The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film. 絶縁膜202上の結晶性半導体膜からなる活性層207を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a ceramic slurry from which extremely fine ceramic powder causing abnormal grain growth by firing is removed and to provide a manufacturing method of a laminated ceramic electronic component having an excellent performance such as voltage resistance and reliability even if the laminated ceramic electronic component prepared by using the ceramic slurry is a thinlayer multilayered laminated ceramic electronic component. 焼成により異常粒成長のもとになるような極めて微細なセラミック粉体を除去したセラミックスラリーを提供し、このセラミックスラリーを用いて作製した積層セラミック電子部品が、薄層多層の積層セラミック電子部品であっても、耐電圧や信頼性などの性能に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To firstly provide a liquid development apparatus capable of forming an image free of density unevenness and toner fogging by forming a thinlayer of a liquid developer of a uniform thickness on a developing roller in spite of the liquid developer of high density and to secondly provide the liquid development apparatus which is compact and is high in arrangement flexibility. 高濃度な液体現像剤であっても、均一な膜厚の液体現像剤の薄層を現像ローラ上に形成し、濃度ムラやトナーかぶりのない画像を形成することができる液体現像装置を提供することを第1の目的とし、前記液体現像装置がコンパクトで、配置自由度が大きい液体現像装置を提供することを第2の目的とする。 - 特許庁
A porous silica thin film 20 with a thickness within the range of several μm to several 100 μm with a plurality of openings 20 formed so as to orient almost vertical to the main face of a substrate 1 is formed on the substrate 1, and a solid electrolyte layer 22 containing at least cesium hydrogensulfate or cesium dihydrogenphosphate is buried in each opening 20a. 基板1に、膜厚が数μm〜数100μmの範囲内であり、基板1の主面に対して略垂直に配向した複数の開口部20aが形成された多孔質シリカ薄膜20が形成されており、開口部20a内に、少なくとも硫酸水素セシウムまたはリン酸二水素セシウムを含有する固体電解質層22が埋め込まれて形成されている構成とする。 - 特許庁
Thin-film transistors constituting the electrooptical device each have a drain electrode connected to a drain area through a 1st contact hole formed in an inter-layer insulator and a pixel electrode connected to a 1st electrode through a 2nd contact hole, which is formed not overlapping with the contact hole. 本発明は、前記電気光学装置を構成する薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電極は、層間絶縁物に形成された第1コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、画素電極は、平坦化膜に形成された第2コンタクトホールを介して第1の電極に接続され、前記第2のコンタクトホールは、前記第1のコンタクトホールに重ならないように構成されている。 - 特許庁
To provide a wiring board high in reliability by separating a side face of an embedded electrode from an insulation resin layer, and arranging connection to solder in the electrode side face as well, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same, in a wiring board having a thin wiring structure excelling particularly in a fast transmission characteristic, and a semiconductor device using the wiring board. 特に高速伝送特性に優れた薄型の配線構造体を有する配線基板及びこの配線基板を用いた半導体装置において、埋設される電極の側面と絶縁樹脂層とが離れ、電極側面にも半田との接続を設けることで信頼性の高い配線基板、配線基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a means for efficiently dissipating the heat generated from a semiconductor chip and reducing warpage of a semiconductor package during a heat treatment, such as solder reflow, for a thin semiconductor package having a semiconductor chip mounted on a part of the surface of a printed wiring board, the semiconductor chip being sealed with a mold resin layer which has raised/recessed parts on the surface for releasing heat. プリント配線板の表面の一部に搭載された半導体チップの周囲をモールド樹脂層で封止し、放熱のための凹凸をモールド樹脂層の表面に有する薄型半導体パッケージにおいて、半導体チップから発生する熱を効率よく放散し、且つはんだリフロー等の熱処理における半導体パッケージの反り量を低減させる手段を提供する。 - 特許庁
The analog circuit is formed with the use of a thin-film transistor including an oxide semiconductor which has a function as a channel formation layer, has a hydrogen concentration of 5×10^19 atoms/cm^3 or less, and substantially functions as an insulator in the state where no electric field is generated, whereby this semiconductor device having high signal detection sensitivity and a wide dynamic range can be provided. チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が5×10^19(atoms/cm^3)以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。 - 特許庁
To provide a thin film transistor in which an oxide semiconductor achieved with zinc tin oxide (ZnSnO) has a large electronegativity difference with oxygen, the concentration of a carrier is adjusted by forming an active layer by adding a substance whose atomic radius is similar to that of Zn or Sn, and stable reliability and electrical characteristic are achieved by improving the reliability of the oxide semiconductor. 亜鉛錫酸化物(ZnSnO)で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が大きく、原子半径がZn又はSnと類似する物質を添加して活性層を形成することで、キャリアの濃度を調節し、酸化物半導体の信頼性を向上させることで、安定した信頼性及び電気的特性を実現する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁
A method of manufacturing an electrode for a secondary power source according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an electrode material on a conductive sheet; forming a Li thin film layer by vapor-depositing lithium (Li) on the electrode material; doping the electrode material with the deposited Li; and controlling a doping level by monitoring the doping amount of Li. 本発明の一実施例による2次電源用電極の製造方法は、導電性シート上に電極物質を形成する段階と、電極物質上にリチウムを蒸着してリチウム薄膜層を形成する段階と、蒸着されたリチウムを上記電極物質上にドーピングする段階と、リチウムのドーピング量をモニターしてドーピングレベルを調節する段階とを含む。 - 特許庁
When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed. ELパネル1において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ5、駆動トランジスタ6などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜5b、6bとなる結晶性シリコンの半導体層9bを成膜する前処理として下地膜16にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜5b、6bを形成することができる。 - 特許庁
The magnesium oxide film 1 is formed by growing magnesium oxide plate crystal 5 on the surface of the magnesium oxide thin film part 4 by the chemical gas phase deposition method (the CVD method) under an open atmosphere, on the surface of a base layer 3 formed by coating magnesium compound solution generating magnesium oxide by thermal decomposition on a surface of a base material 2 and heat-treating it. 酸化マグネシウム膜1は、熱分解により酸化マグネシウムを生成するマグネシウム化合物の溶液を基材2の表面に塗布して熱処理することにより形成した下地層3の表面に、大気開放下での化学気相析出法(CVD法)によって酸化マグネシウム薄膜部4の表面に酸化マグネシウム板状結晶5を成長させることにより形成される。 - 特許庁
The method for producing a surface-treated plastic article comprises bringing an aqueous solution A of a polymer A with a weight average molecular weight of 200 or more into contact with a plastic article, and forming a thin-layer polymer complex A on the surface of the plastic article, wherein the pH of the aqueous solution A is 4 or less or 8 or more. プラスチック成形品に重量平均分子量が200以上である重合体Aの水溶液Aを接触させ、前記プラスチック成形品の表面にポリマーコンプレックスの薄層Aを形成する表面処理プラスチック成形品の製造方法であって、前記水溶液AのpHが4以下または8以上であることを特徴とする、表面処理プラスチック成形品の製造方法。 - 特許庁
The organic thin-film transistor is manufactured through steps of: coating the substrate, in which the gate electrode is formed, with the photocurable composition, containing the polysiloxane compound having the radical polymerizable group and the optical radical generating agent, by a printing method; and curing by irradiating a layer composed of the photocurable composition with an active energy beam to form the gate insulating film. 該有機薄膜トランジスタは、前記ゲート電極が形成された前記基板に、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物を印刷法により塗布する工程及び当該光硬化性組成物からなる層に活性エネルギー線を照射し硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成する工程等により製造される。 - 特許庁
The analyzer 1 includes a hydrogen burner 11 which can form a hydrogen flame 11a, means 17 which can move a thinlayer chromatography element 10 and/or the hydrogen burner such that substances to be analyzed on that element can be combusted sequentially by the hydrogen flame, means 12 which can separate the light from the hydrogen flame, and means 13 which can analyze spectral intensity. 前記分析器1は、水素炎11aの形成可能な水素バーナー11;薄層クロマトグラフィー要素10上の分析対象物質を水素炎によって順次燃焼可能なように、前記要素及び/又は水素バーナーを移動可能な手段17;水素炎からの光を分光可能な手段12;及び分光の強度を分析可能な手段13を含む。 - 特許庁
To provide a sheet for an uneven surface which can be stuck onto the uneven surface such as uneven window glass and an uneven room wall surface by making the sheet follow the uneven surface even when an adhesive layer is thin, which can be easily and finely peeled without a remaining adhesive when removed, through which an outdoor sight can be seen and recognized from an indoor position and further which has excellent decorativeness. シートが凹凸面に追従することで、粘着層が薄くても凹凸のある窓ガラスや室内壁面のような凹凸面に貼着が可能であって、剥がす際には容易かつ綺麗に剥がすことができ、粘着剤が残ることなく、しかも室内から室外が視認可能であり、さらに装飾性に優れた凹凸面用シートを提供することを課題とする。 - 特許庁
To prevent a glass thin film layer from being formed in regions of lead wires other than those surrounded by glass beads in a stem for a fluorescent lamp, and to release the molded product from the mold easily and surely in a press molding process of the glass beads in a method of manufacture thereof, regarding the stem for the fluorescent lamp constituted of the glass beads and the lead wires to airtightly penetrate through the glass beads. ガラスビードと該ガラスビードを気密に貫通する導入線とで構成される蛍光ランプ用ステムに関し、蛍光ランプ用ステムにおいては導入線にガラスビードで包囲された領域以外の領域にガラス薄膜層の形成がなく、その製造方法においてはガラスビードのプレス成形工程で成形品を金型から容易にかつ確実に離型することができるようにすること。 - 特許庁
A low impedance loss line structure is formed by the insulator layer 14 consisting of an etched formation foil, the conductor layers 11 and 17 and the soft magnetic material layers 12 and 16 consisting of the soft magnetic material thin film formed on one surface of the conductor foil by the PVD, and the semiconductor layers 13 and 15 consisting of a conductive polymer and carbon paste for adhesion, and is used for a power-supply distribution circuit. 低インピーダンス損失線路構造は、エッチド化成箔から成る絶縁体層14と、PVDによって導体箔の一面に形成される軟磁性体薄膜から成る導体層11、17および軟磁性体層12、16と、導電性ポリマーと接着用のカーボンペーストとから成る半導体層13、15によって形成され、電源分配回路に使用される。 - 特許庁
The laminated substrate 10A is made of a material different from a nitride-based compound semiconductor, and includes a conductive support substrate 14 which has a principal surface 14a and is transparent to visible light, and a GaN thinlayer 12 which has a surface 12a stuck on the principal surface 14a of the support substrate 14 and formed having a tilt angle of 50 to 110°C to a C-plane of GaN crystal. 貼り合わせ基板10Aは、窒化物系化合物半導体とは異なる材料からなり、主面14aを有し、可視光に対して透明な導電性の支持基板14と、支持基板14の主面14aと貼り合わされ、GaN結晶のC面に対し50°以上110°以下の傾斜角をもって形成された表面12aを有するGaN薄層12とを備える。 - 特許庁
The thin-film transistors have leakage current that rises relatively slowly with voltage across the transistor within a range that matches exposure through an object being imaged but rises at a sufficiently higher rate within a higher range to provide protection even when a corresponding region of the charge generator layer receives greater amounts of x-rays. 該薄膜トランジスタは、結像されるオブジェクトを介しての露光とマッチする範囲内のトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、電荷発生器層の対応する領域がX線のより大きな量を受取る場合であっても保護をあたえるためにより高い範囲内において充分に一層高い割合で上昇するリーク電流を有している。 - 特許庁
The forming method of the doped PCMO thin-film layer which can be applied to RRAM and includes a process that prepares a PCMO precursor solution having a transition metal additive in it, a process that spin-coats a doped PCMO spin coating solution onto a wafer surface and anneals the same after sintered, a process that repeats spin coating several number of times and a process that further performs annealing. RRAMに適用出来るドープされたPCMO薄膜層の形成方法であって、その中に遷移金属添加物を有するPCMO前躯体溶液を準備する工程と、ドープされたPCMOスピンコーティング溶液をウェハ表面上にスピンコーティングし焼成後アニーリングする工程と、前記スピンコーティングを複数回繰り返す工程と、さらにアニーリングする工程とを含む。 - 特許庁
To peel off a release film and stick a thin sheet film continuously in a short time by a simple mechanism without causing waving, wrinkle, and positional deviation on the film when peeling off the release film from a soft base material in which the release film is stuck to a bonded layer side of the film and sticking the film to an another base material continuously. 薄板状フィルムの接着層側にリリースフィルムが貼着されている柔軟性基材から前記リリースフィルムを剥離し、前記薄板状フィルムを別の基材に連続して貼着する際に、薄板状フィルムに波打ちやしわを発生させることなく、簡単な機構で位置ずれがなく、短時間で連続的にリリースフィルムの剥離および薄板状フィルムの貼着ができるようにする。 - 特許庁
By plating active materials 6 on the surface of the conductive layer 5 of the collector and introducing them on the surface of the conductive particles 3 and/or into gaps among the conductive particles 3, the active materials 6 in the shape of fine particles or thin films can be efficiently dispersed to structure the electrode 10 with high capacity and excellent cycle characteristics. 該集電体の導電性層5表面に対して活物質6をメッキして導電性粒子3の表面及び/又は導電性粒子3間の間隙に活物質を導入することにより、微粒子状或いは薄膜状の活物質6を効率良く分散させることができ、高容量でサイクル特性に優れた電極10を構成することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a color filter array having simplified manufacturing steps, particularly a method for manufacturing the color filter array substrate provided with an overcoat layer having a flat surface, and to provide a thin film patterning apparatus capable of performing the patterning step without using a photolithography step and capable of simplifying the manufacturing step and a method for manufacturing the color filter array substrate utilizing the same. 本発明は、製造工程を単純化したカラーフィルタアレイ基板の製造方法、特に、平坦面を有したオーバーコート層を備えたカラーフィルタアレイ基板の製造方法、フォトリソグラフィ工程を使用せずにパターニング工程を行えると共に、製造工程の単純化を可能にした薄膜パターニング装置及びそれを利用したカラーフィルタアレイ基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
In a method of forming a photovoltaic element, which enables the precipitation of a silicon layer 110 on a substrate 103 by contacting the substrate 103 with a supersaturated solution obtained by dissolving a silicone in a metal solvent 109, before the substrate 103 contacts the supersaturated solution, a silicon thin film 107 is formed on the surface of the substrate 103 using a high-frequency plasma CVD method. 金属溶媒109にシリコンを溶解した過飽和溶液に基板103を接触させることにより基板103上にシリコン層110を析出させる光起電力素子の形成方法において、過飽和溶液に基板103と接触させる前に、基板103表面にシリコン系薄膜107を高周波プラズマCVD法を用いて形成しておく。 - 特許庁
Surface layers 2 each comprising a thin metal sheet are applied and laminated to both surfaces of the base material layer 1 comprising a thermoplastic resin and having numberless closed or open gaps 1b, the surfaces layers are linearly pressed by pressure elements 4 while heated, and the base material is softened and melted at the heated and pressed parts to depress the surface layers to form engaging recessed grooves. 熱可塑性樹脂を含み独立または連続した無数の空隙1bを有する基材層1の表面に薄い金属板からなる表面層2が被覆積層され、加圧子4で表面層の上から線状に加熱しつつ加圧した時に当該加熱・加圧した部分の基材層の一部が軟化ないし融解して表面層が凹溝状にへこむように形成されている。 - 特許庁
The method of manufacturing the nitride semiconductor thin film includes a metal excessive supply process of excessively supplying indium exceeding a stoichiometry condition S, and a droplet conversion process of converting indium droplets 15 deposited on the substrate 10 in the metal excessive supply process into an indium nitride layer 16 by supplying the active nitrogen species 12 until the stoichiometry condition S is met. 窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Sを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板10の上に析出したインジウムドロップレット15を、活性窒素種12をストイキオメトリ条件Sに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層16に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 - 特許庁
In the method for coating an optical fiber with a thin film protective layer in which a resin is applied to an optical fiber drawn from an optical fiber preform 16 in a spinning furnace 15, the optical fiber 18 is passed through a spherical resin pool 20 formed at the leading end of a resin supply pipe 21 supplying the resin. 紡糸炉15内の光ファイバ母材16から線引きされた光ファイバに、樹脂を塗布して薄膜の保護層を光ファイバにコーティングする方法であって、樹脂供給管21から供給された該供給管先端に形成される球状の樹脂だまり20内に光ファイバ18を通過させることにより光ファイバの薄膜保護層をコーティングすように構成されていること。 - 特許庁
The halftone phase shift mask 100 having a transparent region 23 and a semitransparent region 24 comprising a phase shift pattern 21a is obtained by pattering a halftone phase shift mask blank 10 prepared by forming a semitransparent layer 21 comprising a metal silicide compound thin film containing zirconium, metal except for zirconium, and silicon, on a transparent substrate 11 consisting of a quartz glass substrate or the like. 石英ガラス基板等からなる透明基板11上にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとを含んだ金属シリサイド化合物薄膜からなる半透明膜層21を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス10をパターニング処理して、透明領域23と位相シフトパターン21aとからなる半透明領域24とを有するハーフトーン型位相シフトマスク100を得る。 - 特許庁
A manufacturing method of thin polarizing film in the invention includes: a step for making a laminate 10 by forming a polyvinyl alcohol resin layer 12 on a thermoplastic resin substrate 11 that is made of a polyethylene terephthalate resin having a repeating unit (isophthalic acid) represented by a general formula (I); and a step for applying underwater stretching to the laminate 10 in a boric acid solution. 本発明の薄型偏光膜の製造方法は、一般式(I)で表わされる繰り返し単位(イソフタル酸ユニット)を有するポリエチレンテレフタレート系樹脂で構成された熱可塑性樹脂基材11上に、ポリビニルアルコール系樹脂層12を形成して、積層体10を作製する工程と、積層体10をホウ酸水溶液中で水中延伸する工程とを含む。 - 特許庁
In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12. 少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板10に下部電極12を形成し、下部電極12の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜13を形成する。 - 特許庁
To provide a device for liquid development capable of forming images free of density unevenness and toner fogging by forming a thinlayer of a liquid developer on a developing roller to a uniform film thickness even when the liquid developer has high concentration as a 1st purpose and to provide a liquid development device which is compact, large in degree of freedom, and low-cost as a 2nd purpose. 高濃度の液体現像剤であっても、均一な膜厚の液体現像剤の薄層を現像ローラ上に形成し、濃度ムラやトナーかぶりのない画像を形成することができる液体現像装置を提供することを第1の目的とし、前記液体現像装置がコンパクトで、配置自由度が大きい低コストな液体現像装置を提供することを第2の目的とする。 - 特許庁
To provide a method and a device for measuring soil property core specific resistance capable of accurately reading with a distribution of specific resistance a thinlayer inside a core sample without any oversight and of performing accurate measurement of specific resistance without generating any turbulence in a current near the edge of the core sample even when measuring where a current electrode is arranged at the edge of the core sample. コア試料内部の薄層を比抵抗分布状況により見落としなく正確に地層分布を判読することができ、コア試料端に電流電極を設置して測定した場合でもコア試料端近傍で電流に乱れが生じることがなくて正確な比抵抗の測定ができる土質コア比抵抗測定方法及び測定装置を提供すること。 - 特許庁
The developing device has a rotationally driven developing roller 20 and a toner carrier 10 constituted of a cylindrical, cylindrical thinlayer member having longer peripheral length than the peripheral length of the roller 20 and fitted on the roller 20 and by applying bias between the toner carrier 10 and the roller 20, the toner carrier 10 and the roller 20 are rotated while they are brought into close contact with each other by electrostatic power. 回転駆動する現像ローラ20と、現像ローラ20の周長よりも長い周長を有して前記現像ローラ20に外装された筒状の薄層部材をトナー担持体10とし、そのトナー担持体10と現像ローラ20との間にバイアスを印加して、その静電力により、前記トナー担持体10と現像ローラ20とを密着させつつ回転させる。 - 特許庁
As a result, the recess 5 can be made a shape having the almost same depth as a thickness of the semiconductor chip 1 and the insulating layer 3 around the semiconductor chip and the lead frame 2 can also be made sufficiently thin, then a small shape to be suitable for high-density mounting can be obtained without making the size of the package contour much larger than that of the semiconductor chip contour. これにより、収容凹部5を、半導体チップ1の厚みと略同等の深さを有する形状にすることができ、しかも半導体チップ周囲の絶縁層3及びリードフレーム2を極めて薄く形成できるので、パッケージ外形の寸法を半導体チップ外形よりあまり大きくすることなく、高密度実装に適した小型形状を得ることができる。 - 特許庁
To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter. 本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。 - 特許庁
To provide a unit cell for solid oxide fuel cell and a solid oxide fuel cell, having excellent thermal shock resistance even when a solid oxide thin film is used as a solid electrolyte layer, and a manufacturing method of the unit cell for solid oxide fuel cell for simply forming a structure having excellent gas permeability and electricity generating performance and suppressing interface resistance. 固体電解質層として固体酸化物薄膜を用いるときでも、優れた耐熱衝撃性を有する固体酸化物形燃料電池用単セル及び固体酸化物形燃料電池、及びガス透過性及び発電性能が良好であり、界面抵抗が抑制される構造を簡便に形成できる固体酸化物形燃料電池用単セルの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The external electrode type fluorescent lamp has such a structure that the metallic external electrode is held on both end parts of the fluorescent lamp by forming a welded layer of solder alloy having melting point of 200°C or lower, having glass adhesion property, on the metallic external electrode constituted by fitting a metallic short tube or winding metallic thin plate outside thereof. 本発明に関わる外部電極型蛍光ランプは、蛍光ランプの両端部のそれぞれにおいて、その外側に金属製短管をはめ込むか又は金属製薄板を巻き付けることにより構成される金属製外部電極の上に更にガラス接着性のある融点200℃以下のハンダ合金の融着層を設けて前記金属製外部電極を保持した構造を有するものである。 - 特許庁
In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided. SGS法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁
To provide an electromagnetic cooking container which has a practical use level of adherence strength, and forms a heating layer as thin as the one directly made by electroplating in any area of the container body regardless of the material or solid shape of the container body, and its production method whereby such electromagnetic cooking containers can be productively manufactured with as few processes as possible. 実用レベルの密着強度を有する上、電気めっき等によって直接に形成したのと同等の薄い発熱層が、容器本体の材質や立体形状等に関係なく、当該容器本体の任意の領域に形成された電磁調理容器と、この電磁調理容器を、できるだけ少ない工程で、生産性よく製造するための製造方法とを提供する。 - 特許庁
To provide an insulative magnetic one component toner capable of forming satisfactory images free of various image defects by forming a neat thinlayer free of defects etc., having a uniform thickness on the surface of a developer carrier stably for a long period of time from right after turning on a power source and an image forming method by a magnetic one component jumping development method using the same. 電源投入直後から、長期間にわたって安定して、現像剤保持体の表面に、厚みが均一で欠陥等のないきれいな薄層を形成して、様々な画像不良のない良好な画像を形成することができる、絶縁性の磁性1成分トナーと、それを用いた、磁性1成分ジャンピング現像法による画像形成方法とを提供する。 - 特許庁
This creeping discharger sheet is composed of a flexible insulator formed by a heat resistant thin film, an adhesive layer adhering to one side of the flexible insulator, and a fine streaky discharge electrode adherently formed on the the other side of the flexible insulator, and the creeping discharger is formed by sticking this creeping discharger sheet to an support body to which an induction electrode adheres. 耐熱性薄膜フィルムで構成した可撓性絶縁体と、この可撓性絶縁体の一方の面に被着した粘着層と、可撓性絶縁体の他方の面に被着形成した細条の放電電極とによって沿面放電器用シートを構成し、この沿面放電器用シートを誘導電極が被着された支持体に接着して沿面放電器を構成する。 - 特許庁
The organic thin film solar cell has: a pair of electrodes; and one or more organic solid multilayer portion sandwiched between the pair of electrodes and formed of one or more organic layers, and an organic layer in contact with at least one of the pair of electrodes contains a compound including a π electron conjugate molecule skeleton L having one or more electron donating structures D and one or more electron accepting structures A. 一対の電極と、 前記一対の電極間に挟持された1以上の有機層からなる有機固体多層部を有し、 前記一対の電極の少なくとも一方に接する有機層が、1以上の電子供与性構造D及び1以上の電子受容性構造Aを有するπ電子共役系分子骨格Lを含む化合物を含有する有機薄膜太陽電池。 - 特許庁
To provide a transfer material which partially has a thin metal film layer having insulating properties and metallic gloss which is applicable to various processing conditions during in-mold molding and a molding of a complex shape and to produce the molding which is obtained by in-mold molding/ transferring the transfer material and excellent in friction resistance stably in a high yield. 絶縁性と金属光沢を併せ持った金属薄膜層を部分的に有した転写材料であり、かつインモールド成形時の様々な加工条件や複雑な形状の成形品にも使用可能な転写材料を提供すること、及び該転写材料をインモールド成形転写して得た耐摩擦性に優れた成形品を歩留まり良く安定して製造することを目的とする。 - 特許庁
The liquid crystal display having a pair of substrates disposed opposite to each other via a liquid crystal layer is provided with an insulating film 7 provided on the substrate, an organic film 8 provided on the insulating film, a contact hole 12 provided by removing a portion of the insulating film and a conductive thin film 9 provided on the contact hole 12. 本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された一対の基板を備える液晶表示装置であって、基板上に設けられた絶縁膜7と、絶縁膜の上に設けられた有機膜8と、絶縁膜の一部を除去することにより、設けられたコンタクトホール12と、コンタクトホール12の上に設けられた導電性薄膜9とを備えている。 - 特許庁
To provide an antislip sheet of a sheet-shape base material to be used by laying it on a flat surface of a carpet, gateway floor mat, table center, or the like, and provide an antislip backing layer for preventing the slipping and dislocating movement during use so as to be very thin but not to be broken or separated. カーペット、出入口床マット、テーブルセンター、テーブルクロス、ディスクマット、椅子クッション、家具天板カバー、棚板表面カバー、花瓶その他の容器の下敷や台座等、床面、テーブル、椅子、家具天板、棚板等の平らな面に置き敷き使用されるシート状基材11の使用中における滑りやズレ移動の防止のために裏打積層される防滑裏打層16を破れたり剥離しない極薄なものとする。 - 特許庁
The laminate has a plurality of thin films each having an average thickness range within 0.01 to 0.2 μm on the constituted layer having irregularities formed on the surface of the base material. 基材表面に形成された凹凸を有する構成層上に、各層の平均膜厚が0.01〜0.2μmの範囲内にある複数の薄膜を設けた積層体において、該基材表面の凹凸を有する構成層の中心線平均粗さをRa1、該形成された薄膜の最表面の中心線平均粗さをRa2としたとき、Ra1とRa2とが下記式(1)の関係にあることを特徴とする積層体。 - 特許庁
This thread is used by making the thread into paper for prevention of forgery and the thread is obtained by providing a protruded part 13 formed by printing ink on a substrate 11 composed of a resin film and further forming a ferromagnetic thin film layer 15 having 0.5-50 oersted coercive force and 0.75-1.0 squareness ratio thereon. 本発明の偽造防止用スレッドは、偽造防止用紙に抄き込んで使用するためのスレッドであって、樹脂フィルムからなる基材11上に印刷インキによる凸部13が設けられ、当該樹脂フィルム基材上および凸部上に被着された保磁力が0.5〜50エルステッドで、かつ、角型比が0.75〜1.0である強磁性材薄膜層15をさらに備えることを特徴とする。 - 特許庁
In the production method for the microcapsule, the microcapsule 20 is produced by feeding a phase 18 to be used as a shell and an internally contained phase 19 to a continuous phase 17 running in a microchannel 12 in the crossing direction of the continuous phase 17, and by feeding the phase 18 to the phase 19 from the upstream so as to form a thinlayer. マイクロカプセルの製造方法において、マイクロチャンネル12中を流れる連続相17に対し、殻となる相18および内部に内包される相19を、前記連続相17の流れに交差する向きで供給し、前記殻となる相18は前記内部に内包される相19に対して上流側から薄い層をなすように供給し、マイクロカプセル20を得る。 - 特許庁
To provide an image forming method capable of preventing the occurrence of dielectric breakdown in a surface of a photoreceptor in a magnetic monocomponent developing system using a thinlayer amorphous silicon photoreceptor as a latent image carrier and using a cleaning blade as a means of cleaning a surface of the photoreceptor, and to provide a magnetic monocomponent toner for developing an electrostatic latent image. 潜像保持体として薄層のアモルファスシリコン感光体を用い、この感光体表面をクリーニングする手段としてグリーニングブレードを用いる磁性1成分現像方式による現像システムにおいて、感光体表面で絶縁破壊が生じるのを防止することができる画像形成方法および静電潜像現像用磁性1成分トナーを提供することである。 - 特許庁