「thereabouts」を含む例文一覧(47)
- at six o'clock or thereabouts
6時ごろに - Eゲイト英和辞典 - $10 [5 o'clock] or thereabouts
10ドル[5 時]かそこら. - 研究社 新英和中辞典 - It costs about a thousand yen―some thousand yen―a thousand yen or thereabouts.
千円前後かかる - 斎藤和英大辞典 - The cost will be 2 million yen or thereabouts.
費用は 200 万円見当だ. - 研究社 新和英中辞典 - It occurred the year before last or thereabouts.
一作年あたりのことであった - 斎藤和英大辞典 - He is about thirty （years of age）―thirty or thereabouts.
年の頃は三十ばかりだ - 斎藤和英大辞典 - It is three miles or thereabouts.
三マイルくらいのものだ - 斎藤和英大辞典 - The price is ten yen or thereabouts.
価はなんでも十円かそこらだ - 斎藤和英大辞典 - It will cost ten yen or thereabouts.
価は十円かその辺だろう - 斎藤和英大辞典 - It will cost five hundred yen or thereabouts.
五百円内外かかるだろう - 斎藤和英大辞典 - come at noon or thereabouts
正午かそのくらいに来てください - 日本語WordNet - He comes from Ohio or thereabouts.
彼はオハイオ州かどこかその辺の出身だ. - 研究社 新英和中辞典 - The population of Tokyo is 2,000,000 or thereabouts―in the neighbourhood of 2,000,000.
東京の人口は二百万かそこらあたりだ - 斎藤和英大辞典 - The price is a dollar or so―ten dollars or thereabouts.
価は一ドルそこそこだ、十ドルそこそこだ - 斎藤和英大辞典 - he stayed in London or thereabouts for several weeks
彼は数週間ロンドンとその近辺に滞在した - 日本語WordNet - Further, the widths of the groove 1 and the land 3 are 0.4 μm or thereabouts.
また、グルーブ１とランド３の幅は、０．４μｍ程度である。 - 特許庁 - In the days when transportation was limited to walking, teahouses were seen around inn towns, mountain passes and thereabouts.
交通手段が徒歩に限られていた時代には、宿場および峠やその前後で見られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - The height of the electrode is about 200 μm, and the diameter is tens of μm or thereabouts.
電極の高さ寸法は２００μｍ程度で、直径が数十μｍ程度のものである。 - 特許庁 - The conical bodies 22 are several to tens of nm or thereabouts for the radius of curvature in the vicinities of their points.
シリコン針状錐体２２は、その先端付近の曲率半径が数ｎｍ〜十数ｎｍ程度である。 - 特許庁 - It was thereabouts that Feringhea, the Thuggee chief, king of the stranglers, held his sway.
このあたりは、ザック団の首領にして絞殺者の王だった、フェリンシーが支配した土地でもあった。 - JULES VERNE『80日間世界一周』 - And starting in the sixteenth century or thereabouts, cotton, which heretofore had had to be imported, began to be cultivated locally in Mikawa Province.
また、それまでは輸入に頼るのみであった木綿の栽培も16世紀頃から三河国地方において栽培されはじめる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - An amorphous silicon film 3 is deposited on this film 2 in a film thickness of 0.3 μm or thereabouts by deposition.
このアルミニウム膜２の上にアモルファスシリコン膜３を蒸着により０．３μｍ程度の膜厚で成膜する（同図（ｂ））。 - 特許庁 - Apertures 5a for forming a gap of 0.5 mm or thereabouts between the outer peripheries of the leads 2a of the components 2 are formed in this mask 5.
このマスク５には、電子部品２のリード２ａの外周との間に0.5mm 程度の間隙を形成する開口部５ａを形成する。 - 特許庁 - An aluminium film 2 is deposited on a silicon wafer 1, which is used as a substrate, in a film thickness of 5 μm or thereabouts by sputtering.
基板となるシリコンウエハ１にアルミニウム膜２をスパッタにより５μｍ程度の膜厚で成膜する（同図（ａ））。 - 特許庁 - The balls 7 placed in the first process are pressurized, while a temperature of 230°C or thereabouts is applied to the balls 7 for fixing the balls 7 on the solder lands (g).
そして先の工程にて載せた半田ボール７を半田ランドに固定するために２３０℃程度の温度を加えつつ加圧する（ｇ）。 - 特許庁 - When the leak amount of the gas can not be kept at the specified value or thereabouts within the range of a predetermined ESC applied voltage, abnormality is indicated.
予め決められたＥＳＣ印加電圧の範囲内で気体が漏洩する量を規定値付近に維持できないときには，異常を通報する。 - 特許庁 - The contact face 3 has a recess in the central part or thereabouts, and a hole 5 for inserting an injection needle 10 thereinto is provided in the central part.
接触面３は中央部附近がくぼみ、かつ中央部には１０注射針が挿通する孔５が設けられている。 - 特許庁 - So, the area of the chip can be reduced by the area of the wiring region 105 or thereabouts, and the size of the LSI chip 100 can be scaled down.
そのために、配線領域１０５の面積程度だけチップの面積を削減することができ、ＬＳＩ１００のチップサイズを縮小することができる。 - 特許庁 - This film 13 is a layer constituted by laminating atomic layers, which respectively comprise 15 to 23 pieces or thereabouts of atoms, and is formed using O2 gas or an O2 gas plasma, an atmospheric plasma or a CVD(Chemical Vapor Deposition) method or the like.
この酸化膜１３は、１５〜２３個程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ_2 ガス、またはＯ_3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成する。 - 特許庁 - After this, when quantum dot raw materials 16 are fed to the surface of the ultrathin film layer 14 including the recesses 15, quantum dots 17 having a size of 10 nm or thereabouts are formed only in the parts of the recesses 15.
この後さらに、前記の窪み（15）を含む超薄膜層（14）表面に、量子ドット原材料（1６）を供給すると、前記窪み（15）の部分にのみ１０ｎｍ程度のサイズを有する量子ドット（17）が形成される。 - 特許庁 - Such an insect pest monitor is configured to include a battery-driven insect pest detector and wireless equipment, therefore there is no limitations of setting electric cables thereabouts for installing it in an office.
害虫監視装置は電池駆動の害虫検出器と無線機器で構成されるため、オフィス内設置に対し、ケーブルの引き回しの制約はない。 - 特許庁 - The metallic phase light-receiving unit 31M of the light-receiving unit 31 receives a metallic phase light of about 200-400 nm, and the gas phase light-receiving unit 31G receives the metallic phase light of 500 nm or thereabouts.
受光部３１のメタリック相光受光部３１Ｍでは２００〜４００ｎｍ程度のメタリック相光を受光し、ガス相光受光部３１Ｇでは５００ｎｍ付近のメタリック相光を受光する。 - 特許庁 - An abnormal operation is eliminated that a current flows into a switching element under an intermediate load at a timing, before the OFF period of the switching element ends, by setting the coupling coefficient k=0.7 or thereabouts for an insulated converter transformer PIT.
絶縁コンバータトランスＰＩＴの結合係数ｋ＝０．７程度以下として、中間負荷時において、スイッチング素子のオフ期間が終了する以前のタイミングでスイッチング素子に電流が流れる異常動作を解消する。 - 特許庁 - At the measurement of a stand-by current, a supply voltage VDD is applied to the well 5 as a well potential and a well potential VSBB=VSS+β (β=1.5 V or thereabouts) is applied to the substrate 4 and the well 6.
スタンバイ電流の測定時、Ｎ−ＷＥＬＬ５にはＷＥＬＬ電位として電源電圧Ｖ_DDを印加し、Ｐ形半導体基板４、Ｐ−ＷＥＬＬ６にはＷＥＬＬ電位Ｖ_SBB ＝Ｖ_SS＋β（β＝−1.５Ｖ程度）を印加する。 - 特許庁 - An average load current flowing to a coil 13 is middle between the lower limit and the upper limit of the ripple current changing with the passage of time, and also the change of the ripple current is reduced to about twice the average load current or thereabouts.
コイル１３に流れる平均負荷電流は、時間経過とともに変化するリップル電流の下限と上限との中間であり、リップル電流の変化も平均負荷電流の２倍程度に低減される。 - 特許庁 - Even though the narrowest line width of the beam is the 0.9 to 1.0 times wider than the narrowest line width, the accuracy of the line width is obtained at a value fully lower than ±10%, which is the objective of the accuracy, if an allowance in threshold values 63 is severely confined to ±1% or thereabouts.
ビームが最小線幅の０．９〜１．０倍でも、スレッショールド値６３のバラツキを±１％程度と厳しくすれば、線幅精度は目標である±１０％よりも十分に低い値におさまる。 - 特許庁 - In this way, the number of slots comes down to 1/2.5 (36/96), so that a floating capacity becomes 1/2.5, too, and the leakage current can also be reduced to 1/2.5 or thereabouts.
このようにスロット数が１／２．５（３６／９６）となるので、浮遊容量も１／２．５となり、漏れ電流も１／２．５程度にまで減少させることができる。 - 特許庁 - To prevent in advance damage from the falling of fracture products by preventing the fracture part of a member for supporting a seed stick, the seed stick and products thereabouts from falling on the seed stick even when the member for supporting the seed stick is damaged.
種棒の支持部材が破損しても、その破損部分や種棒、その周りの生成物が落下しないようにして、生成物の落下による被害を未然に防止する。 - 特許庁 - The heat resistance temperature of the crosslinked silicone rubber is 180°C, and the embrittlement temperature is -75°C; and from this, the usable temperature range is widened large, to be in the range of -60 to +150°C or thereabouts.
架橋シリコーンゴムの耐熱温度は１８０℃で、脆化温度が−７５℃であり、これから使用可能温度範囲は、−６０〜＋１５０℃程度と大きく拡大される。 - 特許庁 - In this way, by making small the radius of each of the fine grains 24 to 27 into a radius of 5 nm or thereabouts, the electrons ca be restrained in the vicinities of donor atomic nucleus, without putting the electrons in a cryogenic state.
こうして、各シリコン単結晶微粒子２４〜２７半径を５nm程度に小さくすることによって、極低温状態にすることなく電子をドナー原子核の近傍に束縛することができる。 - 特許庁 - John Bunsby, himself, a man of forty-five or thereabouts, vigorous, sunburnt, with a sprightly expression of the eye, andenergetic and self-reliant countenance, would have inspired confidence in the most timid.
ジョン・バンスビーは四十五歳くらいの屈強な男で、日焼けしており、目には陽気な表情をたたえ、エネルギッシュで自信にあふれた表情を見せていて、どんな臆病者でも信頼を寄せたくなるような男であった。 - JULES VERNE『80日間世界一周』 - Later, as a result of the Treaty of Versailles signed to conclude the peace process after the World War I, the League of Nations was founded with Japan participating as a permanent member whereby it became one of the powerful countries in the world in mere fifty years or thereabouts since the Meiji Restoration.
その後第一次世界大戦の講和により完成したヴェルサイユ条約の世界で、に設立された国際連盟に常任理事国として参加し、日本は明治維新から約50年という速さで列強国のひとつに数えられることになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To provide a data control method which realizes accurate and efficient communication, as regards a system of communication between a road and a car, where a mobile station on a road traveling at high speed and a plurality of radio base stations where microcells of 30 m or thereabouts in cell diameter are arranged continuously along that road communicate with each other, while performing hand over.
高速走行する道路上の移動局と、該道路に沿ってセル径３０ｍ程度のマイクロセルが連続配置された複数の無線基地局とがハンドオーバを行いながら通信する路車間通信システムについて、正確且つ効率的な通信を実現するデータ制御方法を提供する。 - 特許庁 - By opening the control box door 12 wide to 90° or larger, the worker can easily perform the maintenance of control equipment, thus the worker can stand away from the equipment installation range 13 by turning the control box body 8 to this side at 45°or thereabouts, so that this cabinet can secure greater safety.
制御ボックス扉１２を９０度以上開け放つことによって、作業者は制御機器のメンテナンスを容易に行うことができ、制御ボックス本体８を４５度程度手前に回動させることで、作業者を機器設置範囲１３から引き離すことができ、より安全を確保することができる。 - 特許庁 - To provide a band ultra-narrowing fluorine laser system, which oscillates in one line only and moreover, can be narrowed the band of the wavelength width of the line into a band of about 0.2 pm or thereabouts by constituting a laser resonator, using an optical element which hardly generates damages.
ダメージの生じ難い光学素子を用いてレーザ共振器を構成することにより、１ラインのみで発振し、しかもそのラインの波長幅を約０．２ｐｍ程度に狭帯域化することができる超狭帯域化フッ素レーザ装置を提供する。 - 特許庁 - Raw gas fed within a treating container by a gas feeding line is decomposed or activated on the surfaces of heating elements maintained at a high temperature of 1500 to 1900°C or thereabouts by an energy feeding mechanism and a thin film is formed on the surface of a substrate.
処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により１５００〜１９００℃程度の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。 - 特許庁 - A clearance between a workpiece 700 and an electrostatic chuck 131 attracting the workpiece is filled with gas, an ESC voltage applied to the electrode of the electrostatic chuck is changed to keep the amount of the gas leaking from the clearance into the plasma processing device at a specified value or thereabouts, and the attraction force of the workpiece is controlled.
被処理体７００と被処理体を吸着した静電チャック１３１の間の間隙に気体を充満させ、その気体が前記間隙からプラズマ処理装置内に漏洩する量が規定値付近に維持されるように静電チャックの電極に印加するＥＳＣ電圧を変化させ、被処理体の吸着力を制御する。 - 特許庁
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「斎藤和英大辞典」斎藤秀三郎著、日外アソシエーツ辞書編集部編
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- 原題：”Around the World in 80 Days[Junior Edition]”
邦題：『80日間世界一周』 - This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.
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- 原題：”Around the World in 80 Days[Junior Edition]”
