「surface wave plasma」を含む例文一覧(133)
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表面波プラズマ源 - 特許庁 - SURFACE WAVE PLASMA TREATMENT APPARATUS AND SURFACE WAVE PLASMA TREATMENT METHOD
表面波プラズマ処理装置及び表面波プラズマ処理方法 - 特許庁 - SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA PROCESSOR
表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SURFACE WAVE EXCITING PLASMA TREATMENT DEVICE
表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA PROCESSING DEVICE
表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SURFACE WAVE EXCITED PLASMA TREATMENT APPARATUS
表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - ANTENNA FOR SURFACE WAVE PLASMA GENERATION AND SURFACE WAVE PLASMA TREATMENT APPARATUS
表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置 - 特許庁 - SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA CVD APPARATUS
表面波励起プラズマＣＶＤ装置 - 特許庁 - SURFACE-WAVE-EXCITED PLASMA CVD APPARATUS
表面波励起プラズマＣＶＤ装置 - 特許庁 - METHOD OF GENERATING SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA AND PLASMA GENERATING APPARATUS
表面波励起プラズマの生成方法およびプラズマ発生装置 - 特許庁 - To provide an antenna for surface wave plasma generation and a surface wave plasma treatment apparatus that form a uniform surface wave plasma.
均一な表面波プラズマを形成することが可能な表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - Further, the surface wave excited plasma can be used for the plasma.
また、プラズマとして、表面波励起プラズマを用いることができる。 - 特許庁 - ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING FILTER AND PLASMA DISPLAY FRONT-SURFACE PLATE
電磁波遮蔽用フィルタとプラズマディスプレ前面板 - 特許庁 - SHOWERHEAD AND SURFACE WAVE EXCITING PLASMA PROCESSING DEVICE
シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SHOWER PLATE AND SURFACE WAVE EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS
シャワープレートおよび表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SURFACE WAVE PLASMA CVD APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD
表面波プラズマＣＶＤ装置および成膜方法 - 特許庁 - PLASMA SOURCE, SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA CVD DEVICE EQUIPPED THEREWITH AND DEPOSITING METHOD
プラズマソース、これを備える表面波励起プラズマＣＶＤ装置および成膜方法 - 特許庁 - MICROWAVE INTRODUCTION APPARATUS AND SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS
マイクロ波導入装置および表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - A plasma-generating part 10 generates surface wave-excited plasma P using an energy of a surface wave S transmitted across the surface of a dielectric plate 2.
プラズマ生成部１０は、誘電体板２の表面を伝播する表面波Ｓのエネルギーにより表面波励起プラズマＰを生成する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING VAPOR DEPOSITION FILM BY USING SURFACE WAVE PLASMA, AND APPARATUS THEREFOR
表面波プラズマによる蒸着膜の形成方法及び装置 - 特許庁 - To provide a plasma processing device which does not generate mode jump of a surface wave excitation plasma.
表面波励起プラズマのモードジャンプを生じさせないプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - The surface wave resonance density of surface wave plasma generated in a plasma generating section (14) is preferably in the range of 4.1×10^8-1.0×10^11 cm^-3.
プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10^8cm^-3以上1．0×10^11cm^-3以下であることが好ましい。 - 特許庁 - To read out a plasma surface wave resonance frequency without moving an antenna.
アンテナを動かさずに、プラズマ表面波共鳴周波数を読み取る。 - 特許庁 - TRANSPARENT ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD FILM FOR PLASMA DISPLAY, FRONT SURFACE FILTER FOR PLASMA DISPLAY PANEL USING IT, AND PLASMA DISPLAY
プラズマディスプレイ用透明電磁波シールドフィルムおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル用前面フィルターならびにプラズマディスプレイ - 特許庁 - To provide a plasma processing device with a high plasma controllability that stably forms a surface wave plasma in a chamber.
プラズマの制御性が高く、チャンバー内で安定的に表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A helicon-wave plasma is used as a plasma source in a plasma doping method, where a material is introduced in the vicinity of the surface of a material to be treated using a plasma.
プラズマを用いて物質を被処理物の表面近傍に導入するプラズマドーピング方法において、プラズマ源としてヘリコン波プラズマを用いる。 - 特許庁 - To stably generate a surface wave plasma without enhancing microwave power.
マイクロ波電力を高めることなく、表面波プラズマを安定的に生成する。 - 特許庁 - To provide a plasma density measuring probe that facilitates determination between surface wave resonance and the resonance excluding the surface wave resonance, and to provide a plasma density measuring device, a plasma processing device, and a plasma density measuring method.
本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。 - 特許庁 - ELECTROMAGNETIC WAVE PLASMA GENERATOR, ITS GENERATING METHOD, ITS SURFACE TREATMENT APPARATUS, AND ITS SURFACE TREATMENT METHOD
電磁波プラズマ発生装置、その発生方法、その表面処理装置、およびその表面処理方法。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SUBSTANCE FILM ON SEMICONDUCTOR WAFER, USING SURFACE WAVE PLASMA ETCHING SYSTEM
表面波プラズマエッチング装置を用いた半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法 - 特許庁 - The surface wave excitation plasma CVD apparatus 303 forms the silicon nitride film.
そして、表面波励起プラズマＣＶＤ装置３０３によって窒化シリコン膜が形成される。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device that suppresses the occurrence of dust, particles, etc., and, in addition, such surface-wave plasma that is harmful to plasma treatment.
ダスト、パーティクル等の発生を抑制しつつ、しかもプラズマ処理に有害な表面波プラズマをも抑制可能としたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device in which, while generation of dusts, particles or the like is controlled, a surface wave plasma harmful for a plasma treatment can also be controlled.
ダスト、パーティクル等の発生を抑制しつつ、しかもプラズマ処理に有害な表面波プラズマをも抑制可能としたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - Surface wave exciting plasma is formed in the internal space S of a dielectric tube 23 within the plasma treatment device 20 and plasma detoxifying treatment is performed under a normal pressure.
プラズマ処理装置２０では、誘電体チューブ２３の内部空間Ｓに表面波励起プラズマを生成させ、常圧下でプラズマ除害処理を行う。 - 特許庁 - As the plasma is formed, the microwaves become surface waves spreading over the entire microwave introducing window 3a, i.e., the discharge surface, thus forming a surface wave excited plasma.
プラズマが形成されるとマイクロ波は表面波となって放電面であるマイクロ波導入窓３ａの全体へと拡がり、表面波励起プラズマが形成される。 - 特許庁 - The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P.
プラズマ処理装置は、導波管２内を伝播するマイクロ波Ｍを磁界面Ｈに設けられた第１および第２のスロットアンテナからマイクロ波導入窓３に導き、表面波Ｓを形成し、表面波Ｓによってチャンバー４内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマＰを生成し、このプラズマＰにより被処理物を処理する。 - 特許庁 - When the antireflection film of silicon nitride films is formed with the surface-wave plasma, silicon nitride films differing in film quality are laminated on a photodetection surface side of a substrate using the surface-wave plasma to form a multilayer antireflection film.
表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、基板の受光面側に、膜質を異にする窒化シリコン膜を表面波プラズマを用いて積層して、多層の反射防止膜とするものである。 - 特許庁 - SURFACE WAVE PLASMA PROCESSOR USING MULTI-SLOT ANTENNA FOR WHICH CIRCULAR ARCUATE SLOT IS PROVIDED TOGETHER WITH RADIAL SLOT
放射状スロットに円弧状スロットを併設したマルチスロットアンテナを用いた表面波プラズマ処理装置 - 特許庁 - An electromagnetic wave is entered into the vacuum container 2 from the electromagnetic wave incident surface F to generate surface wave plasma in the vacuum container, thereby depositing silicon oxide on the substrate 100 to be processed.
真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 - 特許庁 - The surface-wave-excited plasma CVD apparatus 100 is provided with a material gas introduction system 10 and a discharge gas introduction system 30; and estranges a material gas G1 with surface-wave-excited plasma P to form the film of the estranged component on the substrate S.
表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、材料ガス導入システム１０と放電ガス導入システム３０を備え、表面波励起プラズマＰにより材料ガスＧ１を乖離して基板Ｓに成膜する。 - 特許庁 - By overlappingly applying high-frequency power with different frequencies (different wavelength) to an electrode of a plasma cvd apparatus, high density of plasma and plasma uniformity without plasma surface standing wave effect are achieved.
周波数の異なる（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 - 特許庁 - This plasma treatment device has a reflection suppressing means to suppress reflection of a surface wave from a wall part 101a by damping the surface wave propagating on the boundary surface of a dielectric window 109 and plasma and entering the wall part 101a of a treatment vessel 101.
誘電体窓１０９とプラズマとの境界面を伝播し処理容器１０１の壁部１０１ａに入射する表面波を減衰させ、該壁部１０１ａからの表面波の反射を抑制する反射抑制手段を有する。 - 特許庁 - To provide a surface wave excitation treatment device capable of generating uniform plasma ranging over the entire region of a dielectric.
誘電体の全領域にわたって均一なプラズマを生成することができる表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - To obtain high H_2 passivation effect when an antireflection film of silicon nitride films is formed with surface-wave plasma.
表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。 - 特許庁 - The printed body 100 is exposed to microwave surface wave plasma in a treatment chamber 11 of a pattern forming apparatus which generates the microwave surface wave plasma and the metal particulates of the pattern printed body are sintered to form the conductive pattern.
そして、この印刷物１００は、マイクロ波表面波プラズマを発生させるパターン形成装置の処理室１１内でプラズマに晒し、パターン印刷物の金属微粒子を焼結させて導電性パターンを形成する構成としてある。 - 特許庁 - To provide a surface wave excitation plasma CVD device wherein the periphery of a workpiece substrate is a proper film formation region.
被処理基板周辺を適正な成膜可能領域とする表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁 - It is preferred that the surface wave plasma process is performed in a gas containing one of or both of hydrogen gas and rare gas.
表面波プラズマ処理は、水素及び希ガスの一方又は双方を含むガス中で行うことが好ましい。 - 特許庁 - The metal surface wave measuring device 1000 is fitted to a plasma treatment device 2000 putting a substrate G by plasma treatment by exciting gas with electromagnetic waves for measuring metal surface waves propagated between metal and plasma in the treatment vessel.
金属表面波計測装置１０００は、電磁波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するプラズマ処理装置２０００に設けられ、処理容器内部の金属とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。 - 特許庁 - Gaseous particles are ionized by microwave power that is radiated from a surface wave to propagate along the lower surface of the quartz plate 52, and surface-excited plasma is generated.
そして、石英板５２の下面に沿って伝播する表面波から放射されるマイクロ波電力によってガス粒子が電離し、表面励起のプラズマが生成される。 - 特許庁 - To provide a surface wave plasma etching method which can greatly reduce a preheat time of a glass plate transmitting a surface wave and suppress damages to the glass plate caused by fluorine and the deposition of polymers to the glass plate.
表面波を伝えるガラス板の予熱時間を大幅に短縮でき、フッ素によるガラス板の損傷およびガラス板へのポリマー付着を抑えることができる表面波プラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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