「thin- layer」を含む例文一覧(9483)
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触媒が、薄いかつ多孔性の少なくとも１つの触媒層を含み、かつ反応混合物が、圧力を低下しながら触媒層を垂直に流通する、反応抽出物を含む反応混合物を触媒に供給しながら、とくにメタノールの再形成又は部分的な酸化及びそれに続くＣＯ酸化を行なう２つの異種触媒反応を組合わせる装置。 - 特許庁 - This resin pellet for producing a resin molded product, obtained by cutting the resin in a molten state directly after being discharged from a reaction vessel or in its solid state, is characterized by blending glitters as a laminated material equipped with metal thin film layer having 200-5,000 Åfilm thickness and a heat resistant resin layer having 1-100 μm film thickness.
反応器から排出した後に樹脂を溶融状態又は固化状態でカットして得る樹脂成形品製造用樹脂ペレットにおいて、該樹脂ペレット中に膜厚が２００〜５００００Åの金属薄膜層と膜厚が０．１〜１００μｍの耐熱性樹脂層を備えた積層体であるグリッターを混入したことを特徴とする樹脂成形品製造用光輝性樹脂ペレット。 - 特許庁 - The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.
Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁 - This thin flexible electron emission member comprises: a sheet-like cathode electrode 1; a sheet-like anode electrode 5 formed oppositely at a predetermined distance from the cathode electrode; an electron emission element 2 formed on the inside surface of the cathode electrode; a fluorescent material layer 4 formed on the inside surface of the anode electrode; and a plurality of insulators 3 interlaid between the cathode electrode and the fluorescent material layer.
シート状のカソード電極1 と、カソード電極から所定間隔で対向状に設けられたシート状のアノード電極5 と、カソード電極の内面上に設けられた電子放出素子2 と、アノード電極の内面に設けられた蛍光材層4 と、カソード電極と蛍光材層の間に介在された複数の絶縁体3 とからなる薄型フレキシブル電子放出部材である。 - 特許庁 - To provide a color composition for a color filter that forms a color filter where the electric property of a colored layer does not adversely affect the alignment disorder of liquid crystal and switching performance, and a color filter having high electric characteristic also for the colored layer on a substrate for driving of a thin film transistor (TFT) type color liquid crystal display device, and to provide the color filter.
着色層の電気的な性質が液晶の配向乱れや、スイッチング性能に悪影響を与えることの無いカラーフィルタ、及び薄膜トランジスター（ＴＦＴ）方式カラー液晶表示装置の駆動用基板上の着色層についても電気特性に優れたカラーフィルタを形成することができるカラーフィルタ用着色組成物、及びカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁 - Otherwise, the device includes a plastic support, a counter substrate opposing to the plastic support, and a liquid crystal held between the plastic support and the counter substrate, wherein the device includes a color filter formed on the plastic support, an adhesive layer formed on the color filter, an insulating film formed on the adhesive layer, and a thin film transistor formed on the insulating film.
または、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラスチック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 - 特許庁 - This electronic grade silk solution is made to coat a gate electrode or a capacitor electrode formed on a substrate to be dried as an insulator of a gate insulating layer of an organic thin-film transistor (OTFT) or a metal-insulator-metal (MIM) capacitor to provide a gate insulating layer or a capacitor insulator made of silk protein on the gate electrode or the capacitor electrode.
有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。 - 特許庁 - To provide a wiring structure having an Al alloy film for a display device having an Al alloy film and an oxide semiconductor layer of a thin film transistor directly connected to the Al alloy film sequentially from a substrate side, and obtaining low contact resistance even if the Al alloy film is directly connected to the oxide semiconductor layer by omitting a high melting point metal such as Ti or Mo.
基板側から順に、Ａｌ合金膜と、当該Ａｌ合金膜と直接接続する薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を有し、ＴｉやＭｏなどの高融点金属を省略してＡｌ合金膜を酸化物半導体層と直接接続しても低コンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ａｌ合金膜を有する配線構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) wafer, wherein an SOI wafer can be manufactured which can be adjusted to a desired resistivity by controlling the dopant concentration of an SOI layer even if a buried oxide film is thin when a silicon single-crystal wafer having a high-concentration layer containing a dopant to a high concentration is used as a base wafer and whose defect is suppressed.
ドーパントを高濃度に含有する高濃度層を有するシリコン単結晶ウェーハをベースウェーハとして使用する場合において、たとえ埋め込み酸化膜が薄くても、ＳＯＩ層のドーパント濃度を制御して所望の抵抗率に調整することができ、欠陥が抑制されたＳＯＩウェーハを製造できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a reel enhancing yield by preventing the adhesion of an adhesive forming an adhesive layer to a peripheral edge even when the side surface of an object to be wound is wound while being guided by the peripheral edge of the reel in winding a film material with the adhesive layer coated and formed thereon onto the reel while cutting it to have a thin width, and manufacturing and supplying an adhesive tape.
接着剤層が塗工形成されたフィルム材を細幅に切断しながらリールに巻き取って、接着テープを製造、供給するに際し、被巻き取り物の側面をリールの周縁部でガイドしながら巻き取っても、接着剤層を形成する接着剤が当該周縁部に付着するのを防止して、歩留まりの向上を図ることができるリールを提供する。 - 特許庁 - Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.
弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁 - A heating resistance wire body 12 is etched on an insulating material 11 of polyimide film, a wiring pattern is disposed under the heating resistance wire body 12 insulated with a polyimide coat, and a heating layer and a wiring layer of a thin film heater 10 are separated so that the current from an electric energy control part 14 is outputted to the heating resistance wire body 12 through this wiring pattern.
ポリイミドフィルム等の絶縁体１１上に発熱抵抗線状体１２をエッチングし、これらの発熱抵抗線状体１２をポリイミドコートにより絶縁した下部に配線パターンを配設し、通電制御部１４からの通電をこの配線パターンを介して発熱抵抗体１２に出力するよう薄膜ヒータ１０の発熱層と配線層とを分離する。 - 特許庁 - This electron emitting element 1 includes an electron accelerating layer 4 between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3, and the electron accelerating layer 4 contains an insulator particulate 5 and at least either one of a conductive particulate 6 having an average particle diameter smaller than that of the insulator particulate 5 or a basic dispersant 60.
電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、絶縁体微粒子５と、絶縁体微粒子５より平均粒径の小さい導電微粒子６および塩基性分散剤６０の少なくとも一方と、を含んでおり、電子加速層４の表面粗さは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ以下となっている。 - 特許庁 - This invention provides the magnetic recording medium 10 wherein a magnetic layer 2 made of a ferromagnetic metallic thin film, and a carbon protective film 3 are sequentially formed on a nonmagnetic substrate 1, processing by aromatic amine, aromatic carboxylic acid, aromatic alcohol or ultraviolet ray radiation is applied to the surface of the carbon protective film 3 and the protection layer 3 holds a prescribed lubricant.
非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面を芳香族アミン、芳香族カルボン酸、芳香族アルコール、あるいは紫外線照射のいずれかによる処理を施し、保護層３上に所定の潤滑剤が保持されて成る磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - In the gas barrier thin film-stacked body comprising a polymer film and an inorganic film at least by one layer, respectively, at least one layer of the polymer film is a polymerized film formed by spraying a polymerizable monomer-containing gas on the surface of a base material under the atmospheric pressure or under the pressure in the vicinity thereof, and performing polymerization on the surface of the base material.
ポリマー膜と無機膜をそれぞれ少なくとも１層有するガスバリア性薄膜積層体において、該ポリマー膜の少なくとも１層が、大気圧またはその近傍の圧力下で重合性モノマーを含むガスを基材の表面に吹き付け、基材表面上で重合させて形成された重合膜であることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 - 特許庁 - After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111.
そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁 - The laminated body is provided with a plurality of thin films having an average film thickness of each layer that is equal to or less than 0.2μm, are formed on a constituting layer that is formed on the surface of a base material and has projecting and recessing parts.
基材表面に形成された凹凸を有する構成層上に、各層の平均膜厚が０．２μｍ以下である複数の薄膜を設けた積層体において、該基材表面の凹凸を有する構成層の中心線平均粗さをＲａ１、該形成された薄膜の最表面の中心線平均粗さをＲａ２としたとき、Ｒａ１とＲａ２とが下記式（１）の関係にあることを特徴とする積層体。 - 特許庁 - A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100 Å is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device.
基板６０１上に、下地膜６０２、非晶質珪素膜６０３を形成し、この非晶質珪素膜６０３の表面に厚さ１０〜１００Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層６０４を形成し、非晶質珪素膜６０３を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。 - 特許庁 - The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.
有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁 - Deposited on a base substrate is a metal layer containing an alloy consisting of Cu and another metal of 20-50 weight % or a composite layer of Cu and the alloy, which is heat-treated to obtain an electrode with a thin film containing more other metals in the surface than the other portions.
Ｃｕと２０〜５０ａｔ％の他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基体上に形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成することを特徴とする電極の形成方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁 - Namely, the problem is solved by the electronic book player having structure on which a plurality of thin sheets capable of simulating the action of flipping paper are overlapped or layer structure having elasticity, a plurality of sensors which detect the action of flipping the paper, a display device which performs a paging operation by detecting the action of flipping the layer structure by the sensors.
すなわち、紙を弾く動作を模擬できる複数の薄いシートを重ねた構造または弾力性を有する層状の構造と、紙を弾く動作を検出する複数のセンサと、これらのセンサが前記層状の構造を弾く動作を検出することによりページング動作を行うディスプレイデバイスと、を備えることを特徴とする電子ブックプレーヤーにより上記課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.
半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁 - The reflection mirror provided with the reflection film consisting of the thin film of the silver on the resin substrate is obtained by forming an intermediate layer consisting of a silicon monoxide film and an aluminum oxide film between the substrate and the reflection film in such a manner that the aluminum oxide film exists on the reflection film side and by forming a protective layer consisting of an aluminum oxide film.
樹脂製の基板上に銀の薄膜からなる反射膜を設けてなる反射鏡において、前記基板と前記反射膜との間に、一酸化珪素膜と酸化アルミニウム膜とからなる中間層を、前記酸化アルミニウム膜を前記反射膜側に位置させて形成するとともに、前記反射膜の上に、酸化アルミニウム膜からなる保護層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁 - In this manufacturing method for a transfer mask, having openings formed into a thin film supported with a support frame, the openings are formed, using an etching mask layer as a mask, the etching mask layer is formed, using a resist pattern formed by the lithography using a photoresist as the mask, and the corner squareness of the opening pattern is set at 90°±0.3°.
支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、前記開口は、エッチングマスク層をマスクとして形成されてなり、前記エッチングマスク層は、フォトレジストを用いたリソグラフィー法により形成されたレジストパターンをマスクとして形成され、開口パターンのコーナーの直角度が、９０°±０．３°であることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium 10 having a magnetic layer 2 consisting of a thin film of ferromagnetic metal or its alloy on a principal surface of a long-length non-magnetic substrate 1 and a lubricant containing a compound having a carboxyl group in its molecule and applied on the uppermost surface on the magnetic layer formed side, the surface coverage of the lubricant is specified to be 5 to 25%.
長尺状の非磁性支持体１の一主面上に、強磁性金属、あるいはその合金の薄膜よりなる磁性層２を有し、磁性層形成面側の最表面に、分子中にカルボキシル基を有する化合物を含有する潤滑剤が塗布されてなる磁気記録媒体１０において、潤滑剤の表面吸着率が５〜２５％に特定する。 - 特許庁 - To prevent generation of cracks or micro-cracks in a thin dielectric layer formed on a dielectric layer by using an epoxy type material or a polyvinyl butyrate(PVB) type material as a seal, and treating the seal at specified temperature, after first and second substrates are positioned.
構造的要素又はガラス基板上に形成される部品の層、特に例えばＡＣプラズマパネルの場合に厚い誘電体層上に形成されるマグネシアの薄い誘電体層の中のき裂又は微視き裂を形成する危険性を防止するような、シールによって相互に封止される第１及び第２のガラス基板を含むタイプの部品の製造のための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin.
この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。 - 特許庁 - The organic EL element 10 is manufactured by forming organic thin films having dipole moment at either or both of the base plate 1 on which the first electrode 2 is formed and the base plate 7 on which the second electrode 6 is formed, and by arranging the both base plates so that the electrodes face to each other, and by forming the luminescent layer 4 by injecting the liquid crystalline organic material for the luminescent layer between the electrodes.
この有機ＥＬ素子１０は、第１電極２が形成された基板１と第２電極６が形成された基板７の一方又は両方に双極子モーメントを有する有機薄膜を形成し、その両基板を電極が向き合うように対向させ、電極間に発光層用の液晶性有機材料を注入して発光層４を形成することにより製造する。 - 特許庁 - For the electroluminescent element with a luminous layer composed of single or plural layers of organic compound thin films held between a positive electrode and a negative electrode, at least one layer of the above organic compound films contains at least one kind of the compound with the polymerizable cyclic structure shown by formula (1), or the polymer of the same.
互いに対向する陽極と陰極間に、単層又は複数層の有機化合物薄膜により成る発光層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも１層が、一般式（１）で表される重合性環状構造を有する化合物、又はその重合体を少なくとも１種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁 - In the transparent conductive film that has a hard coat layer on one face of a transparent film substrate, and a transparent conductive thin film on the other face of the transparent film substrate, the component material of the hard coat layer includes (meth)acryl polymer which has alkyl group that contains urethane acrylate, polyol (meth)acrylate, and (meth)acryl polymer having an alkyl group having two or more hydroxyl groups.
透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、透明なフィルム基材の他方の面には透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムにおいて、前記ハードコート層の形成材料がウレタンアクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート及び水酸基を２個以上含むアルキル基を有する（メタ）アクリルポリマーを含むことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁 - A thin film resistor TFR structure comprises a TFR; a first electrical interface portion coupled to a first end of the TFR; and a second electrical interface portion coupled to a second end of the TFR, the first electrical interface portion and the second electrical interface portion being formed of a layer of titanium Ti and a layer of titanium nitride TiN.
薄膜抵抗体、 前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び 前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。 - 特許庁 - The organic thin film of electroluminescent element is driven in such a way that a luminescent state is actualized by impressing the prescribed voltage so that the current switching layer transits from the insulator body to the conductor body, further, a non- luminescent state is actualized by reducing the voltage until the current switching layer moves from the conductor body to the insulator body.
電極に所定電圧を印加して、電流スイッチング層を絶縁体から導体に転移させることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光状態を出現させ、さらに、電圧を電流スイッチング層が導体から絶縁体に転移するまで減ずることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の非発光状態を出現させるように駆動する。 - 特許庁 - To provide a source drain electrode in which a barrier metal layer of a lower part can be eliminated, a production process can be simplified without increasing the number of processes, an Al based alloy film can be connected to a semiconductor layer of a thin film transistor directly and surely, and an electrical resistivity between transparent pixel electrodes can be lowered even in the case of applying a low thermal process temperature to an Al alloy film.
下部バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ系合金膜を薄膜トランジスタの半導体層に対し直接かつ確実に接続することができ、しかも、Ａｌ合金膜に対して低い熱プロセス温度を適用した場合でも、透明画素電極間の低電気抵抗率化を達成し得るソース−ドレイン電極を提供する。 - 特許庁 - When gate electrodes 12 and 22 are formed, a first metal layer 31 of low etching rate is formed thin in one of two regions for forming first and second MOSFETs 10 and 20 under predetermined etching conditions and a second metal layer 32 of high etching rate is formed thick in the other region under those predetermined etching conditions, and then the first and second metal layers 31 and 32 are etched simultaneously.
金属ゲート電極１２，２２を形成する際、第１，第２のＭＯＳＦＥＴ１０，２０を形成する領域に、一方には所定エッチング条件でエッチングレートの低い第１の金属層３１を薄く形成し、他方にはその所定エッチング条件でエッチングレートの高い第２の金属層３２を厚く形成して、第１，第２の金属層３１，３２を同時にエッチングする。 - 特許庁 - By the manufacturing method, the amount of the metal catalyst contributing to crystallization is adjusted using the filtering oxide film that makes the diffusion of the metal catalyst difficult, so that the crystal grains in the polycrystalline silicon layer become larger in size due to the adjusted metal catalyst, the amount of the metal catalyst remaining in the polycrystalline silicon layer is minimized, and thus the thin film transistor having superior characteristics is provided.
金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 - 特許庁 - In the plasma address liquid crystal panel in which anode electrodes, cathode electrodes and ribs are provided on the rear side glass substrate and a thin glass plate is sealed opposite to it, the rear side plate of the plasma addressed liquid crystal panel is provided which is characterized by having the transparent ribs and a transparent dielectric layer formed of the same material and by having the anode and cathode electrodes formed on the transparent dielectrics layer.
背面ガラス基板上にアノード電極、カソード電極、リブを設け、これと対向させて薄板ガラスを封止したプラズマアドレス液晶パネルにおいて、透明リブおよび透明誘電体層を同一材料で形成され、その透明誘電体層上にアノード電極ならびカソード電極が形成されていることを特徴とするプラズマアドレス液晶パネルの背面板を提供する。 - 特許庁 - To provide an interior/exterior panel wherein a surface layer comprising a thin metal sheet is integrally applied and laminated to the surface of a base material layer formed of a lightweight and flexible material like a resin foam material and an engaging recessed groove having an almost U-shaped cross section is formed to the terminal part or the like of the panel, and to provide a terminal processing method therefor.
樹脂発泡材のように軽量で柔らかな材料で形成された基材層の表面に薄い金属板からなる表面層が一体的に被覆積層された内・外装パネルにおいて、本パネルの端末部分等に断面略Ｕの字ないしコの字形状をした係合凹溝を形成することが可能な内・外装パネル及びその加工方法を提供すること。 - 特許庁 - After a second insulating film 107 is formed on a first layer charge transfer electrode 105, a second insulating film 107 is removed to be thin only in a horizontal transfer part 100A wherein low voltage driving and rapid driving are required and is made a second insulating film 107A, and a second layer charge transfer electrode 108 is formed thereafter.
第１層電荷転送電極１０５上に第２絶縁膜１０７を形成後、第２層電荷転送電極１０８形成前に、低電圧駆動および高速駆動が要求される水平転送部１００Ａのみ、第２絶縁膜１０７の膜厚が薄くなるように除去して第２絶縁膜１０７Ａとし、その後で第２層電荷転送電極１０８を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.
埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁 - In this spin-valve thin film magnetic element, the free magnetic layer has, in the surface on the opposite side as to the direction toward a disposed fixed magnetic layer, the groove provided with a track groove, whose width is equal to the track width, and flat parts on both sides thereof.
本発明は、スピンバルブ型薄膜磁気素子であり、フリー磁性層は、記固定磁性層の配置されている方向と反対側の面にトラック幅に相当する幅のトラック溝が設けられた溝部と、その両側の平坦部とを有し、バイアス層は、フリー磁性層の両平坦部上に配置されるとともに、反強磁性層およびバイアス層は、以下の組成式の相互に異なる合金からなる。 - 特許庁 - To provide a magnetic tunnel junction structure having a double magnetic anisotropy free layer capable of independently optimizing the effect of increasing a reproduced signal value and reducing a critical current value required for switching by constituting a free magnetic layer constituting the magnetic tunnel junction structure with at least two magnetic thin films having different magnetic anisotropic directions and sizes.
磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁 - The laminated paper for the data recording medium has a structure wherein the surface and back of thick paper, which is formed by laminating n (n=2 or above) layers thin papers, each of which has a resin layer constituted of a thermoplastic resin not melted at a room temperature but melted at 80°C under constant pressure, on its surface are held between plastic films by an adhesive layer.
本発明では、室温下で溶融せず８０℃一定圧力下において溶融する熱可塑性樹脂で構成されている熱可塑性の樹脂層を表面にもつ薄紙がｎ層に（ｎ＝２以上）積層された厚紙を、接着層にて表裏をプラスチックフィルムで挟み込んだ構造をもつ事を特徴とする情報記録媒体用積層紙を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁 - To prevent decrease in the sample transmission capacity of electron beams in a STEM observation with decreased acceleration voltage and the bad influence of a damaged layer generated by the application of ion beams, to remove the damaged layer effectively by minimizing the damage to a desired region in a sample, and to prevent processing failure by detecting an optimum processing completion point in time even if the thickness of a thin-film sample is reduced.
加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。 - 特許庁 - To form at least two layers of coating films on the surface of a support simultaneously by using two coatings in which the viscosity of the coating of the lower layer is lower than that of the coating of the upper layer, to make the coating films of the upper and lower layers thin and uniform, and to enable shorter wave recording to be realized.
下層塗料の粘度が上層塗料の粘度よりも低い塗料を用いて支持体表面に少なくとも二層の塗布膜を同時に形成し、形成される少なくとも二層の塗布膜の膜厚の均一化および薄膜化を可能とするダイヘッドを有する塗布装置を提供し、さらなる短波長記録化を可能とする磁気記録媒体を提供することである。 - 特許庁 - The electron emitting elements comprises at least one or more anode electrodes formed on the second substrate, at least one or more fluorescent layers formed on the anode electrodes, the surface treatment layer formed on the surface of fluorescent layers containing the functional substance that remains even after the baking process for forming the fluorescent layer, and the light-emitting containing one or more metallic thin films formed so as to cover the surface treatment layer.
本発明の他の実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上のアノード電極；前記アノード電極に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上の金属薄膜を含む発光部；からなる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.
本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor device; a gate insulating film and a gate electrode are provided in this order on the substrate via the semiconductor thin-film layer, a gate electrode 7 is formed on one main surface of a first substrate 1, and a gate insulating film 9 is formed while covering the gate electrode 7.
基板上に半導体薄膜層を介してゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に設けられた半導体装置の製造方法であって、第１基板１の一主面上にゲート電極７を形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜９を形成する。 - 特許庁 - In the image forming method, toner is used which includes a resin obtained by a polyaddition or polycondensation reaction and has an average circularity and an average circle-equivalent diameter each in a specified range, and a toner image is fixed with a fixing roller having a release layer on a surface of a thin core metal whose peripheral surface side is partly recessed.
樹脂が重付加又は重縮合反応で得られ、円形度平均値と円相当径平均値が特定範囲内の値を有するトナーを用い、外周面側の一部が凹んだ薄肉の芯金表面に離型層を有する定着ローラでトナー像を定着する画像形成方法。 - 特許庁 - Since a layer 10 being formed when the quantity of a liquid composition being ejected by single scan is uniform has a raised central part, a thin part at the end part of the liquid composition becoming the boundary of scanning area causes unevenness or gloss or an interference pattern.
一回の走査で吐出する液体組成物を一様の吐出量としたときに形成される層１０は、中央部が盛り上がった形状となるため、液体組成物各走査領域の境界となる端部の厚みの少ない部分が光沢ムラや干渉縞の原因となる。 - 特許庁 - To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.
薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁
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