrix type, having a positive electrode formed on the upper part of an organic compound layer serving as a light taking-out electrode.
アクティブマトリクス型の発光装置において、有機化合物層の上部に形成された陽極が光取り出し電極となる上面出射型の発光装置を提供する。 - 特許庁
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