「threshold coupling」を含む例文一覧(45)
- To suppress a coupling effect due to threshold variation of an adjacent memory cell.
隣接するメモリセルの閾値変動によるカップリング効果を抑制する。 - 特許庁 - The coupling transistor CON has a higher threshold voltage than that of the reset transistor RES.
連結トランジスタＣＯＮは、リセットトランジスタＲＥＳに比べて閾値電圧が高い。 - 特許庁 - This display includes a threshold voltage correcting means, a mobility correcting means and a coupling means.
表示装置は、閾電圧補正手段と移動度補正手段とカップリング手段とを含む。 - 特許庁 - When the temperature T of the coupling is detected, it is discriminated whether or not the detected coupling temperature T is less than a threshold value T0.
カップリングの温度Ｔが検出されると、この検出されたカップリング温度Ｔがしきい値Ｔ０未満であるか否かが判別される。 - 特許庁 - To provide a single or coupling quantum well laser diode having a high gain and a low threshold current.
利得が高くしきい値電流が低い、単一または結合量子井戸レーザダイオードを提供する。 - 特許庁 - A threshold processing means 19 of a coupling loop interference path estimating unit 10 removes a cancel residual larger than a preset threshold value from among cancel residuals of coupling loop interference calculated from propagation path responses of signals after cancelling the coupling loop interference.
回り込み伝搬路推定部１０のしきい値処理手段１９は、回り込みキャンセル後の信号の伝搬路応答から算出される回り込み波のキャンセル残差のうち、予め設定されたしきい値以上のキャンセル残差を除去する。 - 特許庁 - To improve the precision of threshold voltage correction operation by suppressing coupling which occurs at the time of switching of a sampling transistor.
サンプリングトランジスタのスイッチング時生じるカップリングを抑制して閾電圧補正動作の精度を改善する。 - 特許庁 - To prevent failure of write-in caused by apparent variation of threshold voltage due to capacitive coupling between nonvolatile memory cells.
不揮発性メモリセル間の容量性カップリングによる閾値電圧の見掛け上の変動によって書込み失敗を検出させないようにする。 - 特許庁 - At this time, when it is discriminated that the coupling temperature T is less than the threshold value T0, a first current value I0 is energized to the coupling, and thereafter, it is discriminated that difference rotation R is generated on front and rear wheels.
このとき、カップリング温度Ｔがしきい値Ｔ０未満と判別された場合には、カップリングに第１の電流値Ｉ０が通電され、その後に前後輪に差回転Ｒが生じているかが判別される。 - 特許庁 - A coupling amount control unit 70 reduces a pixel coupling amount of the moving amount operated by the moving amount detection unit 60 is a predetermined threshold value or less, and the moving amount detection unit 60 detects again the moving amount of the tracking enabled area with the area wherein pixel coupling is performed with the reduced pixel coupling amount, as one unit.
結合量制御部７０は、移動量検出部６０で演算された移動量が所定のしきい値以下の場合には、画素結合量を小さくし、移動量検出部６０は、小さくした画素結合量にて画素結合された領域を１単位として、再度、追跡可能領域の移動量を検出する。 - 特許庁 - Coupling means 46 is provided for coupling movement of the inner valve needle to the outer valve in circumstances in which the inner valve needle is moved away from the inner valve seating by an amount exceeding a predetermined threshold amount D.
内側弁ニードルが所定の閾量Ｄを超えて内側弁座部から離れる方向に移動した場合に、内側弁ニードルの運動を外側弁に連結させるための連結手段４６が設けられている。 - 特許庁 - The learning data value is not set as a coupling object, since no coupling will then be more appropriate, when the segment is connected to an intersection (S104: "YES") and when the prescribed threshold is smaller of travel frequency (S105: "NO").
交差点に接続するセグメントの場合（Ｓ１０４：ＹＥＳ）及び走行回数が所定の閾値以下の場合（Ｓ１０５：ＮＯ）は、むしろ結合しない方が妥当であるため、学習データ値の結合対象としない。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which compensates for the shift of a threshold distribution of memory cells due to the capacity coupling of cells adjacent to each other, and which writes data at high speed.
隣接セルの容量結合によるメモリセルの閾値分布のシフトを補償でき、高速な書き込みが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, a coupling phenomenon and a programming speed reduction caused by differences in target programming threshold voltage and current between adjacent memory cells are improved.
これにより、隣接するメモリセル間の異なる目標プログラムしきい電圧及び電流分差によるカップリング現象並びにプログラム速度低下を改善できる。 - 特許庁 - To enhance a performance characteristic, in particular its threshold current and efficiency, and to reduce the optical coupling loss in a single mode optical fiber.
性能特性、特にそのしきい値電流及び効率を向上させ、単一モードの光ファイバでの光学結合損失を低くする半導体光学部品を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element which reduces a programmed threshold voltage variation by preventing coupling and securing uniformity, and to provide its driving method and a manufacturing method.
カップリングを防止し且つ均一性を確保することにより、プログラムしきい値電圧変動を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法の提供。 - 特許庁 - The difference of the threshold voltage Vth occurs only by the difference of the coupling coefficient CC, so that the difference of the threshold voltage Vth can be kept constant even the channel dope, the thickness of the oxidized gate films, or the film thickness of the poly/poly layer film 6 fluctuate.
２つのＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ３のしきい値電圧Ｖthの差はカップリング係数ＣＣの違いによってのみ生じるため、チャネルドープやゲート酸化膜厚、あるいはポリ/ポリ層間膜６の膜厚がばらついてもしきい値電圧Ｖthの差は一定に保たれる。 - 特許庁 - According to this erasing method, the spread of a threshold-voltage distribution profile after erasing, which results from deviations of erase coupling ratios between memory cells, can be reduced.
このような消去方法によると、セルの消去カップリング比（Ｅｒａｓｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒａｔｉｏ）の偏差に起因して発生する消去後の閾値電圧分布の拡散を抑制できる。 - 特許庁 - In scene coupling processing, scenes are so coupled that the number of scenes can be reduced and the length of each scene can exceed the second threshold and the standard deviation of the lengths of respective scenes can be as small as possible.
シーンの結合処理では、シーン数を減らし、各シーンのシーン長が第２の閾値を越え、かつ各シーンのシーン長の標準偏差がなるべく最小になるようにシーンを結合する。 - 特許庁 - When the quantity of light reflected from the point A exceeds a preset threshold level, the output is inverted and a fact that the coupling pin 4 is fitted in the V-groove 2 as specified is detected.
このとき、点Ａからの反射光量が設定されたしきい値レベルを越えると出力が反転し、結合ピン４が規定どおりにＶ字溝２に収まったことを検出する。 - 特許庁 - When an index to be displayed on a display device 107 is generated, break points of scenes are detected (S501), scene coupling processing is performed (S504) in the case that the number of scenes exceeds a preliminarily set first threshold (S502) or the length of scenes is equal to or shorter than a second threshold (S503).
ディスプレイ装置１０７に表示されるインデックスを作成する際、シーンの区切りを検出し（Ｓ５０１）、シーンの数が予め設定された第１の閾値を越えている場合（Ｓ５０２）、あるいはシーンの長さが第２の閾値以下である場合（Ｓ５０３）、シーンの結合処理を行う（Ｓ５０４）。 - 特許庁 - A line coupling determination threshold calculation part 34 determines data length for every line based on the number of characters of each line character string of the text data of the e-mails, and calculates a difference between the maximum value of the data length and a value of the data length with high appearance frequency except the maximum value as a line coupling determination value.
行結合判定閾値算出部３４は、メールの本文データの各行文字列の文字の数に基づき各行ごとにデータ長を判定し、データ長の最大値とその最大値以外で出現頻度が高いデータ長の値との差分を行結合判定閾値として算出する。 - 特許庁 - To make a gain region and a non-injection region nearly equal to each other in light distribution so as to prevent a semiconductor laser from increasing in a threshold current due to a coupling loss and deteriorating in noise characteristics due to a composite resonator effect.
利得領域と非注入領域の光分布をほぼ同じにして、カップリングロスによる閾値電流の増大を防止し、同時に、複合共振器効果によるノイズ特性の劣化を防止する。 - 特許庁 - When control is performed so that the period for making the sampling transistor into the conducted state, since termination of threshold correction comes to be prescribed by OFF of the sampling transistor, coupling of a scanning drive pulse for turning on/off of light emission control transistor is not generated and the adverse effect of the shading phenomenon in accordance with the threshold correction is not generated.
サンプリングトランジスタを導通状態とする期間が支配的となるように制御すると、閾値補正終了がサンプリングトランジスタのオフで規定されるようになるので、発光制御トランジスタをオン／オフする走査駆動パルスのカップリングが生じることはなく、閾値補正に伴うシェーディング現象の弊害は起きない。 - 特許庁 - To reliably perform threshold correction as desired by reducing source voltage fluctuation of drive transistors caused by parasitic capacitance coupling when the voltage of the power to be supplied to the drive transistors is changed.
駆動トランジスタに供給する電源電位が切り替わるときの寄生容量のカップリングによる駆動トランジスタのソース電位の変動を抑えることにより、所望の閾値補正処理を確実に実行できるようにする。 - 特許庁 - The elastic seal ring 17 is set so as to relatively rotate to at least one of the connection pipe P and the coupling body 100 when torsional torque received from the connection pipe P exceeds a threshold value within a predetermined range.
弾性シールリング１７は、接続管Ｐから受けるねじりトルクが所定の範囲内である閾値を越えると、接続管Ｐおよび継手本体１００の少なくとも一方に対して相対的に回動するように設定されている。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory device capable of reducing a change in a threshold voltage due to coupling noise, Vpass failure and Vpgm failure, a programming method thereof, a memory system including the nonvolatile memory device, electronic equipment and a system.
カップリングノイズ、Ｖｐａｓｓ障害、及びＶｐｇｍ障害による閾値電圧の変化を減らすことができる不揮発性メモリー装置、そのプログラム方法、不揮発性メモリー装置を含むメモリーシステム、電子装置及びシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide an optical communication system that uses, as a light emitting source, a surface-emitting semiconductor laser element chip operable with a low voltage and a low oscillation threshold current, etc., and that can obtain superior optical coupling of this laser element and an optical fiber.
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、このレーザ素子と光ファイバの良好な光学的カップリングが得られる光通信システムを提供する。 - 特許庁 - If the system 1 is abnormal and its DC bias voltage has reached the threshold value, a voltage detection circuit 34 outputs an OFF signal through a coupling circuit 35 to release a switch device 31 (OFF).
一方、超音波診断装置１に異常が発生し、ＤＣバイアス電圧が閾値電圧に達すると、電圧検出回路３４は、カップリング回路３５を介してＯＦＦ信号を出力し、スイッチ素子３１を開放状態（ＯＦＦ）にさせる。 - 特許庁 - To further improve display quality by stably performing a write processing of a video signal and a mobility correction processing without being affected by variation in gate potential of a driving transistor due to capacity coupling at the end of threshold correction processing.
閾値補正処理の終了時の容量カップリングによる駆動トランジスタのゲート電位の変動の影響を受けることなく、映像信号の書込み処理および移動度補正処理を安定して行うことによって表示品質をより向上できるようにする。 - 特許庁 - In a post-correction period which is a period after each threshold correction operation period in the plurality of times, an intermediate voltage V2 is supplied to the driving transistor, and thereby a coupling is inserted through a parasitic capacity between the gate and the source of the driving transistor to cut off the driving transistor.
この複数回のそれぞれの閾値補正動作期間の後の期間となる補正後期間において、駆動トランジスタへ中間電圧Ｖ２を供給することで、駆動トランジスタのゲート−ドレイン間の寄生容量を介してカップリングを入れ、駆動トランジスタをカットオフさせる。 - 特許庁 - A system where a light beam emitted from a semiconductor laser 1, reflected by some object, returns to the semiconductor laser 1 shows a phenomenon, in which the threshold of an injection current for the semiconductor laser 1 is lowered in proportion to the intensity of the returning light, namely, a self-coupling effect.
半導体レーザ１は、半導体レーザ１から出射した光が何かにより反射されて再び半導体レーザ１に戻ってくる場合、当該半導体レーザ１に対する注入電流の閾値が戻り光の強度に比例して低下する現象、即ち、自己結合効果を示す。 - 特許庁 - In another embodiment, a method monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing chamber includes monitoring a metric indicative of current passing through the ground member during processing, and setting a flag in response to the metric exceeding a predefined threshold.
別の実施形態において、プラズマ処理チャンバ内で基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法は、処理中に接地部材を流れる電流を示す計量値をモニタし、所定の閾値を越えた計量値に応答してフラグを設定することを含む。 - 特許庁 - A bias scanner 8 switches the potential of a bias line BS before the correcting operation to apply a coupling voltage to the source S of the drive transistor Trd via the auxiliary capacitor Csub, and then performs initialization so that the potential difference between the gate G and source S of the drive transistor Trd becomes larger than the threshold voltage Vth.
バイアススキャナ８は、補正動作の前にバイアス線ＢＳの電位を切り換えて補助容量Ｃｓｕｂを介してカップリング電圧をドライブトランジスタＴｒｄのソースＳに加え、以ってドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧとソースＳの電位差を閾電圧Ｖｔｈよリ大きくなる様に初期化する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device which the dielectric breakdown of an insulation film provided between a word line and a shield wiring can be suppressed, and a variance in threshold voltage in a memory cell transistor can be also suppressed by alleviating capacity coupling between adjacent floating gates, and to provide its manufacturing method.
ワード線とシールド配線との間に設けられた絶縁膜の絶縁破壊を抑制でき、且つ隣り合う浮遊ゲート間の容量結合を軽減してメモリセルトランジスタの閾値電圧の変動を抑制できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, when the difference exceeds the specified threshold values, the sheet-side coil 101-y indicating the maximum value of the voltage drop is specified to be in a region on the inside of the medium-side coil 201, the magnetic-field coupling is formed between the sheet-side coil 101-y and the medium-side coil 201 for communication with the medium 200.
一方、当該差が所定の閾値を超えた場合には、電圧降下の最高値を示したシート側コイル１０１−ｙを媒体側コイル２０１の内側の領域に含まれるものとして特定し、このシート側コイル１０１−ｙと媒体側コイル２０１との間に磁界結合を形成し、媒体２００との通信を行う - 特許庁 - As a result, when the read word line rdword 0 becomes to be at the high level, since only a minute coupling voltage is generated on the write word line wrword 0 and the voltage is equal to or smaller than the threshold voltage of a transfer gate 1 for writing memory cells, this transfer gate is never turned ON and the erroneous write is not generated.
このため、読み出しワード線ｒｄｗｏｒｄ０がハイレベルになった時、書き込みワード線ｗｄｗｏｒｄ０には微小なカップリング電圧しか発生せず、メモリセルの書き込み用のトランスファーゲート１の閾値電圧以下なので、このトランスファーゲートがオンすることがなく、誤書き込みが生じない。 - 特許庁 - The washing machine includes a thermistor 32 which is positioned at a printed wiring board near a magnetic coupling circuit 14, detects the atmosphere temperature of the circuit 14, and corrects a detected value of the water leakage based on the reference value, which results in preventing incorrect detection and conducting quick control for the water leakage caused by setting of a threshold value in the detection level.
磁気結合回路１４の近傍のプリント配線板にサーミスタ３２を設け磁気結合回路１４の雰囲気温度を検出して水漏れ検知の値を基準値から補正することにより、誤検知を未然に防ぎ、検知レベルの閾値の設定により水漏れが発生した場合にも迅速に制御が可能である。 - 特許庁 - The body voltage control means 102 includes a 1st transistor(TR) Q1 with a terminal 1-8 for electric coupling with a logic circuit and the TR Q1 has a body connecting point 112 connected electrically to the input control signal SL1 to reduce a threshold voltage of the TR Q1 when the TR Q1 is active.
ボディ電圧制御段は、論理回路に電気的に結合するための端子１０８を備えた第１のトランジスタＱ１を含み、トランジスタＱ１は、トランジスタＱ１が活動状態になるときにトランジスタＱ１の閾値電圧が低減されるように入力制御信号ＳＬ１に電気的に結合されるボディ接点１１２を有する。 - 特許庁 - A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.
電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線ＤＳを高電位から低電位に切り換え、補助容量Ｃｓｕｂを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタＴ２の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁 - This primary coupling processing obtains the degree of similarity between the still picture of a noticed scene and that of the following scene (S702); and when it is discriminated that the degree of similarity exceeds a prescribed threshold (S703), the noticed scene and the following scene are coupled into one scene (S704)to reduce scenes where the still pictures have high degrees of similarity.
この１次結合処理では、注目しているシーンの静止画と、注目しているシーンの次のシーンの静止画との類似度を求め（Ｓ７０２）、類似度が所定の閾値を越えて類似していると判断された場合（Ｓ７０３）、注目シーンとその次のシーンを１つのシーンに結合し（Ｓ７０４）、類似度の高い静止画のシーンを減らす。 - 特許庁 - When the node α is in the floating state, a capacitive coupling between the gate and the source of the TFT 203 by the capacity 205 is used to make a potential of the node α higher than VDD, so that an output signal having an amplitude between VDD and GND can be normally obtained without amplitude attenuation due to a threshold of the TFT.
ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのしきい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出力信号を得ることが出来る。 - 特許庁 - A semiconductor laser device 51 outputting a laser light of plurality of longitudinal oscillation modes lower than a threshold level generating Brillouin scattering is provided in a module and the focal point of a second lens 54 is shifted appropriately in the arrow directions X, Y and Z in order to lower the optical coupling efficiency intentionally thus lowering the laser light intensity while ensuring the operation with a large driving current.
誘導ブリルアン散乱が発生する閾値以下の複数の発振縦モードのレーザ光を出力する半導体レーザ装置５１をモジュール化するとともに、第２レンズ５４の焦点を矢印Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に適宜ずらすことで、光結合効率を意図的に低下させ、大きな駆動電流での動作を確保しつつ、レーザ光強度を小さくする。 - 特許庁 - The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.
シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁 - This mobile communication system which has a power level detection part within a mobile terminal and decides a data transmission rate by coupling with a power level which is detected by the power level detection part and a predetermined threshold and a user set power supply use setting information and when the decided data transmission rate differs from the currently applied rate, directs to change the data transmission rate between the base station and the mobile terminal.
携帯端末内に電源レベル検出部を有し、上記電源レベル検出部により検出された電源レベルと、あらかじめ設定されたしきい値、およびユーザが設定した電源利用設定情報を加味して、データ伝送速度を決定し、決定したデータ伝送速度が現在適用しているデータ伝送速度と異なる場合は、基地局−携帯端末間のデータ伝送速度の切替えを行うように指示する。 - 特許庁
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