「surface- active」を含む例文一覧(4161)

<前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 83 84 次へ>
  • Thereby, the electrode active material applied on the porous surface of the base material is strongly fixed to the surface of a lower conductive base material by an anchor effect.
    多孔質化された基体表面の上に被覆された電極活性物質が、アンカー効果により、下の導電性基体の表面に強固に固定される。 - 特許庁
  • Light emitted from the active layer 13 resonates in the photonic crystal period structure 21, and achieves surface emission from the upper surface of the upper clad layer 14.
    活性層13で発光した光はフォトニック結晶周期構造体21により共振して上部クラッド層14の上面から面発光する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser diode outputting polarized light generated in an active layer having a semipolar surface as a principal surface, while suppressing increase of a threshold.
    半極性面を主面とする活性層で発生した偏光を、しきい値の上昇を抑制して出力できる半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁
  • The upper surface 8a in the semiconductor layer 8 is positioned at the upper portion of the upper surface 1a of the semiconductor substrate 1 in an active region 100c.
    そして、半導体層8の上面8aは、活性領域100cにおける半導体基板1の上面1aよりも上方に位置している。 - 特許庁
  • Therein, the drying treatment is preferably a low temperature surface plasma treatment or a surface treatment using active oxygen generated by the irradiation of ultraviolet light.
    更に具体的には、その乾式処理が、低温プラズマ表面処理または紫外線照射により発生した活性酸素による表面処理である。 - 特許庁
  • The microchannel plate (MCP) includes an active part having an input surface area receiving electrons and an output surface area outputting multiplicated electrons.
    マイクロチャネルプレート(MCP)は、電子を受領する入力表面エリアと、増倍された電子を出力する出力表面エリアと、を有するアクティブ部分を含む。 - 特許庁
  • To provide a method of separating semiconductor laser diodes capable of obtaining a laser emission surface whose surface is perpendicular to an active layer and clean.
    活性層に垂直であると共に表面がきれいなレーザー放出面を得ることができる半導体レーザーダイオードの分離方法を提供する。 - 特許庁
  • The first lens wafer has a planar lower wafer surface adjacent and parallel to the planar upper surface of the upper substrate layer of the electro-active lens assembly.
    第1レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの上側の基板層の上側の平表面に平行で近接する、下側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁
  • A rear-surface electrode 19 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 11 is connected with the active region 20 via the pierced electrode 16.
    半導体基板11の下面に形成された裏面電極19は、この貫通電極16を介して活性領域20と接続されている。 - 特許庁
  • After a dummy gate electrode is formed on the active element part of a silicon substrate 11, a TEOS film 22 is deposited on the entire surface and then the surface is planarized.
    たとえば、シリコン基板11の能動素子部上にダミーのゲート電極を形成した後、全面に、TEOS膜22を堆積し、その表面を平坦化する。 - 特許庁
  • In the chemical grafting, an active bonding site is formed on a metallic surface to polymerize silicone based prepolymer on the metallic surface by using graft initiator.
    ケミカルグラフティングでは、グラフト開始剤を用いて、シリコーン系プレポリマーが金属表面上で重合するための活性結合サイトを金属表面上に形成する。 - 特許庁
  • The surface of the antifouling joint structure is rendered photocatalyst-active and/or hydrophilic, and the interior inner than the vicinity of the surface is rendered water-repellent.
    表面が光触媒活性及び/又は親水性であり、表面近傍より内部が撥水性であることを特徴とする防汚性目地構造体。 - 特許庁
  • The surface of each linear element 121 constituting the negative electrode active material layer 12 has a gradient less than 90 degrees with respect to the surface of a negative electrode collector 11.
    負極集電体11の表面から見て、負極活物質層12を構成するライン状パターン121の表面の勾配が90度よりも小さい。 - 特許庁
  • Thereby compressive strain is developed in the active layer 1 in the vicinity of the end surface, and a band gap is enlarged, so that light absorption at the end surface can be restrained.
    これにより、端面近傍の活性層1に圧縮歪が発生し、バンドギャップが広がるので、端面での光吸収を抑制することができる。 - 特許庁
  • To specify road surface information transmitted from another vehicle for the prediction control of an active type suspension device or the like as the road surface information of a present vehicle traveling path.
    能動型サスペンション装置の予見制御などのために他車両から送信される路面情報を自車両走行路の路面情報として特定する。 - 特許庁
  • The laminated wafer is obtained by laminating the wafer for active layer and the wafer for supporting, where the surface on the interface side has a low surface roughness.
    本発明の貼り合わせウェーハは、界面側の面の表面粗さが共に低い活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハを貼り合わせてなるものである。 - 特許庁
  • To provide a biosensor for providing a preconcentration effect with a pH equal to or higher than that of the isoelectric point of a physiologically active substance, and further, that can covalently bonds the active substance to its surface, and to provide a physiologically active substance immobilization method.
    生理活性物質の等電点以上のpHでプレコンセントレーション効果を得ることができ、さらに生理活性物質を表面に共有結合し得るバイオセンサー及び生理活性物質の固定化方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method for production of a physiologically active substance-immobilized substrate, preventing the inactivation of a physiologically active substance and/or immobilizing a physiologically active substance at a high concentration onto a substrate surface without use of electrostatic attraction.
    静電引力を利用することなしに基板表面に生理活性物質の失活を防ぎ、及び/又は生理活性物質を高濃度に固定化することができる、生理活性物質を固定した基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • The negative electrode 22 has a negative electrode active material layer 22B including a plurality of negative electrode active material particles, and the negative electrode active material particles include a core section and a coating section coating at least a part of a surface of the core section.
    負極22は、複数の負極活物質粒子を含む負極活物質層22Bを有しており、その負極活物質粒子は、コア部およびその表面の少なくとも一部を被覆する被覆部を含んでいる。 - 特許庁
  • A semiconductor chip 1 is equipped with active circuits A1 to A3 formed on a semiconductor board 5, active circuit terminals 7 to 18 are provided to the one surface of the semiconductor board 5 and connected to the active circuits A1 to A3 respectively.
    半導体チップ1において、能動回路A1〜A3は半導体基板5に形成されており、能動回路端子7〜18は半導体基板5の一面に備えられ、能動回路A1〜A3のそれぞれに個別に接続されている。 - 特許庁
  • The positive active material powder 21 has active material particles 22 in which the lithium manganese oxide is Li_4Mn_5O_12 having spinel structure, and a covered layer 23 covering at least part of the surface of the active material particles 22.
    また正極活物質粉末21は、上記リチウムマンガン酸化物がスピネル構造のLi_4Mn_5O_12である活物質粒子22と、この活物質粒子22の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層23とを備える。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises an active layer substrate 7 and a support substrate 6 bonded to the active layer substrate 7 via the active layer substrate 7 and a 1st oxide film 5', and a polysilicon film 3 is formed on a bonded surface of the base substrate 6 via a second oxide film 2.
    活性層基板7と、この活性層基板7と第1の酸化膜5’を介して接着した支持基板6を備え、前記支持基板6の被接着面に、第2の酸化膜2を介して、ポリシリコン膜3が形成されている。 - 特許庁
  • At least a portion of the active layer constitutes a plurality of gain regions 160 and 162, and each of them is provided at an angle from a first side face 105 of the active layer to the second side-surface of the active layer which is parallel to it.
    活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域160,162を構成し、各々は、活性層の第1側面105から、それと平行な活性層の第2側面に向かって、傾いて設けられる。 - 特許庁
  • To provide a biosensor that can obtain a pre-concentration effect at pH of the isoelectric point of a physiologically active substance and can covalently bind the physiologically active substance to a surface, and to provide an immobilization method of the physiologically active substance.
    生理活性物質の等電点以上のpHでプレコンセントレーション効果を得ることができ、さらに生理活性物質を表面に共有結合し得るバイオセンサー及び生理活性物質の固定化方法を提供すること。 - 特許庁
  • A granular active carbon 1 is supported on a three-dimensional network base material 4 and also a powder active carbon 2 is supported on the surface of the three-dimensional network base material 4 and the granular active carbon 1.
    三次元網目状骨格基材4に粒状活性炭1が保持されており、前記三次元網目状骨格基材4と前記粒状活性炭1の表面にも粉末状活性炭2が担持されていることを特徴としている。 - 特許庁
  • A plurality of layers of protection films 20A and 20B are provided on an active element formation surface 18 of a semiconductor chip 10.
    半導体チップ10の能動素子形成面18に、複数層の保護膜20A、20Bを設けている。 - 特許庁
  • The insulating film is formed on a surface of the active regions as a thin film, equivalent to a gate insulating film.
    上記絶縁膜は、アクティブ領域の表面に形成されてゲート絶縁膜に相当する薄い膜とされる。 - 特許庁
  • Whole surface of the cell region comprising the active region and the element isolation film is enveloped by the charge storing insulation film 74C.
    活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。 - 特許庁
  • A first MISFET is formed in a first active region on a surface of a semiconductor substrate.
    半導体基板の表面上の第1の活性領域内に、第1のMISFETが形成されている。 - 特許庁
  • To appropriately and efficiently form an active material layer on a surface of a belt-like substrate when manufacturing an electrode.
    電極を製造するに際し、帯状の基材の表面に活物質層を適切に且つ効率よく形成する。 - 特許庁
  • A large amount of the minute positive electrode active material having the surface state of high uniformity can be formed.
    均一性の高い表面状態を有する微小な正極活物質を大量に形成することができる。 - 特許庁
  • The surface of the active layer 11 of a silicon wafer W is subjected to an epitaxial growth process and an etching process simultaneously.
    シリコンウェーハWの活性層11bの表面に対して、エピタキシャル成長とエッチングとを同時に施す。 - 特許庁
  • The liquid detergent composition for fibers comprises a surface active agent and trimethylglycine.
    この発明の繊維用液状洗剤組成物は、界面活性剤とトリメチルグリシンを含有することを特徴とする。 - 特許庁
  • Active bump electrodes 8 having a radius of D+2p are arranged only in a circle concentric to the center of the major surface 1.
    直径がD+2pで主面1の中心と同心の円内にのみアクティブ電極8を配置する。 - 特許庁
  • To provide a composition and a resin composition having sufficient anti-bacterial effect without using a surface active agent.
    界面活性剤を用いることなく十分な抗菌効果を有する組成物並びに樹脂組成物の提供。 - 特許庁
  • The PFO forms an excellent SEI coating on the surface of the active material and enhances efficiency in power generation.
    このPFOが活物質表面に好適なSEI被膜を形成し、電池特性を高めることができる。 - 特許庁
  • (2) The BET specific surface area of the grains of a negative electrode active material 127 is in the range of 2.8 to 5.2 m^2/g.
    (2)負極活物質127の粒子のBET比表面積が、2.8〜5.2m^2/gの範囲内である。 - 特許庁
  • A first layer of a first conductivity is formed to a part of surface layer in an active region of a semiconductor substrate.
    第1導電型の第1の層が、半導体基板の活性領域の表層部の一部に形成されている。 - 特許庁
  • The therapeutic agent contains as an active ingredient, an antibody specific to LR11 on the surface of a malignant tumor cell.
    悪性腫瘍細胞表面のLR11に特異的な抗体を有効成分とする悪性腫瘍治療薬。 - 特許庁
  • The intermediate layer (first coated film layer) may contain a surface-active agent and/or a hydrophilic agent.
    更に、中間層(第1塗膜層)が界面活性剤及び/又は親水剤を含有するものであってもよい。 - 特許庁
  • The surface of the positive active material 153 is coated with a lithium salt 158 having an average thickness of 20-50 nm.
    正極活物質153の表面は、平均厚み20〜50nmのリチウム塩158で被覆されている。 - 特許庁
  • For example, an anticorrosive 2 on the surface of a lower layer interconnect line 11 is removed through irradiation only with the hydrogen active species 3.
    例えば、下層配線11表面の防錆剤2は水素活性種3の照射のみにより除去する。 - 特許庁
  • The sandwiched negative electrode sheet 14 or positive electrode sheet 11 has the polymer electrode layer 17 on the surface of the active material 16, 13.
    挟持される負極シート又は正極シートがその活物質表面にポリマー電解質層を有する。 - 特許庁
  • First, an active layer 2, a clad layer 3, and a contact layer 4 are formed sequentially on the entire upper surface of a semiconductor substrate 1.
    先ず、半導体基板1の上面全体に、活性層2、クラッド層3、コンタクト層4を順に形成する。 - 特許庁
  • To provide an optical semiconductor element that increases planarity of an active layer, and includes a cladding layer preventing surface oxidation.
    活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。 - 特許庁
  • To provide a substrate processing apparatus that can process the surface of the wafer by an active cavity within a fluid meniscus.
    流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。 - 特許庁
  • An internal connection electrode 5 and a lateral displacement confirmation electrode 6 are formed on the active surface of the slave chip 2.
    子チップ2の活性面には、内部接続用電極5および横ずれ確認用電極6が形成されている。 - 特許庁
  • An impregnating resin 8 which combines an active energy ray curing characteristic and a moisture curing characteristic is applied on the surface.
    活性エネルギー線硬化特性および湿気硬化特性を兼ね備えた含浸樹脂8を表面に塗布する。 - 特許庁
  • The p-type clad layer 54 is arranged between the active layer 18 and the top surface 52t of the semiconductor mesa 52.
    p型クラッド層54は、活性層18と半導体メサ52の頂面52tとの間に配置されている。 - 特許庁
  • After that, silicon epitaxial layers 19 are formed on the exposed surface of the active region 13 having the recess portion 13a formed thereon.
    その後、凹部13aが形成された活性領域13の露出面にシリコンエピタキシャル層19を形成する。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 83 84 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.