「threshold potential」を含む例文一覧(429)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 次へ＞- The threshold potential of the inverter 2 becomes threshold value VIH and the threshold potential of the inverter 3 becomes the threshold value VIL.
インバータ２のしきい値電位は、スレッシュホールド値ＶＩＨとなり、インバータ３のしきい値電位はスレッシュホールド値ＶＩＬとなる。 - 特許庁 - A high potential digital signal with a high potential threshold value and a low potential digital signal with a low potential threshold value are generated from the discharge voltage.
放電電圧から高電位しきい値における高電位デジタル信号と、低電位しきい値における低電位デジタル信号とを生成する。 - 特許庁 - A threshold value is sequentially determined by using a potential resulting from composing a repulsive force potential and an attracting force potential.
斥力ポテンシャルと引力ポテンシャルを合成したポテンシャルを用いて、閾値を順次決定していく。 - 特許庁 - In addition, the vertical scanning circuit 114 sets the gate of the transfer transistor 102 to a second potential V2 in which difference between a threshold potential Vth and the second potential V2 is larger than that between the threshold potential Vth and the first potential in a second period TP2.
また、垂直走査回路１１４は、第２の期間ＴＰ２において、転送トランジスタ１０２のゲートを第１の電位より閾値電位Ｖｔｈとの差が大きな第２の電位Ｖ２に設定する。 - 特許庁 - The threshold generating circuit generates a high threshold signal related to the stored potential.
閾値発生回路は、保持された電位に関連付けられた高閾値信号を発生させる。 - 特許庁 - The reference potential setting section sets potential of a low-potential-side terminal that the power storage element includes to be second reference potential higher than first reference potential from the first reference potential when the potential of the analog signal is higher than a threshold.
基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第１基準電位から第１基準電位よりも高い第２基準電位に設定する。 - 特許庁 - When the input potential of the logic gate G2 is higher than a threshold potential, a transistor Tr1 is turned on.
論理ゲートＧ２の入力電位が、スレッショルドの電位より高い場合は、トランジスタＴｒ１をオンにする。 - 特許庁 - A second comparator 38 compares a threshold potential higher than the initial value potential by 50mV with the output potential from the amplifier 14.
同様に、第２コンパレータ３８は、初期値電位よりも５０ｍＶ高い閾値電位と増幅器１４からの出力電位とを比較する。 - 特許庁 - For example, a power drive pulse DSL is set to the first potential Vcc at a threshold correction operation time, and to a third potential Vmid between the first potential Vcc and a second potential Vss in the interval period.
たとえば、閾値補正動作時の電源駆動パルスDSL を第１電位Ｖccに設定し、間隔期間は第１電位Ｖccと第２電位Ｖssの間の第３電位Ｖmid に設定する。 - 特許庁 - The interface circuit 1 is provided with a comparing part 10 which compares the potential of the DQS signal with the threshold potential VREFH of a potential different from the intermediate potential VM.
インターフェース回路１は、ＤＱＳ信号の電位を、中間電位ＶＭとは異なる電位の閾値電位ＶＲＥＦＨと比較する比較部１０を備えている。 - 特許庁 - The calculation means calculates a threshold level during photographing operation by referring to the threshold level, and when the comparison means determines that the potential level exceeds the threshold level, the controlling means changes the potential level to the threshold level.
算出手段は、撮影動作中に、電位レベルを参照して閾値レベルを算出し、比較手段により電位レベルが閾値レベルを超えると判断されたとき、制御手段は、電位レベルを前記閾値レベルに置き替える。 - 特許庁 - Upon the electric potential of the membrane exceeding a threshold, a spike signal is generated.
膜電位がしきい値を超えたことに応じて、スパイク信号が生成される。 - 特許庁 - A determination potential correcting circuit 23 corrects a determination potential based on threshold values of the memory cells MC2 to MC4.
判定電位補正回路２３は、メモリセルＭＣ２〜ＭＣ４が持つしきい値に基づいて判定電位を補正する。 - 特許庁 - A first comparator 36 compares a threshold potential lower than an initial value potential by 50mV before engine start with an output potential from an amplifier 14.
第１コンパレータ３６は、エンジン始動前の初期値電位よりも５０ｍＶ低い閾値電位と増幅器１４からの出力電位とを比較する。 - 特許庁 - A control circuit adds a value obtained by adding a particular potential stored in a particular potential storage to a threshold stored in an adjacent memory cell threshold storage to a gate potential of the source line side depletion-type FET, in the read operation.
制御回路は、読み出し時に、隣接メモリセル閾値記憶部に記憶された閾値に特定電位記憶部に記憶された特定電位を足した値を、ソース線側デプレッションタイプＦＥＴのゲート電位に加える。 - 特許庁 - The threshold potential of the boosting potential VPP with respect to the power supply potential VDD can be controlled with an inclination and an offset set at magnitudes of resistors 41b to 41d, and 42a, 42b.
傾き、オフセットが抵抗４１ｂ〜４１ｄ、４２ａ，４２ｂの大きさで、電源電位ＶＤＤに対する昇圧電位ＶＰＰの閾値電位を制御できる。 - 特許庁 - To minimize delay of rising of gate voltage potential in a switching circuit having circuitry for maintaining the gate voltage potential of a transistor below a threshold potential.
トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。 - 特許庁 - A potential of a connection point Z is fixed to a reference potential Vref during a write period when a data potential VD[j] is written, and a compensation period when the threshold voltage is compensated.
データ電位ＶD[j]を書き込む書込期間と、閾値電圧を補償する補償期間において接続点Ｚの電位は基準電位Ｖrefに固定される。 - 特許庁 - When this potential difference exceeds a prescribed threshold, the FET 11 is turned on, and the potential Va is applied to a scanning signal line.
この電位差が所定の閾値を超えるとＦＥＴ１１はオンされ、上記電位Ｖａが走査信号線に与えられる。 - 特許庁 - When the input potential of the logic gate G2 gradually falls below the threshold potential, the transistor Tr1 is turned off.
論理ゲートＧ２の入力電位が徐々に降下し、スレッショルドの電位より低くなるとトランジスタＴｒ１をオフにする。 - 特許庁 - By setting the potential V2 higher than the potential V3, and setting a predetermined potential obtained by subtracting threshold voltage Vt1 of the transistor Q1 from the potential V1 lower than the potential V3 and higher than a low potential, an operation margin of a reading operation is improved.
電位Ｖ２を電位Ｖ３より高く設定し、電位Ｖ１からトランジスタＱ１の閾値電圧Ｖｔ１を引いた所定電位が電位Ｖ３より低く、かつ低電位より高くなるように設定することで、読み出し動作の動作マージンが向上する。 - 特許庁 - A second comparison means (627) compares the second potential with a prescribed threshold voltage(VL), and when the second potential is lower than the prescribed threshold voltage, it outputs a second detection signal.
第２の比較手段（６２７）は、第２の電位と所定の閾値電圧（ＶL）とを比較し、第２の電位が所定の閾値電圧より低いときに第２の検知信号を出力する。 - 特許庁 - A threshold voltage comparing/deciding section 52 for comparing the potential on the low potential side of the capacitor C1 with a threshold voltage E0 can determine extraction of the load unit 5.
コンデンサＣ１の低電位側の電位と閾値電圧Ｅ０とを比較する電圧閾値比較判定部５２とを備えたことにより、負荷ユニット５の抜脱を判定できる。 - 特許庁 - The microcomputer 35 compares the potential at the connection terminal 31 with a preset threshold.
マイクロコンピュータ３５は、接続端子３１の電位と予め設定された閾値とを比較する。 - 特許庁 - In this case, an intermediate potential level between the higher potential and the lower potential of the control signal is set to a level obtained by adding a threshold voltage of the sampling transistor T1 to the highest level of the signal potential.
その際、制御信号の高電位側と低電位側の中間レベルが、信号電位の最大レベルにサンプリング用トランジスタＴ１の閾電圧を加算したレベルと一致するように設定する。 - 特許庁 - When a power supply voltage VDD goes down, and the potential difference between the power supply potential VDD and a potential VA of a node A falls below a threshold VIP of a transistor 12a, the transistor 12a is turned off.
電源電位Ｖ_DDが低下し、電源電位Ｖ_DDとノードＡの電位Ｖ_Aとの電位差が、トランジスタ１２ａのしきい値Ｖ_IPを下回ったとき、トランジスタ１２ａがオフする。 - 特許庁 - When the second pixel potential during the reset noise reading period exceeds a prescribed threshold level, the second pixel potential is defined as prescribed reference potential in the sample-and-hold circuit.
サンプルホールド回路では、リセットノイズ読み出し期間中の第２の画素電位が所定の閾値レベルを越える時に、第２の画素電位が所定の基準電位にされる。 - 特許庁 - After an offset potential generated between the source and drain of the transistor is acquired and held, a signal potential is input and superposed on the held offset potential to obtain a signal potential after the threshold voltage causing variance in threshold of the transistor is canceled.
前記トランジスタのソース・ドレイン間に生ずるオフセット電位を取得、保持した後、信号電位を入力して、前記保持されたオフセット電位に重畳することで、トランジスタのしきい値ばらつきの原因となるしきい値電圧を相殺した信号電位を得る。 - 特許庁 - After an offset potential generated between the source and the drain of the transistor is obtained and held, a signal potential is input; and by having this superimposed on the held offset potential, a signal potential in which the threshold voltage which becomes the cause of dispersion in the threshold of the transistor is offset is obtained.
前記トランジスタのソース・ドレイン間に生ずるオフセット電位を取得、保持した後、信号電位を入力して、前記保持されたオフセット電位に重畳することで、トランジスタのしきい値ばらつきの原因となるしきい値電圧を相殺した信号電位を得る。 - 特許庁 - By supplying the changing potential after setting an absolute potential difference value between the gate and source electrode of the driver element 13 by using the threshold potential detector part 17 to a value lower than the threshold voltage by the brightness potential, the light emitting element 11 emits light for a period corresponding to the display brightness.
閾値電位検出部１７によってドライバ素子１３のゲート・ソース間の電位差の絶対値を閾値電圧よりも輝度電位だけ低い値に設定した後に変動電位を供給することで、発光素子１１が表示輝度に応じた時間だけ発光する。 - 特許庁 - Threshold correction processing is repeatedly performed a plurality of times even in an offset potential Vofs period, at least in one threshold correction processing period in 1H-unit splitting threshold correction processing.
１Ｈ単位分割閾値補正処理における少なくとも１回の閾値補正処理期間に、オフセット電位Ｖofs 期間でも閾値補正処理を複数回繰り返して行なう。 - 特許庁 - A first comparison means (626) compares the first potential with prescribed threshold voltage (VHS), and when the first potential is lower than the prescribed threshold voltage, it outputs a first detection signal.
第１の比較手段（６２６）は、第１の電位と所定の閾値電圧（ＶHS）とを比較し、第１の電位が所定の閾値電圧より低いときに第１の検知信号を出力する。 - 特許庁 - Further, when a transistor, of which threshold value voltage is controlled and set to a positive value, is used as the reading transistor, a reading potential is a positive potential.
また、読み出し用トランジスタとして、しきい値電圧を正に制御したトランジスタを用いることで、読み出し電位を正の電位とする。 - 特許庁 - Therefore, the internal circuit of the DRAM will not produce errors, even if the external reference potential VR2 becomes lower than the threshold potential.
したがって、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下した場合でも、ＤＲＡＭの内部回路が誤動作することがない。 - 特許庁 - At this time, since the potential of the second node 660 is higher than threshold potential (Vthel+Vcat) of a light emitting element, the light emitting element emits light.
このとき、発光素子の閾値電位（Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）より第２ノード６６０の電位が高いため、発光素子は発光している。 - 特許庁 - A threshold value compensating circuit 32 generates a bias potential VBIAS which is the threshold voltage of a MOS transistor offset for a certain value.
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に、ある一定値をオフセットしたバイアス電位ＶＢＩＡＳをしきい値補償回路３２が発生する。 - 特許庁 - Each of the data holding circuits 18' and 20' includes at least one transistor which has a 2nd threshold voltage higher in potential than the 1st threshold voltage.
データ保持回路（１８'と２０'）は第１閾値電圧より電位が高い第２閾値電圧を有する少なくとも１個のトランジスタを含む。 - 特許庁 - If the potential V_2 exceeds a preset threshold value, a grounding failure can be judged to have occcurred in the shielding conductor.
この電位Ｖ_２が設定した閾値を越えた時、遮蔽導体の接地不良と判断できる。 - 特許庁 - At the time, a potential of the node A becomes 2×Vthp (Vthp: threshold voltage of P channel MOS transistor) or more surely.
このとき、ノードＡの電位は、必ず２・Ｖｔｈｐ（Ｖｔｈｐ：ＰチャネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧）以上となる。 - 特許庁 - Threshold potential VTH of the inverter 20 can be lowered by blowing out the fuses F1, F2.
ヒューズＦ１，Ｆ２の切断により、インバータ２０のしきい値電位ＶＴＨを下げることができる。 - 特許庁 - A different threshold distribution can be realized by, for example, controlling a step-up width of a write potential.
異なる閾値分布は、例えば、書き込み電位のステップアップ幅を制御することにより実現できる。 - 特許庁 - The capacity part Cs2 holds potential according to the detected potential difference and the held potential offsets an influence of the threshold voltage Vth to output current Ids of the drive transistor Tr2.
容量部Ｃｓ２は検出した電位差に応じた電位を保持し、保持した電位はドライブトランジスタＴｒ２の出力電流Ｉｄｓに対する閾電圧Ｖｔｈの影響を相殺する。 - 特許庁 - Threshold voltage of the (p) channel transistor 501 is varied in accordance with variation of an internal boosting potential conforming to its substrate potential dependency characteristic, and it becomes large as rise of a substrate potential.
ｐチャンネルトランジスタ５０１のしきい値電圧は、その基板電位依存特性に従って内部昇圧電位の変動に応じて変化し、基板電位が上昇すると大きくなる。 - 特許庁 - Thus, since the potential of the second node 660 becomes lower in comparison with threshold potential of the light emitting element 640, the extinction of the light emitting element 640 is performed.
これにより、第２ノード６６０の電位が発光素子６４０の閾値電位に比べて低くなるため、発光素子６４０は消光する。 - 特許庁 - By comparing this potential with another reference potential, whether the threshold value V_th is in the allowable range or not can be determined.
この電位と他の参照電位との大小を比較することによりしきい値Ｖ_ｔｈが許容される範囲内にあるか否かを判定できる。 - 特許庁 - When the potential of the output signal exceeds a predetermined threshold voltage, the output potential detection inverter 30 controls the input switch M3 to be turned off.
出力電位検知インバータ３０は、出力信号の電位が所定の閾値電圧を超えると、入力スイッチＭ３をオフするよう制御する。 - 特許庁 - A 1st threshold voltage correcting circuit 7 detects the threshold voltage of the drive transistor Tr2, adds it to the signal potential, and feeds the resulting voltage back to a gate G to cancel variation in threshold voltage.
第１閾値電圧補正回路７は、ドライブトランジスタＴｒ２の閾値電圧を検知し、これを該信号電位に加えてゲートＧにフィードバックし、以って閾値電圧の変動をキャンセルする。 - 特許庁 - The voltage control circuit 11 supplies a voltage so that the potential of the inverted input terminal of the amplifier A is restored to the threshold when the potential is lowered from the threshold.
そして、電圧制御回路１１は、増幅器Ａの反転入力端子の電位が閾値より低下したときに、増幅器Ａの反転入力端子の電位が閾値まで復帰するように、電圧を供給する。 - 特許庁 - A gate bias potential VREF to be applied to the gate terminal of the MOS transistor 15 is set at a potential to be outputted from the sixth n-channel MOS transistor 52 of a regulator 2, and fallen from a high-potential side power supply potential VDD by the potential difference between a low-potential side power supply potential VSS and the threshold of the n-channel MOS transistor.
第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１５のゲート端子に印加するゲートバイアス電位ＶＲＥＦを、レギュレータ２の第６のＮチャネルＭＯＳトランジスタ５２から出力される、低電位側電源電位ＶＳＳとＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値との電位差分だけ高電位側電源電位ＶＤＤから降下した電位とする。 - 特許庁 - When the potential at the signal wiring L1 is at a low level, in addition, the occurrence of such a case can be prevented that the potential becomes higher than the low-level threshold voltage of the circuit IV1.
また、信号配線の電位がＬレベルの際は、この電位がシュミット・インバータ回路ＩＶ１のＬレベル閾値電圧を上回ることを低減できる。 - 特許庁
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